法布里-珀罗干涉滤光器的制作方法

本发明的一个方式涉及一种法布里-珀罗干涉滤光器。

背景技术：

专利文献1中记载的法布里-珀罗干涉仪包括：基板；第一反射镜结构，其具有配置于基板上的下侧固定反射镜；第二反射镜结构，其具有隔着空间而与下侧固定反射镜相对的上侧可动反射镜；及牺牲层，其在第一反射镜结构与第二反射镜结构之间划定空间。在该法布里-珀罗干涉仪中，牺牲层的外侧面是露出的。另外，牺牲层的外侧面呈平面状，且与牺牲层中的与第一反射镜结构相反的一侧的表面正交，并且与第二反射镜结构的外侧面成为同一平面。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利文献特表2012-528345号公报

技术实现要素：

[发明所要解决的技术问题]

在如上所述的法布里-珀罗干涉仪中，由于牺牲层的外侧面是露出的，所以，光从牺牲层的外侧面入射。对于这种光而言，即便具有与对应于下侧固定反射镜与上侧可动反射镜之间的距离的波长不同的波长，也会有透过下侧固定反射镜而包含于来自法布里-珀罗干涉仪的输出光中的问题。在此情况下，输出光中的噪声增大，法布里-珀罗干涉仪的特性会劣化。

另外，在如上所述的法布里-珀罗干涉仪中，在第二反射镜结构被牺牲层支撑的状态下，通过静电力而使上侧可动反射镜向下侧固定反射镜侧移动。因此，在上侧可动反射镜向下侧固定反射镜侧移动时，对于第二反射镜结构中的被牺牲层支撑的区域，发生朝向上侧可动反射镜侧的作用力。然后，通过该力的反作用，应力作用于牺牲层中支撑上侧可动反射镜的区域。尤其是，在该法布里-珀罗干涉仪中，牺牲层的外侧面呈平面状，且与牺牲层中的与第一反射镜结构相反的一侧的表面正交，并且与第二反射镜结构的外侧面成为同一平面。因此，应力容易集中于牺牲层的外侧面中的第二反射镜结构侧的角部。其结果，具有在该角部产生裂痕等损伤的问题。

因此，本发明的一方式的目的在于，提供一种能够获得高可靠性的法布里-珀罗干涉滤光器。

[解决技术问题的技术手段]

本发明的一方式的法布里-珀罗干涉滤光器中，包括：基板，其具有第一表面；第一层，其具有配置于第一表面的第一反射镜部；第二层，其具有在相对于第一反射镜部而在与基板相反的一侧隔着空隙而与第一反射镜部相对的第二反射镜部；及中间层，其在第一层与第二层之间划定空隙；并且，中间层的外侧面以如下方式弯曲：中间层的基板侧的缘部比中间层的与基板相反的一侧的缘部在与第一表面平行的方向上位于更靠向外侧的位置，并且，第二层覆盖中间层的外侧面。

在该法布里-珀罗干涉滤光器中，第二层覆盖中间层的外侧面。因此，能够抑制由于光从中间层的外侧面入射而导致的来自法布里-珀罗干涉滤光器的输出光中的噪声增大。因此，能够抑制法布里-珀罗干涉滤光器的特性的劣化。然而，在该法布里-珀罗干涉滤光器中，由于第二层覆盖中间层的外侧面，因此，当第二反射镜部向第一反射镜部侧移动时，对于第二层中覆盖中间层的外侧面的区域，也发生朝向第二反射镜部侧的作用力。因此，应力容易集中于中间层的外侧面中的第二层侧的角部。在此，在该法布里-珀罗干涉滤光器中，中间层的外侧面以如下方式弯曲：中间层的基板侧的缘部比中间层的与基板相反的一侧的缘部在与第一表面平行的方向上位于更靠向外侧的位置。因此，能够在中间层的外侧面中的第二层侧的角部使应力分散。因此，能够抑制在该角部产生裂痕等的损伤。如上所述，根据该法布里-珀罗干涉滤光器，能够获得高可靠性。

在本发明的一方式的法布里-珀罗干涉滤光器中，也可以为，中间层的外侧面以如下方式向空隙侧呈凹状弯曲：即，中间层的基板侧的缘部比中间层的与基板相反的一侧的缘部在与第一表面平行的方向上位于更靠向外侧的位置。在此情况下，中间层的外侧面相对于第一表面的角度满足如下条件：在中间层的外侧面中的靠近基板的部分，在与第一表面垂直的方向上越靠近基板则该角度越小。由此，能够抑制第二层从中间层的外侧面中靠近基板的部分剥落。

在本发明的一方式的法布里-珀罗干涉滤光器中，也可以为，中间层的外侧面以如下方式弯曲：其在与第一表面垂直的方向上越靠近基板，则在与第一表面平行的方向上越远离空隙。在此情况下，中间层的外侧面在其全体上呈现：在与第一表面垂直的方向上越靠近基板，则在与第一表面平行的方向上越远离空隙。由此，能够在中间层的外侧面中的第二层侧的角部使应力进一步分散。

在本发明的一方式的法布里-珀罗干涉滤光器中，也可以为：第一层的外侧面比中间层的外侧面在与第一表面平行的方向上位于更靠向外侧的位置，且第二层覆盖第一层的外侧面。在此情况下，第二层超过中间层的外侧面而覆盖至第一层的外侧面，且固定于第一层的外侧面。由此，能够抑制第二层从中间层的外侧面中靠近基板的部分剥落。

