茋衍生物、液晶混合物和电光显示器的制作方法

文档序号:2673023阅读:219来源:国知局

专利名称::茋衍生物、液晶混合物和电光显示器的制作方法芪衍生物、液晶混合物和电光显示器本发明涉及芪衍生物,^i^介晶芪衍生物,尤其是液晶芪衍生物,和包含这些芪衍生物的液晶介质。本发明还涉及液晶显示器,特别是有源矩P车寻址的液晶显示器(AMD或AMLCD),更特别是称作VA("垂直配向")的液晶显示——种ECB("电控双折射")液晶显示器的具体实施方案,其中使用了负介电各向异性(△e)的向列型液晶。在该类型的液晶显示器中,液晶被用作电介质,其光学性质a加电压的作用下可i^变化。用液晶作为介质的电光显示器是^4页域技^A员所熟悉的。这些液晶显示H^^]树电^W^。这些雌中最辆的是TN("扭曲向列")效应,具有液晶指向矢的均匀的、差^^上平面的初始配向和扭曲大约90°的向列型结构,STN("超扭曲向列")效应和SBE("超扭曲双折射效应"),具有扭曲180°或更大的向列型结构。^ii些科目似的电iW应中,使用了正介电各向异性(△s)的液晶^h质。除了提到的需要正介电各向异性液晶介质的电M应夕卜,还有其它的利用负介电各向异f生液晶介质的电it^,例如ECB^和其子形式DAP("配向相变形"),VAN和CSH("彩^1垂面")。(ASM)。在该中,每^W象素的液晶净^:杨材料以圆柱形方式围绕。该模式特别适合与通过等离子糾道寻iibNl结合。因此,特别地,能够获得具有缺对比度视角依赖性的大面积PA("等离子体寻址")LCD。最近应用程度增加的IPS("面内切换")效应能够以与"宾/主"显示器相似的方式使用介电正性和介电负性液晶介质,该"宾/主"显示器可利用在介电正'l"线介电负性介质中的染料,这絲于显示器所用的模式。由于通常液晶显示器、也即佳月这些效应的显示器的工作电压应该尽可能的低,因而使用具有大的介电各向异性绝对值的液晶介质,该液晶介质通常主*,即在介电正性介质的情况下正的介电各向异性的4t^b和在介电负性介质的情况下负的介电各向异性的^^/组成。在各自类型的介质(介电正性或介电负性)中,介电中性的液晶化^^通常以至多^^J^皮使用。具有与介质的介电各向异fy目反符号的介电各向异f生的液晶^^通常极少^^或^^T、用。液晶显示器的像素可直接地、以时间顺序寻址,即以时分复用的方式,或以具有非线性电棒^W的有源元件矩阵的方式。日前最普逸的AMD利用离散的有源电子开关元件,例如,三欧(pole)开关元件,例如M0S("金属氧化物硅")晶体管或薄膜晶体管(TFT)或变阻器(varistor),或2;fel开关元件,例如MIM("金属-绝缘体-^r属";H管,环形^fel管或"背对背,,^l管。多种半寻^#料,主要是硅,以及^^^皮用于TFT。特别地,^^了无定形絲多晶硅。才本申请,m具有垂直于液晶层的电场^f^有负介电各向异l"生(As<0)的液晶介质的液晶显示器。在这些显示器中,液晶的i^tg己向是垂面的。在全开状态,即#适当大小的电压下,液晶指向矢的配向与层平面平行。在JP03-04103(A)中描述了介电正性的下式的氟化的二氟芪<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>和在JP03-04103(A)中描述了介电正性的氟化的二氟芪,例如<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>在JP07-133241(A)中描述了下式的氟化的二氟芪<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>在Goodby,J.W.等人,MolecularCrystalsandLiquidCrystals体和液晶),巻364(2001)笫889页中描述了下式的氟化的二氟芪然而,这些氟化的二氟芪具有滅至多弱的负介电各向异性。液晶材料领域的研发仍然任重逸远。为了改善液晶显示器元件的性质,仍在努力开发能够优^^类显示器的新颖^^物。因;tb^发明的目的在于提供具有优良'fi^以用于液晶介质的^^。它们应该她具有负介电各向异性(△e<0),这使得它们特别适合用于VA显示器的液晶^h质。为了确保满意的〗,特别是^f緣性电压,例如在VA-TFT显示器中,需要具有大的介电各向异l"生(As)绝对值,和与具体应用相对应的光学各向异性(An)值的物质。itit过才M^^发明的式I的^^7的佳月而实现RU和f各自独立錄示H、卤素、被CN或CF3^^M^被卤素至少^W^代的具有1-15个^^、子的錄,另夕卜,其中一个或多个CH2基团可以各自独她被-0-、-S-、-CH=CH-、~€F=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、接相互连接的方式^f戈,优选R11和R12之一,MR11和R12两者各自独立#示具有1-12个碳原子的^iW^4、具有2-12个^^子的^Jj^、^^M,IL^另一个同样独立g示具有1-12个^^子的^il^lL基、具有2-12个碳原子的烷,^C(K~C(HK"0"C0"或"0-C(H)"以0和S都不直特别MR"表示烷基或链烯基,和R"表示烷氧基或链烯氧基,优选烷氧基,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>和<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>各自独立,且如果出现超过一次,这些也各自独立地表示(a)反式l,4-亚环己基,另外,其中一个或两个非相邻的Cft基团可以被-0-和/或-S-魏,(b)1,4-亚环己烯基,(c)l,4-亚苯基,另夕卜,其中一个或两个非相邻的CH基团可以被N^f戈,或(d)选自萘-2,6-二基、十t^一2,6-二#1,2,3,4-四H^一2,6-二基的基团,或(e)选自1,4-^n^[2.2.2]亚辛基、1,3-Hl.1]亚;X^螺[3.3]jB^-2,6-二基的基团,其中在(a)和(b)中,一个或多个"CH2-基团可;fct匕独立地被-CHF-或"CF厂基团替代,和在(c)和(d)中,一个或多^H:H-基团可彬M虫立:Nk^fo4自以下基团的基团#^:~C(F)=、~C(Cl)=、~