本申请要求2016年12月20日提交的第10-2016-0174704号韩国专利申请的优先权和权益，并出于所有目的通过引用将该申请合并于此，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
示例性实施例涉及一种显示设备及其制造方法。
背景技术：
随着多媒体的发展，显示设备变得日益重要。因此，正在使用诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED)等各种类型的显示设备。
在这些显示设备中，LCD是平板显示器中最广泛使用的类型。通常，LCD包括具有场产生电极(诸如像素电极和公共电极)的一对基板以及插入在两个基板之间的液晶层。在LCD中，电压被施加到场产生电极，以在液晶层中产生电场。因此，液晶层的液晶分子的方向被确定，并且入射光的偏振被控制。结果，在LCD上显示出所期望的图像。
LCD的每个像素可以唯一地显示原色中的一种以实现彩色显示。作为允许每个像素唯一地显示一种原色的一种方法，可以例示出将每个像素中的滤色器放置在从光源至观察者的光路上的方法。滤色器设置在两个偏振器之间，以通过仅使入射光的一波长带透射并吸收其它波长带来实现原色。
LCD的各种发展领域中一个是改善由LCD显示的原色的质量。目前正在寻求各种不同的技术方向以提供这种改善质量。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，并且因此，它可以包含不形成对本领域普通技术人员而言为在本国已知的现有技术的信息。
技术实现要素：
示例性实施例提供一种能够抑制由于外部光而引起的干扰的显示设备。
示例性实施例提供一种具有低外部光反射率的显示设备。
示例性实施例提供一种制造能够抑制由于外部光而引起的干扰的显示设备的方法。
示例性实施例提供一种制造具有低外部光反射率的显示设备的方法。
另外的方面将在以下的详细描述中阐述，并且部分地将根据本公开而显而易见，或者可通过对本发明构思的实践而习得。
示例性实施例提供一种显示设备，包括：第一基板；半透半反射层，设置在第一基板的表面上；波长转换层，设置在半透半反射层上；覆盖层，设置在波长转换层上；第一偏振层，设置在覆盖层上；以及第二偏振层，设置在第一基板的另一个表面上。第一偏振层和第二偏振层具有不同的偏振方向。
第二偏振层可以是圆偏振层。
显示设备可以进一步包括：光阻挡滤波器，设置在波长转换层和第一基板之间。
光阻挡滤波器可以设置在半透半反射层与波长转换层之间。
半透半反射层可以设置在光阻挡滤波器和波长转换层之间。
半透半反射层可以包括：第一保护层、中间层和第二保护层。
中间层可以具有至的厚度。
半透半反射层可以具有20％至70％的反射率。
波长转换层可以包括：发射红光的第一波长转换层和发射绿光的第二波长转换层。
显示设备可以进一步包括：光透射层，与波长转换层相邻设置。
半透半反射层可以与波长转换层重叠并且可以不与光透射层重叠。
显示设备可以进一步包括：光阻挡滤波器，设置在第一基板和波长转换层之间。光阻挡滤波器可以与第一波长转换层和第二波长转换层重叠。
显示设备可以进一步包括：黑矩阵，设置在第一波长转换层和第二波长转换层之间。
显示设备可以进一步包括：第三偏振层，设置在半透半反射层上。
显示设备可以进一步包括：第二基板，面对第一基板。第三偏振层可以设置在波长转换层和第二基板之间。
另一示例性实施例提供一种制造显示设备的方法。该方法包括：在第一基板的表面上形成半透半反射层；在半透半反射层上形成波长转换层；在波长转换层上形成覆盖层；并且在覆盖层上形成第一偏振层，并且在第一基板的另一个表面上形成第二偏振层。
该方法可以进一步包括：在第一基板和波长转换层之间形成光阻挡滤波器。
波长转换层可以包括：发射红光的第一波长转换层和发射绿光的第二波长转换层，并且光阻挡滤波器可以与第一波长转换层和第二波长转换层重叠。
该方法可以进一步包括：形成与波长转换层相邻的光透射层。
该方法可以进一步包括：使用光阻挡滤波器作为蚀刻掩模来对半透半反射层进行蚀刻。
上述的一般描述和以下的详细描述是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的主题的进一步说明。
附图说明
被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且被并入并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用于解释本发明构思的原理。
图1是根据示例性实施例的显示设备的布局图。
图2是图1的区域‘A’的放大视图。