在本发明的一方式的法布里-珀罗干涉滤光器中，也可以为，基板具有：在从与第一表面垂直的方向观察时比第一层的外缘位于更靠向外侧的外缘部，且第二层覆盖外缘部。在此情况下，通过第二层超过第一层的外缘而覆盖至基板的外缘部，而将第一层固定于基板侧。由此，能够抑制第一层从基板侧剥落。

在本发明的一方式的法布里-珀罗干涉滤光器中，也可以为，第一层的外侧面以如下方式弯曲：其在与第一表面垂直的方向上越靠近基板，则在与第一表面平行的方向上越远离空隙。在此情况下，第二层更牢固地固定于第一层的外侧面。由此，能够更确实地抑制第二层从中间层的外侧面中靠近基板的部分剥落。

本发明的一方式的法布里-珀罗干涉滤光器中，也可以进一步具备配置于基板上的与第一表面相对的第二表面的第三层。在此情况下，能够减少因基板的第一表面侧与第二表面侧之间的层结构的不一致而导致的应力，因此，能够进一步抑制中间层中的应力的集中。

[发明效果]

根据本发明的一方式能够提供一种能够获得高可靠性的法布里-珀罗干涉滤光器。

附图说明

图1是本发明的一实施方式的法布里-珀罗干涉滤光器的俯视图。

图2是图1的法布里-珀罗干涉滤光器的仰视图。

图3是沿着图1的iii-iii线的法布里-珀罗干涉滤光器的剖视图。

图4是图1的法布里-珀罗干涉滤光器的第一端子部分的放大剖视图。

图5是图1的法布里-珀罗干涉滤光器的第二端子部分的放大剖视图。

图6是图1的法布里-珀罗干涉滤光器的外缘部分的放大剖视图。

图7是用以说明图1的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图8是用以说明图1的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图9是用以说明图1的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图10是用以说明图1的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图11是用以说明图1的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图12是用以说明图1的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图13是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图14是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图15是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图16是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图17是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图18是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图19是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图20是用以说明变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的制造方法的图。

图21是变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的外缘部分的放大剖视图。

图22是变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的外缘部分的放大剖视图。

图23是变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的外缘部分的放大剖视图。

图24是变化例的法布里-珀罗干涉滤光器的外缘部分的放大剖视图。

具体实施方式

以下，一边参照附图一边对本发明的一实施方式详细地进行说明。另外，在以下的说明中，对相同或相应的要素使用相同符号并省略重复的说明。

如图1、图2及图3所示，法布里-珀罗干涉滤光器1具备基板11。基板11具有第一表面11a、及与第一表面11a相对的第二表面11b。在第一表面11a依次积层有抗反射层21、第一积层体(第一层)22、中间层23及第二积层体(第二层)24。在第一积层体22与第二积层体24之间，通过框形的中间层23而划定空隙(气隙)s。另外，在法布里-珀罗干涉滤光器1的第一表面11a侧设置有第一端子15及第二端子16。另外，在以下的说明中，将从相对于框形的中间层23而与空隙s相反的一侧朝向空隙s侧的方向称为“内侧”。另外，将从空隙s侧朝向相对于框形的中间层23而与空隙s相反的一侧的方向称为“外侧”。

从与第一表面11a垂直的方向观察时(俯视时)的各部分的形状及位置关系如下。基板11的外缘例如为矩形形状。基板11的外缘与第二积层体24的外缘相互一致。抗反射层21的外缘与第一积层体22的外缘相互一致。相对于空隙s的中央部，抗反射层21的外缘及第一积层体22的外缘比中间层23的外缘位于更靠向外侧的位置。基板11具有位于比第一积层体22的外缘更靠向外侧的外缘部11c。外缘部11c例如为框形，且在从与第一表面11a垂直的方向观察时包围第一积层体22。

法布里-珀罗干涉滤光器1在其中央部划定的光透过区域1a使具有特定的波长的光透过。光透过区域1a例如为圆柱状的区域。基板11例如由硅、石英或玻璃等构成。在基板11由硅构成的情况下，抗反射层21及中间层23例如由氧化硅构成。中间层23的厚度例如为数十nm～数十μm。

第一积层体22中的与光透过区域1a对应的部分作为第一反射镜部31发挥功能。第一反射镜部31隔着抗反射层21而配置于第一表面11a。第一积层体22是通过将多个多晶硅层25和多个氮化硅层26一层一层交替地积层而构成。本实施方式中，多晶硅层25a、氮化硅层26a、多晶硅层25b、氮化硅层26b及多晶硅层25c依次积层于抗反射层21上。构成第一反射镜部31的多晶硅层25及氮化硅层26的各自的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。另外，第一反射镜部31也可以不隔着抗反射层21而直接配置于第一表面11a上。

第二积层体24中的与光透过区域1a对应的部分作为第二反射镜部32发挥功能。第二反射镜部32在相对于第一反射镜部31而与基板11相反的一侧隔着空隙s而与第一反射镜部31相对。第二反射镜部32隔着抗反射层21、第一积层体22及中间层23而配置于第一表面11a。第二积层体24是通过将多个多晶硅层27和多个氮化硅层28一层一层交替地积层而构成。本实施方式中，多晶硅层27a、氮化硅层28a、多晶硅层27b、氮化硅层28b及多晶硅层27c依次积层于中间层23上。构成第二反射镜部32的多晶硅层27及氮化硅层28的各自的光学厚度优选为中心透过波长的1/4的整数倍。

另外，在第一积层体22及第二积层体24中，也可以代替氮化硅层而使用氧化硅层。另外，作为构成第一积层体22及第二积层体24的各层的材料，也可以使用氧化钛、氧化钽、氧化锆、氟化镁、氧化铝、氟化钙、硅、锗、硫化锌等。

