光刻设备和支撑结构背景的制作方法

本申请要求于2016年9月9日提交的美国临时专利申请no.62/385,623的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

本公开涉及光刻设备和支撑例如衬底或图案化装置的物体的支撑结构。

背景技术：

光刻设备是一种将期望图案施加到衬底上、通常施加到衬底的目标部分上的机器。例如，可以使用光刻设备来制造集成电路(ic)。在这种情况下，图案化装置(例如，掩模或掩模版)可以生成要在ic的单个层上形成的电路图案。该图案可以转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一个或几个管芯的部分)上。图案的转移通常经由到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上的成像来进行。通常，单个衬底将包含连续图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻设备包括所谓的步进器(其中通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分)以及所谓的扫描仪(其中通过辐射束在给定方向(“扫描”方向)上扫描图案同时平行或反平行于该方向来扫描衬底来照射每个目标部分)。还可以通过将图案压印到衬底上来将图案从图案化装置转移到衬底。

光刻设备典型地包括支撑物体的至少一个可移动支撑结构，例如，支撑衬底的衬底台或支撑图案化装置的掩模台。用于功率或信号的电流使用一个或多个导线从固定源(例如，框架)被提供到可移动支撑结构。通常，这些导线(和诸如压缩空气管线等其他部件)被容纳在导管载体(例如，电缆板或脐带式线)中，该导管载体针对导线提供导管以从固定部件传递到可移动支撑结构。通常，导管载体被配置为在可移动支撑结构在光刻设备内移动时弯曲(例如，折叠和展开)，并且当导管载体弯曲时，包含在其中的导线也弯曲。

光刻设备内的系统故障和污染的一个来源是导管载体和包含在导管载体内的导线。当导管载体和导线由于可移动支撑结构的移动而弯曲时，形成导管载体的材料和导线(例如，形成导管载体的材料或导线的聚合物绝缘层)开始磨损。并且最终，导管载体和导线磨损到系统故障点，以及/或者由于这种磨损而生成污染颗粒。

技术实现要素：

因此，在一些实施例中，减少或消除了使用导管载体和导线而在光刻设备内将电流从固定部件传输到可移动支撑结构，从而减少或消除了系统故障和污染的来源。

在一些实施例中，一种光刻设备包括具有第一电导体的固定框架和被配置为支撑物体的支撑结构。支撑结构可移动地耦合到框架并且具有第二电导体。光刻设备还包括将第一电导体电耦合到第二电导体的导电流体(例如，包括诸如汞等导电金属的流体、包括水和盐的流体、包括等离子体的流体、或包括电离气体的流体)。

在一些实施例中，框架限定容纳导电流体的腔体。支撑件可以被配置为沿着第一方向移动第一距离，并且腔体在第一方向上具有的尺寸可以等于或大于第一距离。支撑件还可以被配置为沿着不同于第一方向的第二方向移动第二距离，并且腔体在第二方向上具有的尺寸可以等于或大于第二距离。腔体可以在垂直方向上与支撑件重叠。光刻设备可以被配置为生成将导电流体保持在腔体内的气流，或者被配置为生成将导电流体保持在腔体内的磁场。

在一些实施例中，第二电导体包括浸没在导电流体中的第一部分。

在一些实施例中，光刻设备包括电部件，该电部件电耦合到第二电导体并且耦合到支撑结构，使得电部件与支撑结构一起移动。电部件可以包括被配置为发射或接收经由导电流体传输的信号的传感器。电部件可以包括被配置为移动支撑结构的定位器。

在一些实施例中，光刻设备包括电耦合到第一电导体的电部件。电部件可以包括被配置为控制光刻设备的过程的数据处理装置。

在一些实施例中，导电流体包括汞或镓。在一些实施例中，导电流体包括溶剂和电解质溶质。溶剂可以包括水，并且电解质溶质可以包括盐，例如氯化钠。在一些实施例中，导电流体包括等离子体或电离气体。

