专利名称：光电转换模块的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及光电转换模块。
背景技术：
例如在数据中心的服务器与开关之间的连接、数字AV(视听)设备之间的连接中，作为传输介质，除了金属线之外还使用光纤。另外，近年来，研究了也在手机、个人计算机等信息处理设备中，使用光纤作为传输介质(光互连)(例如參照专利文献I)。在使用光纤的情况下，需要将电信号转换成光信号或者将光信号转换成电信号的光电转换模块。例如，专利文献2公开的光电转换模块具备无机材料基板，在无机材料基板 上安装有光电转换元件及IC芯片。在无机材料基板上保持气密地接合有封装体，在封装体上设有封装体侧电路图案。IC芯片通过封装体侧电路图案及封装体侧焊锡球而与外部电连接。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开2009-21459号公报专利文献2 日本特开2007-324303号公报就专利文献2公开的光电转换模块而言，封装体侧电路图案的结构复杂，难以实现低成本化。
实用新型内容本实用新型鉴于上述情况而做出，其目的在于提供具有简单结构的外部连接用的电极的光电转换模块。为了达到上述目的，根据本实用新型的ー个方式，提供(I) ー种光电转换模块，该光电转换模块具备具有透光性且具有安装面的基板；安装于上述基板的安装面上的光电转换元件及IC芯片；以及设置于上述基板的侧面且与上述IC芯片电连接的电极，该电极具有比上述侧面的其他部分更凹陷的凹形状。(2)根据上述(I)所述的光电转换模块，其特征在干，上述电极通过在对形成于要分割成上述基板的第一晶圆上的通孔的壁面赋予导电性膜之后，在穿过上述通孔的位置分割上述第一晶圆，从而分割上述导电性膜而形成。(3)根据上述(2)所述的光电转换模块，其特征在干，上述导电性膜在表层包含镀金膜。(4)根据上述(I)至(3)中任一项所述的光电转换模块，其特征在于，还具有固定于上述基板上并与上述基板协作而形成容纳上述光电转换元件的气密室的罩构件；以及设置于上述罩构件的侧面的第二电极，该第二电极与上述电极连接且具有比上述罩构件的侧面的其他部分更凹陷的凹形状。[0018](5)根据上述(I)至(4)中任一项所述的光电转换模块，其特征在干，上述基板在与上述安装面相反的ー侧的背面具有保持槽，在上述保持槽中固定有光纤的前端部，该光电转换模块还具有光稱合上述光纤和上述光学转换兀件的镜；以及固定于上述基板的背面且与上述基板一起保持上述光纤的前端部的加强构件。(6)根据上述(5)所述的光电转换模块，其特征在干，上述加强构件的固定于上述基板上的面的面积比上述基板的背面的面积小。本实用新型具有如下有益效果。 根据本实用新型，提供具有简单结构的外部连接用的电极的光电转换模块。
图I是表不具有使用了第一实施方式的光电转换模块的光配线的手机的概略结构的立体图。图2是表示用于图I的手机的第一母基板和第二母基板、以及光配线的概略立体图。图3是概略地表不第一实施方式的光电转换模块的外观的立体图。图4是安装于第二母基板上的状态的光电转换模块的概略剖视图。图5是以去除光电转换元件及IC芯片的状态，概略地表示基板的安装面的平面图。图6是用于说明图3的光电转换模块的制造方法中的保持槽及镜的形成エ序的概略平面图。图7是用于说明图3的光电转换模块的制造方法中的通孔的穿孔エ序的概略平面图。图8是用于说明图3的光电转换模块的制造方法中的导体图案的形成エ序的概略平面图。图9是用于说明图3的光电转换模块的制造方法中的光电转换元件及IC芯片的安装エ序的概略平面图。图10是概略地表示第二实施方式的光电转换模块的外观的立体图。图11是安装于第二母基板上的状态的光电转换模块的概略剖视图图12是以沿着图11中的XII-XII线切断光电转换模块，且去除焊锡层、光电转换元件及IC芯片的状态，概略地表示基板的安装面的平面图。