C(Br)=、~C(CN)=、~C(CH3)=、"C(CH2F)=、~C(CHF2)=、"C(OCH3)=、~C(OCHF2)=^~C(OCF3)=,优选-CF=基团,和优选取表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>z"和zu各自独立,且如果出舰过一次,这些#自独立錄示賴、-CH厂CH厂、"CF厂CH厂、-CH2~CF2-、"CF2~CF2-、~CH=CH-、~CF=CF—、~CF=CH-、-CH=CF-、~CsC-、~C00"、-OC(K~CH20~、"OCH厂、~CF20~、-OCF厂或这些基团中两个的结合,其中没有两个O原子相互键接,^it-(CH2)4-、~CHr€H「、"CFr^F「、~CH-CH-、~CF=CF—、~C=C-、~CH20-、"CF20-或,,特别^it-CH2(K~CH2~CH2-、"€F2"CF2-、~CF=CF-、~€&0~或单键,和m和n各自独立:^示0、l或2,M0或1,其中(m+n)表示0、l或2,M0或1,特别Ml。才M^^发明的式I的^^^tA介晶^^和特别^A液晶^^,这些^^特别M具有向列相。才本发明的式I的^fc^特别^i^自子式1-1到I-3,特别MI-3:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中的参数具有上述式i下所给的含义,^Httz"和f表示^^和在式I-l和I-3中R"表示^HJ^鰣lL4,^ii^lL4,在式1-2中r表示^J^鳞緣^i^tt,和R'2表示^il鄉基。特别优选具有一个或多个选自式I-3a和I-3b的结构式的式1-3的化^b:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中的##1具有上面所给的各自的含义,和Mr表示^J^,錄,^m^。含有分支柳l基RU和/或R"的式I的化合物由于在通常的液晶M材料中更好的溶觯f生而可能偶尔是重要的,但如果W^光学活性它们特别作为手性掺杂物。这类近晶化合物适宜作为铁电材料的组分。具有Sa相的式I的^ft^物适合于例如热寻址的显示器。如果RH和/或R"表示^^/或;^Il基,其可以;OL^iL支4匕的。它>^1直链,具有2、3、4、5、6或7个碳原子辆目应^it^示乙基、丙基、丁基、織、己基、庚基、乙錄、丙M、丁錄、戊tt、己^氧基,此夕h^有甲基、辛基、壬基、癸基、十一)^4、十二M、十三M、十四;^4、十五烷基、曱氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一^lL基、十二g基、十氧杂^4iU^J^^i44示直链2-氧杂丙基(=甲氧基甲基)、2-氧杂丁基(=乙氧基甲基)或3-氧杂丁基(=2-甲絲乙基)、2-,3-或4-氧杂、2—,3-,4—或5—氧杂己基、2-,3—,4一,5—或G—氧杂M、2—,3—,4一,5—,6-或7-氧杂辛基、2-,3-,4-,5-,6-,7-或8-氧杂壬基,或2-,3-,4-,5-,6-,7-,8-或9-氧杂癸基。如果RH和/或1112表示其中一个CH2基团被-CH=CH-#^的^&,其可以是直^il支化的。它^AJl錄具有2到10个^^子。相应地,它尤其表示乙烯基、丙-l-或-2-;(^基、丁-l-、-2-或-3-烯基、戊-l-、—2-、-3-或-4-烯基、己-l-、-2-、-3-、-4-或-5—烯基、庚—1-、-2—、-3-、—4—、-5-或-6-烯基、辛-l一、—2-、-3—、-4-、—5-、-6—或—7-烯基、—1—、-2—、—3-、-4-、—5-、一6-、-7—或-8-烯基、或H-、-2-、-3-、-4-、-5-、—6-、—7—、-8-或-9-烯基。如果R"和/或R"表示其中一个CH2^i^皮+^^^—个CH2^i^皮-C(H^^的M,这些^^相邻的。这些因jtt/^有aiL^"(XH)-或IU^i^(H:0"。这些^ilOL链的和具有2到6个^^f、子。相应地,它们特别表示乙^4、丙酰M、丁^J^、戊g基、己m^、乙StlL^甲基、丙Stl^甲基、丁酰M甲基、戊WJ^甲基、2-乙i^J^乙基、2-丙i^^乙基、2-丁^tlL^乙基、3-乙^4丙基、3-丙WJ^丙基、4-乙St^丁基、甲IUJ14、乙氧基tt、丙萆基tt、丁舉基g、戊萄基M、甲免J^^曱基、乙第基羰基曱基、丙|14甲基、丁^4tt甲基、2-(曱lLiJ^)乙基、2-(乙M^絲)乙基、2-(丙舉基tt)乙基、3-(曱舉基絲)丙基、3-(乙氧基)丙M4-(甲llj^)丁基。如果RH和/或1112表示其中一个CH2基^uMM^U^代的"CH=CH-#^^目邻的CH2基故C0或C0-0或0-C0替代的烷基,这可以是直M支化的。它teAJl链的和具有4到13个嫂原子。相应地,它特别表示丙烯StlL基曱基、2-丙烯^J^乙基、3-丙烯StlL基丙基、4-丙烯酰lL&丁基、5-丙烯^lL4戊基、6-丙烯酰基己基、7-丙烯酰基基庚基、8-丙烯酰基辛基、9-丙烯酰氧基壬基、10-丙烯酰基癸基、甲基丙烯酰基甲基、2-甲基丙烯酰基乙基、3-甲基丙烯酰基基丙基、4-甲基丙烯酰基丁基、5-甲基丙烯酰氧基戊基、6-甲基丙烯酰氧基己基、7-甲基丙烯酰基氧基庚基、8-甲基丙烯酰氧基辛基或9-甲基丙烯酰氧基己基如果R11和/或R12表示故CN或CF3单取代的烷基或链烯基,该基团优选是直链的。其可由CN或CF3在任何理想的位置取代。如果R11和/或R12表示至少被卣素CN或的CF3单取代的烷基或链烯基,该基团优选是直链的,和囟素优选F或C1。在多取代的情况下,卤素F。所得基团还包括全氟取代的基团。在单取代的情况下,氟或者氯取代基可以在任何理想的位置,但优选在ω位。支化的基团通常含有不超过一个支链。M的支化的基团R是异丙基、2-丁基(=1-甲基丙基)、异丁基(=2-甲基丙基)、2-甲基丁基、异絲(=3-甲基丁基)、2-甲基錄、3-甲基錄、2-乙基己基、2-丙基錄、异丙tt、2-曱基丙M、2-曱基丁錄、3-甲基丁tt、2-甲基戊錄、3-曱基戊氧基、2-乙基已氧基、l-甲基庚氧基。如果R11和/或R12表示其中两个或多个CH2基团被-0-和/或-CO-O-的烷基,这可以是直链或支化的。它优选支化的并具有3到12个碳原子。