腔室上方的层的平面化的制作方法

专利名称：腔室上方的层的平面化的制作方法
技术领域：
本发明涉及微装置的制造，特别地，涉及具有镜面的微装置的制造。
背景技术：
可利用具有反射面的可倾斜镜板的阵列来构造空间光调制器(SLM)。通过静电力的作用，每个镜板可以绕着轴线倾斜到"开"位 置和"关，，位置。静电力可以通过镜板与位于镜板下方的电极之间的 电势差产生。在"开"位置，微镜板可反射入射光以便形成显示图象 中的指定像素。在"关，，位置，微镜板可引导入射光远离显示图象。 在"开"或"关"位置，镜板可以通过机械止挡器来保持。发明内容根据一个总的方面，描述了用于制造微结构的方法。该方法包括 将牺牲材料布置到在下层中形成的凹部中和在位于凹部中的牺牲材料上形成补偿材料层。补偿材料高于下层的上表面。使用各向同性蚀刻 去除补偿材料的第一部分以便在牺牲材料上形成大体上为平的表面。 该大体上为平的表面与下层的上表面大体上共面。在下层和大体上为 平的表面上形成上层。根据另一个总的方面，描述了用于制造微结构的方法。该方法包 括将牺牲材料布置到在下层中形成的凹部中；在位于凹部中的牺牲材料和下层上形成光阻材料层；去除位于下层和牺牲材料上的光阻材料 层的第一部分以便在牺牲材料上形成大体上为平的表面，其中该大体 上为平的表面与下层的上表面大体上共面；并在下层和大体上为平的 表面上形成上层。根据另一个总的方面，描述了用于在基底上方制造镜板的方法。 该方法包括形成位于基底上的铰链支柱、同时形成位于铰链支柱上的 铰链连接柱和连接到铰链连接柱的铰链层、以及形成位于铰链层上的 间隔层。该间隔层包括位于铰链连接柱上方的孔。第一牺牲材料布置 在位于间隔层中的孔中。补偿材料层形成在第一牺牲材料上。补偿材 料高于间隔层的上表面。使用各向同性蚀刻去除补偿材料的第一部分 以便在牺牲材料上形成大体上为平的表面。该大体上为平的表面与间 隔层的上表面大体上共面。反射层形成在铰链层和大体上为平的表面 上方。有选择地去除反射层和铰链层的部分以便形成镜板和连接到铰 链连接柱和铰链层的铰链元件。镜板被构造为绕着铰链元件倾斜。根据另一个总的方面，描述了用于在基底上方制造镜板的方法。 该方法包括形成位于基底上的铰链支柱。铰链连接柱形成在铰链支柱 和连接到铰链连接柱的铰链层上。间隔层形成在铰链层上。该间隔层 包括位于铰链连接柱上方的孔。第一牺牲材料布置在位于间隔层中的 孔中。光阻材料层形成在第一牺牲材料和间隔层上。去除间隔层和牺 牲材料上的光阻材料层的第一部分以便在牺牲材料上形成大体上为平 的表面。该大体上为平的表面具有与间隔层的上表面大体上相同的高 度。反射层形成在铰链层和大体上为平的表面上方。有选择地去除反 射层和铰链层的部分以便形成镜板和连接到铰链连接柱和铰链层的铰 链元件。镜板被构造为绕着铰链元件倾斜。这种系统的实施方案可以包括下述的一个或多个。这里所描述的 方法可以进一步包括去除牺牲材料和牺牲材料上的补偿材料的第二部 分以便在上层下方形成腔室。该方法可以进一步包括在下层和位于凹 部中的牺牲材料上形成中间层并有选择地从中间层去除材料以便在牺 牲材料上方形成补偿材料层。中间层和牺牲材料可具有大体上相同的 材料成分。布置牺牲材料的步骤和形成中间层的步骤可以在一个连续 步骤中进行。镜板的上层可以包括反射面。各向同性蚀刻可以包括等离子蚀刻。 补偿材料可以包括光阻材料、硅或二氧化硅。补偿材料可具有与牺牲材料大体上相同的成分。上层可具有高度偏差小于0.1微米的上表面。 上层可具有高度偏差小于0.05微米的上表面。实施方案可以包括下述优点中的一个或多个。所公开的方法可用 来在腔室上方形成平面层。与传统工艺相比，可以使用较少的材料和 在较短的时间内生产平面层。当形成平面镜面时，可减少不希望有的 光散射。在SLM中，减少光散射可以增加对比度和亮度。所公开的 系统和方法适合于微装置，例如微镜和带有悬臂的结构。虽然以上参考多个实施例特别地示出和描述了本发明，但本领域 技术人员应当理解，在不偏离本发明的实质和范围的情况下，可以在 形式和细节方面进行各种变化。