图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图。
图4是沿着图1的线II-II'截取的剖视图。
图5是根据示例性实施例的显示设备的局部剖视图。
图6和图7是根据示例性实施例的显示设备的剖视图。
图8是根据示例性实施例的显示设备的剖视图。
图9是根据示例性实施例的显示设备的剖视图。
图10、图11、图12、图13、图14、图15和图16是示出根据示例性实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
图17是示出根据示例性实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，为了解释的目的，阐述了许多具体细节以便提供对各种示例性实施例的透彻理解。然而，显而易见的是，可以在没有这些具体细节或在具有一个或多个等效布置的情况下实践各种示例性实施例。在其它实例中，以框图形式示出了公知的结构和设备，以免不必要地混淆各种示例性实施例。
在附图中，为了清楚和描述的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸及相对尺寸。此外，相同的附图标记指代相同的元件。
当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“耦接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在其它元件或层上、直接连接到或耦接到其它元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“从由X、Y和Z构成的组中选择出的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z、或X、Y、和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。相同的附图标记自始至终指代相同的元件。如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有的组合。
虽然术语“第一”、“第二”等在本文中可被用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语的限制。这些术语被用于将一个元件、部件、区域、层和/或部分与另一元件、部件、区域、层和/或部分区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面所讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层和/或第一部分可被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层和/或第二部分。
为了描述性的目的，在本文中可使用诸如“之下”、“下面”、“下方”、“上面”、“上方”等空间相对术语，并且据此描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如附图中所示出的那样。除了图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中的装置被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下面”或“之下”的元件随后将会被定位为在其它元件或特征“上面”。因此，示例性术语“下面”可以涵盖上面和下面两种方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或以其它定位)，并且因此，本文所使用的空间相对描述词作相应解释。
本文所使用的术语仅是用于描述特定实施例的目的，而并不旨在进行限制。除非上下文另有明确指示，否则如本文所使用的单数形式的“一”、“所述”和“该”还旨在包括复数形式。此外，当在此说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组，但并不排除存在或添加一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
在这里将参考作为理想化示例性实施例和/或中间结构的示意图的局部图示来描述各种示例性实施例。因此，可以预期到来自例如由于制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。因此，本文所公开的示例性实施例不应被解释为限于具体示出的区域的形状，但是将包括例如由于制造而导致的形状上的偏差。附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状并不旨在示出设备的区域的实际形状，而且并不旨在进行限制。