图13是以沿着图11中的XII-XII线切断光电转换模块，且去除焊锡层的状态，概略地表示与基板的安装面相对的罩构件的相对面的平面图。图14是用于说明图10的光电转换模块中的焊锡吸附膜与接地电极的连接结构的、放大基板与罩构件的接合区域而概略地表示的剖视图。图15是用于说明图10的光电转换模块中的导体图案的信号/电源线与信号/电源电极的连接结构的、放大基板与罩构件的接合区域而概略地表示的剖视图。图16是用于说明图10的光电转换模块的制造方法中的导体图案的形成エ序的概略平面图。[0043]图17是用于说明图10的光电转换模块的制造方法中的绝缘层及基板侧基底膜的成膜エ序的概略平面图。图18是用于说明图10的光电转换模块的制造方法中的光电转换元件及IC芯片的安装エ序的概略平面图。图19是用于说明图10的光电转换模块的制造方法中的罩构件的突起部及凹部的形成エ序的概略平面图。图20是用于说明图10的光电转换模块的制造方法中的罩侧基底膜及焊锡吸附膜的成膜エ序的概略平面图。图21是用于说明图10的光电转换模块的制造方法中的通孔的穿孔エ序的概略平 面图。图22是用于说明作为第三实施方式的、图10的光电转换模块在第二母基板上的其他的安装方法的概略剖视图。图23是第四实施方式的光电转换模块的概略剖视图。图24是第五实施方式的光电转换模块的概略剖视图。图25是第六实施方式的光电转换模块的概略剖视图。符号说明20 :第二母基板，22 :光配线，23 :光纤，24 :光电转换模块，26 :基板，30 :光电转换元件，32 :IC芯片，36 :导电构件(电极)，38 :保持槽，40 :加强构件，52 :导体图案，65 :罩构件，66 :导电构件(第二电极)，67 :绝缘层，70 :容纳室(气密室)，72 :焊锡吸附膜，74 :焊锡层。
具体实施方式
下面，參照附图对本实用新型的实施方式进行说明。图I是概略地表示手机10的外观的立体图。手机10例如为折叠型，第一壳体11和第二壳体12通过铰链连接。在第一壳体11上设置液晶板14，在第二壳体12上设置按钮16，用户能够从显示在液晶板14上的图像得到信息。图2表不分别配置于第一壳体11及第ニ壳体12内的第一母基板18及第ニ母基板20。虽未图不,但在第一母基板18上安装有构成液晶板14的驱动电路的电气部件,在第ニ母基板20上安装有构成与按钮16连接的输入电路、通信电路及图像处理电路的电气部件。第一母基板18的驱动电路和第二母基板20的图像处理电路利用光配线22相互连接。即，驱动电路通过光配线22而从图像处理电路接收图像数据，并基于已接收的图像数据使图像显示在液晶板14上。光电转换模块第一实施方式光配线22由光纤23和一体设置于光纤23的两端的第一实施方式的光电转换模块24、24构成。图3是概略地表不光电转换模块24的外观的立体图。光电转换模块24具备具有透光性的基板26。基板26例如由树脂、无机材料或者树脂与无机材料的复合材料构成。作为无机材料，可以使用选自由玻璃、硅以及蓝宝石组成的组中的ー种。在本实施方式中，基板26例如由玻璃构成，具有20 μ m以上400 μ m以下的范围的厚度、Imm以上4mm以下的范围的纵向长度以及Imm以上4mm以下的范围的横向长度。在基板26的ー个面(安装面)上例如倒装芯片安装有光电转换元件30及IC(集成电路)芯片32。更详细地说，在与第二母基板20连接的光电转换模块24中，光电转换元件30是LD (激光二极管)等发光元件，IC芯片32构成用于驱动光电转换元件30的驱动电路。另外，在与第一母基板18连接的光电转换模块24中，光电转换元件30是H)(光电ニ极管)等受光元件，IC芯片32构成用于放大受光元件输出的电信号的放大电路。此外，光电转换元件30是面发光型或面受光型，出射部或入射部以与安装面相对的方式配置。在基板26的侧面形成有多个在基板26的厚度方向上从一端延伸至一端的凹部，在各凹部的表面的整个区域形成有具有导电性的膜状的导电构件(电极)36。导电构件36具有比位于导电构件36的两侧的基板26的侧面的部分更凹陷的凹形状。