以下附图包括于说明书中并形成说明书的一部分，其示出了本发 明的实施例，并且与说明书一起用来解释本发明的原理。 图l示出了微镜的展开图。 图2是图1中微镜的镜板的底视图。图3示出了图1中微镜的铰链、铰链连接柱和铰链支柱的详图。 图4示出了用于制造微镜的工艺流程图。图5-8是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了在基底上制 造微镜的若干步骤。图9-12是沿图2中线B-B截取的横截面视图，示出了在基底上制 造微镜的若干步骤。图13-14是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了在基底上 制造微镜的若干步骤。图15、 16、 17A、 18A、 19A和20A是沿图2中线C-C截取的横 截面视图，示出了在基底上制造微镜的若干步骤。图17B是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了位于间隔层 中的腔室的形成。图18B是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了在位于间隔层中腔室上方的牺牲材料的上表面中形成的凹部。图18C是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了位于图18B 中所示的凹部上方的补偿层的形成。图18D是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了使用图18B 和18C中所示的工艺在填充位于间隔层中的腔室的牺牲材料上形成平 的上表面的情况。图18E是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了在间隔层上 和位于间隔层中的腔室中形成牺牲材料层的情况，其中凹部形成在位 于间隔层中的腔室上方的牺牲材料的上表面中。图18F是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了在图18E 中所示的凹部上方形成补偿层的情况。图18G是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了使用图18E 和18F中所示的工艺在填充间隔层中的腔室的牺牲材料上形成平的上 表面的情况。图18H是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了在间隔层和 位于间隔层中的腔室中的牺牲材料上形成光阻材料层的情况。图181是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了使用图18H 中所示的工艺在填充间隔层中的腔室的牺牲材料上形成平的上表面的 情况。图19B和20B是沿图2中线A-A截取的横截面视图，示出了在 基底上制造微镜的若干步骤。图21和22分别是沿图2中线C-C和A-A截取的横截面视图，示 出了在基底上形成的微镜。
具体实施方式
参考图l-3，镜板110可包括反射层111、间隔层113和铰链层114。 在某些实施例中，间隔层113包括一对孔112a、 112b和一对开口 108a、 108b。在某些实施例中，铰链层114包括两个铰链元件120a和120b。 每个铰链元件120a或120b包括位于中心的腔室125a或125b。铰链元件120a和120b分别通过细长的铰链163a和163b与铰链层114的 主要部分相连。细长的铰链163a和163b通过间隙162a、 162b与铰 链层114的主要部分分离。铰链元件120a和120b通过间隙161与铰 链层114的主要部分分离。镜板110可绕着由两个铰链元件120a和 120b限定的轴线倾斜。在某些实施例中，铰链层114还分别在位于间 隔层中的孔112a和112b下方包括两对孔109a和109b。每对孔109a 或109b在铰链层114中限定了桥接件107a或107b。桥接件107a或 107b位于间隔层113中的孔112a或112b下方。如图19A和21所示， 每个桥接件107a或107b位于基底上的停放止挡器(landing stop )140a 和140b的上方。图2中的线A-A、 B-B和C-C表示图5-20的横截面 视图的横截面。参考图3，铰链元件120a (或120b)连接到位于铰链元件120a 下方的铰链连接柱122a。另外如图22所示，铰链连接柱122a包括底 层312和侧层315，底层312和侧层315在铰链连接柱122a的中心限 定了腔室125a。腔室125a或125b可具有如图l-3所示的圆形开口或 矩形开口，例如正方形开口。在某些实施例中，侧层315可大体上垂 直于基底。在一些实施例中，侧层315具有倾斜壁。侧层315可与底 层312—起形成杯形结构。在具有圆形开口的腔室中，侧层315可为 圆锥形或具有平行的壁。在具有矩形开口的腔室中，侧层315可具有 锥形壁或彼此平行的竖直平行壁。在一些实施例中，铰链连接柱具有 与铰链元件中的开口相同的形状或横截面。铰链连接柱122a的底部连接到位于基底上的铰链支柱121a。侧 层315和底层312可由大体上相同的材料制成并形成整体结构。