专利名称：树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及制造技术领域，尤其涉及一种树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件。
背景技术：
在半导体制造过程中，通常需要经过多次沉积工艺以形成不同的膜层。例如，涉及半导体制造过程的印刷电路板的制造过程、以及薄膜晶体管液晶显示器的液晶面板的制造过程等，均需要经过多次的沉积工艺。以液晶面板为例而言，薄膜晶体管液晶显示器的液晶面板包括阵列基板和彩膜基板，在薄膜晶体管液晶显示器的制程中可以分别单独制作阵列基板和彩膜基板，然后再将阵列基板和彩膜基板对盒并填充液晶，以形成液晶面板。其中，在阵列基板的制造过程中， 可以通过多次构图工艺(构图工艺中包括沉积工艺)，在空白基板上依次形成栅线、薄膜晶体管的栅极；栅绝缘层；垂直于所述栅线的数据线，以及薄膜晶体管的有源层、源极、漏极和沟道；钝化层；像素电极；等。其中，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述薄膜晶体管和像素电极形成在所述像素区域内，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接。但是目前像素电极所在的层和数据线所在的层之间仅设有一层用于绝缘的钝化层，该钝化层通常由SiNx等材料制成，其介电常数较高，因此使得在像素电极和数据线之间产生较强的电容效应，该较强的电容效应容易在像素电极和数据线之间引发不良。类似地，在其他产品的不同膜层之间，通常也会由于该不同膜层之间的膜层的介电常数较高而引发各种不良。
发明内容
本发明的实施例提供一种树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件，以提高降低的介电常数。为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案一种树脂介电层材料的制备方法，包括步骤11，合成单体树脂；步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。一种树脂介电层的制备方法，包括步骤21，在基板上涂覆如上所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层
薄膜；步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。一种液晶面板，包括对盒的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层，所述树脂介电层由如上所述的方法制备的树脂介电层材料制成。一种液晶显示器件，包括壳体，所述壳体内设有液晶面板,所述液晶面板包括对盒的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层，所述树脂介电层由如上所述的方法制备的树脂介电层材料制成。本发明实施例提供的树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件，由于树脂本身的介电常数较低，因此能够在不同的膜层之间提供降低的介电常数，并进而可以减少由于不同膜层之间的膜层的介电常数较高而引发各种不良。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本发明实施例树脂介电层材料制备方法的示意图；图2为本发明实施例树脂介电层制备方法的示意图；图3为本发明实施例液晶面板中阵列基板的不意图；图3a为图3中A3-A3方向的截面图。附图标记I-基板，2-栅线，5-数据线，7-树脂介电层，8-像素电极，10-公共电极，11-薄膜晶体管，Ila-栅极、I Ib-源极、I Ic-漏极。