除非另有定义，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的本领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如那些在常用词典中所定义的术语应被解释为具有与它们在相关领域的语境中的含义一致的含义，并且不以理想化或过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此定义。
在下文中，将参考附图来描述本发明的示例性实施例。
图1是根据实施例的显示设备的布局图。图2是图1的区域‘A’的放大视图。图3是沿着图2的线I-I'截取的剖视图，图4是沿着图1的线II-II'截取的剖视图。
参考图1至图4，根据示例性实施例的显示设备包括：第一基板1000、设置在第一基板1000的表面上的半透半反射层TL、设置在半透半反射层TL上的波长转换层WC、设置在波长转换层WC上的覆盖层CA、设置在覆盖层CA上的第一偏振层POL1、以及设置在第一基板1000的另一个表面上的第二偏振层POL2。
第一基板1000可以由具有耐热性和透光性的材料制成。第一基板1000可以由但不限于透明玻璃或塑料制成。
根据示例性实施例的显示设备可以包括面向第一基板1000的第二基板500。为了易于描述，将首先描述第二基板500。
可以在第二基板500上限定显示区域DA和非显示区域NDA。
显示区域DA是在显示设备中显示图像的区域，非显示区域NDA是布置有各种信号线以在显示区域DA中显示图像的区域。
向数据线DL提供数据信号的多个数据驱动器DU和将从数据驱动器DU中接收到的信号传递到数据线DL的多条数据扇出线DFL可以设置在非显示区域NDA上。
在多条数据线DL和多条栅极线GL的交叉处限定的多个像素可以设置在显示区域DA上。即，图2是像素中的一个(图1中的区域‘A’)的放大视图，并且显示区域DA可以包括与图2所示的像素大致相同的多个像素。
参考图3，第三偏振层POL3可以设置在第二基板500的外侧。第三偏振层POL3可以使从背光单元中提供的光偏振，这将在稍后描述。具体地，在从背光单元中提供的光中，只有在特定方向上振荡的光可以被透射，并且其它的光可以被吸收或者被反射。
即，在示例性实施例中，第三偏振层POL3可以是使在特定方向上振荡的偏振分量通过的线偏振器。
在示例性实施例中，第三偏振层POL3可以是偏振膜，在该偏振膜上吸附有沿特定方向拉伸的聚合树脂以及对沿特定方向振荡的光进行吸收的吸光材料。在示例性实施例中，第三偏振层POL3可以由金属层制成，并且可以吸收或反射一些光并且透射一些光。在示例性实施例中，第一偏振层POL1可以是已将线栅偏振器(WGP)应用到其上的偏振层。这将在后面详细描述。
在图3中，第三偏振层POL3设置在第二基板500的外侧。然而，本发明构思并不限于这种布置。即，在示例性实施例中，第三偏振层POL3可以设置在第二基板500的内侧，即第二基板500与栅电极GE之间。换言之，在示例性实施例中，第三偏振层POL3可以是内嵌式偏振层。
栅布线层(GL和GE)可以设置在第二基板500上。栅布线层(GL和GE)可以包括接收驱动信号的栅极线GL以及从栅极线GL突出的栅电极GE。栅极线GL可以在第一方向上延伸。第一方向可以与图2的x轴方向大致相同。栅电极GE可以与将在稍后描述的源电极SE和漏电极DE一起形成薄膜晶体管的三个端子。
栅布线层(GL和GE)可以包括诸如铝合金的铝(Al)基金属、诸如银合金的银(Ag)基金属、诸如铜合金的铜(Cu)基金属、诸如钼合金的钼(Mo)基金属、铬(Cr)、钛(Ti)、以及钽(Ta)中的任意一种或多种。然而，上述材料仅仅是示例，并且形成栅布线层(GL和GE)的材料不限于这些材料。也可以使用具有实现所期望的显示设备所需的性能的金属或聚合材料来形成栅布线层(GL和GE)。
栅布线层(GL和GE)可以具有单层结构。然而，栅布线层(GL和GE)的结构不限于单层结构，并且栅布线层(GL和GE)也可以是具有至少两层的多层。
栅绝缘层GI可以设置在栅布线层(GL和GE)上。栅绝缘层GI可以覆盖栅布线层(GL和GE)并且可以形成在第二基板500的整个表面上。
半导体图案层700可以设置在栅绝缘层GI上。
半导体图案层700可以包括非晶硅或多晶硅。然而，半导体图案层700的材料不限于上述材料。在示例性实施例中，半导体图案层700可以包括氧化物半导体。