侧层 315和铰链层114可具有大体上相同的厚度。侧层315和铰链支柱121a 中的铰链层114可为圆锥或截头圆锥形状。在某些实施例中，侧层315 比底层312薄。铰链元件120a、 120b和铰链层可由同一平面层(铰链 层114)形成。铰链支柱121a可包括在单独的沉积步骤中形成的上部 123a和下部124b。对于空间光调制器，反射层lll理论上是"光学平面"，就是说，在反射层111的上反射面中的高度偏差比空间调制中所用的光的波长小很多。例如，在反射层111的上反射面中的高度偏差可在0.1微米、 0.05微米或0.02微米以下。特别地，希望反射层111的位于腔室125a 和125b上方的部分是平的。这些部分中的平面365应当是同反射层 111上的反射面的其余部分一样的"光学平面"。在腔室125a和125b 上方制造平面反射层111可能很有挑战性，因为在某些制造过程中悬 于腔室之上的层倾向于下垂。用于在腔室125a和125b上方构造平面 反射层111的制造过程在下文中结合图18A-19B描述。现在转到空间光调制器的制造，参考图1、 4和5，在基底150上 形成铰链支柱121a、 121b、阶梯状电极130a、 130b、 131a、 131b和 停放止挡器140a、 140b (步骤410-435 )。基底150可包括连接到铰链 支柱121a、 121b、阶梯状电极130a、 130b、 131a、 131b和停放止挡 器140a、 140b的电路。铰链层114、铰链连接柱122a、 122b和支柱 121a、 121b由导电材料形成。因此，铰链层114经由铰链连接柱122a、 122b与铰链支柱121a、 121b电连接。可以控制铰链层114和阶梯状 电极130a、 130b、 131a和131b的电势以便在铰链层114与阶梯状电 极130a、 131a或阶梯状电极130b、 131b之间产生电势差。产生的静 电力可使镜板110绕着由两个铰链元件120a和120b限定的轴线倾斜。 步骤410-435的细节公开于2006年5月IO日提交的、标题为"用于 制造孩￡结构的方法(Method for Fabricating a Micro Structure)"的序 号为11/382,630的美国专利申请中，其内容在此引入作为参考以用于 所有目的。参考图6，例如，通过旋涂将牺牲材料305布置在基底150、铰链 支柱121a、 121b，阶梯状电极130a、 130b、 131a、 131b和停放止挡 器140a、 140b上方(步骤440)。牺牲材料可包括光阻材料、无定形 碳、聚芳撑(polyarylene )、聚亚芳香醚(可被称为SILK)和倍半氧 珪氩化物(hydrogen silsesquioxane， HSQ )。如果需要，石更4匕之后， 可通过化学机械抛光(CMP)将牺牲材料305平面化到预定高度，该 高度限定了镜板110中的铰链层114的下表面与基底150之间的距离(见图8-22 )。通道310形成在位于铰链支柱121a上方的牺牲材料305 中以使铰链支柱121a的上表面露出(图7A所示)。通道310可具有 圆形或矩形开口。通道310起初包括大体垂直于基底150的侧壁316。然后具有铰 链支柱121a、121b和牺牲材料305的基底150经受高温处理以使光阻 材料溢出从而形成相对于基底150倾斜的侧壁317，如图7B所示。在 某些实施例中，倾斜的侧壁317可通过各向异性蚀刻而形成在通道310 中。接下来导电材料沉积在牺牲材料305上和铰链支柱121a的上表面 上，例如通过物理气相沉积进行，以便形成铰链层114，如图8所示。 沉积的导电材料还同时在通道310中形成一个或多个侧层315和底层 312 (步骤445)。侧层315和底层312限定了腔室125a。铰链连接柱 122a由侧层315和底层312形成。导电材料的实例包括钛、钛铝合金、 钛镍合金和铝铜合金。铰链层114、侧层315和底层312的同时形成 将其它装置的几个制造步骤结合成一个步骤，因此简化了微镜的制造。 因为铰链层114、侧层315和底层312形成为一整体的层，所以镜板 110的机械牢固性和强度得到改善。然后光阻材料层318引到铰链层114、侧层315和底层312上方， 如图9所示(步骤450)。对光阻材料层318构图以便形成两个开口 320 从而露出铰链层114。光阻材料层318还包括用于形成两对孔109a和 109b的凹部(图9未示出)。然后蚀刻铰链层114以形成间隙162a和 位于铰链层114中及开口 320下方的两对孔109a和109b，如图11所 示。因此牺牲材料305暴露于孔109a和109b中。