在第二积层体24中与空隙s对应的部分，形成有从第二积层体24的与中间层23相反的一侧的表面24a至空隙s的多个贯通孔24b。多个贯通孔24b以实质上不会对第二反射镜部32的功能造成影响的程度形成。多个贯通孔24b用于通过蚀刻将中间层23的一部分去除而形成空隙s。

在第一积层体22设置有第一电极12。更具体而言，在第一反射镜部31以包围光透过区域1a的方式形成有第一电极12。第一电极12是通过向多晶硅层25c掺杂杂质使其低电阻化而形成。在第一反射镜部31以包含光透过区域1a的方式形成有第二电极13。第二电极13是通过向多晶硅层25c掺杂杂质使其低电阻化而形成。第二电极13的大小优选为包含光透过区域1a的整体的大小，但也可以与光透过区域1a的大小大致相同。

在第二积层体24设置有第三电极14。更具体而言，在第二反射镜部32形成有第三电极14。第三电极14隔着空隙s而与第一电极12及第二电极13相对。第三电极14是通过向多晶硅层27a掺杂杂质使其低电阻化而形成。

如图1及图4所示，以隔着光透过区域1a相对的方式设置有一对第一端子15。各第一端子15配置于从第二积层体24的表面24a至第一积层体22的贯通孔内。各第一端子15经由配线12a而与第一电极12电连接。第一端子15例如由铝或其合金等的金属膜形成。

如图1及图5所示，以隔着光透过区域1a相对的方式设置有一对第二端子16。各第二端子16配置于从第二积层体24的表面24a至第一积层体22的贯通孔内。各第二端子16经由配线13a而与第二电极13电连接，并且经由配线14a而与第三电极14电连接。第二端子16例如由铝或其合金等的金属膜形成。一对第一端子15相对的方向与一对第二端子16相对的方向正交。

如图3、图4及图5所示，在第一积层体22的表面22b设置有沟槽18。沟槽18沿着第一电极12的内缘呈环状延伸。沟槽18使第一电极12与第一电极12的内侧的区域(第二电极13)电绝缘。沟槽18内的区域可以为绝缘材料，也可以为空隙。

在第二积层体24设置有沟槽19。沟槽19以包围第一端子15的方式呈环状延伸。沟槽19使第一端子15与第三电极14电绝缘。本实施方式中沟槽19内的区域为空隙，但其也可以为绝缘材料。

另外，在第一积层体22的表面22b设置有沟槽20。沟槽20以包围第二端子16的方式呈环状延伸。沟槽20使第二端子16与第一电极12电绝缘。通过将构成第一积层体22的多晶硅层25c的一部分去除而朝向基板11侧形成槽部25d，并通过使中间层23进入至该槽部25d而构成沟槽20。另外，通过中间层23进入至槽部25d，中间层23的表面23a在与槽部25d对应的区域朝向基板11侧形成有槽部23c。另外，通过第二积层体24进入至槽部23c，第二积层体24的表面24a在与槽部23c对应的区域朝向基板11侧形成有槽部24c。通过如此使第二积层体24进入至槽部23c，第二积层体24固定于中间层23的表面23a。由此，抑制第二积层体24从中间层23的剥落。另外，也可以以如下方式构成沟槽20：除了将构成第一积层体22的多晶硅层25c的一部分去除以外，还将氮化硅层26b的一部分去除，从而朝向基板11侧形成槽部，并通过使中间层23进入至该槽部而构成沟槽20。

如图4～图6所示，中间层23具有：第一内侧面23d，其以包围第一端子15的方式形成；第二内侧面23e，其以包围第二端子16的方式形成；及外侧面23b，其构成该中间层23的外缘。

如图4所示，第一内侧面23d以如下方式弯曲(即，形成有连续的曲面)：中间层23的基板11侧的缘部23g比中间层23的与基板11相反的一侧的缘部23f在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向第一端子15侧的位置。即，在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，缘部23f包围缘部23g。更具体而言，在与第一表面11a垂直的剖面中，第一内侧面23d向与第一端子15相反的一侧呈凹状弯曲。第一内侧面23d中的第一积层体22侧的端部平滑地连接于第一积层体22的表面22b。另外，图4所示的第一内侧面23d是，以在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越靠近第一端子15的方式，向与第一端子15相反的一侧呈凹状弯曲。换言之，在图4所示的第一内侧面23d中，第一内侧面23d相对于第一表面11a的角度满足如下条件：在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越小。

如图5所示，第二内侧面23e以如下方式弯曲(即，形成有连续的曲面)：中间层23的基板11侧的缘部23i比中间层23的与基板11相反的一侧的缘部23h在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向第二端子16侧的位置。即，在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，缘部23h包围缘部23i。更具体而言，在与第一表面11a垂直的剖面中，第二内侧面23e向与第二端子16相反的一侧呈凹状弯曲。第二内侧面23e中的第一积层体22侧的端部平滑地连接于第一积层体22的表面22b。另外，图5所示的第二内侧面23e是，以在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越靠近第二端子16的方式，向与第二端子16相反的一侧呈凹状弯曲。换言之，在图5所示的第二内侧面23e中，第二内侧面23e相对于第一表面11a的角度满足如下条件：在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越小。