在一些实施例中，支撑结构包括被配置为支撑衬底的衬底台。在一些实施例中，支撑结构包括被配置为支撑图案化装置的掩模台。

下面参考附图详细描述实施例的其他特征和优点以及各种实施例的结构和操作。应当注意，本发明不限于本文中描述的具体实施例。这些实施例仅出于说明性目的而在本文中被呈现。基于本文中包含的教导，其他实施例将对于相关领域的技术人员是很清楚的。

附图说明

并入本文中并且形成说明书一部分的附图示出了本发明，并且与说明书一起进一步用于解释本发明的原理并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。

图1a是根据一个实施例的反射式光刻设备的示意图。

图1b是根据一个实施例的透射式光刻设备的示意图。

图2是根据一个实施例的衬底台和衬底的示意性平面图。

图3是根据一个实施例的具有固定框架和可移动支撑结构的光刻设备的示意性侧视图。

图4是根据一个实施例的图3的光刻设备的示意性平面图。

图5是根据一个实施例的具有固定框架和可移动支撑结构的光刻设备的框图。

图6是根据一个实施例的被配置为生成空气吹淋的光刻设备的示意性侧视图。

图7是根据一个实施例的被配置为生成磁场的光刻设备的示意性侧视图。

通过下面结合附图给出的详细描述，所公开的实施例的特征和优点将变得更加明显，附图中的相同的附图标记始终表示相应的元件。在附图中，相同的附图标记通常表示相同的、功能相似的和/或结构相似的元件。元件首次在其中出现的附图由相应附图标记中的最左边的数字表示。除非另外指出，否则贯穿本公开而提供的附图不应当被解释为按比例绘制。

具体实施方式

所公开的实施例仅例示本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附权利要求限定。

所描述的实施例以及说明书中对“示例”、“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”、“一些实施例”等的引用指示所描述的实施例可以包括特定的特征、结构或特性，但是每个实施例可能不一定包括该特定的特征、结构或特性。而且，这样的短语不一定是指同一实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应当理解，结合其他实施例来影响这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识的范围内，而无论这些其他实施例是否明确被描述。

然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现可以在其中实现本公开的实施例的示例环境是有益的。

示例反射式和透射式光刻系统

图1a和图1b分别是其中可以实现本公开的实施例的光刻设备100和光刻设备100'的示意图。光刻设备100和光刻设备100'每个包括以下各项：被配置为调节辐射束b(例如，duv或euv辐射)的照射系统(照射器)il；被配置为支撑图案化装置(例如，掩模、掩模版或动态图案化装置)ma并且连接到第一定位器pm的支撑结构(例如，掩模台)mt，第一定位器pm被配置为准确地定位图案化装置ma；以及被配置为保持衬底(例如，抗蚀剂涂覆的晶片)w并且连接到第二定位器pw的衬底支撑结构(例如，衬底台)wt，第二定位器pw被配置为准确地定位衬底w。光刻设备100和100'还具有被配置为将通过图案化装置ma被赋予辐射束b的图案投射到衬底w的目标部分(例如，包括一个或多个管芯的部分)c上的投射系统ps。在光刻设备100中，图案化装置ma和投射系统ps是反射式的。在光刻设备100'中，图案化装置ma和投射系统ps是透射式的。在一些实施例中，投射系统ps是反射折射式的。

照射系统il可以包括用于引导、成形或控制辐射b的诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其他类型的光学部件等各种类型的光学部件或其任何组合。

支撑结构mt以取决于图案化装置ma的取向、光刻设备100和100'的设计以及诸如图案化装置ma是否被保持在真空环境中等其他条件的方式来保持图案化装置ma。支撑结构mt可以使用机械、真空、静电或其他夹持技术来保持图案化装置ma。支撑结构mt可以是框架或台子，其例如根据需要可以是固定的或可移动的。支撑结构mt可以确保图案化装置处于例如相对于投射系统ps的期望的位置。