相应地,它特别表示二羧基甲基、2,2-二羧基乙基、3,3-二羧基丙基、4,4-二羧基丁基、5,5-二羧基、6,6-^二羧基己基、7,7-^二羧基基庚基、8,8-二羧基辛基、9,9-二羧基壬基、10,10-二羧基癸基、二(甲ttaiO曱基、2,2-二(甲氧基羧基)乙基、3,3-二(甲氧基羧基)丙基、4,4-二(甲氧基羧基)丁基、5,5-二(甲氧基羧基)乙基、6,6-二(甲氧基羧基己基、7,7-二(曱氧基)甲基、8,8-二(甲氧基羧基)辛基、二(乙HJJ^)甲基、2,2-二(乙氧基羧基、3,3-二(乙氧基羧基)丙基、4,4-二(氧基羧基、5,5-二(乙氧基羧基)戊基和6,6-二(乙氧基羧基)己基。特别n=0或l和m=0或l和R11表示曱基、乙基、丙基、丁基、錄、乙烯基、lE-丙烯基、1E-丁烯基或1E-戊烯基的式I的化合物,和包含这些化合物的介质。这些化合物中,特别优选采用烷基取代的化合物。式I的化合物^以下方案来合成(方案I)。13方案I:式I的^^的合成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula>其中,除非另外明确指出,A具有上述A"的含XilJi可以是,,且R和R'分别具有上述R11和R12的含义。以下给出了M的式I的化合物的结构的实例<formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>其中的l^^具有上面所给的含义。由于它们的分子结构,才本发明的式1的化^可以是手性的且可以相应地以^ft对齡形i^"在。因》b^可以是外消旋的或光学活性形式。本发明还涉及包^-种或多种式I的^^的液晶介质。在m的实施方案中,#^本发明的液晶介质包含a)—种或多种式I的介电负性^^b<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>其中的Wt具有上面所给的含义。b)^i^L—种或多种式II的介电负性^^7<formula>formulaseeoriginaldocumentpage16</formula>其中R"和R"各自独立具有上述式I中RU的含义,Z2'和Z"各自独立具有上述式I中Z"的含义,环和中的至少一个,优选和(如^^在)中的至少一个表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage17</formula>L"和L"都表示C-F或二者之一表示N或C~C1和另一个表示C-F,^f^p表示C-F,和I表示O,l或2,优选0或1,和c)任i^一种或多种式ffi的介电中性^^r3i.ka3iyz3i-)。<A32yZ32-),〈a33>z3va34Vr32m其中^和r32各自独立^^有上述式i中r'的含义,和Z31、Z32和Z"各自独立脉示"CH2CH2-、~CH=CH-、"C00"或賴,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>各白独立;ltk^示O和p各自独立:^示0或1,但MR31和R"各自独立地表示具有1-5个碳原子的^iU^J^具有2-5个碳原子的M^基,其中两个相邻环非常特别M直接连接和^i^示其中亚苯基环上的一个或多个H原子可各自独立地被F或CN替代,优选被F#^,JIJE环己环的一个或两个非相邻的CH2基团或其中一个亚环己环可被0所必良晶介质M包^-种或多种选自下式n-i到n-3的一种或多种4^物和I各自具有上面式II所给的含义。优舰,R21^4,m具有1-5个>§^子,R21A^^|^,^it各自具有l-5个^f、子,和Z"和Z"如^4在^i,。所述液晶介质特别M包^""种或多种选自下组的化合物以下子式II-la到II-le,n-2a到II-2c和I1-3a和II-3b的^^,^Litit自式n-la,II-lc和n-2b和/或II-ld,1I-le和n-2c中一种或多种结构式的化合物ll-1all-1b1l墨1cll-1ell-2all-2bll-2cll-3all-3bF其中各#^具有上面所*义,且^i^R"表示^il贿基,特别^4,和在另一^i急的实施方案中,所逸夜晶介质包^~~种或多种选自以下式II-4和II-5的一种或多种结构式的^f^物11411-5其中^^W:各自独立iW"有上述含义,但R"不为H。在又一^i4的实施方案中,所a晶介质包^^种或多种含有四氬萘基或萘基单元的^^物,例如,选自以下式II-6到11-10的一种或多种结构式的<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>其中的*^#:各自独立M有上面所^义之一。优选的混合物包含一种或多种式BC的二氟二苯并吡喃(difluorodibenzochroman)化合物和/或式CR的苯并二氩p比喃类^^^<formula>formulaseeoriginaldocumentpage23</formula>RB1、RB2、iT和『各自独立麟有RU的含义,优选数量为3-20wt。/。,特别为3-15wt%。特别佑&的式BC和式CR的化^是^^物BC-l到BC-7和CR-l到CR-5:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>其中^N^'各自独立a示具有i-6个碳原子的直^基,和^rJjW^基'各自独立地表示具有2-6个碳原子的直^^基。非常特别M的是包^—种、两种或三种式BC-2的化合物的混合物。在又一,&的实施方案中,所必良晶介质包^-"种或多种含有氯氟-1,4-亚苯JJ巧的化合物,M—种或多种选自以下式n-n到n-15的一种或多种结构式的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>其中的*;^:各自独立地具有上面所旨义之一。在特别优选的实施方案中,所必良晶介质包^-"种或多种选自式n-lla到1I-15b的一种或多种的^^:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage27</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>其中的^^:具有上面所*义。