如图6所示，外侧面23b以如下方式弯曲(即，形成有连续的曲面)：中间层23的基板11侧的缘部23k比中间层23的与基板11相反的一侧的缘部23j在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向外侧的位置。即，在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，缘部23k包围缘部23j。更具体而言，在与第一表面11a垂直的剖面中，外侧面23b向空隙s侧呈凹状弯曲。外侧面23b中的第一积层体22侧的端部平滑地连接于第一积层体22的表面22b或外侧面22a。另外，图6所示的外侧面23b是，以在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离空隙s的方式，向空隙s侧呈凹状弯曲。换言之，在图6所示的外侧面23b中，外侧面23b相对于第一表面11a的角度满足如下条件：在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越小。

第一积层体22具有构成该第一积层体22的外缘的外侧面22a。相对于空隙s的中央部，第一积层体22的外侧面22a比中间层23的外侧面23b在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向外侧的位置。第一积层体22的外侧面22a以如下方式弯曲(即，形成有连续的曲面)：其在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离空隙s。更具体而言，第一积层体22的外侧面22a在与第一表面11a平行的方向上向与空隙s相反的一侧呈凸状弯曲。换言之，在第一积层体22的外侧面22a中，第一积层体22的外侧面22a相对于第一表面11a的角度满足如下条件：在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越大。

如图4所示，第二积层体24进一步具有第一覆盖部33a及第一内底部35a。第一覆盖部33a及第一内底部35a以具有与第二反射镜部32(参照图3)相同的积层结构且相互连续的方式一体地形成。第一覆盖部33a覆盖中间层23的与基板11相反的一侧的表面23a、及第一内侧面23d，且到达至第一积层体22。在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，第一内底部35a形成在由第一内侧面23d包围的区域中的第一积层体22上。

如图5所示，第二积层体24进一步具有第二覆盖部33b及第二内底部35b。第二覆盖部33b及第二内底部35b以具有与第二反射镜部32(参照图3)的积层结构的一部分相同的层结构且相互连续的方式一体地形成。第二覆盖部33b覆盖中间层23的与基板11相反的一侧的表面23a、及第二内侧面23e，且到达至第一积层体22。在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，第二内底部35b形成在由第二内侧面23e包围的区域中的第一积层体22上。

如图6所示，第二积层体24进一步具有第三覆盖部33c及周缘部34。第三覆盖部33c及周缘部34以具有与第二反射镜部32(参照图3)彼此相同的积层结构且相互连续的方式一体地形成。在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，第三覆盖部33c包围第二反射镜部32。第三覆盖部33c覆盖中间层23的与基板11相反的一侧的表面23a、以及中间层23的外侧面23b、第一积层体22的外侧面22a及抗反射层21的侧面21a，且到达至第一表面11a。即，第三覆盖部33c覆盖中间层23的外缘、第一积层体22的外缘及抗反射层21的外缘。

在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，周缘部34包围第三覆盖部33c。周缘部34位于外缘部11c中的第一表面11a上。即，周缘部34覆盖外缘部11c。在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，周缘部34的外缘与基板11的外缘一致。

周缘部34沿着外缘部11c的外缘被薄化。即，周缘部34中的沿着外缘部11c的外缘的部分相比于周缘部34中的除沿着外缘的部分以外的其他部分变薄。本实施方式中，通过将构成第二积层体24的多晶硅层27及氮化硅层28的一部分去除而薄化周缘部34。周缘部34具有与第三覆盖部33c连续的非薄化部34a、及包围非薄化部34a的薄化部34b。在薄化部34b中，将直接设置于第一表面11a上的除多晶硅层27a以外的多晶硅层27及氮化硅层28去除。

非薄化部34a的与基板11相反的一侧的表面34c距第一表面11a的高度，比中间层23的表面23a距第一表面11a的高度更低。非薄化部34a的表面34c距第一表面11a的高度例如为100nm～5000nm。中间层23的表面23a距第一表面11a的高度例如为500nm～20000nm，且比非薄化部34a的表面34c距第一表面11a的高度更高。薄化部34b的宽度(非薄化部34a的外缘与外缘部11c的外缘之间的距离)为基板11的厚度的0.01倍以上。薄化部34b的宽度例如为5μm～400μm。基板11的厚度例如为500μm～800μm。

在基板11的第二表面11b依次积层有抗反射层41、第三积层体(第三层)42、中间层(第三层)43及第四积层体(第三层)44。抗反射层41及中间层43分别具有与抗反射层21及中间层23相同的构成。第三积层体42及第四积层体44分别具有以基板11为基准而与第一积层体22及第二积层体24对称的积层结构。抗反射层41、第三积层体42、中间层43及第四积层体44具有抑制基板11的翘曲的功能。

第三积层体42、中间层43及第四积层体44沿着外缘部11c的外缘被薄化。即，第三积层体42、中间层43及第四积层体44中的沿着外缘部11c的外缘的部分相比于第三积层体42、中间层43及第四积层体44中的除沿着外缘的部分以外的其他部分变薄。本实施方式中，对于第三积层体42、中间层43及第四积层体44，通过将在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下与薄化部34b重叠的部分中的第三积层体42、中间层43及第四积层体44的全部去除而进行薄化。

在第三积层体42、中间层43及第四积层体44以包含光透过区域1a的方式设置有开口40a。开口40a具有与光透过区域1a的大小大致相同的直径。开口40a在光出射侧开口，且开口40a的底面到达至抗反射层41。

在第四积层体44的光出射侧的表面形成有遮光层45。遮光层45例如由铝等构成。遮光层45的表面及开口40a的内表面形成有保护层46。保护层46覆盖第三积层体42、中间层43、第四积层体44及遮光层45的外缘，并且覆盖外缘部11c上的抗反射层41。保护层46例如由氧化铝构成。另外，通过将保护层46的厚度设为1～100nm(优选为30nm左右)，可忽略保护层46的光学影响。