术语“图案化装置”ma应当广义地解释为指代可以用于在其横截面中向辐射束b赋予图案以便在衬底w的目标部分c中产生图案的任何装置。被赋予辐射束b的图案可以对应于诸如集成电路等在目标部分c中产生的器件中的特定功能层。

图案化装置ma可以是透射式的(如在图1b的光刻设备100'中)或反射式的(如在图1a的光刻设备100中)。图案化装置ma的示例包括掩模版、掩模、可编程反射镜阵列和可编程lcd面板。掩模在光刻中是公知的，并且包括诸如二进制、交替相移和衰减相移等掩模类型以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列的一个示例采用小镜的矩阵布置，每个小镜可以单独倾斜以便在不同方向上反射入射辐射束。倾斜的镜在由镜矩阵反射的辐射束b中赋予图案。

术语“投射系统”ps可以包括适合于所使用的曝光辐射或者适合于诸如浸没液体的使用或真空的使用等其他因素的任何类型的投射系统，包括折射、反射、反射折射、磁、电磁和静电光学系统、或其任何组合。真空环境可以用于euv或电子束辐射，因为其他气体可能吸收太多的辐射或电子。因此，借助于真空壁和真空泵，可以向整个光路提供真空环境。

光刻设备100和/或光刻设备100'可以是具有两个(双级)或更多个衬底支撑结构wt(和/或两个或更多个掩模台)的类型。在这种“多级”机器中，可以并行使用附加的衬底支撑结构wt，或者可以在一个或多个工作台上执行预备步骤，同时使用一个或多个其他衬底支撑结构wt进行曝光。

参考图1a和图1b，照射器il从辐射源so接收辐射束。源so和光刻设备100、100'可以是分离的实体，例如，当源so是准分子激光器时。在这种情况下，源so不被认为形成光刻设备100或100'的一部分，并且辐射束b借助于包括例如合适的定向镜和/或扩束器的光束递送系统bd(在图1b中)从源so传递到照射器il。在其他情况下，源so可以是光刻设备100、100'的组成部分，例如当源so是汞灯时。如果需要，源so和照射器il以及光束递送系统bd可以被称为辐射系统。

照射器il可以包括用于调节辐射束的角强度分布的调节器ad(在图1b中)。通常，可以调节照射器的光瞳面中的强度分布的至少外部和/或内部径向范围(通常分别被称为“σ-外部”和“σ-内部”)。另外，照射器il可以包括各种其他部件(在图1b中)，诸如积分器in和聚光器co。照射器il可以用于调节辐射束b以在其横截面中具有期望的均匀性和强度分布。

参考图1a，辐射束b入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台)mt上的图案化装置(例如，掩模)ma上，并且由图案化装置ma图案化。在光刻设备100中，辐射束b从图案化装置(例如，掩模)ma反射。在从图案化装置(例如，掩模)ma反射之后，辐射束b穿过投射系统ps，投射系统ps将辐射束b聚焦到衬底w的目标部分c上。借助于第二定位器pw和位置传感器if2(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底支撑结构wt(例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中)。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器if1可以用于相对于辐射束b的路径准确地定位图案化装置(例如，掩模)ma。图案化装置(例如，掩模)ma和衬底w可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来被对准。

参考图1b，辐射束b入射在被保持在支撑结构(例如，掩模台mt)上的图案化装置(例如，掩模ma)上，并且由图案化装置图案化。在穿过掩模ma之后，辐射束b穿过投射系统ps，投射系统ps将光束聚焦到衬底w的目标部分c上。投射系统具有与照射系统光瞳ipu共轭的光瞳ppu。部分辐射从照射系统光瞳ipu处的强度分布发出，并且穿过掩模图案而不受掩模图案处的衍射的影响，在照射系统光瞳ipu处产生强度分布的图像。

借助于第二定位器pw和位置传感器if(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容式传感器)，可以准确地移动衬底支撑结构wt(例如，以便将不同的目标部分c定位在辐射束b的路径中)。类似地，第一定位器pm和另一位置传感器(图1b中未示出)可以用于相对于辐射束b的路径准确地定位掩模ma(例如，在从掩模库机械地取回之后或者在扫描期间)。

