一种圆偏振片及其制备方法、显示面板的制作方法
【专利摘要】本发明涉及偏振片【技术领域】，公开一种圆偏振片及其制备方法、显示面板，其中，该圆偏振片包括：基板、位于基板一侧的线型光栅结构层和四分之一波长片，其中，所述四分之一波长片为通过光聚合液晶材料形成的四分之一波长片。上述圆偏振片可以直接集成于显示面板的上基板或/和下基板上，因此可以简化显示面板的结构。
【专利说明】—种圆偏振片及其制备方法、显示面板
【技术领域】
[0001]本发明涉及偏振片【技术领域】，特别涉及一种圆偏振片及其制备方法、显示面板。
【背景技术】
[0002]现有技术中，显示面板中需要获得圆偏振光时，一般都是采用将圆偏振片贴附于显示面板的上基板和/或下基板上，从而使得显示面板的结构比较复杂。
【发明内容】
[0003]本发明提供了一种圆偏振片及其制备方法、显示面板，其中，上述圆偏振片可以直接集成于显示面板的上基板或/和下基板上，简化显示面板的结构。
[0004]为达到上述目的，本发明提供以下技术方案:
[0005]一种圆偏振片，包括:基板、位于基板一侧的线型光栅结构层和四分之一波长片，其中，所述四分之一波长片为通过光聚合液晶材料形成的四分之一波长片。
[0006]光束通过线型光栅结构后可以变为线偏振光，线偏振光通过四分之一波长片后可以变为圆偏振光，因此，上述圆偏振片通过线型光栅结构层和四分之一波长片的组合可以获得圆偏振光；由于上述圆偏振片的线型光栅结构层和四分之一波长片是形成于基板上的，因此，当上述圆偏振片的基板为显示面板的上基板或/和下基板时，上述圆偏振片的线型光栅结构层和四分之一波长片可以直接形成于显示面板的上基板或/和下基板上，此时，上述圆偏振片为集成于显示面板上，因此可以简化显示面板的结构。
[0007]优选地，所述线型光栅结构层的光栅间距小于200nm。
[0008]优选地，所述线型光栅结构层的光栅间距为60?lOOnm。
[0009]优选地,所述四分之一波长片为使O光和e光的光程差为四分之一波长的波片，或者，所述四分之一波长片为使ο光和e光的光程差为四分之三波长的波片。
[0010]优选地，所述四分之一波长片为使O光和e光的光程差为四分之一波长的波片以及使ο光和e光的光程差为四分之三波长的波片间隔排列所形成的波片。
[0011]优选地，所述线型光栅结构层位于所述基板和所述四分之一波长片之间。
[0012]优选地，所述四分之一波长片位于所述基板和所述线型光栅结构层之间。
[0013]本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括上基板和下基板，其中，所述上基板为上述任意一个技术方案中所述的圆偏振片，和/或，所述下基板为上述任意一个技术方案中所述的圆偏振片。
[0014]本发明还提供一种圆偏振片的制备方法，包括:
[0015]清洗基板；
[0016]在基板上形成线型光栅结构层和四分之一波长片，其中，所述四分之一波长片为通过光聚合液晶材料形成的四分之一波长片。
[0017]优选地，所述在基板上形成线型光栅结构层和四分之一波长片，具体包括:
[0018]在基板上形成线型光栅结构层；
[0019]在线型光栅结构层上涂覆OC材料找平；
[0020]在OC材料上形成四分之一波长片。
[0021]优选地，所述在基板上形成线型光栅结构层，具体包括:在基板上形成金属层，对金属层进行涂胶、曝光、显影，以形成线型光栅结构；
[0022]所述在OC材料上形成四分之一波长片，具体包括:在OC材料上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
[0023]优选地，所述曝光为采用激光的干涉曝光法进行曝光。
[0024]优选地，
[0025]所述在基板上形成线型光栅结构层，具体包括:在基板上形成金属层，在金属层上涂覆可压印液体材料，利用凹凸纳米压印模具对液体材料进行压印，并进行光固化、脱模、以形成具有光栅图形的固化材料；利用所述固化材料作为掩模板对金属层进行刻蚀、显影，以形成线型光栅结构；
[0026]所述在OC材料上形成四分之一波长片，具体包括:在OC材料上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
[0027]优选地，所述在基板上形成金属层，具体包括:在基板上溅射或蒸镀金属层。
[0028]优选地，所述在基板上形成线型光栅结构层和四分之一波长片，具体包括:
[0029]在基板上形成四分之一波长片；
[0030]在四分之一波长片上形成保护层；
[0031 ] 在保护层上形成线型光栅结构层。
[0032]优选地，
[0033]所述在保护层上形成线型光栅结构层，具体包括:在保护层上形成金属层，对金属层进行涂胶、曝光、显影，以形成线型光栅结构；