具体实施例方式下面结合附图对本发明实施例树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件进行详细描述。应当明确，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。如图I所示，本发明实施例提供了一种树脂介电层材料的制备方法，所述方法包括步骤11，合成单体树脂；步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的 单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。本发明实施例提供的树脂介电层材料的制备方法，由于树脂本身的介电常数较低，因此能够在不同的膜层之间提供降低的介电常数，并进而可以减少由于不同膜层之间的膜层的介电常数较高而引发各种不良。
需要说明的是，所述的树脂介电层材料可以包括正性感光树脂介电层材料、负性感光树脂介电层材料、以及非感光树脂介电层材料。其中正性感光树脂介电层材料和负性感光树脂介电层材料可以统称为感光树脂介电层材料，感光树脂介电层材料可以直接进行曝光显影从而完成刻蚀操作，而非感光树脂介电层材料则需要借助于光刻胶才能够完成刻蚀操作。正性感光树脂介电层材料和负性感光树脂介电层材料的区别在于，正性感光树脂介电层材料受到光照后，被曝光的部分可 以被显影液移除，未曝光的部分不会被显影液移除；负性感光树脂介电层材料受到光照后，被曝光的部分不会被显影液移除，而未曝光的部分则能够被显影液移除。此外，正性感光树脂介电层材料本身含有颜色，需要利用紫外线对其进行曝光，从而将正性感光树脂介电层材料的颜色去掉。负性感光树脂介电层材料和非感光树脂介电层材料本身不含有颜色，不需要利用紫外线对其进行曝光以将颜色去掉。下面结合具体的实施例I至实施例3来分别说明正性感光树脂介电层材料、负性感光树脂介电层材料、以及非感光树脂介电层材料的制备方法。 实施例I，制备正性感光树脂介电层材料，该方法包括步骤11，合成单体树脂；可以使用现有技术中已知的方法来合成树脂单体。对于正性感光树脂介电层材料的制备而言，所述单体树脂包括聚甲基丙烯酸甲酯(俗称亚克力)或聚合氯化铝(PAC)。步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。在该步骤中，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中时，还将感光剂添加到有机溶剂中，并搅拌以使合成的单体树脂和感光剂均溶解在有机溶剂中。将合成的单体树脂和感光剂添加到有机溶剂中没有顺序之分，也可以将二者同时添加。其中，所添加的感光剂为正性感光剂。所述有机溶剂包括丙二醇甲醚丙酸酯(PGMEA)、聚氧乙烯蓖麻油(EL)、丙二醇甲醚(PGME)或乙醇，所使用的有机溶剂可以是上述有机溶剂中的一种或几种的混合。在后续的工序中，可以将在这里所制得的正性感光树脂介电层材料涂覆在基板上，以形成正性感光树脂介电层。这里，根据涂覆的方式不同，正性感光树脂介电层材料中各组分的配比也不相同。例如，当使用旋转涂覆的方式(即spin方式)时，制得的正性感光树脂介电层材料中包括重量比为20% 40%的单体树脂、重量比为3% 5%的感光剂、以及重量比为55% 77%的有机溶剂。当使用刮涂的方式(即slit方式)时，制得的正性感光树脂介电层材料中包括重量比为10% 30%的单体树脂、重量比为3% 5%的感光剂、以及重量比为65% 87%的有机溶剂。步骤13，对制得树脂介电层材料进行过滤；过滤的目的在于去除正性感光树脂介电层材料中没有完全溶解的组分、以及其他的外界杂质等。首先可以进行粗过滤，然后再利用2微米的滤芯进行精过滤，从而获得较为纯净的正性感光树脂介电层材料。步骤14，将过滤后的树脂介电层材料密封，并在-15°C以下的环境中冷藏保存。实施例2，制备负性感光树脂介电层材料，该方法包括 步骤11，合成单体树脂；
可以使用现有技术中已知的方法来合成树脂单体。对于负性感光树脂介电层材料的制备而言，所述单体树脂包括丙烯酸酯(Acrylatemonomers)。步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。