导电构件36由例如选自由Au、Cu以及Ni组成的组中的单ー的金属或合金的膜或这些膜的层叠体构成。优选导电构件36是依次层叠镀Cu膜、镀Ni膜以及镀Au膜且镀Au膜位于最表层的层叠体。另ー方面，在基板26的与安装面相反的一侧的面(背面)设有保持槽38，在保持槽38中配置有光纤23的前端部。而且，在基板26的背面上，以覆盖保持槽38的方式固定有板状的加强构件40。加强构件40例如由玻璃构成。加强构件40的厚度例如在100 μ m以上500 μ m以下的范围内。图4是安装于第二母基板20上的状态的光电转换模块24的概略剖视图。保持槽38沿着基板26向光电转换元件30及IC芯片32的排列方向(以下，简称为排列方向D)延伸。保持槽38的截面形状为四边形、即有棱角的U字形状，保持槽38为U槽。在本实施方式中，作为优选的方式，从排列方向D看，位于IC芯片32侧的保持槽38的一端在基板26的侧面开ロ，保持槽38的另一端由壁面构成。光纤23的前端部用粘接剂固定于保持槽38内，光纤23的前端面与保持槽38的另一端的壁面抵接。另外，在基板26的背面形成V槽，在V槽的壁面形成由例如Au等金属构成的蒸镀膜。蒸镀膜构成镜42,镜42构成通过基板26光稱合光电转换兀件30与光纤23的前端面的光学兀件。此外，保持槽38及V槽也可以由与基板26不同的构件形成。例如，可以在基板26的背面涂布树脂材料而形成树脂层，并对该树脂层形成保持槽38及V槽。加强构件40通过由粘接剂构成的粘接层44而固定于基板26的背面。加强构件40覆盖保持槽38，并与基板26 —起牢固地保持光纤23的前端部。加强构件40的与基板26粘接的面的面积比基板26的背面的面积小。而且，以基板26的背面的外边缘附近露出一部分的方式，加强构件40固定于基板26的背面。第二母基板20包括例如玻璃环氧树脂制的刚性的基板主体46和由铜等导体构成的导体图案48。在第二母基板20的基板主体46中，作为容纳光电转换元件30及IC芯片、32的凹部49，例如设有U槽。第二母基板20的导体图案48例如通过由焊锡构成的连接部50而与光电转换模块24的导电构件36连接。在基板26的安装面上设有导体图案52，该导体图案52用于电连接光电转换元件30与IC芯片32，且电连接IC芯片32与导电构件36。导体图案52通过蚀刻例如由铜等构成的具有导电性的薄膜而形成。光电转换元件30及IC芯片32分别具有作为输入输出端子的多个电极片54、56，电极片54、56通过例如由Au构成的凸块58、60而与基板26的导体图案52连接。而且，导 体图案52延伸至基板26的侧面的凹部，并与导电构件36连接。图5是概略地表示基板26的安装面的平面图。如图5所示，各导电构件36通过导体图案52而与IC芯片32电连接。下面，对上述的第一实施方式的光电转换模块24的优选的制造方法进行说明。首先，如图6所示，准备第一晶圆61作为基板26的材料(准备エ序)。第一晶圆61最終通过沿着单点划线切断而分割成多个基板26。在准备好的第一晶圆61的ー个面(背面)上，对应于在分割后得到的各个基板26而形成V槽及保持槽38，在V槽中蒸镀金属膜而形成镜42 (保持槽·镜形成エ序)。此外，还可以在第一晶圆61的一个面上涂布树脂材料而形成树脂层，对于该树脂层，通过曝光及显影エ艺形成保持槽38，并且通过切割等形成V槽。然后，通过例如钻孔、喷砂或蚀刻等，优选通过钻孔，如图7所示，形成贯通第一晶圆61的通孔62 (穿孔エ序)。通孔62形成于基板26彼此的边界上的规定位置。在穿孔エ序之后，对通孔62的壁面实施化学镀或电镀，形成镀敷膜(导电性膜)(镀敷エ序)。镀敷膜优选依次实施Cu、Ni、Au，且镀金层为镀敷膜的表层。然后，如图8所示，在第一晶圆61的另ー个面(安装面)上形成导体图案52。例如，在第一晶圆61的另ー个面的整个区域镀敷金属膜之后，通过蚀刻金属膜而形成导体图案52。之后，如图9所示，在第一晶圆61的另ー个面上，例如通过倒装芯片安装来安装光电转换元件30及IC芯片32 (安装エ序)。