随后去除光阻材料 层318以便在铰链层114中限定细长的连接部分163a，如图12所示。参考图13,布置牺牲材料325，例如光阻材料，以便填充腔室125a (步骤455)。牺牲材料325允许间隔层113在随后的步骤中形成在腔 室125a和铰链层114上。牺牲材料325还经由孔109a和109b布置在 牺牲材料305上并填充孔109a和109b (未示出)。牺牲材料325可旋 涂在铰链层和腔室125a或125b上方(图8 )。随后去除铰链层114上的牺牲材料325。因为单个旋涂过程可能不会布置足够的牺牲材料325 来填充腔室125a，因此可多次涂敷牺牲材料325，每次都可随后从铰 链层114的顶部去除牺牲材料325。在牺牲材料325硬化后，牺牲材 料325的上表面可以通过化学机械抛光进行平面化。平面化之后，牺 牲材料325的顶部处于与铰链层114的上表面大体上相同的高度。接下来将间隔层113沉积到铰链层114上，如图14所示(步骤 460)。间隔层113可例如由非晶硅材料制成。接下来将光阻材料层127 旋涂到间隔层113上方，如图15所示(步骤465)。然后对光阻材料 层127构图以4更在停;改止挡器140a、 140b上方形成凹部126a和126b 从而使间隔层113的上表面露出，如图16所示。凹部还在铰链113上 方形成光阻材料层127。然后在凹部126a和126b中的露出区域蚀刻 间隔层113以4吏形成腔室112a和112b，如图17A所示。还蚀刻间隔 层113以便在铰链元件120a上方形成腔室128，如图17B所示。然后 用牺牲材料330填充腔室112a、 112b和两对孔109a、 109b，如图18A 所示。腔室128也由牺牲材料330填充，如图18B所示。位于孔109a、 109b中的牺牲材料330接触位于铰链层114和基底150之间的牺牲材 料305 (步骤467)。在烘培和硫化牺牲材料330后，牺牲材料330的 上表面倾向于下垂。因此，凹部360形成在牺牲材料330的上表面中。 凹部360的深度取决于腔室128的宽度、厚度和牺牲材料330的性能。 例如，腔室128可为大约0.5微米到2.0微米宽，0.2微米到l微米深。 牺牲材料330可以由光阻材料制成。凹部360中心的高度降低值可在 0.01到0.1微米的范围内。凹部360可以引起随后形成在间隔层113 上方的反射层111下垂。特别地，下垂发生在反射层的下方无支承的 部分。反射层部分中的下垂在反射层111的上表面上产生微凹陷。镜 板IIO中的不均匀反射面可使光沿不希望的方向反射。光散射可降低 由基于微镜的SLM形成的显示图象的亮度和对比度。根据本说明书，在反射层111沉积之前可以首先制备平面(图19A 和19B)。平面反射层111下方的平的临时支承层可允许在镜板110上形成平的反射面。在某些实施例中，参考图18C，层362沉积在凹部 360 (图18B)和间隔层113上。补偿层361形成在层362上和凹部 360上方(图18B )。补偿层361和层362可由与牺牲材料330相同的 材料制成。补偿层361可包括光阻材料、硅、二氧化硅等等。补偿层 361的形成可包括沉积厚的层，随后进行平版印刷构图以及进行部分 蚀刻以便在蚀刻层362上形成补偿层361。然后通过各向同性蚀刻来回蚀补偿层361和层362，例如通过等 离子蚀刻。这种各向同性蚀刻可以去除补偿层361和层362除了位于 牺牲材料330上的那部分以外的大部分。这种各向同性蚀刻可以从补 偿层361和层362去除材料以及使该表面平滑。去除层362的位于间 隔层113上的部分以使间隔层的上表面露出，如图18D所示。平面365 形成在牺牲材料330上和位于牺牲材料330上方的层362的剩余部分 上(步骤468)。平面365与间隔层113的上表面是共面的。使用补偿层的表面平面化的一个优点是节省材料。在不使用补偿 层的情况下，层362必须厚得多以便允许各向同性蚀刻从而在材料去 除期间使层362上表面上的凹部360平滑掉并在牺牲材料330上方形 成平面。在某些实施例中，利用牺牲材料填充腔室128和形成层362可以 结合成一个步骤。参考图18E，沉积牺牲材料330以便填充腔室128 和在间隔层113及腔室128上形成层。在干燥和硬化以后，牺牲材料 330可包括位于牺牲材料330上表面中和腔室128上方的微凹陷364。 接下来补偿层361形成在牺牲材料330上的微凹陷364处，如图18F 所示。补偿层361的形成可包括沉积厚的层，随后进行平版印刷构图 以及进行部分蚀刻以便在蚀刻层362上形成补偿层361。然后通过各 向同性蚀刻来回蚀补偿层361和牺牲材料330，例如通过等离子蚀刻。 