与实施例I中类似，在该步骤中，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中时，还将感光剂添加到有机溶剂中，并搅拌以使合成的单体树脂和感光剂均溶解在有机溶剂中。将合成的单体树脂和感光剂添加到有机溶剂中没有顺序之分，也可以将二者同时添加。其中，所添加的感光剂为负性感光剂。所述有机溶剂包括丙二醇甲醚丙酸酯(PGMEA)、聚氧乙烯蓖麻油(EL)、丙二醇甲醚(PGME)或乙醇，所使用的有机溶剂可以是上述有机溶剂中的一种或几种的混合。在后续的工序中，可以将在这里所制得的负性感光树脂介电层材料涂覆在基板上，以形成负性感光树脂介电层。这里，根据涂覆的方式不同，负性感光树脂介电层材料中各组分的配比也不相同。例如，当使用旋转涂覆的方式(即spin方式)时，制得的负性感光树脂介电层材料中包括重量比为20% 40%的单体树脂、重量比为3% 5%的感光剂、以及重量比为55% 77%的有机溶剂。当使用刮涂的方式(即slit方式)时，制得的负性感光树脂介电层材料中包括重量比为10% 30%的单体树脂、重量比为3% 5%的感光剂、以及重量比为65% 87%的有机溶剂。步骤13，对制得树脂介电层材料进行过滤；类似地，过滤的目的在于去除负性感光树脂介电层材料中没有完全溶解的组分、以及其他的外界杂质等。首先可以进行粗过滤，然后再利用2微米的滤芯进行精过滤，从而获得较为纯净的负性感光树脂介电层材料。步骤14，将过滤后的树脂介电层材料密封，并在-15°C以下的环境中冷藏保存。实施例3，制备非感光树脂介电层材料，该方法包括步骤11，合成单体树脂；可以使用现有技术中已知的方法来合成树脂单体。对于非感光树脂介电层材料的制备而言，所述单体树脂包括2-甲氧基-I-甲基乙基醋酸或苯基硅氧烷聚合物。步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。所述有机溶剂包括丙二醇甲醚丙酸酯(PGMEA)、聚氧乙烯蓖麻油(EL)、丙二醇甲醚(PGME)或乙醇，所使用的有机溶剂可以是上述有机溶剂中的一种或几种的混合。在后续的工序中，可以将在这里所制得的非感光树脂介电层材料涂覆在基板上，以形成非感光树脂介电层。这里，根据涂覆的方式不同，非感光树脂介电层材料中各组分的配比也不相同。例如，当使用旋转涂覆的方式(即spin方式)时，制得的非感光树脂介电层材料中包括重量比为30% 50%的单体树脂、重量比为50% 70%的有机溶剂。当使用刮涂的方式(即slit方式)时，制得的非感光树脂介电层材料中包括重量比为20% 40%的单体树脂、重量比为60% 80%的有机溶剂。步骤13，对制得树脂介电层材料进行过滤；类似地，过滤的目的在于去除非感光树脂介电层材料中没有完全溶解的组分、以及其他的外界杂质等。首先可以进行粗过滤，然后再利用2微米的滤芯进行精过滤，从而获得较为纯净的非感光树脂介电层材料。步骤14，将过滤后的树脂介电层材料密封，并在-15°C以下的环境中冷藏保存。除此之外，如图2所示，本发明实施例还提供了一种树脂介电层的制备方法，所述方法包括步骤21，在基板上涂覆如上所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。本发明实施例提供的树脂介电层的制备方法，由于树脂本身的介电常数较低，因此能够在不同的膜层之间提供降低的介电常数，并进而可以减少由于不同膜层之间的膜层的介电常数较高而引发各种不良。与上述树脂介电层材料的制备方法类似，下面结合具体的实施例4至实施例6来分别说明正性感光树脂介电层、负性感光树脂介电层、以及非感光树脂介电层的制备方法实施例4，制备正性感光树脂介电层，该方法包括
步骤20，向基板表面施加六甲基二硅亚胺，基板表面与六甲基二硅亚胺反应，使得基板表面具有疏水特性，便于粘附树脂介电层材料；需要明确地是，对于不同的产品而言，或者对于产品的不同制作阶段而言，向基板表面施加六甲基二硅亚胺可以理解为向空白的基板表面施加六甲基二硅亚胺，也可以理解为向已经制作有膜层的基板表面施加六甲基二硅亚胺，其中所施加的六甲基二硅亚胺可以为气体形态。例如在阵列基板的制作过程中，可以理解为向形成有钝化层的基板表面施加六甲基二硅亚胺。其中，六甲基二硅亚胺(HMDS)可以作为增粘剂使用，其与基板表面反应后使基板表面具有疏水特性，从而适于粘附油性物质，如树脂介电层材料。为提高步骤21中涂覆的正性感光树脂介电层材料的粘附性，并节省单件工时，可以在高温环境下短时间地向基板表面施加六甲基二硅亚胺，如在120°C左右的温度下。步骤21，在基板上涂覆实施例I中制备的正性感光树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；由于在后续的步骤22中进行热固化时，将会有较多的气体从正性感光树脂薄膜中逸出而使树脂介电层的厚度减薄，因此可以将正性感光树脂介电层薄膜的厚度制作得较厚，例如3微米以上，以减小厚度减薄之后对正性感光树脂介电层薄膜整体均匀性的影响。