通常，掩模台mt的移动可以借助于形成第一定位器pm的部分的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精细定位)来实现。类似地，衬底支撑结构wt的移动可以使用形成第二定位器pw的部分的长行程模块和短行程模块来实现。在步进器(与扫描仪相对)的情况下，掩模台mt可以仅连接到短行程致动器，或者可以是固定的。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准掩模ma和衬底w。尽管衬底对准标记(如图所示)占据专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间中(称为划线对准标记)。类似地，在掩模ma上提供有多于一个管芯的情况下，掩模对准标记可以位于管芯之间。

掩模台mt和图案化装置ma可以在真空室中，其中真空内机器人ivr可以用于将诸如掩模等图案化装置移入和移出真空室。可替代地，当掩模台mt和图案化装置ma在真空室外部时，与真空内机器人ivr类似，真空外机器人可以用于各种运输操作。真空内和真空外机器人都需要进行校准，以用于将任何有效载荷(例如，掩模)平稳地传送到传送站的固定运动支架。

光刻设备100和100'可以以下列模式中的至少一种来被使用：

1.在步进模式中，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底支撑结构wt保持基本静止，而赋予辐射束b的整个图案被一次投射到目标部分c上(即，单个静态曝光)。然后，衬底支撑结构wt在x方向和/或y方向上移位，使得不同的目标部分c可以被暴露。

2.在扫描模式中，支撑结构(例如，掩模台)mt和衬底支撑结构wt被同步扫描，同时赋予辐射束b的图案被投射到目标部分c上(即，单个动态曝光)。衬底支撑结构wt相对于支撑结构(例如，掩模台)mt的速度和方向可以由投射系统ps的(缩小)放大率和图像反转特性来被确定。

3.在另一模式中，支撑结构(例如，掩模台)mt保持基本静止，以保持可编程图案化装置，并且衬底支撑结构wt被移动或扫描，同时赋予辐射束b的图案被投射到目标部分c上。可以采用脉冲辐射源so，并且在衬底支撑结构wt的每次移动之后或者在扫描期间在连续的辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案化装置。这种操作模式可以容易地应用于利用诸如本文中描述的类型的可编程反射镜阵列等可编程图案化装置的无掩模光刻。

还可以采用所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变体。

图2示意性地描绘了根据一个实施例的图1a或图1b的光刻设备中描绘的衬底支撑结构wt的布置，其中衬底支撑结构wt包括图像传感器。在一些实施例中，如图2所示，衬底支撑结构wt包括两个图像传感器ias1和ias2。图像传感器ias1和ias2可以用于通过空间图像扫描图像传感器ias1或ias2来确定掩模ma上的图案(例如，对象标记)的空间图像的位置。可以从利用图像传感器ias1、ias2获取的信息中推导出掩模ma上的对象标记相对于晶片台wt的相对位置，并且可以根据掩模ma上的对象标记的测量位置计算多个参数。例如，掩模ma的这些参数可以包括ma的放大率(m)、绕z轴的旋转(r)、掩模ma的沿着x轴和y轴的平移(cx，cy)、y方向上的放大率(my)和扫描偏斜(ri)。

必须理解的是，代替两个图像传感器ias1和ias2，可以存在更多或更少的图像传感器，例如，一个或三个。这些传感器和电子器件的形式是本领域技术人员已知的，并且将不再进一步详细描述。替代形式的对准机构是可能的，并且在本发明的范围内是有用的。在其他实施例中，可以省去图像传感器ias1、ias2，或者将它们提供在与承载衬底的晶片台分开的支撑件上。

在另一实施例中，光刻设备100包括被配置为生成用于euv光刻的euv辐射束的极紫外(euv)源。通常，euv源被配置在辐射系统中，并且相应的照射系统被配置为调节euv源的euv辐射束。