所必良晶介质特别^it包^""种或多种选自式ni-i到ra-3的一种或多种的^*<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>其中R31、R32、z31、z32、v」1u各自具有上面式ni所齡义。所述液晶介质尤^^包^"种或多种选自式ffl-la到ffl-ld和/或ffl-le和III-lf和/或m-2a到in-2h,in-3a到m-3d的一种或多种的4^物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>其中n和m各自独立;^示l到S,和o和p各自;^b和自身独iL^示0到3,<formula>formulaseeoriginaldocumentpage29</formula>lll-2hlll-3alll-3b川-3cIII-3d其中rm和r"各自独立iik^有上面式m所指出的含义,^it具有式in-i所指出的含义,和亚苯基环,特别在式in-2g,in-2h和m-3c的化合物中,可任i^M皮氟化,但前"IIA该^^物不与式n及其子结构式的^^相同。M地,r是具有l-5个碳原子,特别^^i^具有i到3个碳原子的jM^tt,和r"是具有1-5个碳原子的j^j^4iUE^^J^具有2到5个^^f、子的^^基。其中,特别M的是式in-la到m-ld的^^;。M的式m-2g、in-2h和m-3c的氟4匕的化^是式m-2g,、m-2h,和m-3c,的^^;:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中f和R"各自具有上面式m所指出的含义,^^^具有式m^g、m-化或m-3c中所指出的含义,和在式m-2h,中R"to4示F。才Ni本发明的介质^i^具有o.11或更高的双折射。才本发明的介质魅具有-2或更低的介电各向异性。才本发明的^h质M包^^下ii^^:每同类^^狄为5%-25%、优选5%-15%的式1化合物,和每同^H^b^L^2%-30%、她5%-15%的式II-la和/或II-2a物,且悉共为5。/。至60y。,和/或每同^f^^i^;2%-20%、舰5%-12%的式II-lc(其中R"表示;^和R22表示:^基)和/或n-2b的化合物,JL悉共为5%至60°/。,和/或每同类^^7狄为2%-20%、优选5。/。-15。/。的式n-lc(其中R"和R22表示M^)^^,和/或每同#^^^^72%-15%、絲5%-10%的式11-3a^^,和/或每同勒^^;^^2%-20%、M5。/。-15。/。的式n-3b^^,且悉共为5%至鄉,和/或j^l^5%-80%、舰10%-60%的式111^^。林申请中,除非另有指出,术"^^^t^^一种^^和多种^^。才娥本发明的液晶介质^it具有在每种情况中至少-2(TC到8(TC、伏选-30'c到90。c、和特别^it-40匸到ioox:的向列相。术语"具有向列相"意味着首先&目应温度的低温中没有检测到近晶相和晶体,其次在由向列相的加热中没有出现澄清。^^显研究是由流量式粘度计W目应温度中进行的,ilii过^ft在具有与电光应用相对应层厚度的测试液晶盒中检查至少iooo小时。在高温中,在毛细管中通过常规方法测定澄清点。另外,才娥本发明的液晶介质特棘于低的光学各向异f生值。术语M包括具有i-7个^^子的直#支^^,特别Aj:链基团曱基、乙基、丙基、丁基、錄、己#絲。通常舰具有2-5个^f、子的基团。术语"^^基"M包括具有2-7个^^子的直^支^i^基,特别:錄团。特别她的M^基是C厂到C「1E^^基,C4-到C广3E^^基,C「到C厂4"^)^基,C6-到C厂5"^^JJfpC「6"^i^基,特别是C厂到C厂1E"^^基,C广到C7-3E"^^#C厂到C厂4"^^基。进一步M的M^基的例子是乙烯基、1E-丙;t^基、1E-丁;t^基、1E-^U^基、1E-己)t^基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-;X^基、犯-己;f^基、3E—庚蹄基、4—戊沐基、4Z-己)^基、4E—己辦「基、4Z—絲基、5-己烯基、6-庚烯基等。通常链具有至多5个^^、子的基团。术语"IU^^"她包括具有末端氟的直錄团,即氟曱基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟絲、6-氟己#7-|1^。然而,并狗夂除氟的其它位置。术语"氧杂^^"或":^lt^4"絲包括式CnH2n+1-0~(CH2)边的直链基团,其中n和m各自独立;^示l到6。M地,n是l和m是l到6。含乙烯絲基的^^和含甲絲基的^g^具有^^转粘度。林申请中,术^^电正性^^表示As>l.5的^^7,术薪电中性^^表示那些一1.5<△e<1.5的^^的,术洽个电负性^^b表示那些△s<-1.5的^S^。^^/的介电各向异腿过将10%的^^溶于液晶主体中并在20匸的温度和lkHz下在至少一个具有大约20|im的层厚度具有垂面表面配向的测试液晶盒和在至少一个具有大约20nm的层厚度具有均匀表面配向的测试液晶盒中测量所必'^^物的电容来测定。测量电压典型为0.5V到1.0V,但悉是低于^^液晶混合物的电容阈值。用于测量应用相关的物理桐汰的主体;^^是来自MerckKGaA,德国的ZLI-4792。作为例外,介电负性^^物的介电各向异I1的测量使用ZLI-2857,同样狄自MerckKGaA,德国。幹测定^^^的奴由妙入徐测^^b后在主体^給物中使用的待测的化合物的浓度通常是10%。如果^见测的化^4勿的溶解度满足不了这个目的,作为例外,辆的就减半,也狄,减到5%、2.5%等等,直到^ML低于溶解度PML术语阈电M常涉及10%相对对比度的光学阈值(V,。)。然而对于负介电各向异f生的液晶混合物,除非另有指出,术语阈电一^申请中表示电容阈电压(V。),杨作Freedericksz阈值。在负介电各向异l"生的液晶介质的情况中,阈电压作为电容阈值V。在具有用来自NissanChemicals,日本的聚酰亚胺SE-1211垂面配向的液晶层的液晶盒中测定。本申请中的所有M,除非另有指出,指重量百分比并相对于相应;^^的总体。