平的上表面365可在牺牲材料330上的各向同性蚀刻之后形成，如图 18G所示。平的上表面365与间隔层113的上表面大体上共面。在某些实施例中，参考图18H,光阻材料层363旋涂在间隔层113 和牺牲材料330上。光阻材料层363可在牺牲材料330上方具有微凹在旋涂后通过烘焙进行硬化。然后对硬化的 光阻材料层363进行化学机械抛光以便去除光阻材料层363的位于间 隔层113上的部分并在牺牲材料330上留下一部分光阻材料层363以 便形成与间隔层113的上表面共面的平面365，如图181所示(步骤 468)。平面365大体上是平的，即平面365的高度偏差比光的波长小 得多。例如，平面365的高度偏差可以小于0.1微米，或0.05微米， 或0.02孩丈米。接下来反射层111沉积在间隔层113上和在层362或363的剩余 部分和牺牲材料330上形成的平的上表面365上，如图19A和19B所 示(步骤470)。因为平面365与间隔层113的上表面共面，所以反射 层111可形成为具有均匀的、平的上反射面。使用关于图18B-18I所 述的过程可将反射层100上表面的高度偏差控制为低于0.1微米，例 如0.05微米或0.02微米。适合于反射层112的材料可包括金、铝和金 /铝合金。接下来使用平版印刷术形成开口 340以限定每个镜板110的边界， 如图20A、 20B所示(步骤475)。即，开口 340使镜板110与其相邻 的镜板110a、 110b分离并露出牺牲材料305。去除牺牲材料305、 325和330以便分离镜板110，如图21和22 所示(步骤480 )。镜板100包括反射层111、间隔层113和铰链层114。 铰链连接柱122a和122b包括一个或多个侧层315、底层312和位于 中心的腔室125a或125b。铰链元件120a连接到铰链连接柱122a的 侧层315。铰链连接柱122a还连接到基底150上的铰链支柱121a。铰 链层114、铰链连接柱122a、 122b和铰链支柱121a、 121b是导电的 以便允许通过基底150中的电路控制铰链层114的电势。在由铰链层114与位于基底150上的电极130a-131b之间的电势 差所产生的静电扭矩的作用下，镜板IIO可绕着由铰链元件120a、120b 限定的轴线倾斜。镜板110的倾斜运动可在桥接件107a或107b与停 放止挡器140a或140b接触时停止。停放止挡器140a和140b可按精 确的倾角限定镜板110,在该倾角，反射层111可以沿预定方向反射入射光。静电力可在桥接件107a或107b中产生变形。当静电力去除 或反向时，可以释放存储的弹性能量来帮助镜板110与停放止挡器 107a或107b分离。在某些实施例中，微镜的尺寸可以如下。铰链元件120a、 120b 可以为大约2-7jim长、大约0.2-0.6fim宽和大约0.04-0.1nm厚。铰链 支柱121a、 121b可以为大约0.5-l.lnm宽和l-2jim高。停放止挡器 140a、 140b可以为0.5-2.0nm高和0.2-0.6fim宽。电极130a、 130b可 以为0.2-0.5nm高。阶梯状电极131a、 131b高度可以为0.5-1.0nm。 反射层111厚度可以为500埃或更小。正如在此描述的，可将在利用牺牲材料填充的凹部上方形成的补 偿层平面化来形成平面，以便使得随后形成的层在形成补偿层的区域 上方是平的。在某些实施例中，例如利用化学机械抛光(CMP)来形 成、硬化和抛光较厚的牺牲材料层，而不是形成补偿层。然而，CMP 可能易于产生凹陷。当在非平面上方进行涂敷时，某些类型的牺牲材 料涂敷，例如旋涂，可以减少牺牲材料中下陷或隆起的纵横比(aspect ratio)。然而，来自牺牲材料下方的层的构形的残迹通常保留。补偿 层与还原过程例如蚀刻一起可以产生比通过其它方法形成的表面更平 的表面。应当理解，所公开的方法适合于其它结构的微镜。可以使用与上 述不同的材料来形成镜板的不同层、铰链连接柱、铰链支柱、电极和 停放止挡器。电极可包括如图所示的阶梯或位于单个高度的上表面。 镜板还可具有不同形状，例如六边形、菱形和八边形。所公开的方法并不限于微镜的形成。例如，所描述的方法可被用 于其它微装置，例如包括悬臂、桥接件或其它具有悬垂特征的机构的 装置或通过在牺牲层或腔室上方沉积材料层形成的其它装置。因此在 此描述的方法可被用于包括位于腔室上方的平面层的任何装置。
权利要求
1.一种用于制造微结构的方法，包括在形成在下层中的凹部中布置牺牲材料；在凹部中的牺牲材料上形成补偿材料层；去除补偿材料的第一部分以便在该牺牲材料上形成大体上为平的表面，其中该大体上为平的表面与下层的上表面大体上共面；和在下层和大体上为平的表面上形成上层。
