一种电光扫描的OSA的制作方法

文档序号:17599211发布日期:2019-05-07 20:00阅读:459来源:国知局
一种电光扫描的OSA的制作方法

本发明涉及光纤通讯领域,尤其涉及一种电光扫描的osa。



背景技术:

现有电光扫描的osa,扫描带宽较小,对大规模光谱的扫描速度慢。



技术实现要素:

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种电光扫描的osa。

本发明采用的技术方案是:

一种电光扫描的osa,其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列,光纤准直器为单光纤准直器,walk-off晶体将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体的出射端设有宽带波片,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器偏振后,依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达pd阵列。

所述宽带波片为1/2波片。

所标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列呈一维排布。

所述第一电光偏振器为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。

一种电光扫描的osa,其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、第二电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列,所述光纤准直器为多光纤准直器,walk-off晶体将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体的出射端设有宽带波片,第一电光偏振器和第二电光偏振器的偏振方向不同,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振后,依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达pd阵列。

多光纤准直器采用不同波段的单模或多模光纤制成。

所述宽带波片为消色散波片。

所述标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列呈二维排布。

第一电光偏振器、第二电光偏振器均为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。

第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振方向相互垂直。

本发明采用以上技术方案,采用一维或二维ktn制作电光偏转器,仿egies的硅扫描标准具,配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器、work-off晶体、宽带波片、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的pd构成宽带osa制成快速的osa。本发明的电光扫描的osa尺寸小,具有更大范围的扫描角,可进行大规模光谱的快速扫描。

附图说明

以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明;

图1为本发明一种电光扫描的osa的实施例1的正视结构示意图;

图2为本发明一种电光扫描的osa的实施例1的俯视结构示意图;

图3为本发明一种电光扫描的osa的实施例2的结构示意图。

具体实施方式

实施例1:

如图1或2所示,本发明公开了一种电光扫描的osa其包括依次设置的光纤准直器1、walk-off晶体2、第一电光偏振器4、标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7,述光纤准直器1为单光纤准直器,walk-off晶体2将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体2的出射端设有宽带波片3,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器4偏振后,依次通过标准具阵列5和聚焦阵列6到达pd阵列7。

所述宽带波片3为1/2波片。

所标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7呈一维排布。

所述第一电光偏振器4为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。

实施例2:

如图3所示,本发明还公开了一种电光扫描的osa,其包括依次设置的光纤准直器1、walk-off晶体2、第一电光偏振器4、第二电光偏振器8、标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7,所述光纤准直器1为多光纤准直器,walk-off晶体2将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体2的出射端设有宽带波片3,第一电光偏振器4和第二电光偏振器8的偏振方向不同,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器4和第二电光偏振器8偏振后,依次通过标准具阵列5和聚焦阵列6到达pd阵列7。

多光纤准直器1采用不同波段的单模或多模光纤制成。

所述宽带波片3为消色散波片。

所述标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7呈二维排布。

第一电光偏振器4、第二电光偏振器8均为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。

第一电光偏振器4和第二电光偏振器8偏振方向相互垂直。

本发明采用以上技术方案,采用一维或二维ktn制作电光偏转器,仿egies的硅扫描标准具,配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器1、work-off晶体、宽带波片3、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的pd构成宽带osa制成快速的osa。本发明的电光扫描的osa尺寸小,具有更大范围的扫描角,可进行大规模光谱的快速扫描。



技术特征:

技术总结
本发明公开一种电光扫描的OSA,包括依次设置的光纤准直器、walk‑off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和PD阵列,光纤准直器为单光纤准直器,walk‑off晶体将光线准直器发的光分为P偏振光和S偏振光,walk‑off晶体的出射端设有宽带波片,P偏振光和S偏振光经由第一电光偏振器偏振后,依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达PD阵列。本发明采用一维或二维KTN制作电光偏转器,配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器1、Work‑off晶体、宽带波片3、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的PD构成宽带OSA制成快速的OSA。本发明具有更大范围的扫描角,可进行大规模光谱的快速扫描。

技术研发人员:吴砺;胡豪成;林江铭;李阳
受保护的技术使用者:福州高意通讯有限公司
技术研发日:2017.10.30
技术公布日:2019.05.07
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