此外，穿孔エ序及通孔62的镀敷エ序也可以在安装エ序之后进行。然后，使用切割装置，以单点划线所示的切断线来切断第一晶圆61 (分割エ序)。当进行该切断时，镀敷膜被分割成导电性构件36。这样，分割エ序结束时，可得到多个光电转换模块24的半成品。最后，在得到的半成品的保持槽38内配置光纤23的前端部之后，利用粘接剂在半成品的基板38上粘接加强构件40,从而完成光电转换ホ旲块24。此外，在加强构件40的侧面也可以设置与基板26的导电构件(电极)36相同的电极。在该情况下，加强构件40的电极优选以与基板26的电极36电连接的方式形成。在上述的第一实施方式的光电转换模块24中，在基板26的侧面形成凹部，导体图案52利用设置于凹部的表面的导电构件36而与第二母基板20电连接。即，在光电转换模块24中，导电构件36作为外部连接用的电极而起作用，无需形成复杂的形状的电路图案。而且，导电构件36由于从基板26的侧面凹陷，因此在设置由焊锡构成的连接部50时，光电转换模块24在第二母基板20上的安装面积缩小。[0094]另外，由于导电构件36凹陷，因此导电构件36与连接部50的接触面积大，且连接强度大。因此，该光电转换模块24牢固地固定于第二母基板20上，手机10具有高可靠性。另外，根据上述的第一实施方式的光电转换模块24的制造方法，由于穿孔エ序及镀敷エ序是对第一晶圆61进行的，因此能够大量生产光电转换模块24。因此，光电转换模块24能够廉价地提供。特别地，根据上述的一个实施方式的光电转换模块24的制造方法，通过对通孔62进行镀敷，可容易形成导电构件36。第二实施方式下面，对第二实施方式的光电转换模块64进行说明。此外，在第二实施方式以下的说明中，对于与上述的实施方式相同的结构，标上相同的符号并省略说明。图10是概略地表示第二实施方式的光电转换模块64的立体图。在基板26的安装面上，以覆盖光电转换元件30及IC芯片32的方式，保持气密地固定有罩构件65。罩构件65由例如选自由玻璃、娃以及蓝宝石组成的组中的ー种构成。优选罩构件65的线膨胀系数与基板26的线膨胀系数相同，为此，罩构件65及基板26由相同的材料构成。在本实施方式中，例如，罩构件65由玻璃构成，罩构件65的厚度在400 μ m以上1500 μ m以下的范围，与基板26的安装面相对的罩构件65的面的面积与基板26的安装面
大致相等。在罩构件65的侧面形成有多个在罩构件65的厚度方向上从一端延伸至一端的凹部，在各凹部的表面的整个区域形成有具有导电性的膜状的导电构件(第二电极)66。导电构件66具有比位于导电构件66的两侧的罩构件65的侧面的部分更凹陷的凹形状。而且，基板26的凹部和罩构件65的凹部相互连接,导电构件66与导电构件36连接成一体。此外，导电构件36、66包括接地电极36g、66g和信号或电源用的电极(信号/电源电极)36s、66s。图11是安装于第二母基板20上的状态的光电转换模块64的概略剖视图。光电转换模块64以罩构件65与第二母基板20相对的方式配置,连接部50与导电构件66连接。在第二实施方式的情况下，也可以在第二母基板20中形成凹部49。在基板26的安装面上，沿着外边缘设置绝缘层67。绝缘层67具有框形状，并包围光电转换元件30及IC芯片32。绝缘层67覆盖与自身交叉的导体图案52的部分。例如，绝缘层67具有O. I μ m以上100 μ m以下的范围的厚度和50 μ m以上300 μ m以下的范围的览度。绝缘层67由例如氧化硅、氧化铝等非导电性物质构成，并通过物理蒸镀、化学蒸镀形成。在绝缘层67上形成有基板侧基底膜68。基板侧基底膜68具有框形状，并具有对于焊锡的亲和性或润湿性。換言之，焊锡对于基板侧基底膜68具有附着性。基板侧基底膜68由例如选自由Au、Cu以及Cr组成的组中的单ー的金属或合金的膜或这些膜的层叠体构成。罩构件65在与基板26的安装面相对的面(相对面)的中央具有凹部69。优选在凹部69的壁面中，开ロ边缘附近的区域相对于安装面傾斜。