[0034]所述在基板上形成四分之一波长片，具体包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
[0035]优选地，所述曝光为采用激光的干涉曝光法进行曝光。
[0036]优选地，
[0037]所述在保护层上形成线型光栅结构层，具体包括:在保护层上形成金属层，在金属层上涂覆可压印液体材料，利用凹凸纳米压印模具对液体材料进行压印，并进行光固化、脱模、以形成具有光栅图形的固化材料；利用所述固化材料作为掩模板对金属层进行刻蚀、显影，以形成线型光栅结构；
[0038]所述在基板上形成四分之一波长片，具体包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
[0039]优选地，所述在基板上形成金属层，具体包括:在基板上溅射或蒸镀金属层。
【专利附图】
【附图说明】
[0040]图1a?图1d为本发明实施例提供的一种圆偏振片的制备过程示意图；
[0041]图2a?图2f为本发明实施例提供的另一种圆偏振片的制备过程示意图；
[0042]图3a?图3d为本发明实施例提供的另一种圆偏振片的制备过程示意图；
[0043]图4a?图4f为本发明实施例提供的另一种圆偏振片的制备过程示意图；
[0044]图5为本发明实施例提供的一种圆偏振片的制备方法流程图；
[0045]图6为图1a?图1d所示的制备过程的流程图；
[0046]图7为图2a?图2f所示的制备过程的流程图；
[0047]图8为图3a?图3d所示的制备过程的流程图；
[0048]图9为图4a?图4f所示的制备过程的流程图。
【具体实施方式】
[0049]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0050]请参考图1a?图1cU图2a?图2f、图3a?图3d、图4a?图4f，图1a?图1d为本发明实施例提供的一种圆偏振片的制备过程示意图；图2a?图2f为本发明实施例提供的另一种圆偏振片的制备过程示意图；图3a?图3d为本发明实施例提供的另一种圆偏振片的制备过程示意图；图4a?图4f为本发明实施例提供的另一种圆偏振片的制备过程示意图。
[0051]如图1d、图2f、图3d、图4f所示，本发明实施例提供的一种圆偏振片，包括:基板1、位于基板I 一侧的线型光栅结构层3和四分之一波长片5，其中，四分之一波长片5为通过光聚合液晶材料形成的四分之一波长片5。
[0052]光束通过线型光栅结构后可以变为线偏振光，线偏振光通过四分之一波长片后可以变为圆偏振光，因此，上述圆偏振片通过线型光栅结构层3和四分之一波长片5的组合可以获得圆偏振光；由于上述圆偏振片的线型光栅结构层3和四分之一波长片5是形成于基板I上的，因此，当上述圆偏振片的基板I为显示面板的上基板或/和下基板时，上述圆偏振片的线型光栅结构层3和四分之一波长片5可以直接形成于显示面板的上基板或/和下基板上，此时，上述圆偏振片为集成于显示面板上，因此可以简化显示面板的结构。
[0053]如图1d、图2f、图3d、图4f所示，一种具体的实施例中，线型光栅结构层3的光栅间距小于200nm。该线型光栅结构层3的光栅间距需要小于入射光波长的二分之一，因此，当入射光为可见光波段时，线型光栅结构层3的光栅间距需小于200nm。优选地，线型光栅结构层3的光栅间距可以为60?lOOnm。
[0054]如图1d、图2f、图3d、图4f所示，一种具体的实施例中，四分之一波长片5可以有多种方式:
[0055]方式一，四分之一波长片5为使ο光和e光的光程差为四分之一波长的波片；
[0056]方式二，四分之一波长片5为使O光和e光的光程差为四分之三波长的波片；
[0057]方式三，四分之一波长片5为使O光和e光的光程差为四分之一波长的波片以及使ο光和e光的光程差为四分之三波长的波片间隔排列所形成的波片。
[0058]在上述各实施例的基础上，一种具体的实施例中，基板1、线型光栅结构层3和四分之一波长片5之间的位置关系可以为:如图1d、图2f所示，线型光栅结构层3位于基板I和四分之一波长片5之间；或者，如图3d、图4f所示，四分之一波长片5位于基板I和线型光栅结构层3之间。
[0059]本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括上基板和下基板，其中，上基板为上述任意实施例提供的圆偏振片，和/或，下基板为上述任一实施例提供的圆偏振片。因此，上述显示面板中集成有圆偏振片，可以获得圆偏振光且结构简单。
[0060]如图5所示，本发明实施例还提供一种圆偏振片的制备方法，包括以下步骤:
[0061]步骤S501，清洗基板I ;
[0062]步骤S502，在基板I上形成线型光栅结构层3和四分之一波长片5，其中，四分之一波长片5为通过光聚合液晶材料形成的四分之一波长片5。
