液晶面板的制作方法

文档序号:2676691阅读:203来源:国知局
专利名称:液晶面板的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种液晶面板,特别地,涉及一种源极总线具有反向截止回路的液晶面板。
背景技术
在现有的技术中,如图1所示,通常液晶面板具有像素电极层130、液晶层120和相对电极层110。像素电极层130上蚀刻有源极总线133、栅极总线134。源极总线133分别与每个TFT管132的源极相连,栅极总线134分别与每个TFT管132的栅极相连。TFT管 132的漏极与像素电极131相连。像素电极131与相对电极111之间存在有等效电容,由栅极驱动信号开关控制图像信息的源极信号而对等效电容充电,以形成控制液晶层中的液晶分子扭曲的电场。与液晶面板源极信号连接的驱动IXDC中,IXDC标准保护电路(ESD保护等)作为反向截止回路而起作用,以使驱动LCDC中电压保持在规定范围。但是,LCDC材料耐压值具有限制。例如,驱动IXDC的输入电压的限制范围为Vin = GND-0. 3V VDDI+0. 3V。标准保护电路也必须限制在该电压范围内。但是,由于液晶面板中在源极上会产生突入电压,如果输入电压超过驱动IXDC的规定电压的话,可能会导致驱动LCDC的破坏。下面结合图2、3说明液晶面板中产生突入电压的原因。对于相对电极111施加com信号,由于相对电极层110和像素电极层130之间存在等效电容,当com信号发生突变的情况下,通过该等效电容会使得源极总线上产生突入电压。如图3所示,在时刻①处,栅极信号为高电平,TFT管132被接通,此时相对电极 111的信号com为低电平,因此在源极上不会发生突入电压。此后,在时刻②处,栅极信号变换为低电平,在一定范围的响应时间内,源极信号仍处于高电平,此时,相对电极111的信号com由低电平变为高电平,此时源极信号在com信号的影响下产生向上的突入电压,其最高值可能达到10V,该最高值超过了驱动IXDC的输入电压的范围,可能导致驱动IXDC的破坏。此后,在时刻③时,栅极和源极处于低电平,相对电极111的信号com处于高电平,此时不会产生突入电压。时刻④时,栅极和源极处于低电平,相对电极111的信号com从高电平转换至低电平,此时源极信号在com信号的影响下产生向下的突入电压,其最低值可能达到-5V,该最低值超过了驱动IXDC的输入电压的范围,可能导致驱动IXDC的破坏。特别地,负电压对驱动LCDC的影响更大,极易造成驱动IXDC的损坏。

实用新型内容因此本实用新型是鉴于上述问题而完成的,其目的是提供一种能够防止IXDC受突入电压影响而遭到破坏的液晶面板。本实用的发明者考虑到,由于液晶面板中的电压限制范围较大,如果在液晶面板中蚀刻反向截止回路,则可不受驱动LCDC中的输入电压的限制,并且在突入电压传输至驱动LCDC之前,先将源极信号的电压拉回至正常范围,从而防止驱动IXDC因源极上的突入电压而遭到破坏。[0006]为解决上述课题,本实用新型的液晶面板具备相对电极层,具有相对电极;液晶层,其内部填充有液晶分子;以及像素电极层,具有多个像素电极、多个TFT管、源极总线和栅极总线,所述源极总线分别与所述多个TFT管的源极相连,所述栅极总线分别与所述多个TFT管的栅极相连,所述多个TFT管的漏极分别与所述多个像素电极相连,所述源极总线上连接有反向截止回路。根据本实用新型的液晶面板,其中,所述反向截止回路由两个二极管构成。根据本实用新型的液晶面板,其中,所述两个二极管中的一个正向连接于源极总线和源极信号的规定的高电平之间,另一个反向连接于源极总线和源极信号的规定的低电平之间。根据本实用新型的液晶面板,其中,所述二极管由金属和N型半导体构成。借由上述技术方案,本实用新型的液晶具有的优点及有益效果在于(1)防止源极信号的突入电压对驱动IXDC的破坏;(2)在液晶面板中蚀刻反向截止回路,不造成生产成本的增加。

