本发明涉及光纤通讯领域,尤其涉及一种电光扫描的osa。
背景技术:
现有电光扫描的osa,扫描带宽较小,对大规模光谱的扫描速度慢。
技术实现要素:
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种电光扫描的osa。
本发明采用的技术方案是:
一种电光扫描的osa,其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列,光纤准直器为单光纤准直器,walk-off晶体将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体的出射端设有宽带波片,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器偏振后,依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达pd阵列。
所述宽带波片为1/2波片。
所标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列呈一维排布。
所述第一电光偏振器为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。
一种电光扫描的osa,其包括依次设置的光纤准直器、walk-off晶体、第一电光偏振器、第二电光偏振器、标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列,所述光纤准直器为多光纤准直器,walk-off晶体将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体的出射端设有宽带波片,第一电光偏振器和第二电光偏振器的偏振方向不同,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振后,依次通过标准具阵列和聚焦阵列到达pd阵列。
多光纤准直器采用不同波段的单模或多模光纤制成。
所述宽带波片为消色散波片。
所述标准具阵列、聚焦阵列和pd阵列呈二维排布。
第一电光偏振器、第二电光偏振器均为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。
第一电光偏振器和第二电光偏振器偏振方向相互垂直。
本发明采用以上技术方案,采用一维或二维ktn制作电光偏转器,仿egies的硅扫描标准具,配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器、work-off晶体、宽带波片、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的pd构成宽带osa制成快速的osa。本发明的电光扫描的osa尺寸小,具有更大范围的扫描角,可进行大规模光谱的快速扫描。
附图说明
以下结合附图和具体实施方式对本发明做进一步详细说明;
图1为本发明一种电光扫描的osa的实施例1的正视结构示意图;
图2为本发明一种电光扫描的osa的实施例1的俯视结构示意图;
图3为本发明一种电光扫描的osa的实施例2的结构示意图。
具体实施方式
实施例1:
如图1或2所示,本发明公开了一种电光扫描的osa其包括依次设置的光纤准直器1、walk-off晶体2、第一电光偏振器4、标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7,述光纤准直器1为单光纤准直器,walk-off晶体2将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体2的出射端设有宽带波片3,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器4偏振后,依次通过标准具阵列5和聚焦阵列6到达pd阵列7。
所述宽带波片3为1/2波片。
所标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7呈一维排布。
所述第一电光偏振器4为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。
实施例2:
如图3所示,本发明还公开了一种电光扫描的osa,其包括依次设置的光纤准直器1、walk-off晶体2、第一电光偏振器4、第二电光偏振器8、标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7,所述光纤准直器1为多光纤准直器,walk-off晶体2将光线准直器发的光分为p偏振光和s偏振光,walk-off晶体2的出射端设有宽带波片3,第一电光偏振器4和第二电光偏振器8的偏振方向不同,p偏振光和s偏振光经由第一电光偏振器4和第二电光偏振器8偏振后,依次通过标准具阵列5和聚焦阵列6到达pd阵列7。
多光纤准直器1采用不同波段的单模或多模光纤制成。
所述宽带波片3为消色散波片。
所述标准具阵列5、聚焦阵列6和pd阵列7呈二维排布。
第一电光偏振器4、第二电光偏振器8均为ktn晶体,ktn晶体的两侧加设有电极。
第一电光偏振器4和第二电光偏振器8偏振方向相互垂直。
本发明采用以上技术方案,采用一维或二维ktn制作电光偏转器,仿egies的硅扫描标准具,配和不同波段单模或多光纤头制作的光纤准直器1、work-off晶体、宽带波片3、一维或二维排布的超薄标准具和不同波段的pd构成宽带osa制成快速的osa。本发明的电光扫描的osa尺寸小,具有更大范围的扫描角,可进行大规模光谱的快速扫描。