[0063]当基板I为显示面板的上基板或/和下基板时，上述圆偏振片的线型光栅结构层3和四分之一波长片5可以直接形成于显示面板的上基板或/和下基板上，即上述圆偏振片可以集成于显示面板中，从而简化显示面板的结构。
[0064]一种实施方式中，步骤S502，在基板I上形成线型光栅结构层3和四分之一波长片
5,具体可以包括:
[0065]在基板I上形成线型光栅结构层3 ；
[0066]在线型光栅结构层3上涂覆OC材料4找平；
[0067]在OC材料4上形成四分之一波长片5。
[0068]具体地，上述实施方式可以包括以下实施例:
[0069]具体实施例一，如图1a?图1d和图6所示，
[0070]步骤S101，如图1a和图1b所示，在基板I上形成金属层2，对金属层2进行涂胶、曝光、显影，以形成线型光栅结构；
[0071]步骤S102，如图1c所示，在线型光栅结构层3上涂覆OC材料4找平；
[0072]步骤S103，如图1d所示，在OC材料4上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片5 ;通过紫外光的不同偏光方向进行取向并固化以形成四分之一波长片5，该过程不需要掩模板即可实现。
[0073]优选地，上述曝光过程可以采用激光的干涉曝光法进行曝光，即利用特定波长的激光从角度Θ的两个方向照射形成的干涉条纹进行曝光，通过改变Θ的大小可以得到在使用的激光波长范围内各种间距的线型光栅结构。
[0074]具体实施例二，如图2a?图2f和图7所示，
[0075]步骤S201，如图2a所示，在基板I上形成金属层2 ；
[0076]步骤S202，如图2b和图2c所示，在金属层2上涂覆可压印液体材料6，利用凹凸纳米压印模具7对液体材料6进行压印，并进行光固化、脱模、以形成具有光栅图形的固化材料8 ；
[0077]步骤S203，如图2d所示，利用固化材料8作为掩模板对金属层2进行刻蚀、显影，以形成线型光栅结构；
[0078]步骤S204，如图2e所示，在线型光栅结构层3上涂覆OC材料4找平；
[0079]步骤S205，如图2f所示，在OC材料4上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片5 ;通过紫外光的不同偏光方向进行取向并固化以形成四分之一波长片5，该过程不需要掩模板即可实现。
[0080]优选地，具体可以采用溅射或蒸镀方法在基板I上形成金属层2。
[0081]另一种实施方式中，步骤S502，在基板I上形成线型光栅结构层3和四分之一波长片5，具体可以包括:
[0082]在基板I上形成四分之一波长片5 ；
[0083]在四分之一波长片5上形成保护层9 ；
[0084]在保护层9上形成线型光栅结构层3。
[0085]具体地，上述实施方式可以包括以下实施例:
[0086]具体实施例一，如图3a?图3d和图8所示，
[0087]步骤S301，如图3a所示，在基板I上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片5 ;通过紫外光的不同偏光方向进行取向并固化以形成四分之一波长片5，该过程不需要掩模板即可实现；
[0088]步骤S302，如图3b所示，在四分之一波长片5上形成保护层9 ；
[0089]步骤S303，如图3c和图3d所示，在保护层9上形成金属层2，对金属层2进行涂胶、曝光、显影，以形成线型光栅结构。
[0090]优选地，曝光为采用激光的干涉曝光法进行曝光，即利用特定波长的激光从角度Θ的两个方向照射形成的干涉条纹进行曝光，通过改变Θ的大小可以得到在使用的激光波长范围内各种间距的线型光栅结构。
[0091]具体实施例二，如图4a?图4f和图9所示，
[0092]步骤S401，如图4a所示，在基板I上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片5 ;通过紫外光的不同偏光方向进行取向并固化以形成四分之一波长片5，该过程不需要掩模板即可实现；
[0093]步骤S402，如图4b所示，在四分之一波长片5上形成保护层9 ；
[0094]步骤S403，如图4c所示，在保护层9上形成金属层2 ；
[0095]步骤S404,如图4d和图4e所示,在金属层2上涂覆可压印液体材料6,利用凹凸纳米压印模具7对液体材料6进行压印，并进行光固化、脱模、以形成具有光栅图形的固化材料8 ；
[0096]步骤S405，如图4f所示，利用固化材料8作为掩模板对金属层2进行刻蚀、显影，以形成线型光栅结构。
[0097]优选地，具体可以采用溅射或蒸镀的方法在基板I上形成金属层2。
[0098]显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【权利要求】
1.一种圆偏振片，其特征在于，包括:基板、位于基板一侧的线型光栅结构层和四分之一波长片，其中，所述四分之一波长片为通过光聚合液晶材料形成的四分之一波长片。