所有的物理小驢##或已经#^"MerckLiquidCrystals,PhysicalPropertiesofLiquidCraystals",1997年11月,MerckKGaA,Germany测定,并JU^非另有指出应用于20X:的温度。An在589nm处测定和Ae在lkHz处测定。如果需要,才本发明的液晶介质可以还包括其它添加剂和任选的常规量的手性掺杂剂。这些添加剂的用量总数为0%-10。/。,基于;^^b的总量,0.1%-6%。所用的^^^的^1艇0.1-3%。当^ij液晶^^在液晶介质中的浓度和浓变范围时这些和勤以添加剂的M不计。组*由多种^f^^纟M,絲3-30,特别艇6-20且非常特别她10-16种^^,其以常规方式混合。"-^:而言,以次要量使用的所需用量的组分溶于构成主要成分的组分中,有利i^提高的温度下。如果所选的温度高于主要成分的澄清点,则溶解过程的完成特别容易观测。然而,也可以以其它的常规方法制备液晶〉'^^,例如,采用预;^^或所谓的"多瓶(multibottle)"体系。通itit宜的添加剂,才娥本发明的液晶相可以以能够用于^f可类型的显示器,特别是目前已经公开的ECB显示器和IPS显示器的方式改性。下面的实施例用于说明而非限制本发明。在实施例中,液晶物质的熔点T(C,N),M晶(S)相到向列(N)相的转变T(S,N)和澄清点T(N,I)以摄氏度给出。树近晶相通ii^目应的下标表示。上面和下面的百分比,除非另有指出,是重量百分比,iLl^非另有指出,物理'&资是2ox:的值。除非另有指出,本申请中所有的温度M。C,Ji斤有的温差^i目应的差示度数。在合成实施例和方案中,除非另有指出,缩写具有如下含义Ac乙酸酯THF四氢^^喃Bu丁基Me甲基mp溶,*soln.溶液sat.^p的H30+酸化,和RT室温(大约22。C)M申请中,尤其是在赫的实施例中,液晶^^的结构通it^写以及首字#^写指出,其用歸的表A到C转涵相应的化学结构式。所有的基团CnH2n+1,CnH糾和C晶w^^别具有n,m和I个^^子的直^^。所有的基团"CJV)和dH2HA^别具有n,m和I个^^子的直M^基,M1E~^#基。錄A中,只指出了^^的母体结构的环4元缩写。表B显示了桥錄。表C列出了^^7的左#右边端基的缩写的含义。^^的缩写如下得到。首先,母体结构通i^目应的字母标出。左边的端基的缩写被放在两个连字号之间加到母体结构缩写,歸右边端基的缩写加在第二个连字号^。絲,表D显示了示例性的辆的、也是本发明^i^Ml的^^的缩写,及其结构形式。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage36</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage37</formula>左边的基团右边的基团各自所用缩写CnH2n+1-■n-CnH2n+1-nO-CnH2n+1〇.-nO-0CnH2n+1-V-CH2=CH-V-CH=CH2-nV-CnH2n+1-CH=CH--nV-CnH2n-CH=CH2-Vn-CH2=CH-CnH2n--Vn-CH=CH-CnH2n+1n/m-CnH2n+1-CH=CH-■n/m-CnH2n-CH=CH-CmH2nrCmH2m+1其中n和m各自表示^:,三点"..."表示该表中其它缩写所用位置的标记。随后的表显示了示例性的结构及其缩写。这些显示了缩写的含义。另夕卜,表D:示例结构N《-S=C=N-F-Cl-CFH2-CF2H-CF3-CFH20-CF2HO-CF30-CnH2n+1_C《-与其它缩写组合使用CH=CH--CO-O--O-CO--C〇--CF-CF匿隱C^-N=C=S漏CI-CFH2-CF2H-CF3-OCFH2-OCF2H-OCF3-C(-H-C《-CnH2n+1-CH=CH--CO-0--O-CO--C0--S--CL-善-D--DO--TO--A--nA--NA--.丄.-...V,..-.』...-...K.,.九V-7IaKwLMDTnNNSFCMDTOOOAAA峰ll画ll詞lltl纖l<formula>formulaseeoriginaldocumentpage39</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage41</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage45</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>PPWY-n-OmCNf3-n-Om才,本发明的介质M包含两种或更多种,优选四种或更多种选自表D化船的表E显示了可拟本发明的介质中用作稳定剂的^^例子。表E说明书第44/65页表F<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>R/S-1011R/S"4011^^发明一^H^的胁实施方案中,该介晶介质包^-种或多种选自表F实施例下面的实施例目的在于说明本发明而非限制它。上面和下面的百分比数据表示重量百分比。所有的温度都是指摄氏度。An表示光学各向异l"生(589nm,20°C),△s表示介电各向务f生(lkHz,20*C),H.R.表示"电压##率"(在100。C下,在烘箱5分钟后,IV),和V。表示电容阈值电压(在20。C和lkHz下)。物质实施例实施例1:卜{(E)-1,2-二氟-2-[4-(4-丙基环己基)苯基]乙烯基卜4-乙狄-2,1.1.步骤1首先将4g妙入40ml的THF中,将悬浮热到45匸。加入40gPCH-3溴4t^在80mlTHF的溶液的10%,&匕期间反应立即开始。剩余的PCH溴化物溶^^在温和回流下滴加。将:^^^HP到-35TC,然后it^20g的氯代三氟乙烯。Jt^将》V^b加热到室温并经过常皿理得到31g粗产物,使其进一步反应。1.2.步骤2将所i^烃(31g)溶于120mlTHF、70mlg和70ml乙醚中并冷却到-100。C。滴加1.6MBuLi^Jt己烷中的溶液59ml,^給物1小时。将llml硼酸三甲酯溶于60mlTHF、30ml;^i^30ml乙醚并滴加加入。在后^fl小时后,加热混^^H吏其经过常M^t理,得到14g硼酸。1.3.