具体而言，凹部69的壁面由曲面构成，且具有碗形状或研钵形状。凹部69的壁面与安装面协作而规定用于容纳光电转换元件30及IC芯片32的室(容纳室)70。凹部69例如通过喷砂形成。凹部69在罩构件65的相对面开ロ，相对面在凹部69的开ロ的周围具有框形状的接合区域。在罩构件65的接合区域上形成有罩侧基底膜71。罩侧基底膜71具有框形状，并具有对于焊锡的亲和性或润湿性。罩侧基底膜71由例如选自由Au、Cu以及Cr组成的组中的単一的金属或合金的膜或这些膜的层叠体构成。另外，作为优选的方式，在凹部69的壁面形成有与罩侧基底膜71的内边缘一体连接的焊锡吸附膜72。更优选焊锡吸附膜72形成于凹部69的壁面整个区域。焊锡吸附膜72 具有对于焊锡的亲和性或润湿性，并优选具有导电性。焊锡吸附膜72由例如选自由AiuCu以及Cr组成的组中的単一的金属或合金的膜或这些膜的层叠体构成。焊锡吸附膜72例如可以与罩侧基底膜71同时通过物理蒸镀或化学蒸镀形成。基板侧基底膜68以与罩侧基底膜71相対的方式配置。优选基板侧基底膜68比罩侧基底膜71更向容纳室70的内侧延伸。基板侧基底膜68和罩侧基底膜71利用由焊锡构成的焊锡层74相互气密地连接。焊锡例如是Au-Sn合金或Sn-Ag合金。因此，容纳室70是气密室，在容纳室70中填充有干燥气体，优选填充非活性气体。非活性气体例如是He等稀有气体、氮气。或者，容纳室70还可以是真空状态或减压状态。图12是以沿着图11中的XII-XII线切断光电转换模块64且去除焊锡层74、光电转换元件30及IC芯片32的状态，概略地表示基板26的安装面的平面图。如图12所示，基板侧基底膜68的外边缘位于比绝缘层67的外边缘更靠内侧的位置。此外，设置于安装面上的导体图案52包括与接地电极36g、66g连接的接地线52g和与信号/电源电极36s、66s连接的信号/电源线52s。接地线52g及信号/电源线52s都以跨越绝缘层67的方式延伸。图13是以沿着图11中的XII-XII线切断光电转换模块64且去除焊锡层74的状态，概略地表示与基板26的安装面相对的罩构件34的相对面的平面图。罩侧基底膜71设置于与基板侧基底膜64相対的区域，位于比绝缘层67的外边缘更靠内侧的位置。此外，罩构件34具有以包围罩侧基底膜71的方式从相对面的外边缘向基板26突出的框形状的突起部34a。因此，在罩构件34中，在存在于突起部34a与凹部69之间的平坦的框形状的区域，设有罩侧基底膜71。在本实施方式中，作为优选的方式，焊锡吸附膜72形成于凹部69的壁面的整个区域，而且接地。因此，突起部34a未设在接地电极66g附近。图14是为了说明接地电极36g、66g与罩侧基底膜71的连接结构，放大基板26与罩构件34的接合区域而概略地表示的剖视图。如图14所示，接地电极36g、66g与罩侧基底膜71、焊锡层74以及基板侧基底膜68的端部连接。图15是为了说明信号/电源电极36s、66s与信号/电源线52s的连接结构，放大基板26与罩构件34的接合区域而概略地表示的剖视图。如图15所示，信号/电源电极36s、66s与从绝缘层67延出的信号/电源线52s的端部连接。另ー方面，在信号/电源电极36s、66s与罩侧基底膜71、焊锡层74以及基板侧基底膜68之间，存在突起部34a及绝缘层67，从而阻止它们之间的直接接触。[0122]下面，对上述的光电转换模块64的优选的制造方法进行说明。直到在第一晶圆61的一个面上形成保持槽38及镜42为止的エ序与第一实施方式的情况相同(參照图6)，但是在第二实施方式中，在保持槽 镜形成エ序之后，如图16所不，在第一晶圆61的另ー个面上形成导体图案52。然后，如图17所示，在第一晶圆61的另ー个面上形成绝缘层67，并且在绝缘层67之上形成基板侧基底膜68。绝缘层67例如可以通过用掩模覆盖要形成的区域以外之后，进行物理蒸镀或化学蒸镀而形成。