半导体图案层700可以具有各种形状，例如岛形状或线性形状。当半导体图案层700具有线性形状时，半导体图案层700可以位于数据线DL下方并且延伸到栅电极GE上。
在示例性实施例中，半导体图案层700可以在除了沟道部分CH之外的所有区域中，以与数据布线层(DL、SE和DE)大致相同的形状被图案化。
换言之，半导体图案层700可以在除沟道部分CH之外的所有区域中与数据布线层(DL、SE和DE)重叠。
沟道部分CH可以设置在彼此面对的源电极SE和漏电极DE之间。沟道部分CH可以将源电极SE和漏电极DE电连接，并且沟道部分CH的具体形状不限于特定的形状。
重掺杂有n型杂质的欧姆接触层(未示出)可以设置在半导体图案层700上。欧姆接触层可以覆盖半导体图案层700的全部或一部分。然而，在半导体图案层700包括氧化物半导体的示例性实施例中，可以省略欧姆接触层。
当半导体图案层700是氧化物半导体时，半导体图案层700可以包括氧化锌(ZnO)。此外，半导体图案层700可以掺杂有选自镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锆(Zr)、铪(Hf)、镉(Cd)、银(Ag)、铜(Cu)、锗(Ge)、钆(Gd)、钛(Ti)和钒(V)中的一种或多种离子。例如，作为氧化物半导体的半导体图案层700可以包括ZnO、ZnGaO、ZnInO、ZnSnO、GaInZnO、CdO、InO、GaO、SnO、AgO、CuO、GeO、GdO、HfO、TiZnO、InGaZnO和InTiZnO中的任何一种或多种。然而，这些仅仅是示例，并且氧化物半导体的类型不限于上述示例。
数据布线层(DL、SE和DE)可以设置在半导体图案层700上。数据布线层(DL、SE和DE)包括数据线DL、源电极SE和漏电极DE。
数据线DL可以在第二方向(例如，在图2中的y轴方向)上延伸，并且可以与栅极线GL相交。源电极SE可以从数据线DL中分支出来，并且延伸到半导体图案层700上。
漏电极DE可以与源电极SE分隔开，并且可以设置在半导体图案层700上，以相对于栅电极GE或沟道部分CH而面对源电极SE。漏电极DE可以与将在稍后描述的像素电极PE接触。因此，漏电极DE可以电连接到像素电极PE。
数据布线层(DL、SE和DE)可以具有由镍(Ni)、钴(Co)、钛(Ti)、银(Ag)、铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、铍(Be)、铌(Nb)、金(Au)、铁(Fe)、硒(Se)和钽(Ta)中的一种或多种组成的单层结构或多层结构。另外，数据布线层(DL、SE和DE)可以由以上金属中的任何一种与选自钛(Ti)、锆(Zr)、钨(W)、钽(Ta)、铌(Nb)、铂(Pt)、铪(Hf)、氧(O)和氮(N)中的一种或多种元素的合金来制成。然而，上述材料仅仅是示例，并且数据布线层(DL、SE和DE)的材料不限于上述材料。
在图2中，在每个像素中设置一个薄膜晶体管。然而，本发明构思的范围不限于这种情况。即，在示例性实施例中，设置在一个像素中的薄膜晶体管的数量可以多于一个。另外，如果在一个像素中设置有多个薄膜晶体管，则像素可以被分成分别与薄膜晶体管相对应的多个区。
第二钝化层PASSI2可以设置在数据布线层(DL、SE和DE)以及半导体图案层700上。第二钝化层PASSI2可以由无机绝缘材料或有机绝缘材料制成。
第二钝化层PASSI2可以包括使漏电极DE的至少一部分露出的接触孔。
像素电极PE可以设置在第二钝化层PASSI2上。像素电极PE可以经由接触孔被电连接到漏电极DE。
在示例性实施例中，像素电极PE可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)等透明导体、或者诸如铝等反射导体来制成。
在图2中，像素电极PE被形成为平板状。然而，像素电极PE的形状不限于此。即，在示例性实施例中，像素电极PE可以是具有一个或多个狭缝的结构。此外，在示例性实施例中，可以提供一个或多个像素电极PE。在这种情况下，可以将不同的电压分别施加到像素电极PE。
接下来，将参考图3和图4来描述第一基板1000。
黑矩阵BM、半透半反射层TL和波长转换层WC可以设置在第一基板1000上。
黑矩阵BM可以在第一方向上延伸以与上述的栅极线GL重叠，或者可以在第二方向上延伸以与上述的数据线DL重叠。
此外，黑矩阵BM可以与上述的薄膜晶体管重叠。
黑矩阵BM可以阻挡从外部入射的光或阻挡从内部发射的光。为此，黑矩阵BM可以由包含黑色颜料的光敏树脂制成。然而，光敏树脂仅仅是示例，并且黑矩阵BM的材料不限于该示例。具有用于阻挡从外部入射的光的必要物理性质的任何材料都可被用作黑矩阵BM的材料。