在以如上方式构成的法布里-珀罗干涉滤光器1中，若经由第一端子15及第二端子16而对第一电极12与第三电极14之间施加电压，则在第一电极12与第三电极14之间产生与该电压对应的静电力。通过该静电力，第二反射镜部32被吸引向固定于基板11的第一反射镜部31侧，从而调整第一反射镜部31与第二反射镜部32的距离。如此，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，第一反射镜部31与第二反射镜部32的距离是可变的。

透过法布里-珀罗干涉滤光器1的光的波长依赖于光透过区域1a中的第一反射镜部31与第二反射镜部32的距离。因此，可通过调整施加于第一电极12与第三电极14之间的电压，而适当地选择透过的光的波长。此时，第二电极13是与第三电极14相同的电位。因此，第二电极13作为用以在光透过区域1a中平坦地保持第一反射镜部31及第二反射镜部32的补偿电极而发挥功能。

法布里-珀罗干涉滤光器1中，例如，可通过一边使施加于法布里-珀罗干涉滤光器1的电压发生变化(即，一边在法布里-珀罗干涉滤光器1中使第一反射镜部31与第二反射镜部32的距离发生变化)，一边通过光检测器检测透过法布里-珀罗干涉滤光器1的光(输出光)，从而获得分光光谱。

如以上所说明的那样，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，第二积层体24的第三覆盖部33c覆盖中间层23的外侧面23b。因此，能够抑制由于光从中间层23的外侧面23b入射而导致来自法布里-珀罗干涉滤光器1的输出光中噪声增大的现象。因此，能够抑制法布里-珀罗干涉滤光器1的特性的劣化。然而，在该法布里-珀罗干涉滤光器1中，由于第二积层体24覆盖中间层23的外侧面23b，因此当第二反射镜部32向第一反射镜部31侧移动时，对于第二积层体24中覆盖中间层23的外侧面23b的区域，也会发生朝向第二反射镜部32侧的作用力。因此，应力容易集中于中间层23的外侧面23b中的第二积层体24侧的角部。此处，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，中间层23的外侧面23b以如下方式弯曲：中间层23的基板11侧的缘部23k比中间层23的与基板11相反的一侧的缘部23j在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向外侧的位置。因此，能够在中间层23的外侧面23b中的第二积层体24侧的角部使应力分散。因此，能够抑制在该角部产生裂痕等损伤。如上所述，根据法布里-珀罗干涉滤光器1，能够获得高可靠性。

另外，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，相比于中间层23的外侧面23b未弯曲的情况，中间层23的外侧面23b与第二积层体24的接触面积是扩大的。因此，能够将第二积层体24牢固地固定于中间层23的外侧面23b。另外，中间层23的外侧面23b弯曲成以下方式：其在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离空隙s。因此，在制造工序中，能够良好地维持第二积层体24的第三覆盖部33c覆盖中间层23的外侧面23b的厚度(覆盖)。

另外，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，中间层23的外侧面23b是，以中间层23的基板11侧的缘部23k比中间层23的与基板11相反的一侧的缘部23j在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向外侧的方式，向空隙s侧呈凹状弯曲。因此，中间层23的外侧面23b相对于第一表面11a的角度满足如下条件：在中间层23的外侧面23b中靠近基板11的部分，在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越小。由此，能够抑制第二积层体24从中间层23的外侧面23b中靠近基板11的部分剥落。

另外，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，中间层23的外侧面23b弯曲成以下方式：其在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离空隙s。因此，中间层23的外侧面23b在其全体上呈现：在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离空隙s。由此，能够在中间层23的外侧面23b中的第二积层体24侧的角部使应力进一步分散。

另外，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，相对于空隙s的中央部，第一积层体22的外侧面22a比中间层23的外侧面23b在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向外侧的位置，且第二积层体24的第三覆盖部33c覆盖第一积层体22的外侧面22a。因此，第二积层体24的第三覆盖部33c超过中间层23的外侧面23b覆盖至第一积层体22的外侧面22a，且固定于第一积层体22的外侧面22a。由此，能够抑制第二积层体24从中间层23的外侧面23b中的靠近基板11的部分剥落。

另外，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，基板11具有在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下比第一积层体22的外缘位于更靠向外侧的外缘部11c，且第二积层体24覆盖外缘部11c。因此，通过使第二积层体24超过第一积层体22的外缘覆盖至基板11的外缘部11c，而将第一积层体22固定于基板11侧。由此，能够抑制第一积层体22从基板11侧剥落。

另外，在法布里-珀罗干涉滤光器1中，第一积层体22的外侧面22a弯曲成以下方式：其在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离空隙s。因此，第二积层体24的第三覆盖部33c更牢固地固定于第一积层体22的外侧面22a。由此，能够抑制第二积层体24从中间层23的外侧面23b中的靠近基板11的部分剥落。

另外，法布里-珀罗干涉滤光器1进一步具备第三积层体42，其配置于基板11的与第一表面11a相对的第二表面11b。因此，能够减少因基板11的第一表面11a侧与第二表面11b侧之间的层结构的不一致而导致的应力，因此，能够进一步抑制中间层23中的应力的集中。

接着，一边参照图7～图12，一边对法布里-珀罗干涉滤光器1的制造方法的一例进行说明。但是，在图7、图10～图12中，简化了第一积层体22的外侧面22a、中间层23的外侧面23b、及第二积层体24的第三覆盖部33c的图示。首先，如图7(a)所示，准备包含多个与基板11对应的部分r的晶圆10，在晶圆10的与基板11对应的每一部分r形成具有第一反射镜部31的第一积层体22(第一步骤)。晶圆10例如为硅晶圆。晶圆10中，部分r例如以相互邻接的方式呈格子状配置。部分r彼此的交界上设定有切割线l。

