一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器的制造方法
【专利摘要】本实用新型提供一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题。一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体和出射偏振片构成。本实用新型通过两片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。
【专利说明】一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及光纤通讯领域内的光器件，特别涉及一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器。
【背景技术】
[0002]自由空间隔离器的用途是防止光路中由于各种原因产生的后向传输光对光源以及光路系统产生的不良影响。主要应用在光传输系统(产品如:光收发射器等)和激光器封装(产品如:激光二极管模块、光纤仪器仪表等)。随着国内外光通讯行业的迅猛发展，应用的领域越来越广泛。而传统的自由空间隔离器波长范围只能达到1610nm，实际应用中需要的更高波长的隔离器无法达到。
[0003]有害气体的探测，一直是全世界都在积极研究和解决的共同难题，传统的探测方式受限于设备体积、测量不准确，必须接触等缺点。根据有害气体的光谱特性，其振动频率和1650?2000nm光谱特性一致的原理，需使用高波长的隔离器，装配在激光器，确保精确量测。
实用新型内容
[0004]本实用新型提供一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，以解决现有的光隔离器适用波长短的问题。
[0005]本实用新型的技术方案是这样实现的:一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体和出射偏振片构成。
[0006]其中，优选地，所述第一法拉第旋光体为波长为825nm的法拉第旋光体，所述第二法拉第旋光体为波长为825nm的法拉第旋光体。
[0007]其中，优选地，所述第一法拉第旋光体为波长为862.5nm的法拉第旋光体，所述第二法拉第旋光体为波长为862.5nm的法拉第旋光体。
[0008]其中，优选地,入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体和出射偏振片的横截面为正方形。
[0009]其中，优选地，所述磁环与所述隔离芯片的结合部设置有钢环，所述钢环与所述磁环和所述隔离芯片之间无缝隙。
[0010]其中，优选地，所述钢环内径与长波长隔离器有效通光孔的尺寸相同。
[0011]本实用新型的有益效果:
[0012]1.本实用新型通过两片短波长法拉第旋光体实现高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。
[0013]2.本实用新型通过在磁环和芯片之间加装不锈钢环，遮蔽缝隙，避免了缝隙漏光和填补胶水效率低下、性能不稳定的弊端。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0015]图1为本实用新型一个实施例的剖面图；
[0016]图2为图1的俯视图；
[0017]图3为本实用新型另一个实施例的剖面图；
[0018]图4为图3的立体图。
[0019]图中，1.外封管,2.磁环,3.隔离芯片,31.入射偏振片,32.第一法拉第旋光体，33.第二法拉第旋光体,34.出射偏振片,35.光学粘合剂,4.钢环。
【具体实施方式】
[0020]下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
[0021]实施例1
[0022]如图1和图2所示，本实施例提供一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管I和磁环2，磁环2套接于外封管I内，磁环2内粘接有隔离芯片3，隔离芯片3通过光学粘合剂35粘合由叠放在在一起的入射偏振片31、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体33和出射偏振片34构成。
[0023]其中，第一法拉第旋光体32为波长为825nm的法拉第旋光体,第二法拉第旋光体33为波长为825nm的法拉第旋光体。
[0024]其中，入射偏振片31、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体33和出射偏振片34的横截面为正方形。
[0025]本实施例通过两片825nm短波长法拉第旋光体实现1650nm高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。
[0026]在本实用新型中，也可通过两片862.5nm法拉第旋光体实现1725nm高波长的隔离器需求。
[0027]实施例2
[0028]如图3和图4所示，本实施例提供一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管I和磁环2，磁环2套接于外封管I内，磁环2内粘接有隔离芯片3，隔离芯片3通过光学粘合剂35粘合由叠放在在一起的入射偏振片31、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体33和出射偏振片34构成。
[0029]其中，第一法拉第旋光体32为波长为825nm的法拉第旋光体,第二法拉第旋光体33为波长为825nm的法拉第旋光体。
[0030]其中，入射偏振片31、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体33和出射偏振片34的横截面为正方形。
[0031]本实施例通过两片825nm短波长法拉第旋光体实现1650nm高波长的隔离器需求，从而降低成本缩短周期。
[0032]其中，磁环2与隔离芯片3的结合部设置有钢环4，钢环4与磁环2和隔离芯片3之间无缝隙，钢环4内径与长波长隔离器有效通光孔的尺寸相同。在磁环2和芯片之间加装不锈钢环4，遮蔽缝隙，避免了缝隙漏光和填补胶水效率低下、性能不稳定的弊端。
[0033]工作原理:发明由入射偏振片31、两片法拉第旋光体、出射偏振片34及磁环2等组成。其当波长为λ ^的光正向通过时:
[0034]Eout = PoutImfM(Ai)IPinEin( I )
[0035]其中
[0036]E.,.=为水平偏振的入射光电场
[0037]ft?(0) = [J为水平放置的入射偏振片
_8] M(I1) =为短波长入i的45度法拉第旋光片
_]为θ。角度放置的出臟振片
[0040]带入以上各式，且注意到
[0041]Ilr1 M(I1) = MCEL=1 U
[0042]隔离器的正向透过率T为
[0043]T = IEouJEiilI2: sin (θ0 + ^ Σ?,?1 馬)(2 )
[0044]同理，沿Qtl方向偏振反馈光反向通过时，反馈光透过电场表述为
[0045]Eiso = Pm ITlrm M(Ai)IPmAef(3)
Γ sin Br-1
[0046]其中￡\.蜉=cqs6_ fC.为偏振方向为Θ ^的反馈光电场
[0047]反向通过率R可从上式得出为:
[0048]
R ^ \Eise/Ereff: sm(e0 EL=1^i)(4)
[0049]通过理想隔离器条件R = O和T = I，得出
[0050]9q = 45。，
Tm1^ = NA8(5)
[0051]由式5可知，通过两片825nm法拉第旋光体，可以实现我们需要的1650nm隔离器功能；通过两片862.5nm法拉第旋光体，可以实现我们需要的1725nm隔离器功能。
[0052]以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，包括外封管和磁环，所述磁环套接于所述外封管内，所述磁环内粘接有隔离芯片，其特征在于:所述隔离芯片通过光学粘合剂粘合由叠放在在一起的入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体和出射偏振片构成。
2.根据权利要求1所述的一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，其特征在于:所述第一法拉第旋光体为波长为825nm的法拉第旋光体，所述第二法拉第旋光体为波长为825nm的法拉第旋光体。
3.根据权利要求1所述的一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，其特征在于:所述第一法拉第旋光体为波长为862.5nm的法拉第旋光体，所述第二法拉第旋光体为波长为862.5nm的法拉第旋光体。
4.根据权利要求1?3任一项所述的一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，其特征在于:入射偏振片、第一法法拉第旋光体、第二法拉第旋光体和出射偏振片的横截面为正方形。
5.根据权利要求1?3任一项所述的一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，其特征在于:所述磁环与所述隔离芯片的结合部设置有钢环，所述钢环与所述磁环和所述隔离芯片之间无缝隙。
6.根据权利要求5所述的一种使用两片短波长法拉第旋光体制作的长波长隔离器，其特征在于:所述钢环内径与长波长隔离器的有效通光孔尺寸相同。
【文档编号】G02F1/09GK204028505SQ201420420855
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年7月29日 优先权日:2014年7月29日
【发明者】李卫超 申请人:河南省鑫宇光实业有限公司