在示例性实施例中，黑矩阵BM可以由金属材料制成。由金属材料制成的黑矩阵BM通过阻挡外部光而防止外部光对波长转换层WC造成影响。
半透半反射层TL可以设置在黑矩阵BM上。半透半反射层TL可以使接收到的光的一部分透射，并且将接收到的光的一部分反射。
在示例性实施例中，半透半反射层TL可使从波长转换层WC接收到的光通过，并且将从外部接收到的光的至少一部分反射。
在示例性实施例中，半透半反射层TL可以包括金属以反射光。被用作半透半反射层TL的材料的金属例如可以是银(Ag)。
图5是根据示例性实施例的显示设备的局部剖视图。
在图5中，示出了根据实施例的半透半反射层TL的剖视面。
在示例性实施例中，半透半反射层TL可以包括第一保护层PT1、中间层ML和第二保护层PT2。
第一保护层PT1、中间层ML和第二保护层PT2可以被顺序地堆叠。换言之，第一保护层PT1和第二保护层PT2可以与在第一保护层PT1和第二保护层PT2之间的中间层ML一起设置。即，中间层ML可以插入在第一保护层PT1和第二保护层PT2之间。
在示例性实施例中，第一保护层PT1和第二保护层PT2可以由透明材料制成，并且中间层ML可以由反光金属制成。
例如，第一保护层PT1和第二保护层PT2可以由氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)制成，并且中间层ML可以由银(Ag)制成。然而，这仅仅是示例，并且半透半反射层TL的材料不限于该示例。
在示例性实施例中，第一保护层PT1可以具有第一厚度d1，中间层ML可以具有第三厚度d3，并且第二保护层PT2可以具有第二厚度d2。
在示例性实施例中，第一厚度d1和第二厚度d2可以小于并且第三厚度d3可以是至
当第三厚度d3如上所述时，半透半反射层TL可以具有用于使一些光透射并且将一些光反射的半透半反射特性。
在示例性实施例中，半透半反射层TL的反射率可以是20％至70％。
再次参考图3，根据示例性实施例的显示设备可以进一步包括设置在半透半反射层TL上的光阻挡滤波器FI。
光阻挡滤波器FI可以阻挡具有特定波长的光。在示例性实施例中，显示设备可以被提供有作为背光的蓝光。在这种情况下，光阻挡滤波器FI可以阻挡蓝光。
换言之，当背光单元(未示出)提供蓝色波长带的光时，具有蓝色波长带的光即使在穿过波长转换层WC之后也可以保留。然而，如果如上述那样应用光阻挡滤波器FI，则可以阻挡蓝色波长带中的剩余光，从而增加从波长转换层WC中发射出的光(绿光或红光)的色饱和度。
光阻挡滤波器FI可以与波长转换层WC的绿色波长转换层WC_G和/或红色波长转换层WC_R重叠。这将在后面详细描述。
波长转换层WC可以设置在光阻挡滤波器FI上。波长转换层WC可能会使所接收光的波长偏移。
在示例性实施例中，波长转换层WC可以包括量子点。从波长转换层WC产生的光的颜色可以根据包括在波长转换层WC中的量子点的尺寸、类型和数量而变化。例如，波长转换层WC可以根据量子点的尺寸、类型和数量来发射绿光、红光和蓝光中的任何一种。
包括在波长转换层WC中的量子点可以例如是包括CdSe/ZnS、CdSe/CdS/ZnS、ZnSe/ZnS或ZnTe/ZnSe的II-VI量子点，包括InP/ZnS的III-V量子点、或包括CuInS(2)/ZnS的量子点。
在示例性实施例中，波长转换层WC可以直接接触半透半反射层TL，并从半透半反射层TL中突出一定的高度。因此，一个波长转换层WC可以具有上端US和侧壁SW。
尽管上端US在图3中被示出为平坦的，但是上端US不一定是平坦的。在示例性实施例中，上端US可以是凸形的或凹形的。
覆盖层CA可以设置在光阻挡滤波器FI和波长转换层WC上。在示例性实施例中，覆盖层CA可以覆盖光阻挡滤波器FI和波长转换层WC。具体地，覆盖层CA可以覆盖波长转换层WC的侧壁SW和上端US。
在示例性实施例中，覆盖层CA可以包括至少一个无机层。无机层可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氮氧化硅(SiONx)中的任何一种或多种。
即，在示例性实施例中，覆盖层CA可以是单层或多层的层压体。
在示例性实施例中，覆盖层CA可以是黄色再循环滤波器(yellow recyling filter，YRF)。即，覆盖层CA可以是将绿光和红光反射并且使蓝光透射的光学滤波器。
当覆盖层CA用于反射绿光和红光时，覆盖层CA可以将从波长转换层WC的侧壁SW产生的绿光和红光反射回波长转换层WC。即，泄漏的光可以被再循环，并且从波长转换层WC产生的光可以被引导向前方。