在第一步骤中，首先，在部分r的第一表面11a上形成抗反射层21，与此同时，在部分r的第二表面11b上形成抗反射层41。接着，在抗反射层21上依次积层构成第一积层体22的多晶硅层25a、氮化硅层26a、多晶硅层25b、氮化硅层26b及多晶硅层25c。积层该第一积层体22的同时，在抗反射层41上积层构成第三积层体42的多晶硅层及氮化硅层。在积层第一积层体22时，在整个第一表面11a上积层多晶硅层25及氮化硅层26之后，通过蚀刻而将多晶硅层25及氮化硅层26中的从与第一表面11a垂直的方向观察时位于外缘部11c上的部分去除。另外，与第一积层体22的积层并行地，通过杂质掺杂而使多晶硅层25b、25c局部地低电阻化，从而形成第一电极12及第二电极13。接着，通过蚀刻而形成沟槽18。

接着，如图7(b)所示，在每一部分r形成具有与空隙s对应的去除预定部50的中间层23(第二步骤)。在第二步骤中，首先，以通过中间层23而覆盖第一积层体22的方式，在整个部分r的第一表面11a上形成中间层23。在形成该中间层23的同时，在第三积层体42上形成中间层43。接着，通过蚀刻而将中间层23中的从与第一表面11a垂直的方向观察时位于外缘部11c上的部分去除。通过该蚀刻，将抗反射层21中的从与第一表面11a垂直的方向观察时位于外缘部11c上的部分去除。另外，通过该蚀刻，在与图4的第一端子15、第一覆盖部33a及第一内底部35a、以及图5的第二端子16、第二覆盖部33b及第二内底部35b对应的部分形成空隙。

进一步，通过该蚀刻，第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b成为弯曲的形状。更具体而言，第一内侧面23d成为如下形状：以在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越靠近第一端子15的方式，向与第一端子15相反的一侧呈凹状弯曲的形状。另外，第二内侧面23e成为如下形状：以在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越靠近第二端子16的方式，向与第二端子16相反的一侧呈凹状弯曲的形状。另外，外侧面23b成为如下形状：以在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离空隙s的方式，向空隙s侧呈凹状弯曲的形状。

对用以将第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b设为如上所述的呈凹状弯曲的形状的制造方法的一例进行说明。首先，如图8(a)所示，在整个中间层23上涂布抗蚀剂m。其次，如图8(b)所示，通过抗蚀剂的图案化而将与应去除的中间层23的区域对应的区域的抗蚀剂m去除。其次，如图9(a)所示，通过蚀刻(湿式蚀刻)而将中间层23去除。此时，将中间层23去除至被抗蚀剂m覆盖的部分，由此，中间层23成为呈凹状弯曲的形状。另外，一边重复地进行成膜及蚀刻，一边阶段性地形成抗反射层21及第一积层体22，并以中间层23的外侧面23b连续地(平滑地)连接于第一积层体22的外侧面22a的方式实施中间层23的蚀刻。由此，如图6所示，中间层23的外侧面23b、第一积层体22的外侧面22a及抗反射层21的侧面21a成为连续地弯曲的形状。其次，如图9(b)所示，通过将残留于中间层23上的抗蚀剂m剥离，可获得上述形状的第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b。

接着，如图10(a)、图10(b)及图11(a)所示，在每一部分r形成第二积层体24(第三步骤)，该第二积层体24具有：形成有多个贯通孔24b的第二反射镜部32；覆盖中间层23的第一覆盖部33a、第二覆盖部33b及第三覆盖部33c；沿着外缘部11c的外缘被薄化的周缘部34；及第一内底部35a及第二内底部35b。

在第三步骤中，首先，在中间层23上依次积层构成第二积层体24的多晶硅层27a、氮化硅层28a、多晶硅层27b、氮化硅层28b及多晶硅层27c。更具体而言，如图10(a)所示，以通过第二积层体24而覆盖中间层23的表面23a、外侧面23b、第一内侧面23d及第二内侧面23e、第一积层体22的外侧面22a以及抗反射层21的侧面21a的方式，在整个部分r的第一表面11a上积层第二积层体24。另一方面，在积层第二积层体24的同时，在中间层43上积层构成第四积层体44的多晶硅层及氮化硅层。接着，如图10(b)所示，通过蚀刻而将除多晶硅层27a以外的多晶硅层27及氮化硅层28中的与薄化部34b对应的部分去除，由此形成沿着外缘部11c的外缘被薄化的周缘部34。另外，与第二积层体24的积层并行地，通过杂质掺杂而使多晶硅层27a局部地低电阻化，从而形成第三电极14。接着，形成第一端子15及第二端子16。

接着，如图11(a)所示，通过对第二积层体24局部地进行蚀刻，从而形成从第二反射镜部32的表面24a至去除预定部50的贯通孔24b。接着，在第四积层体44上形成遮光层45。接着，通过蚀刻而将第三积层体42、中间层43、第四积层体44及遮光层45中的在从垂直的方向观察时与薄化部34b重叠的部分去除，由此，使第三积层体42、中间层43及第四积层体44沿着外缘部11c的外缘薄化。另外，通过该蚀刻，在第三积层体42、中间层43、第四积层体44及遮光层45形成开口40a。接着，在遮光层45的表面及开口40a的内表面形成保护层46。