2.根据权利要求1所述的圆偏振片，其特征在于，所述线型光栅结构层的光栅间距小于 200nm。
3.根据权利要求2所述的圆偏振片，其特征在于，所述线型光栅结构层的光栅间距为60 ?lOOnm。
4.根据权利要求1所述的圆偏振片，其特征在于，所述四分之一波长片为使ο光和e光的光程差为四分之一波长的波片，或者，所述四分之一波长片为使ο光和e光的光程差为四分之三波长的波片。
5.根据权利要求1所述的圆偏振片，其特征在于，所述四分之一波长片为使ο光和e光的光程差为四分之一波长的波片以及使ο光和e光的光程差为四分之三波长的波片间隔排列所形成的波片。
6.根据权利要求1?5任一项所述的圆偏振片，其特征在于，所述线型光栅结构层位于所述基板和所述四分之一波长片之间。
7.根据权利要求1?5任一项所述的圆偏振片，其特征在于，所述四分之一波长片位于所述基板和所述线型光栅结构层之间。
8.—种显示面板，包括上基板和下基板，其特征在于，所述上基板为如权利要求1?7任一项所述的圆偏振片，和/或，所述下基板为如权利要求1?7任一项所述的圆偏振片。
9.一种圆偏振片的制备方法，其特征在于，包括: 清洗基板； 在基板上形成线型光栅结构层和四分之一波长片，其中，所述四分之一波长片为通过光聚合液晶材料形成的四分之一波长片。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成线型光栅结构层和四分之一波长片，具体包括: 在基板上形成线型光栅结构层； 在线型光栅结构层上涂覆0C材料找平； 在0C材料上形成四分之一波长片。
11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于， 所述在基板上形成线型光栅结构层，具体包括:在基板上形成金属层，对金属层进行涂胶、曝光、显影，以形成线型光栅结构； 所述在0C材料上形成四分之一波长片，具体包括:在0C材料上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述曝光为采用激光的干涉曝光法进行曝光。
13.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于， 所述在基板上形成线型光栅结构层，具体包括:在基板上形成金属层，在金属层上涂覆可压印液体材料，利用凹凸纳米压印模具对液体材料进行压印，并进行光固化、脱模、以形成具有光栅图形的固化材料；利用所述固化材料作为掩模板对金属层进行刻蚀、显影，以形成线型光栅结构； 所述在OC材料上形成四分之一波长片，具体包括:在OC材料上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
14.根据权利要求11?13任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成金属层，具体包括:在基板上溅射或蒸镀金属层。
15.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成线型光栅结构层和四分之一波长片，具体包括: 在基板上形成四分之一波长片； 在四分之一波长片上形成保护层； 在保护层上形成线型光栅结构层。
16.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于， 所述在保护层上形成线型光栅结构层，具体包括:在保护层上形成金属层，对金属层进行涂胶、曝光、显影，以形成线型光栅结构； 所述在基板上形成四分之一波长片，具体包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
17.根据权利要求16所述的制备方法，其特征在于，所述曝光为采用激光的干涉曝光法进行曝光。
18.根据权利要求15所述的制备方法，其特征在于， 所述在保护层上形成线型光栅结构层，具体包括:在保护层上形成金属层，在金属层上涂覆可压印液体材料，利用凹凸纳米压印模具对液体材料进行压印，并进行光固化、脱模、以形成具有光栅图形的固化材料；利用所述固化材料作为掩模板对金属层进行刻蚀、显影，以形成线型光栅结构； 所述在基板上形成四分之一波长片，具体包括:在基板上形成光聚合液晶材料，通过紫外偏振光照射光聚合液晶材料、以形成四分之一波长片。
19.根据权利要求16?18任一项所述的制备方法，其特征在于，所述在基板上形成金属层，具体包括:在基板上溅射或蒸镀金属层。
【文档编号】G03F7/00GK104459866SQ201410844297
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月30日 优先权日:2014年12月30日
【发明者】李文波 申请人:京东方科技集团股份有限公司