此外,还可以增加正性感光树脂介电层材料中感光剂的含量,例如使感光剂的含量增加到其上限值，以降低有机溶剂的含量，避免较多的气体逸出，从而提高正性感光树脂薄膜的热稳定性。步骤31、对树脂介电层薄膜进行预烘焙；该步骤是为步骤32做准备的，正性感光树脂介电层薄膜在预烘焙之后可以产生预固化现象，提高粘附性，有利于步骤32中曝光显影操作的进行。需要注意的是，在预烘焙过程中，如果温度较高，则会使正性感光树脂介电层薄膜产生提前固化现象，并导致其颜色发黄；如果温度过低，又会影响粘附性，因此本实施例中选择在90°C 100°C的温度下对正性感光树脂介电层薄膜进行预烘焙，以兼顾防止颜色发黄和提高粘附性两方面的考虑。步骤32、对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行曝光显影，树脂介电层薄膜的完全去掉的区域对应于不需要保留树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的半保留区域对应于需要保留部分树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的完全保留区域对应于不需要去除树脂介电层薄膜的区域；
需要说明的是，步骤32为可选步骤。当需要通过构图工艺在正性感光树脂介电层薄膜中制作相应的图形时可以选择该步骤，否则可以省略该步骤。对于正性感光树脂介电层薄膜而言，其受到光照后，被曝光的部分可以被显影液移除，未曝光的部分不会被显影液移除。在该步骤中，由于正性感光树脂介电层薄膜的厚度较大，因此其需要较大的曝光量，而在产线生产中，该较大的曝光量使得其加工时间延长，因此降低了产能。为避免产能降低，则可以在后面的显影过程中加快速度，因此这就要求缩短显影的时间并提高显影液的浓度。但是显影液浓度的提高又容易使显影液渗透到正性感光树脂介电层薄膜的下部，从而影响正性感光树脂介电层薄膜的粘附性。因此为兼顾二者，在该步骤中，对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行显影的持续时间为70秒 200秒，所使用的显影液浓度为2% 4%。
步骤33，对曝光显影后的正性感光树脂介电层薄膜进行265纳米的紫外光照射；正性感光树脂介电层薄膜本身含有颜色，使用265纳米的紫外光(IUV)对其照射后可以去除颜色。步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。即，形成正性感光树脂介电层。实施例5，制备负性感光树脂介电层，该方法包括步骤20，向基板表面施加六甲基二硅亚胺，基板表面与六甲基二硅亚胺反应，使得基板表面具有疏水特性，便于粘附树脂介电层材料；需要明确地是，对于不同的产品而言，或者对于产品的不同制作阶段而言，向基板表面施加六甲基二硅亚胺可以理解为向空白的基板表面施加六甲基二硅亚胺，也可以理解为向已经制作有膜层的基板表面施加六甲基二硅亚胺，其中所施加的六甲基二硅亚胺可以为气体形态。例如在阵列基板的制作过程中，可以理解为向形成有钝化层的基板表面施加六甲基二硅亚胺。其中，六甲基二硅亚胺(HMDS)可以作为增粘剂使用，其与基板表面反应后使基板表面具有疏水特性，从而适于粘附油性物质，如树脂介电层材料。为提高步骤21中涂覆的负性感光树脂介电层材料的粘附性，并节省单件工时，可以在高温环境下短时间地向基板表面施加六甲基二硅亚胺，如在120°C左右的温度下。步骤21，在基板上涂覆实施例2中制备的负性感光树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；由于在后续的步骤22中进行热固化时，将会有较多的气体从负性感光树脂薄膜中逸出而使树脂介电层的厚度减薄，因此可以将负性感光树脂介电层薄膜的厚度制作得较厚，例如3微米以上，以减小厚度减薄之后对负性感光树脂介电层薄膜整体均匀性的影响。此外，还可以增加负性感光树脂介电层材料中感光剂的含量，例如使感光剂的含量增加到其上限值，以降低有机溶剂的含量，避免较多的气体逸出，从而提高负性感光树脂薄膜的热稳定性。步骤31、对树脂介电层薄膜进行预烘焙；该步骤是为步骤32做准备的，负性感光树脂介电层薄膜在预烘焙之后可以产生预固化现象，提高粘附性，有利于步骤32中曝光显影操作的进行。