平坦化层OC可以设置在覆盖层CA上。平坦化层OC可以包括有机和/或无机绝缘材料。平坦化层OC可以形成在第一基板1000的整个区域上，并且可以使形成在第一基板1000上的台阶平坦化。尽管平坦化层OC在图3中被示出为单层，但是平坦化层OC不一定是单层。在示例性实施例中，平坦化层OC可以是包括至少两层的多层。
第一偏振层POL1可以设置在平坦化层OC上。第一偏振层POL1可以使从背光单元(未示出)发射出之后穿过液晶层LC的光偏振。具体地，第一偏振层POL1可以仅使在特定方向上振荡的光透射，并且将穿过液晶层LC的光中的其它光反射。
在示例性实施例中，第一偏振层POL1可以是使在特定方向上振荡的偏振分量透射的线偏振器。
另外，在示例性实施例中，第一偏振层POL1可以是设置在第一基板1000与第二基板500之间的内嵌式偏振层。
在示例性实施例中，第一偏振层POL1和第三偏振层POL3的偏振方向可以彼此不同。如本文所使用的，术语“偏振方向”表示穿过偏振层的光的偏振分量的方向。
有鉴于此，作为透射过第一偏振层POL1的光的偏振方向的振荡方向可以与作为透射过第三偏振层POL3的光的偏振方向的振荡方向相同或不同。例如，在第三偏振层POL3使在第一方向上振荡的光透射的示例性实施例中，第一偏振层POL1可以使在第一方向上振荡的光透射或者使在与第一方向不同的第二方向(例如，垂直于第一方向的方向)上振荡的光透射。
在示例性实施例中，第一偏振层POL1可以包括使接收到的光线性偏振的WGP。
因此，第一偏振层POL1可以包括沿着一个方向彼此平行布置的细金属线图案。细金属线图案可以具有约60nm或更小的线宽以及约150nm或更小的厚度。然而，线宽和厚度是示例性的并且可以根据设计需要变化。在到达第一偏振层POL1的光中，只有平行于细金属线图案而入射到第一偏振层POL1上的光可以穿过第一偏振层POL1。因此，第一偏振层POL1可以执行偏振功能。
第一偏振层POL1可以由具有高反射率的金属制成。例如，第一偏振层POL1可以包括铝、金、银、铜、铬、铁、镍和钼中的一种或多种。然而，这些材料仅仅是示例，并且第一偏振层POL1的材料不限于上述示例。
在图3中，第一偏振层POL1被示出为单层。然而，在示例性实施例中，第一偏振层POL1可以具有由至少两层构成的多层结构。
第三钝化层PASSI3可以设置在第一偏振层POL1上。
公共电极CE可以设置在第三钝化层PASSI3上。公共电极CE可以是未图案化的全表面电极。公共电压可以施加到公共电极CE。当将不同的电压施加于公共电极CE和像素电极PE时，可以在公共电极CE和像素电极PE之间形成一定的电场。
具有多个液晶分子的液晶层LC可以设置在第一基板1000和第二基板500之间。液晶层LC可以由在公共电极CE与像素电极PE之间形成的电场来控制。通过对设置在液晶层LC中的液晶的移动进行控制，从而可以控制显示图像所需的光。
虽然上面已经描述了包括形成在第一基板1000上的公共电极CE的示例性实施例，但是本发明构思不限于这种情况。即，在示例性实施例中，公共电极CE可以形成在作为下基板的第二基板500上。
另外，虽然上面已经描述了在上基板上形成波长转换层WC的情况，但是本发明构思不限于这种情况，并且波长转换层WC也可以形成在下基板上。
接下来，将参考图4来进行描述。
参考图4，根据示例性实施例的显示设备中的波长转换层WC可以包括红色波长转换层WC_R、绿色波长转换层WC_G和蓝色波长转换层WC_B。
在示例性实施例中，可以提供多个波长转换层WC。在这种情况下，波长转换层WC可以彼此分隔开。
在示例性实施例中，在波长转换层WC之间形成的每个空间可以与黑矩阵BM重叠。
在示例性实施例中，半透半反射层TL可以与红色波长转换层WC_R、绿色波长转换层WC_G和蓝色波长转换层WC_B重叠。
即，在示例性实施例中，半透半反射层TL可以形成在整个表面上。
在示例性实施例中，光阻挡滤波器FI可以与红色波长转换层WC_R和绿色波长转换层WC_G重叠，并且可以不与蓝色波长转换层WC_B重叠。
在光阻挡滤波器FI阻挡蓝光的示例性实施例中，与红色波长转换层WC_R和绿色波长转换层WC_G重叠的光阻挡滤波器FI可以阻挡混合有红光和绿光的蓝光，由此改善绿色和红色的色饱和度。
根据示例性实施例的显示设备还可以包括在第一基板1000的相对侧(即，在另一个表面上)设置的第二偏振层POL2。
换言之，第二偏振层POL2可以设置在第一基板1000的外侧，并且上述的波长转换层WC等可以设置在第一基板1000的内侧。
即，第一基板1000可以设置在第二偏振层POL2和波长转换层WC之间。