步骤3将7.8g硼酸、7.lg4-石务2,3-二氟乙lL4苯、0.lgPd(0Ac)2和0.36g三苯基膦与58ml异丙醇、19ml饱和^2003溶液和llml7K在回流下加热整夜。;^^;歸经过常舰理,AM^中结晶得到产物,得到3.9g标题^^。C103N224.6I;△e=-5.8;An=0.234。实施例2到75以下通过与实施例1务似的方法制备<formula>formulaseeoriginaldocumentpage53</formula>注'由在ZLI-4792或ZLI-2857中的10。/。溶WNW到的值(厶e)。<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>C2H5n-C4H9C2H5n-CsH"C2H5〃-C6H13C2H5n-C7H15C2H5CH30C2H5C2H50C2H5n-C3H70C2H5n-C4H90C2H5CH2=CHC2H5£-CH3-CH=CHC2H5CH2=CH-0C2H5CH2=CH-CH20n-C3H7CH3C113N192,0I;△s=-2.5;An=0.23133"-C3H7C2H534n-C3H7n-C3H735n-C3H7n-C4H936n-C3H7n-C5H1137n-C3H738"-C3H7n-C7H1539n-C3H7CH3040n-C3H7n-C3H7041n-C3H7r-C4HgO42n-C3H7CH2=CH43n-C3H7£-CH3-CH=CH44n-C3H7CH2=CH-045/>C3H7CH2=CH-CH2046/i-C4H9CH347n-C4H9C2H548r7-C4H9n-C3H749n-C4H9/-C4H950n-C4H951n-C4H9n-C6H1352n-C4H9n-C7H1553n-C4H9CH3054n-C4H9C2H5020212223242526272829303132注'由在ZLI-4792或ZLI-2857中的10%溶^卜##到的值(厶s)55555657585960616263646566676869n-C4H9n-C4H9n-C4H9/7-C4H9n-C4H9n-C4H9n-C5H9/>C5H"-C5Hn-C5Hn-C5H/>C5H/7画C5Hn-C5HA7-C5H"-C3H70C4H9〇CH2=CH£-CH3-CH=CHCH2=CH-0CH2=CH-CH2〇CH3C2H5"-C3H7n-C4H9n-C5IHiin-C6H13n-C7H15CH30C2H50C78N微2I;△e二-2.2;An=0.222C70N213.5I;△£二-5.3;An=0.22870/>C5H-71n-C^72n-C5H-73n-C5Hi74n-CsH,75n-C5H'实施例75到149通过与实施例1勒以的方、絲']备下式的^^:"-C3H70"-C4H90CH2=CH£-CH3-CH=CHCH2=CH-〇CH2-CH-CH20编号R11R12相序T/°C;物理性质76CH3CH377CH3C2H578CH3"-C3H779CH3n-C4H980CH381CH3r7-C7H1582CH3CH3083CH3C2H5084CH3n-C3H7085CH3n-C4HgO86CH3CH2=CH87CH3£-CH3-CH=CH88CH3CH2=CH-089CH3CH2-CH-CH2090C2H5CH391C2H5C2H592C2H5〃-C3H793C2H5n-C4H994C2H5A7-C5H"95C2H5n-C6H1396C2H5n-C7H1597C2H5CH3098C2H5C2H5099C2H5n-C3H70■C2H5r7-C4H90101C2H5CH2=CH窗C2H5£-CH3-CH=CH103C2H5CH2=CH-0104C2H5CH2=CH-CH2〇105n-C3H7CH3106n-C3H7C2H5107n-C3H7A7-C3H7n-C3H7n-C4H9109〃-C3H7110"-C3H7n-C6H13111"-C3H7n-C7H15112/>C3H7CH30113"-C3H7C2H50114"-C3H7n-C3H70115"-C3H7n-C4H90116"-C3H7CH2=CH117n-C3H7£-CH3-CH=CH118"-C3H7CH2=CH-0119/>C3H7CH2=CH-CH20120A7-C4H9CH3121n-C4H9C2H5122n-C4H9n-C3H7123n-C4H9n-C4H9124n-C4H9n-C5H"125/-C4H9r-C6H13126n-C4H9127n-C4H9CH30128n-C4H9C2H50129n-C4H9r-C3H70130n-C4H9n-C4H9。131n-C4H9CH2=CH132n-C4H9E-CH3-CH=CH133D-C4H9CH2=CH-0134n-C4H9CH2=CH-CH20135n-C5H9CH3136n陽C5H11C2H5137n-C5H"n-C3H7138r-C5H11n-C4H9139n-C5Hii140n-C5H11n-CeHi3141n-C5H11n-C7H15142n-C5H11CH30143n-C5H11C2H50C67Sc94N229.0I;△£=-5.2;厶n=0.32557144n-CsHnn-C3H70C81Sc109N215.0A£="4.8;An=0.309145n-C5H"n-C4H90C70Sc102N202.3△£=-4.9;An=0.307146n-C5H"CH2=CH147E-CH3-CH=CH148CH2=CH-0149CH2=CH-CH20实施例150到225下式^r^通过与实施例1类似的方法制备:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage58</formula>注'由在ZLI-4792或ZLI-2857中的10%溶射卜棘到的值(As)相序T/°C;物理性质编号R"R12150CH3CH3151CH3C2H5152CH3n-C3H7153CH3n-C4H9154CH3155CH3n-C7H15156CH3CH30157CH3C2H50158CH3/vC3H70159CH3n-C4H90160CH3CH2=CH161CH3£-CH3-CH=CH162CH3CH2=CH-0<