需要注意的是，在预烘焙过程中，如果温度较高，则会使负性感光树脂介电层薄膜产生提前固化现象，并导致其颜色发黄；如果温度过低，又会影响粘附性，因此本实施例中选择在90°C 100°C的温度下对负性感光树脂介电层薄膜进行预烘焙，以兼顾防止颜色发黄和提高粘附性两方面的考虑。步骤32、对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行曝光显影，树脂介电层薄膜的完全去掉的区域对应于不需要保留树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的半保留区域对应于需要保留部分树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的完全保留区域对应于不需要去除树脂介电层薄膜的区域；需要说明的是，步骤32为可选步骤。当需要通过构图工艺在负性感光树脂介电层薄膜中制作相应的图形时可以选择该步骤，否则可以省略该步骤。对于负性感光树脂介电层薄膜而言，其受到光照后，未曝光的部分可以被显影液移除，曝光的部分不会被显影液移除。在该步骤中，由于负性感光树脂介电层薄膜的厚度较大，因此其需要较大的曝光量，而在产线生产中，该较大的曝光量使得其加工时间延长，因此降低了产能。为避免产能降低，则可以在后面的显影过程中加快速度，因此这就要求缩短显影的时间并提高显影液的浓度。但是显影液浓度的提高又容易使显影液渗透到负性感光树脂介电层薄膜的下部，从而影响负性感光树脂介电层薄膜的粘附性。因此为兼顾二者，在该步骤中，对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行显影的持续时间为70秒 200秒，所使用的显影液浓度为2% 4%。步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。即，形成负性感光树脂介电层。实施例6，制备非感光树脂介电层，该方法包括步骤20，向基板表面施加六甲基二硅亚胺，基板表面与六甲基二硅亚胺反应，使得基板表面具有疏水特性，便于粘附树脂介电层材料；需要明确地是，对于不同的产品而言，或者对于产品的不同制作阶段而言，向基板表面施加六甲基二硅亚胺可以理解为向空白的基板表面施加六甲基二硅亚胺，也可以理解为向已经制作有膜层的基板表面施加六甲基二硅亚胺，其中所施加的六甲基二硅亚胺可以为气体形态。例如在阵列基板的制作过程中，可以理解为向形成有钝化层的基板表面施加六甲基二硅亚胺。其中，六甲基二硅亚胺(HMDS)可以作为增粘剂使用，其与基板表面反应后使基板表面具有疏水特性，从而适于粘附油性物质，如树脂介电层材料。为提高步骤21中涂覆的非感光树脂介电层材料的粘附性，并节省单件工时，可以在高温环境下短时间地向基板表面施加六甲基二硅亚胺，如在120°C左右的温度下。步骤21，在基板上涂覆实施例3中制备的非感光树脂介电层材料，形成树脂介电
层薄膜；由于在后续的步骤22中进行热固化时，气体从非感光树脂薄膜中逸出现象较为轻微，因此可以将非感光树脂介电层薄膜的厚度制作得较薄，例如2 3微米左右。步骤21'，在100°C 120°C的温度下对非感光树脂介电层薄膜进行预烘焙；非感光树脂介电层薄膜在预烘焙之后可以产生预固化现象，提高粘附性，有利于步骤23中光刻胶的涂覆。需要注意的是，在预烘焙过程中，如果温度较高，则会使非感光树 脂介电层薄膜产生提前固化现象，并导致其颜色发黄；如果温度过低，又会影响粘附性，因此本实施例中选择在100°C 120°C的温度下对非感光树脂介电层薄膜进行预烘焙，以兼顾防止颜色发黄和提高粘附性两方面的考虑。步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层；