光刻设备的示例性实施例

图3是根据一个实施例的包括框架102和被配置为支撑物体的支撑结构104的光刻设备100的示意性侧视图。在一些实施例中，框架102可以是固定的，并且在其他实施例中，框架102可以是可移动的。在一些实施例中，支撑结构104可以可移动地耦合到框架102，使得支撑结构104相对于框架102移动。

在一些实施例中，光刻设备100在结构和功能上类似于如上面参考图1a和图1b所述的光刻设备100或100'。在一些实施例中，例如，支撑结构104可以是如图1a和图1b中讨论的被配置为支撑图案化装置(例如，掩模、掩模版或动态图案化装置)的掩模台mt。在一些实施例中，支撑结构104可以是如图1a和图1b中讨论的被配置为支撑诸如晶片等衬底的衬底支撑结构wt。在一些实施例中，框架102是绝缘体。

光刻设备100还可以包括通过电子、离子或两者的移动来传导电流的导电流体106。在一些实施例中，导电流体106具有的导电率大于纯水的导电率，即，大于约10^-4mho/m。

在一些实施例中，导电流体106完全或部分地包括汞、镓、任何其他合适的金属或其组合，其在光刻设备100的操作温度下具有流体状态。

在一些实施例中，导电流体106完全或部分地包括溶剂和电解质溶质。例如，溶剂可以是水，并且电解质溶质可以是盐，诸如氯化钠或氯化钙。在其他实施例中，溶剂可以是除了水之外的流体，并且电解质溶质可以是除了盐之外的材料。

框架102可以包括电耦合到导电流体106的至少一个电导体108，并且支撑结构104可以包括电耦合到导电流体106的至少一个电导体110。因此，导电流体106将电导体108电耦合到电导体110使得可以在电导体108和110之间传输电流。如下面更详细地讨论，传输的电流可以例如是输入信号、输出信号或到电部件的功率。

电导体108和110可以是任何合适的电导体，包括例如固体导电金属(例如，铜或任何其他合适的固体导电金属)或任何其他合适的固体导电材料。在一些实施例中，电导体108是功率或信号输入/输出电连接器。在一些实施例中，电导体110是条或由固体导电金属(例如，铜)构成的任何其他合适的结构。在一些实施例中，电导体110可以耦合到支撑结构104，使得导体110与支撑结构104一起移动。

在一些实施例中，框架102限定容纳导电流体106的腔体112。腔体112被定位成使得电导体110的至少一部分114接触导电流体106(例如，部分114可以浸没在导电流体106中)，并且电导体108的一部分118也可以接触腔体112中的导电流体106(例如，部分118可以浸没在导电流体106中)。因此，导电流体106将电导体110电耦合到电导体108。

在一些实施例中，腔体112被配置(例如，成形、定尺寸和定位)成使得电导体110的一部分114在可移动支撑结构104的一些或整个运动范围内接触导电流体106。例如，如图3和图4所示，可移动支撑结构104可以被配置为在第一方向122上移动第一距离并且在不同的第二方向124上移动第二距离。在一些实施例中，第一方向122和第二方向124彼此垂直，如图3和图4所示，并且可以对应于光刻设备100的x轴和y轴。在这样的实施例中，腔体112的形状和尺寸可以被设计成在平行于方向122的方向上具有第一尺寸126以适应支撑结构104在第一方向122上的移动，并且腔体112的形状和尺寸可以被设计成在平行于第二方向124的方向上具有第二尺寸128以适应支撑结构104在第二方向124上的移动。

在一些实施例中，第一尺寸126和第二尺寸128可以等于支撑结构104在第一方向122和第二方向124上移动的相应距离。因此，如果电导体110位于支撑结构104的中心，则电导体110不接触限定腔体112的外围壁，直到支撑结构104在第一方向122或第二方向124上到达其终端位置。