在示例性实施例中，第二偏振层POL2可以是圆偏振器。换言之，在示例性实施例中，第二偏振层POL2可以包括λ/4延迟(retardation)层(未示出)。即，穿过第二偏振层POL2的光可以处于圆偏振状态。因此，第一偏振层POL1和第二偏振层POL2的偏振方向可以彼此不同。换言之，穿过第一偏振层POL1的光的偏振分量和穿过第二偏振层POL2的光的偏振分量可以具有不同的方向。
当根据示例性实施例的显示设备包括作为圆偏振器的第二偏振层POL2以及如上所述的半透半反射层TL时，可以防止外部光影响显示设备的显示性能。具体而言，可以降低外部光反射率。具体而言，当外部光到达波长转换层WC时，波长转换层WC可以由于在波长转换层WC中包括的量子点而发射光。即，可能会由于外部光线而发生干扰。
然而，如果圆偏振器设置在第一基板1000的外侧，则可以防止外部光到达波长转换层WC。
即使外部光中的一些穿过第二偏振层POL2，这些光也可以被半透半反射层TL部分地反射，并且所反射的光可以被第二偏振层POL2阻挡。因此，所反射的光不能从显示设备中脱离。
即，通过采用上述部件，可以显著减少外部光反射率。
在图3和图4中，将一个波长转换层WC设置在一个像素中。然而，本发明构思不限于这种情况。换言之，在示例性实施例中，可以将两个或更多个波长转换层WC设置在一个像素中。
在下文中，将对根据其它示例性实施例的显示设备进行描述。在下面的示例性实施例中，与上面已经描述的那些部件相同的部件将由相同的附图标记表示，并且将省略或简要地给出相同部件的重复描述。
图6和图7是根据示例性实施例的显示设备的剖视图。参考图6和图7，根据本示例性实施例的显示设备与根据图3和图4的示例性实施例的显示设备的不同之处在于，光阻挡滤波器FI形成在黑矩阵BM和第一基板1000上，并且半透半反射层TL形成在光阻挡滤波器FI上。
在示例性实施例中，光阻挡滤波器FI和半透半反射层TL的堆叠顺序可以颠倒。即，可以首先形成光阻挡滤波器FI，然后可以在光阻挡滤波器FI上形成半透半反射层TL。
另外，波长转换层WC可以形成在半透半反射层TL上。因此，在示例性实施例中，半透半反射层TL和波长转换层WC可以直接彼此接触。
参考图7，光阻挡滤波器FI可以与红色波长转换层WC_R和绿色波长转换层WC_G重叠。在示例性实施例中，光阻挡滤波器FI可以不与蓝色波长转换层WC_B重叠。
另外，如上面参考图3和图4所述，覆盖层CA可以设置在波长转换层WC上。覆盖层CA可以覆盖波长转换层WC之间的每个空间。在这种情况下，覆盖层CA可以直接接触半透半反射层TL。
图8是根据示例性实施例的显示设备的剖视图。
参考图8，根据本示例性实施例的显示设备与根据图4的示例性实施例的显示设备的不同之处在于，根据本示例性实施例的显示设备包括与波长转换层WC相邻设置的光透射层SL。
在示例性实施例中，光透射层SL可以被设置为与波长转换层WC相邻。具体地，多个波长转换层WC中的一些可以用光透射层SL来代替。
在示例性实施例中，光透射层SL可以代替蓝色波长转换层WC_B。
如上所述，根据示例性实施例的显示设备中的背光可以提供蓝色光。在背光提供蓝色光的示例性实施例中，光透射层SL可以通过使蓝色光穿过而实现蓝色。
在示例性实施例中，光透射层SL可以包括光散射剂。光散射剂可以包括例如TiO2。然而，这仅仅是示例，并且光散射剂的材料不限于TiO2。
在示例性实施例中，光透射层SL可以包括蓝色颜料。在这种情况下，穿过光透射层SL的光可以具有更清晰的蓝色。
在示例性实施例中，光透射层SL可以不与半透半反射层TL1重叠。即，由于光透射层SL不包括量子点，所以由外部光引起的干扰的可能性低。因此，可以省略半透半反射层TL1。
然而，在示例性实施例中，半透半反射层TL1和光透射层SL可以彼此重叠。即，半透半反射层TL1可以形成在波长转换层WC和光透射层SL的整个表面上。
在光透射层SL替代蓝色波长转换层WC_B的示例性实施例中，覆盖层CA可以覆盖光透射层SL。
然而，在示例性实施例中，覆盖层CA可以仅覆盖波长转换层WC，并且不覆盖光透射层SL。
换言之，半透半反射层TL1可以与红色波长转换层WC_R和/或绿色波长转换层WC_G重叠，并且可以不与光透射层SL重叠。
图9是根据示例性实施例的显示设备的剖视图。
参考图9，根据本示例性实施例的显示设备与根据图4的示例性实施例的显示设备的不同之处在于，黑矩阵BM不设置在第一基板1000上。
在示例性实施例中，可以将形成在第一基板1000上的黑矩阵BM省略。
形成在第一基板1000上的黑矩阵BM可以执行反射外部光的功能。然而，如果显示设备包括半透半反射层TL和第二偏振层POL2，则可以有效地阻挡外部光。因此，可以省略黑矩阵BM。
以下，将对根据示例性实施例的制造显示设备的方法进行描述。以下描述的一些部件可以与根据上述示例性实施例的显示设备的那些部件相同，因此为了避免冗余，将省略对这些部件的描述。