另外，基板侧基底膜68可以通过用掩模覆盖要形成的区域以外之后，进行化学镀或电镀，或者进行物理蒸镀、化学蒸镀而形成。之后，如图18所示，在第一晶圆61的另ー个面上，例如通过倒装芯片安装而安装光电转换元件30及IC芯片32 (安装エ序)。另ー方面，如图19所示，准备第二晶圆76作为罩构件65的材料。而且，在第二晶圆76的ー个面上，例如通过喷砂来形成突起部34a及凹部69。然后，如图20所示，在第二晶圆76的一个面上形成罩侧基底膜71及焊锡吸附膜72 (成膜エ序)。罩侧基底膜71及焊锡吸附膜72例如可以通过用掩模覆盖要形成的区域以外之后，进行化学镀或电镀，或者进行物理蒸镀、化学蒸镀而形成。然后，在罩侧基底膜71上赋予成为焊锡层74的焊锡。此时，赋予的焊锡既可以是线状，也可以是球状。之后，在非活性气体气氛下，在安装有光电转换元件30及IC芯片32的第一晶圆61上重置已赋予焊锡的第_■晶圆76并加热，从而利用焊锡接合第一晶圆61和第_■晶圆76 (接合エ序)。当进行该接合时，焊锡形成焊锡层74。然后，通过钻孔、喷砂或蚀刻等，优选通过钻孔，如图21所示，形成贯通第一晶圆61及第ニ晶圆76的通孔78 (穿孔エ序)。然后，对通孔78的壁面实施化学镀或电镀，形成镀敷膜(镀敷エ序)。之后，使用切割装置，以单点划线所示的切断线，切断彼此接合的第一晶圆61及第二晶圆76 (分割エ序)。由此，切断镀敷膜而形成导电构件36、66，得到多个光电转换模块64的半成品。最后，在得到的半成品的保持槽38中配置光纤23的前端部之后，使用粘接剂在半成品的基板38上粘接加强构件40,从而完成光电转换ホ旲块64。在上述的第二实施方式的光电转换模块64中，罩构件65固定于基板26上，基板26及罩构件65形成气密的容纳室70。在容纳室70中填充有干燥气体，从而保护光电转换兀件30免受湿气的影响。因此，该光电转换兀件30的寿命长,光电转换模块64具有高可靠性。另ー方面，在上述的第二实施方式的光电转换模块64中，在基板26及罩构件65的侧面形成凹部，导体图案52利用设置于凹部的表面的导电构件66而与第二母基板20电连接。即，在光电转换模块64中，导电构件66作为外部连接用的电极而起作用，无需在罩构件65上形成复杂形状的电路图案。而且，由于导电构件66从基板26及罩构件65的侧面凹陷，因此在设置由焊锡构成的连接部50时，光电转换模块64在第二母基板20上的安装面积缩小。[0137]另外，由于导电构件66凹陷，因此导电构件66与连接部50的接触面积大，连接强度大。因此，该光电转换模块64牢固地固定于第二母基板20上，手机10具有高可靠性。另外，根据上述的第二实施方式的光电转换模块64的制造方法，由于穿孔エ序及镀敷エ序是对第一晶圆61及第ニ晶圆76进行的，因此能够大量生产光电转换模块64。因此，光电转换模块64能够廉价地提供。特别地，根据上述的一个实施方式的光电转换模块64的制造方法，通过对通孔78进行镀敷，可容易形成导电构件36、66。第三实施方式下面，參照图22对第三实施方式进行说明。第三实施方式与第二实施方式的不同点仅在于，光电转换模块64的基板26侧固定于第二母基板20上。在该情况下，在第二母基板20上，设置孔、切ロ或U槽等作为容纳加强构件40的凹部80。
·[0143]在第三实施方式的情况下，能够得到与第二实施方式相同的效果。第四实施方式下面，參照图23对第四实施方式的光电转换模块82进行说明。在上述的第二实施方式的光电转换模块64中，在安装面的端部，导体图案52与导电构件36连接，但是也可以如光电转换模块82那样，导体图案52通过其他路经与导电构件36连接。具体而言，作为其他的路经，可以在基板26中设置通孔，并且设置填充于通孔的通孔导体84和设置于基板26的背面的其他的导体图案86。该通孔、通孔导体84及导体图案86在安装エ序之前形成。在第四实施方式的情况下，能够得到与第二实施方式相同的效果。第五实施方式下面，參照图24对第五实施方式的光电转换模块88进行说明。在上述的第二实施方式的光电转换模块64中，作为优选的方式，光纤23的前端部固定在基板26的背面的保持槽38内，但是也可以通过其他的固定方法固定。