图1为表示现有技术中液晶面板的分解图。图2为表示现有技术中液晶面板的原理图。图3为表示源极信号产生突入电压的时序图。图4为表示本实用新型所涉及的液晶面板的原理图。图5为表示本实用新型所涉及的液晶面板的反向截止回路的结构图。图6为表示本实用新型所涉及的液晶面板的像素电极层的平面图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型进行更详细的说明。以下参照附图详细说明本实用新型所涉及的液晶面板的优选的实施方式。此外, 在附图的说明中,给同一或者相当部分附以同一符号,省略重复的说明。如图4 6所示,本实施方式所涉及的液晶面板,具备相对电极层110,具有相对电极111 ;液晶层120,其内部填充有液晶分子;以及像素电极层130,具有多个像素电极 131、多个TFT管132、源极总线133和栅极总线134,源极总线133分别与多个TFT管132 的源极相连,栅极总线134分别与多个TFT管132的栅极相连,多个TFT管132的漏极分别与多个像素电极131相连,源极总线133上连接有反向截止回路135。反向截止回路135由两个二极管构成,其中一个二极管136正向连接于源极总线 133和源极信号的规定的高电平VH(例如5V)之间,另一个二极管137反向连接于源极总线133和源极信号的规定的低电平VL(例如GND)之间。通过该两个二极管,可以使源极总线133的电压范围保持在源极信号的规定的低电平VL(例如GND)至规定的高电平VH(例如5V)之间。一旦源极总线133上的电压超过这一范围,则该两个二极管中的任意一个导通,从而将源极总线133上的电压拉回至正常范围。图5为表示具体在液晶面板上的反向截止回路135的结构的例子。通过在源极总线133上依次蚀刻金属与N型半导体(Nch),并将N型半导体与源极信号的规定的高电平
4VH相连,从而形成反向截止回路135中的正向二极管136。通过在源极总线133上依次蚀刻N型半导体与金属,并将金属与源极信号的规定的低电平VL相连,从而形成反向截止回路135中的反向二极管137。根据本发明的液晶面板,通过在液晶面板的制造过程中蚀刻反向截止回路135,不会增加液晶面板的生产成本。下面结合图3,说明本实用新型所涉及的液晶面板如何通过反向截止回路135防止突入电压影响到驱动IXDC。如图3所示,在时刻①处,栅极信号为高电平,TFT管132被接通,此时相对电极 111的信号corn为低电平,此时在源极上不会发生突入电压。此后,在时刻②处,栅极信号变换为低电平,在一定范围的响应时间内,源极信号仍处于高电平,此时,相对电极111的信号com由低电平变为高电平,此时源极信号在com信号的影响下产生向上的突入电压,导致源极信号的电平升高,此时与源极总线133相连的反向截止回路135的正向二极管136导通,将源极信号拉回至源极信号的规定的高电平VH(例如5V)。由此,时刻②时产生的突入电压不会影响到驱动LCDC,从而可使驱动LCDC免遭突入电压的影响。时刻③时,栅极和源极处于低电平,相对电极111的信号com处于高电平,此时不会产生突入电压。时刻④时, 栅极和源极处于低电平,相对电极111的信号com从高电平转换至低电平,此时源极信号在 com信号的影响下产生向下的突入电压,导致源极信号的电平降低,此时与源极总线133相连的反向截止回路135的反向二极管137导通,将源极信号拉回至源极信号的规定的低电平VL (例如0V)。由此,时刻④时产生的突入电压不会影响到驱动IXDC,从而可使驱动IXDC 免遭负电压的影响。由此,可防止负电压对驱动IXDC的影响,防止驱动IXDC的损坏。根据本实用新型的液晶面板,能够在不增加生产成本的情况下,防止源极信号的突入电压对驱动LCDC的破坏。并且,由于液晶面板的电压限制范围较大,且栅极电压的电压范围要大于源极电压,所以该源极信号的突入电压也不会造成对液晶面板的破坏。虽然以上结合附图和实施例对本实用新型进行了具体说明,但是可以理解,上述说明不以任何形式限制本实用新型。本领域技术人员在不偏离本实用新型的实质精神和范围的情况下可以根据需要对本实用新型进行变形和变化,这些变形和变化均落入本发明的范围内。
权利要求1.一种液晶面板,其特征在于,具备相对电极层,具有相对电极;液晶层,其内部填充有液晶分子;以及像素电极层,具有多个像素电极、多个TFT管、源极总线和栅极总线,所述源极总线分别与所述多个TFT管的源极相连,所述栅极总线分别与所述多个TFT 管的栅极相连,所述多个TFT管的漏极分别与所述多个像素电极相连,所述源极总线上连接有反向截止回路。
2.如权利要求1所述的液晶面板,其特征在于,所述反向截止回路由两个二极管构成。
3.如权利要求2所述的液晶面板,其特征在于,所述两个二极管中的一个正向连接于源极总线和源极信号的规定的高电平之间,另一个反向连接于源极总线和源极信号的规定的低电平之间。
4.如权利要求2或3所述的液晶面板,其特征在于, 所述二极管由金属和N型半导体构成。
专利摘要本实用新型的液晶面板具备相对电极层(110),具有相对电极(111);液晶层(120),其内部填充有液晶分子;以及像素电极层(130),具有多个像素电极(131)、多个TFT管(132)、源极总线(133)和栅极总线(134),所述源极总线(133)分别与所述多个TFT管(132)的源极相连,所述栅极总线(134)分别与所述多个TFT管(132)的栅极相连,所述多个TFT管(132)的漏极分别与所述多个像素电极(131)相连,所述源极总线(133)上连接有反向截止回路(135)。根据本实用新型的液晶面板,能够在不增加生产成本的情况下,防止源极信号的突入电压对驱动LCDC的破坏。
文档编号G02F1/1368GK202221504SQ20112016268
公开日2012年5月16日 申请日期2011年5月18日 优先权日2011年5月18日
发明者丁俊良, 于强, 宫下敏彦, 熊丽丹 申请人:无锡夏普电子元器件有限公司
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