即，形成非感光树脂介电层。步骤22'，对树脂介电层薄膜进行165纳米的紫外光照射；由于在非感光树脂介电层薄膜热固化后，其自身的粘附性仍然较低，在步骤23中不容易粘附光刻胶。因此除对非感光树脂介电层薄膜进行预烘焙以提高其粘附性之外，还可以使用165纳米的紫外光(EUV)进行照射，以提高其粘附性。步骤23，在热固化后的树脂介电层薄膜上涂覆光刻胶；步骤24，对光刻胶进行曝光显影，光刻胶的完全去除区域对应于不需要保留树脂介电层薄膜的区域，光刻胶的半保留区域对应于需要保留部分树脂介电层薄膜的区域，光刻胶的完全保留区域对应于不需要去除树脂介电层薄膜的区域；步骤25，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的树脂介电层薄膜和钝化层薄膜，并进行光刻胶的灰化，刻蚀掉光刻胶半保留区域处的部分树脂介电层薄膜。上述步骤23-25为可选步骤。当需要通过构图工艺在非感光树脂介电层薄膜中制作相应的图形时可以选择这些步骤，否则可以省略这些步骤。除此之外，本发明实施例提供了一种液晶面板。下面参照图3和图3a来说明本实施例中液晶面板的结构。所述液晶面板包括对盒的阵列基板和彩膜基板。其中，图3所示为阵列基板的平面结构示意图；图3a所示为图I中A3-A3方向的截面图。所述阵列基板包括基板1，基板I上设有栅线2，垂直于栅线2设有数据线5，栅线2和数据线5之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管11和像素电极8，薄膜晶体管11的栅极Ila与栅线2连接、源极Ilb与数据线5连接、漏极Ilc与像素电极8连接，其中像素电极8所在的层与数据线5所在的层之间设有树脂介电层7，树脂介电层7由如上所述的方法制备的树脂介电层材料制成。本发明实施例提供的液晶面板，在像素电极8所在的层与数据线5所在的层之间设有树脂介电层7，由于树脂本身的介电常数较低，因此树脂介电层7可以有效减小像素电极8和数据线5之间的电容效应，这样可以将像素电极8和数据线5设计得更加接近一些，从而增大了像素电极8所占用的区域，提高了像素开口率。此外，可以在阵列基板上设置公共电极10，以便在像素电极8和公共电极10之间形成电场。一般而言，在阵列基板上设置公共电极10时，可以使公共电极10所在的层与像素电极8所在的层相邻绝缘地设置，例如如图3a所示，可以将公共电极10所在的层相邻绝缘地设置在像素电极8所在的层的上方。该公共电极10的设置结构与AD-SDS显示模式下公共电极的设置结构相同。高级超维场开关技术(Advanced-SuperDimensional Switching ;简称AD_SDS)通过同一平面内像素电极或公共电极边缘所产生的平行电场以及像素电极与公共电极间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极或公共电极之间、像素电极或公共电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-IXD画面品质，具有高透过率、宽视 角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹(push Mura)波纹等优点。其中，为使公共电极10和像素电极8相邻绝缘地设置，可以在公共电极10所在的层与像素电极8所在的层之间设有像素电极绝缘层9。
需要说明的是，在将公共电极10所在的层相邻绝缘地设置在像素电极8所在的层的上方时，由于在数据线5上加载的用于显示图像的灰度电压，可以在数据线5和公共电极10之间产生逻辑功耗，该逻辑功耗加大了整个液晶显示面板的耗电量。尤其是目前对分辨率的要求越来越高，阵列基板上的布线越来越多，从而导致公共电极10与数据线5的叠加密度越来越大，造成了极大的逻辑功耗。而本实施例中，在像素电极8所在的层和数据线5所在的层之间设有树脂介电层7，即相当于在公共电极10所在的层和数据线5所在的层之间设有树脂介电层7，由于树脂本身的介电常数较低，因此树脂介电层7可以大幅度减小公共电极10和数据线5之间产生的逻辑功耗，从而减小整个液晶面板的耗电量。尤其是在当前液晶显示面板的分辨率越来越高，阵列基 板上的布线密度加大，使得液晶面板的耗电量急剧加大的情况下，使用树脂介电层7可以避免液晶面板的耗电量急剧加大。因此，通过使用树脂介电层7，可以在不增加逻辑功耗的情况下提高阵列基板上的布线密度，实现了真正意义上的高分辨率。或者，在阵列基板上设置公共电极10时，也可以使公共电极10与栅线2同层设置。该公共电极10的设置结构与TN显示模式下公共电极的设置结构相同。此外，本实施例中树脂介电层7的透过率可以达到92%以上，而阵列基板中钝化层(主要由SiNx材料制成)的透过率只有88%或以下，所以本实施例中应用树脂介电层7可以提高阵列基板的透过率。此外，本发明的实施例还提供了一种液晶显示器件。所述液晶显示器件包括壳体，所述壳体内设有液晶面板，所述液晶面板包括对盒的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层，所述树脂介电层由如上所述的方法制备的树脂介电层材料制成。需要说明的是，本实施例中液晶显示器件的液晶面板的结构和功能与液晶面板实施例中液晶面板的结构和功能相同，因此能够解决相同的技术问题，达到相同的预期效果。以上所述，仅为本发明的具体实施方式