2. 如权利要求l所述的方法，进一步包括 去除牺牲材料和位于牺牲材料上的补偿材料的第二部分以便在上层下方形成腔室。
3. 如权利要求l所述的方法，进一步包括 在下层和位于凹部中的牺牲材料上形成中间层；和 有选择地从中间层去除材料以便在牺牲材料的上方形成补偿材料层。
4. 如权利要求3所述的方法，其特征在于，中间层和牺牲材料具 有大体上相同的材料成分，并且布置牺牲材料的步骤和形成中间层的 步骤在一个连续步骤中进行。
5. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，上层包括反射面。
6. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，去除补偿材料的第一 部分包括各向同性蚀刻该第一部分。
7. 如权利要求6所述的方法，其特征在于，该各向同性蚀刻包括 等离子蚀刻。
8. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，补偿材料包括光阻材 料、硅或二氧化硅。
9. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，补偿材料与牺牲材料 具有大体上相同的成分。
10. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，上层具有高度偏差 小于O.l微米的上表面。
11. 如权利要求IO所述的方法，其特征在于，上层具有高度偏差 小于0.05微米的上表面。
12. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，补偿材料高于下层 的上表面。
13. 如权利要求l所述的方法，其特征在于，补偿材料是光阻材 料并且去除步骤包括化学机械抛光光阻材料以便去除位于下层和牺牲 材料上的光阻材料的第一部分。
14. 如权利要求13所述的方法，其特征在于，光阻材料层和牺牲 材料具有大体上相同的材料成分，并且牺牲材料和位于牺牲材料上的 光阻材料层在一个连续步骤中布置。
15. —种用于在基底上方制造镜板的方法，其中该方法包括根据 权利要求1所述的方法形成微结构，该方法包括在基底上形成铰链支柱；形成位于铰链支柱上的铰链连接柱和连接到该铰链连接柱的铰链 层，其中铰链层是带有凹部的下层；在铰链层上形成间隔层，其中该间隔层包括位于铰链连接柱上方 的孔，其中布置牺牲材料包括将牺牲材料布置到位于间隔层的孔中和 位于铰链层的凹部中；其中，去除补偿材料的第一部分以便在牺牲材料上形成大体上为 平的表面使得大体上为平的表面与间隔层的上表面大体上共面；其中形成上层为在铰链层和大体上为平的表面上方形成反射层；和有选择地去除反射层和铰链层的部分以便形成镜板以及连接到铰 链连接柱和铰链层的铰链元件，其中镜板被构造为绕着铰链元件倾斜。
16. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，铰链连接支柱和铰 链层是同时形成的。
17. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，该牺牲材料是第一 牺牲材料并且形成铰链连接柱的步骤包括将第二牺牲材料布置在基底和铰链支柱上；在第二牺牲材料中形成通道以便露出铰链支柱的上表面；和 沉积导电材料以便同时形成通道中的铰链连接柱和第二牺牲材料 上的铰链层。
18. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，铰链连接柱包括底 层和为圆锥或截头圆锥的侧层，其中侧层的下边缘连接到底层以限定 腔室。
19. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，铰链元件和铰链层 是共面的。
20. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，铰链连接柱、铰链 元件和铰链层包括导电材料。
全文摘要
本发明公开了一种用于制造微结构的方法，包括将牺牲材料布置到形成在下层中的凹部中和在位于凹部中的牺牲材料上形成补偿材料层。补偿材料高于下层的上表面。去除补偿材料的第一部分以在牺牲材料上形成大体上为平的表面。大体上为平的表面与下层的上表面大体上共面。在下层和大体上为平的表面上形成上层。
文档编号G02B26/08GK101329445SQ200810081080
公开日2008年12月24日 申请日期2008年2月26日 优先权日2007年2月27日
发明者李契京, 潘晓和 申请人:视频有限公司