图10至图16是示出根据示例性实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
参考图10至图16，根据本示例性实施例的制造方法包括：在第一基板1000的表面上形成半透半反射层TL；在半透半反射层TL上形成波长转换层WC；在波长转换层WC上形成覆盖层CA；在覆盖层CA上形成第一偏振层POL1；并且在第一基板1000的另一个表面上形成第二偏振层POL2。
参考图10，可以准备第一基板1000。
在示例性实施例中，可以在第一基板1000的表面上形成黑矩阵BM。
如上所述，在示例性实施例中，可以省略黑矩阵BM(参见图9)。
参考图11，可以在第一基板1000上形成半透半反射层TL。
半透半反射层TL可以与上面在根据前述示例性实施例的显示设备中所描述的大致相同。
在示例性实施例中，可以在整个表面上形成半透半反射层TL(参见图4)。然而，在示例性实施例中，可以在第一基板1000上部分地形成半透半反射层TL(参见图8)。
接下来，参考图12，可以在半透半反射层TL上形成光阻挡滤波器FI。光阻挡滤波器FI可以与上面在根据前述示例性实施例的显示设备中所描述的大致相同。
在示例性实施例中，可以在第一基板1000上部分地形成光阻挡滤波器FI。
可以将执行图11中的半透半反射层TL的形成与图12中的光阻挡滤波器FI的形成的顺序颠倒。
如果颠倒了顺序，则所得到的结构可以与以上参考图7所描述的大致相同。
接下来，参考图13，可以在半透半反射层TL上形成波长转换层WC。波长转换层WC可以与上面在根据前述示例性实施例的显示设备中所描述的大致相同。
在示例性实施例中，制造方法还可以包括形成与波长转换层WC相邻的光透射层SL。
在图13中，形成光透射层SL以代替蓝色波长转换层WC_B。
在示例性实施例中，红色波长转换层WC_R和/或绿色波长转换层WC_G可以被形成为与光阻挡滤波器FI重叠，并且光透射层SL可以被形成为不与光阻挡滤波器FI重叠。
参考图14，可以在波长转换层WC和光透射层SL上形成覆盖层CA。
覆盖层CA可以与上面在根据前述示例性实施例的显示设备中所描述的大致相同。
参考图15，在覆盖层CA上顺序地形成平坦化层OC、第一偏振层POL1、第三钝化层PASSI3和公共电极CE，并且在第一基板1000上的另一个表面上形成第二偏振层POL2。
平坦化层OC、第一偏振层POL1、第三钝化层PASSI3和公共电极CE可以与上面在根据前述示例性实施例的显示设备中所描述的大致相同。
如上面在根据前述示例性实施例的显示设备中所描述的那样，第一偏振层POL1和第二偏振层POL2的偏振方向可以彼此不同。即，第一偏振层POL1可以是线偏振层，并且第二偏振层POL2可以是圆偏振层。
虽然为了易于描述已经结合第一偏振层POL1的形成而描述了第二偏振层POL2的形成，但是本发明构思不限于这种情况。
即，在根据示例性实施例的制造显示设备的方法的中间、开始或结束处，都可以执行在第一基板1000的另一个表面上形成第二偏振层POL2。
参考图16，可以将第一基板1000接合到面对第一基板1000的第二基板500上。
由于第二基板500和形成在第二基板500上的多个部件大致与上面在根据实施例的显示设备中所描述的那些相同，因此将省略对第二基板500以及部件的详细描述。
图17是示出根据示例性实施例的制造显示设备的方法的剖视图。
参考图17，根据本示例性实施例的制造显示设备的方法可以进一步包括：在形成光阻挡滤波器FI之后，使用光阻挡滤波器FI作为掩模来对半透半反射层TL进行蚀刻。
如上面参考图8所述，可以在第一基板1000上部分地设置半透半反射层TL。为此，可以使用光阻挡滤波器FI作为掩模来对半透半反射层TL进行蚀刻。
在这种情况下，光阻挡滤波器FI和半透半反射层TL可以具有大致相同的形状。即，光阻挡滤波器FI和半透半反射层TL可以彼此完全重叠。
另外，光透射层SL可以被放置在半透半反射层TL已经被蚀刻的部分中，并且所得到的结构可以与以上参考图8所描述的结构大致相同。
本发明构思的示例性实施例通过减少外部光反射率来抑制由于外部光而引起的干扰。
然而，本发明构思的效果不限于在此所阐述的效果。通过参考权利要求，本发明构思的上述以及其它效果对于本发明构思所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。
虽然本文已描述了某些示例性实施例和实现，但是根据该描述，其它实施例和修改将是显而易见的。因此，本发明构思并不限于这些实施例，而是限于所提出的权利要求的较宽范围以及各种显而易见的修改和等同布置。