在其他实施例中(如图3和图4所示)，第一尺寸126和第二尺寸128可以大于支撑结构104在第一方向122和第二方向124上移动的相应距离。因此，如果电导体110位于支撑结构104的中心，则电导体110在支撑结构104的运动范围内的任何点处不与限定腔体112的外围壁邻接。

共同参考图3至图5，电导体110直接或间接地电耦合到一个或多个电部件130，一个或多个电部件130耦合到可移动支撑结构104。在一些间接电耦合实施例中，电导体110与耦合到可移动支撑结构104的母线电耦合，并且电部件130电耦合到母线，母线将电部件130电耦合到电导体110。在一些实施例中，多个电部件130可以耦合到母线。在一些间接电耦合实施例中，电导体110电耦合到一个或多个信号处理或调节部件，例如放大器和滤波器，其电耦合到电部件130。

电部件130可以是在光刻设备100的操作期间的任何点处需要功率、接收信号、发射信号或其任何组合的任何装置。例如，在一些实施例中，电部件130可以是形成定位器pm或定位器pw的部分的长行程模块(粗定位)或短行程模块(准确定位)，如上面参考图1a和图1b所述。在一些实施例中，电部件130可以是传感器(例如，干涉测量装置、线性编码器或电容式传感器)。例如，电部件130可以是组成用于定位图案化装置支撑件mt或衬底支撑结构wt的位置传感器if1或位置传感器if2的传感器，如上面参考图1a和图1b所述。或者例如，电部件130可以是组成确定图案化装置ma上的图案(例如，对象标记)的空间图像的位置的图像传感器ias1和ias2的传感器，如上面参考图2所述。

共同参考图3至图5，电导体108直接或间接电耦合到一个或多个电部件132，电部件132可以耦合或不耦合到框架102。在一些实施例中，电部件132包括数据处理设备，例如，控制光刻设备100的各种部件(例如，致动器和传感器)的所有或一些移动和测量的控制器。示例性数据处理设备包括信号处理和数据处理能力，以实现与光刻设备100的操作相关的期望计算。在一些实施例中，数据处理设备是很多子单元的系统，每个子单元处理光刻设备100内的子系统或部件的实时数据采集、处理和控制。例如，一个处理子系统可以专用于定位器pw的伺服控制，并且单独的单元甚至可以处理粗略和精细致动器或不同的轴。另一单元可能专用于读出位置传感器if1或if2。光刻设备100的总体控制可以由与这些子系统处理单元、操作者和光刻制造过程中涉及的其他设备通信的中央处理单元控制。在一些实施例中，数据处理设备可以是微处理器，并且在一些实施例中，可以执行记录在诸如硬盘驱动器、软盘、光盘(诸如压缩盘(cd)或数字通用盘(dvd))、闪存等非暂态计算机可读存储介质上的指令。

在一些实施例中，导电流体106部分或完全地取代传统导管载体的功能，传统导管载体针对电耦合电部件130和132并且在固定框架102与可移动支撑结构104之间延伸的导线而提供导管并且被用在光刻设备中。因此，在一些实施例中，可以从光刻设备100中省略携带导线或用于将可移动支撑结构104上的电部件130电耦合到不在可移动支撑结构104上的电部件132的其他导体的所有或一些导管载体，从而减少或消除系统故障和/或污染的风险。

在一些实施例中，光刻设备100被配置为在与例如euv或电子束辐射一起使用的真空环境中操作。在一些真空实施例中，光刻设备100包括用于将导电流体106保持在腔体112内的机构。图6和图7示出了两个示例性实施例。

如图6所示，在一些实施例中，光刻设备100可以被配置为产生将导电流体106保持在腔体112内的空气吹淋。在一些空气吹淋实施例中，导电流体106可以具有低蒸汽压。例如，在一些实施例中，导电流体106是在室温下具有约100ppa的蒸气压的离子液体(与在室温下具有约3kpa的蒸气压的纯水相比)。并且，光刻设备100被配置为在腔体112中的导电流体106的暴露表面之上生成气流134。气流134形成将导电流体106保持在腔体112中的空气吹淋。在一些实施例中，框架102包括引入气流134的入口136和排出气流134的出口138。在一些实施例中，气流134由氦气、氩气、氢气、氮气等中的一种或多种组成。

