技术总结
一种辅助图形的形成方法和一种曝光目标图形的修正方法，所述辅助图形的形成方法包括：将所述下层图形和当前层图形重叠，形成第二图形；将所述第二图形取反，获得第三图形；将所述第三子图形的尺寸长度和宽度均缩小第一预设值，形成第四图形；去除所述第四图形中的不可曝光的部分第四子图形，形成第五图形，所述第五图形作为当前层图形的辅助图形。所述曝光目标图形的形成方法包括：将所述下层曝光目标图形和待修正图形重叠，形成重叠图形；建立光刻分辨率限制表；根据所述光刻分辨率限制表，对与第一下层子图形有重叠的部分第一待修正子图形的尺寸进行修正，形成第一修正子图形。可以提高掩膜版的透光率、提高对曝光目标图形进行修正的准确性。
技术研发人员：王铁柱;舒强
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
文档号码：201710073602
技术研发日：2013.12.30
技术公布日：2017.06.27