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>198n-C4H9199n-C4H9n-C6H13201"-C4H9/-C7H15202n-C4H9CH3〇203"-C4H9C2H50204A7-C4H9n-C3H70205n-C4H9A7-C4H90206/7-C4H9CH2=CH207"_C4HgE-CH3-CH=CH208n-C4H9CH2-CH-0209/>C4H9CH2=CH-CH20210"-C5HSCH3211n-C5H"C2H5212n-C5H11/7-C3H7213A7-C4H9214n-C5H"215n-C6H13216n-C7H15217CH30218C2H50219"-C3H70220D-C5H"n-C4H90221CH2=CH222n-C5H"E-CH3"CH=CH223CH2=CH-〇224CH2=CH-CH20225C2H50C2H50厶e=-7.1;An=0.266实施例226到299下式4b^;通过与实施例1勒以的方';H'J备<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula>注'由在ZLI-4792或ZLI-2857中的10%溶^卜將到的值(As)编号R"R12相序T/°C;物理性质226CH3CH3227CH3C2H5228CH3/7-C3H7229CH3n-C4H9230CH3231CH3n-C7H15232CH3CH30233CH3C2H50234CH3n-C3H70235CH3n-C晶O236CH3CH2=CH237CH3£-CH3-CH=CH238CH3CH2=CH-0239CH3CH2=CH-CH20240C2H5CH3241C2H5C2H5242C2H5n-C3H7243C2H5244C2H5/7-C5H11245C2H5〃-C6H13246C2H5'"-C7H15247C2H5CH30248C2H5C2H50249C2H5n-C3H70250C2H5n-C4H90251C2H5CH2=CH252C2H5£-CH3-CH=CH253C2H5CH2=CH-0254C2H5CH2=CH-CH2〇255"-C3H7CH3256〃-C3H7C2H5257〃-C3H7/i-C3H7258"-C3H7n-C4H9259n-C3H7260n-C3H7n-C6H13261"-C3H7n-C7H15262d-C3H7CH30263a7-C3H7C2H50264n-C3H70265n-C3H7n-C4H90266"-C3H7CH2-CH267n-C3H7£-CH3-CH=CH268/>C3H7CH2=CH-0269〃-C3H7CH2-CH-CH20270rj-C4H9CH3271r-C4H9C2H5272n-C4H9n-C3H7273n-C4H9n-C4H9274n-C4H9275n-C4H9n-CeHi3276a-C4H9n-C7H15277r-C4H9CH30278n-C4H9C2H50279n-C4H9n-C3H70280n-C4H9/>C4H90281n-C4H9CH2=CH282n-C4H9E-CH3-CH=CH283r-C4H9CH2=CH-0284n-C4H9CH2=CH-CH2〇285n-C5H9CH3286〃-C5H"C2H5287n-C3H7288A7-C4H9289290n-C6H13291n-C7H15292CH30293C2H50294n-C5H""-C3H70295n-C5H"n-C4H90296n-C5H"CH2=CH297"-C5H"£-CH3-CH=CH298/-C5HnCH2=CH-0299/7-C5H"CH2-CH-CH20C124N339,7I;△s=-1,6;An=0.335〉'^^实施例制^^液晶;1^并研究其应用实施例Ml制##研究了具有下4^斤指出的^^的液晶^^。M有表中所示的性质。<table>tableseeoriginaldocumentpage63</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用'f錄并可用于多种VA技术例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。实施例M2<table>tableseeoriginaldocumentpage64</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用并可被用于多种VA技术例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。实施例M3制^f研究了具有下^^斤指出的^A的液晶〉'^^。M有表中所示的性质。<table>tableseeoriginaldocumentpage65</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用'fit并可^UD于多种VA^UC例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。实施例M4制^f研究了具有下4^斤指出的《試的液晶^^。M有表中所示的性质。<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用'1"鍾并可4M于多种VA技术例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。实施例M5制名^f研究了具有下^^斤指出的组成的液晶混合物。4凑有表中所示的性质。<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用4i4并可净M于多种VA技术例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。实施例M6制^f研究了具有下^^斤指出的《誠的液晶';^^。^^有表中所示的性质。<table>tableseeoriginaldocumentpage68</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用^^并可^U^于多种VA技术例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。