例如，可以如光电转换模块88那样，以光电转换元件30的光轴和光纤23的光轴一致的方式，相对于基板26的背面垂直地固定光纤23的前端部。在该情况下，固定光纤23的前端部的套圈90利用粘接层44固定在基板26的背面。然后，根据需要，在光电转换元件30与光纤23之间设置透镜92。优选透镜92与基板26的背面一体形成。透镜92的形成エ序例如可以代替形成镜42的エ序而进行。在第五实施方式的情况下，能够得到与第二实施方式相同的效果。第六实施方式下面，參照图25对第六实施方式的光电转换模块94进行说明。在上述的第二实施方式的光电转换模块64中，作为优选的方式，在罩构件65的侧面也形成凹部，导电构件66覆盖罩构件65的凹部,但是也可以如光电转换模块94那样,省略罩构件65侧的凹部，只在基板26的侧面的凹部的表面设置导电构件36。在该情况下，在第一晶圆61与第二晶圆62的接合エ序之前，进行穿孔エ序及镀敷ェ序。在第六实施方式的情况下，能够得到与第一实施方式相同的效果。[0159]另外，本实用新型不限于上述的第一至第六实施方式，还包括适当组合第一至第六实施方式中两个以上的方式、对这些方式进行变更的方式。最后，具有本实用新型的光电转换模块的光配线能够适用于手机以外的信息处理设备、网络设备、数字AV设备以及家电产品。更详细地说，光电转换模块还能适用于例如个人计算机、开关集线器及HDMI电缆等。
权利要求1.ー种光电转换模块，其特征在于，具有 具有透光性且具有安装面的基板； 安装于上述基板的安装面上的光电转换元件及IC芯片；以及 设置于上述基板的侧面且与上述IC芯片电连接的电极，该电极具有比上述侧面的其他部分更凹陷的凹形状。
2.根据权利要求I所述的光电转换模块，其特征在于， 上述电极通过在对形成于要分割成上述基板的第一晶圆上的通孔的壁面赋予导电性膜之后，在穿过上述通孔的位置分割上述第一晶圆，从而分割上述导电性膜而形成。
3.根据权利要求2所述的光电转换模块,其特征在于， 上述导电性膜在表层包含镀金膜。
4.根据权利要求I至3中任一项所述的光电转换模块，其特征在于，还具有 固定于上述基板上并与上述基板协作而形成容纳上述光电转换元件的气密室的罩构件；以及 设置于上述罩构件的侧面的第二电极，该第二电极与上述电极连接且具有比上述罩构件的侧面的其他部分更凹陷的凹形状。
5.根据权利要求I至3中任一项所述的光电转换模块,其特征在于， 上述基板在与上述安装面相反的ー侧的背面具有保持槽， 在上述保持槽中固定有光纤的前端部， 该光电转换模块还具有光耦合上述光纤和上述光学转换元件的镜；以及 固定于上述基板的背面且与上述基板一起保持上述光纤的前端部的加强构件。
6.根据权利要求5所述的光电转换模块,其特征在于， 上述加强构件的固定于上述基板上的面的面积比上述基板的背面的面积小。
7.根据权利要求4所述的光电转换模块,其特征在于， 上述基板在与上述安装面相反的ー侧的背面具有保持槽， 在上述保持槽中固定有光纤的前端部， 该光电转换模块还具有光耦合上述光纤和上述光学转换元件的镜；以及 固定于上述基板的背面且与上述基板一起保持上述光纤的前端部的加强构件。
8.根据权利要求7所述的光电转换模块,其特征在于， 上述加强构件的固定于上述基板上的面的面积比上述基板的背面的面积小。
专利摘要本实用新型提供一种光电转换模块，该光电转换模块具有简单结构的外部连接用的电极。该光电转换模块(24)具有安装于基板(26)的安装面上的光电转换元件(30)及IC芯片(32)；以及设置于基板(26)的侧面且与IC芯片(32)电连接的电极(36)，该电极(36)具有比基板(26)的侧面的其他部分更凹陷的凹形状。
文档编号G02B6/42GK202434520SQ20122002948
公开日2012年9月12日 申请日期2012年1月30日 优先权日2011年1月31日
发明者佐藤正尭, 安田裕纪, 平野光树, 柳主铉, 须永义则 申请人:日立电线株式会社