，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
权利要求
1.一种树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，包括 步骤11，合成单体树脂； 步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。
2.根据权利要求I所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，所述步骤12中在将合成的单体树脂添加到有机溶剂中时，还将感光剂添加到有机溶剂中，并搅拌以使合成的单体树脂和感光剂均溶解在有机溶剂中。
3.根据权利要求2所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，所述树脂介电层材料包括正性感光树脂介电层材料、负性感光树脂介电层材料和非感光树脂介电层材料； 制备正性感光树脂介电层材料时，所述单体树脂包括聚甲基丙烯酸甲酯或聚合氯化招; 制备负性感光树脂介电层材料时，所述单体树脂包括丙烯酸酯； 制备非感光树脂介电层材料时，所述单体树脂包括2_甲氧基-I-甲基乙基醋酸或苯基硅氧烷聚合物。
4.根据权利要求3所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂包括丙二醇甲醚丙酸酯、聚氧乙烯蓖麻油、丙二醇甲醚或乙醇。
5.根据权利要求4所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，应用旋转涂覆方式涂覆树脂介电层材料时，制得的正性感光树脂介电层材料或负性感光树脂介电层材料中包括重量比为20% 40%的单体树脂、重量比为3% 5%的感光剂、重量比为55% 77%的有机溶剂，制得的非感光树脂介电层材料中包括重量比为30% 50%的单体树月旨、重量比为50% 70%的有机溶剂；或， 应用刮涂方式涂覆树脂介电层材料时，制得的正性感光树脂介电层材料或负性感光树脂介电层材料中包括重量比为10% 30%的单体树脂、重量比为3% 5%的感光剂、重量比为65 % 87 %的有机溶剂，制得的非感光树脂介电层材料中包括重量比为20 % 40%的单体树脂、重量比为60% 80%的有机溶剂。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的树脂介电层材料的制备方法，其特征在于，在所述步骤12之后，还包括 步骤13，对制得树脂介电层材料进行过滤； 步骤14，将过滤后的树脂介电层材料密封，并在_15°C以下的环境中冷藏保存。
7.—种树脂介电层的制备方法,其特征在于,包括 步骤21，在基板上涂覆如权利要求1-6中任一项所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜； 步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。
8.根据权利要求7所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，在所述步骤21之前，所述方法还包括 步骤20，向基板表面上涂覆施加六甲基二硅亚胺，基板表面与六甲基二硅亚胺反应薄膜；，使得基板表面变为具有疏水特性，，便于树脂材料的粘附树脂介电层材料.。
9.根据权利要求7或8所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，当所述树脂介电层由正性感光树脂介电层材料或负性感光树脂介电层材料制成时，在所述步骤21之后且在所述步骤22之前，所述方法还包括 步骤31、对树脂介电层薄膜进行预烘焙； 步骤32、对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行曝光显影，树脂介电层薄膜的完全去掉的区域对应于不需要保留树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的半保留区域对应于需要保留部分树脂介电层薄膜的区域，树脂介电层薄膜的完全保留区域对应于不需要去除树脂介电层薄膜的区域。