接着，如图11(b)所示，通过经由贯通孔24b的蚀刻而将去除预定部50去除，由此，在每一部分r形成位于第一反射镜部31与第二反射镜部32之间的空隙s(第四步骤)。第四步骤中，通过经由贯通孔24b的气相蚀刻而将去除预定部50去除。该气相蚀刻中，例如使用氢氟酸气体。

接着，如图12所示，在切割线l沿着外缘部11c的外缘切断晶圆10，从而获得法布里-珀罗干涉滤光器1(第五步骤)。第五步骤中，例如，通过来自第一表面11a侧的激光的照射而沿着外缘部11c的外缘在晶圆10的内部形成改质区域，并通过使龟裂从改质区域在晶圆10的厚度方向上伸展而沿着外缘部11c的外缘切断晶圆10。

以上，对本发明的一实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式。例如，对于各构成部分的材料及形状而言，并不限定于上述材料及形状，可采用各种材料及形状。

另外，抗反射层21也可以形成于比第一积层体22的外缘更靠向外侧的区域。例如，抗反射层21也可以被形成为，在与第二积层体24的周缘部34对应的部分(即，位于外缘部11c上的部分)未被去除的方式。在此情况下，抗反射层21的外缘与基板11的外缘也可以是相互一致的。

另外，基板11也可以不具有外缘部11c。例如，在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，第一积层体22的外侧面22a也可以与基板11的外缘一致。另外，在从与第一表面11a垂直的方向观察的情况下，抗反射层21的侧面21a也可以与基板11的外缘一致。

另外，周缘部34也可以不具有薄化部34b。即，周缘部34也可以以在整个该周缘部34上都具有固定的厚度的方式形成。

另外，第二积层体24也可以不具有周缘部34。即，第二积层体24也可以不位于第一表面11a上。

另外，第一电极12也可以不是第一反射镜部31的一部分。第一电极12也可以不是通过向多晶硅层25c掺杂杂质使其低电阻化而形成。例如，第一电极12也可以形成于第一积层体22中的除第一反射镜部31以外的区域，在此情况下，第一电极12也可以由铝等的金属构成。

另外，第二电极13也可以不是第一反射镜部31的一部分。第二电极13也可以不是通过向多晶硅层25c掺杂杂质使其低电阻化而形成。例如，第二电极13也可以形成于第一积层体22中的除第一反射镜部31以外的区域，在此情况下，第二电极13也可以由铝等的金属构成。

另外，第三电极14也可以不是第二反射镜部32的一部分。第三电极14也可以不是通过向多晶硅层27a掺杂杂质使其低电阻化而形成。例如，第三电极14也可以形成于第二积层体24中的除第二反射镜部32以外的区域，在此情况下，第三电极14也可以由铝等的金属构成。

另外，第二内侧面23e也可以不是以如下方式弯曲，即不是以中间层23的基板11侧的缘部23i比中间层23的与基板11相反的一侧的缘部23h在与第一表面11a平行的方向上位于更靠向第二端子16侧的方式弯曲。

另外，第一内侧面23d、第二内侧面23e或外侧面23b也可以不是呈凹状弯曲。另外，第二积层体24也可以不具有第一内底部35a或第二内底部35b，且也可以不覆盖第一内侧面23d或第二内侧面23e。

另外，在第二步骤中，作为用以将第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b形成为呈凹状弯曲的形状的制造方法，并不限定于上述方法，也可以采用以下制造方法。首先，如图13(a)所示，在整个中间层23上涂布抗蚀剂m。其次，如图13(b)所示，对于抗蚀剂m使用3d掩膜进行曝光、显影。由此，将与应去除的中间层23的区域对应的区域的抗蚀剂m去除，并且抗蚀剂m的侧面成为呈凹状弯曲的形状。其次，如图14(a)所示，通过干式蚀刻而将中间层23去除。由此，抗蚀剂m的侧面的呈凹状弯曲的形状被转印至第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b，而成为呈凹状弯曲的形状。其次，如图14(b)所示，通过将残留于中间层23上的抗蚀剂m剥离而能够获得上述形状的第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b。

或者，在第二步骤中，作为用以将第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b形成为呈凹状弯曲的形状的制造方法，也可以采用以下制造方法。首先，如图15(a)所示，在整个中间层23上涂布抗蚀剂m。其次，如图15(b)所示，对抗蚀剂m进行光刻工艺(photolithography)，将与应去除的中间层23的区域对应的区域的抗蚀剂m去除，并且使抗蚀剂m的侧面成为呈凹状弯曲的形状。另外，在进行该光刻工艺的工序中，通过调整抗蚀剂m的条件(例如，材料等)及光刻工艺的条件(例如，曝光条件、显影条件、烘烤条件等)，而能够使抗蚀剂m的侧面成为呈凹状弯曲的形状。其次，如图16(a)所示，通过干式蚀刻而将中间层23去除。由此，抗蚀剂m的侧面的呈凹状弯曲的形状被转印至第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b，而成为呈凹状弯曲的形状。其次，如图16(b)所示，通过将残留于中间层23上的抗蚀剂m剥离而能够获得上述形状的第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b。

另外，第一内侧面23d也可以是向第一端子15侧呈凸状弯曲。换言之，在第一内侧面23d中，第一内侧面23d相对于第一表面11a的角度也可以是，在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越大。在此情况下，在第一内侧面23d中的与第一积层体22相反的一侧的角部，其剖面的外形成为钝角形状。由此，作用于第一内侧面23d中的与第一积层体22相反的一侧的角部的应力进一步分散，由此，能够进一步抑制在该角部产生裂痕等损伤。