实施例M7制名4研究了具有下^^斤指出的组成的液晶濕合物。M有表中所示的性质。<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用^t并可^Ul于多种VA^L^例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。实施例M8制^f研究了具有下4^斤指出的^A的液晶^^^。Wr有表中所示的性质。<table>tableseeoriginaldocumentpage70</column></row><table>该液晶介质具有非常好的应用'M并可被用于多种VA技术例如MVA、PVA、ASV中,和也用于IPS中。权利要求1、式I的化合物其中R11和R12各自独立地表示H、卤素、-CN、-SCN、-SF5、-CF3、-CHF2、-CH2F、-OCF3、-OCHF2、被CN或CF3单取代或被卤素至少单取代的具有1-15个碳原子的烷基,另外,烷基中一个或多个CH2基团在每种情况下可以各自独立地被-O-、-S-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、id="icf0002"file="A2007103076250002C2.tif"wi="47"he="12"top="89"left="119"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-以O和S都不直接相互连接的方式替代,和id="icf0004"file="A2007103076250002C4.tif"wi="30"he="11"top="140"left="23"img-content="drawing"img-format="tif"orientation="portrait"inline="yes"/>各自独立,如果出现多于一次,这些也各自独立地表示(a)反式1,4-亚环己基,另外,其中一个或两个非相邻的CH2基团可以被-O-和/或-S-替代,(b)1,4-亚环己烯基,(c)1,4-亚苯基,另外,其中一个或两个非相邻的CH基团可以被N替代,或(d)选自自萘-2,6-二基、十氢萘-2,6-二基和1,2,3,4-四氢萘-2,6-二基的基团,或(e)选自1,4-二环[2.2.2]亚辛基、1,3-二环[1.1.1]亚戊基和螺[3.3]庚烷-2,6-二基的基团,其中在(a)和(b)中,一个或多个-CH2-基团可各自独立地被-CHF-或-CF2-基团替代,和在(c)和(d)中,一个或多个-CH=基团可各自独立地被选自-C(F)=、-C(Cl)=、-C(Br)=、-C(CN)=、-C(CH3)=、-C(CH2F)=、-C(CHF2)=、-C(OCH3)=、-C(OCHF2)=和-C(OCF3)=的基团替代,Z11和Z12各自独立,如果出现多于一次,这些也各自独立地表示单键、-CH2-CH2-、-CF2-CH2-、-CH2-CF2-、-CF2-CF2-、-CH=CH-、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-C≡C-、-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CF2O-、-OCF2-或这些基团中的两个的结合,其中没有两个O原子相互连接,和m和n各自表示0、1或2,(m+n)表示0、1或2。2、才M^U'J要求1的式I的化^,其是选自式1-1到1-3中的一个或多个式的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>其中的W:具有权利要求1中给出的含义。3、才M^WJ要求1和2的至少一项的4U^,^##于Z"和Z"都表示械4、才^tWJ要求l-3的一项或多项的^^物,其特征在于(m+n)表示0或l。5、才^t^U,漆求l-4的一项或多项的化洽物,其特征在于m表示l。6、液晶介质,^^iMt于其包^^种或多种^f,决求l-5中的一项或多项所定义的式I的4^物。7、才M^5Uf'决求6的液晶^h质,^t4i^于^r有向列相。8、才N^U'虔求6和7的至少一项的液晶^h质,^#征在于其包^""种或多种式II的介电负性化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>其中R"和R"各自独立M有对于权利要求1中的式I中的R"所给出的含义,f和Z"各自独立^^有对于权利要求l中的式I中的Z"所给出的含义和各自独立地表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>L21和L22都表示C-F或二者之一表示N和另一个表示C-F,和I表示0或1。9、含权利要求6-8中一项或多项的液晶介质,^#征在于其包含式11-1的一种或多种^^710、才^t权矛决求6-9中一项或多项的液晶介质在电光显示器中的用途。11、含有权利要求6-9中一项或多项的液晶介质的电光显示器。12、才Nt权矛J^求11的显示器,^4t征在于其是VANLCD。13、权矛jJMU-5的一项或多项中所定义的式1的>[^#的制备方法,其特机在于l,2-二^乙烯硼酸与卤芳^^^在*化作用下條^。14.权利要求6-9的一项或多项中所定义的液晶介质的制备方法,其特4iL^于权利要求1-5的一项或多项所定义的式I的化合物与一种或多种其它化^齡。15、电光显示器的生产方法,其特征在于将权利要求6-9的一项或多项所定义的液晶^"h质?1入两^^^H"之间。全文摘要本发明涉及式I的氟代茋衍生物其中的参教具有正文中指示的含义,并涉及包含这些化合物的液晶介质,并涉及所述介质在电光显示器中的用途,特别是在VANLCD中的用途,并涉及所述化合物的制备方法。文档编号G02F1/133GK101302145SQ20071030762公开日2008年11月12日申请日期2007年12月11日优先权日2006年12月11日发明者M·克拉森-梅默,M·布雷默,真边笃孝申请人:默克专利股份有限公司
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