10.根据权利要求9所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，所述步骤31中，在90°C 100°C的温度下对正性感光树脂介电层薄膜或负性感光树脂介电层薄膜进行预烘小立m。
11.根据权利要求9所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，所述步骤32中，对预烘焙后的树脂介电层薄膜进行显影的持续时间为70秒 200秒，所使用的显影液浓度为2% 4%。
12.根据权利要求9所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，当所述树脂介电层由正性感光树脂介电层材料制成时，在所述步骤32之后且在所述步骤22之前，所述方法还包括 步骤33，对曝光显影后的正性感光树脂介电层薄膜进行265纳米的紫外光照射。
13.根据权利要求7或8所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，当所述树脂介电层由非感光树脂介电层材料制成时，在所述步骤22之后，所述方法还包括 步骤23，在热固化后的树脂介电层薄膜上涂覆光刻胶； 步骤24，对光刻胶进行曝光显影，光刻胶的完全去除区域对应于不需要保留树脂介电层薄膜的区域，光刻胶的半保留区域对应于需要保留部分树脂介电层薄膜的区域，光刻胶的完全保留区域对应于不需要去除树脂介电层薄膜的区域； 步骤25，刻蚀掉光刻胶完全去除区域的树脂介电层薄膜和钝化层薄膜，并进行光刻胶的灰化，刻蚀掉光刻胶半保留区域处的部分树脂介电层薄膜。
14.根据权利要求13所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，在所述步骤22之后且在所述步骤23之前，所述方法还包括 步骤22'，对树脂介电层薄膜进行165纳米的紫外光照射。
15.根据权利要求13所述的树脂介电层的制备方法，其特征在于，在所述步骤21之后且在所述步骤22之前，所述方法还包括 步骤21'，在100°C 120°C的温度下对非感光树脂介电层薄膜进行预烘焙。
16.一种液晶面板，包括对盒的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂介电层，所述树脂介电层由如权利要求1-6中任一项所述的方法制备的树脂介电层材料制成。
17.一种液晶显示器件，包括壳体，所述壳体内设有液晶面板，所述液晶面板包括对盒的阵列基板和彩膜基板，所述阵列基板包括基板，所述基板上设有栅线，垂直于所述栅线设有数据线，所述栅线和所述数据线之间限定有像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极，所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述像素电极所在的层与所述数据线所在的层之间设有树脂 介电层，所述树脂介电层由如权利要求1-6中任一项所述的方法制备的树脂介电层材料制成。
全文摘要
本发明公开了一种树脂介电层及其材料的制备方法、液晶面板及显示器件，涉及制造技术领域，为提供降低的介电常数而发明。所述树脂介电层材料的制备方法包括步骤11，合成单体树脂；步骤12，将合成的单体树脂添加到有机溶剂中，搅拌使合成的单体树脂在有机溶剂中溶解，以制得树脂介电层材料。所述树脂介电层的制备方法包括步骤21，在基板上涂覆如上所述的方法制备的树脂介电层材料，形成树脂介电层薄膜；步骤22，对树脂介电层薄膜进行热固化，形成树脂介电层。本发明可用于提供具有较低介电常数的膜层。
文档编号G02F1/1362GK102629077SQ201110179460
公开日2012年8月8日 申请日期2011年6月29日 优先权日2011年6月29日
发明者张文余, 谢振宇, 郭建, 闵泰烨, 陈旭 申请人:北京京东方光电科技有限公司