另外，第二内侧面23e也可以是向第二端子16侧呈凸状弯曲。换言之，在第二内侧面23e中，第二内侧面23e相对于第一表面11a的角度也可以是，在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越大。在此情况下，在第二内侧面23e中的与第一积层体22相反的一侧的角部，其剖面的外形成为钝角形状。由此，作用于第二内侧面23e中的与第一积层体22相反的一侧的角部的应力进一步分散，由此，能够进一步抑制在该角部产生裂痕等损伤。

另外，外侧面23b也可以是向与空隙s相反的一侧呈凸状弯曲。换言之，在外侧面23b中，外侧面23b相对于第一表面11a的角度也可以是，在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越大。在此情况下，在外侧面23b中的与第一积层体22相反的一侧的角部，其剖面的外形成为钝角形状。由此，作用于外侧面23b中的与第一积层体22相反的一侧的角部的应力进一步分散，由此，能够进一步抑制在该角部产生裂痕等损伤。

在此情况下的第二步骤中，对用以将第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b形成为如上述的呈凸状弯曲的形状的制造方法的一例进行说明。首先，如图17(a)所示，在整个中间层23上涂布抗蚀剂m。其次，如图17(b)所示，通过抗蚀剂的图案化而将与应去除的中间层23的区域对应的区域的抗蚀剂m去除。其次，如图18(a)所示，将抗蚀剂m固化。由此，将抗蚀剂m的侧面形成为呈凸状弯曲的形状。其次，如图18(b)所示，通过干式蚀刻而将中间层23去除。由此，中间层23被去除至被抗蚀剂m覆盖的部分附近，并且抗蚀剂m的侧面的呈凸状弯曲的形状被转印至第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b，而成为呈凸状弯曲的形状。其次，如图18(c)所示，通过将残留于中间层23上的抗蚀剂m剥离，而获得上述形状的第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b。

或者，在第二步骤中，作为用以将第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b形成为呈凸状弯曲的形状的制造方法，也可以采用以下制造方法。首先，如图19(a)所示，在整个中间层23上涂布抗蚀剂m。其次，如图19(b)所示，对于抗蚀剂m使用3d掩膜进行曝光、显影。由此，将与应去除的中间层23的区域对应的区域的抗蚀剂m去除，并且抗蚀剂m的侧面成为呈凸状弯曲的形状。其次，如图20(a)所示，通过干式蚀刻而将中间层23去除。由此，中间层23被去除至被抗蚀剂m覆盖的部分，并且抗蚀剂m的侧面的呈凸状弯曲的形状被转印至第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b，而成为呈凸状弯曲的形状。其次，如图20(b)所示，通过将残留于中间层23上的抗蚀剂m剥离而能够获得上述形状的第一内侧面23d、第二内侧面23e及外侧面23b。

另外，如图21～图24所示，抗反射层21的外缘与第一积层体22的外缘也可以不是相互一致的。另外，第一积层体22的外侧面22a也可以不是连续的面，而是由断续的面构成。例如，抗反射层21的侧面21a也可以比第一积层体22的外侧面22a位于更靠向内侧(光透过区域1a侧)的位置。在此情况下，第二积层体24的多晶硅层27a的一部分进入至由抗反射层21的侧面21a、第一积层体22中的基板11侧的表面22c、及基板11的第一表面11a形成的槽内。由此，能够抑制第二积层体24的剥落。

另外，如图21及图22所示，第一积层体22的多晶硅层25c的外缘也可以覆盖构成第一积层体22的各层中的除多晶硅层25c以外的层的外侧面的至少一部分。

另外，如图21及图22所示，构成第一积层体22的各层中的除多晶硅层25c以外的层的外缘也可以呈断续的形状(例如，阶梯状)。例如，多晶硅层25b的外缘与氮化硅层26b的外缘也可以不是相互一致的。更具体而言，多晶硅层25b的外侧面也可以比氮化硅层26b的外侧面位于更靠向外侧(与光透过区域1a相反的一侧)的位置。由此，第二积层体24的第三覆盖部33c与第一积层体22的外侧面22a的接触面积增大，因此，能够抑制第二积层体24的剥落。

另外，如图21所示，构成第一积层体22的各层中的除多晶硅层25c以外的层的外侧面、及抗反射层21的侧面21a也可以呈平面状，且以如下方式倾斜：在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11，则在与第一表面11a平行的方向上越远离光透过区域1a。

或者，如图22所示，构成第一积层体22的各层中的除多晶硅层25c以外的层的外侧面、及抗反射层21的侧面21a也可以呈平面状，且与第一表面11a大致正交。

另外，如图23及图24所示，在第一积层体22中，多晶硅层25c的外缘也可以比氮化硅层26b的外缘位于更靠向内侧的位置。在此情况下，第二积层体24的第三覆盖部33c与第一积层体22的外侧面22a的接触面积增大，因此，也能够抑制第二积层体24的剥落。

另外，第一积层体22的外侧面22a也可以是向空隙s侧呈凹状弯曲。换言之，在外侧面22a中，外侧面22a相对于第一表面11a的角度也可以是，在与第一表面11a垂直的方向上越靠近基板11则该角度越小。或者，外侧面22a也可以不是弯曲的，而是呈平面状。

符号说明

1法布里-珀罗干涉滤光器；11基板；

11a第一表面；22第一积层体(第一层)；

22a外侧面；23中间层；

23b外侧面；23j、23k缘部；

24第二积层体(第二层)31第一反射镜部；

32第二反射镜部；42第三积层体(第三层)；

43中间层(第三层)；44第四积层体(第三层)；

s空隙。