如图7所示，在一些实施例中，光刻设备100可以被配置为产生排斥导电流体106使得其被保留在腔体112中的磁场。在一些磁场实施例中，导电流体106是电离气体或等离子体。例如，在一些实施例中，电离气体或等离子体包括惰性气体或汞蒸气。光刻设备100还可以包括被配置为生成磁场142的磁体，该磁场142以使得导电流体被保留在腔体112中的方式排斥导电流体106(例如，电离气体或等离子体)。在一些实施例中，磁体140是永磁体。在其他实施例中，磁体140是电磁体。

尽管在本文中可以具体参考光刻设备在ic制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻设备可以具有其他应用，诸如集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等的制造。技术人员将理解，在这样的替代应用的上下文中，本文中的术语“晶片”或“管芯”的任何使用可以被视为分别与更一般的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提到的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道(通常向衬底施加抗蚀剂层并且显影曝光的抗蚀剂的工具)、计量工具和/或检查工具中被处理。在适用的情况下，本文中的公开内容可以应用于这样的和其他的衬底处理工具。此外，衬底可以被处理一次以上，例如以便产生多层ic，使得本文中使用的术语衬底也可以指代已经包含多个经处理的层的衬底。

尽管以上可以已经在光学光刻的上下文中对实施例的使用进行了具体参考，但是应当理解，实施例可以用于其他应用，例如压印光刻，并且在上下文允许的情况下，不是仅限于光学光刻。在压印光刻中，图案化装置中的形貌限定在衬底上产生的图案。图案化装置的形貌可以被压入被提供给衬底的抗蚀剂层中，通过对衬底施加电磁辐射、热、压力或其组合来固化抗蚀剂。在抗蚀剂固化之后，将图案化装置移出抗蚀剂，以在其中留下图案。

应当理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由相关领域的技术人员鉴于本文中的教导来解释。

在本文中描述的实施例中，在上下文允许的情况下，术语“透镜”和“透镜元件”可以指代各种类型的光学部件中的任何一个或组合，包括折射、反射、磁性、电磁和静电光学部件。

此外，本文中使用的术语“辐射”和“光束”包括所有类型的电磁辐射，包括紫外(uv)辐射(例如，具有的波长λ为365、248、193、157或126nm)、极紫外(euv或软x射线)辐射(例如，具有的波长在5-20nm的范围内，诸如例如13.5nm)、或者在小于5nm下工作的硬x射线、以及诸如离子束或电子束的粒子束。通常，具有的波长在约400至约700nm之间的辐射被认为是可见辐射；具有的波长在约780-3000nm(或更大)之间的辐射被认为是ir辐射。uv是指具有的波长约为100-400nm的辐射。在光刻技术中，术语“uv”也适用于可以由汞放电灯产生的波长：g线436nm；h线405nm；和/或i线365nm。真空uv或vuv(即，由气体吸收的uv)是指具有的波长为大约100-200nm的辐射。深uv(duv)通常是指具有的波长在126nm至428nm的范围的辐射，并且在一个实施例中，准分子激光器可以生成在光刻设备中使用的duv辐射。应当理解，具有的波长在例如5-20nm的范围内的辐射涉及具有特定波段的辐射，其中至少部分波长在5-20nm的范围内。

本文中使用的术语“衬底”通常描述其上添加有后续材料层的材料。在实施例中，衬底本身可以被图案化，并且在其上面添加的材料也可以被图案化，或者可以保留而没有图案化。

本文中使用的术语“实质接触”通常描述彼此物理接触但彼此仅略微分离(这通常由未对准公差引起)的元件或结构。应当理解，本文中使用的一个或多个特定特征、结构或特性之间的相对空间描述(例如，“垂直对准”、“实质接触”等)仅用于说明的目的，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本文中描述的结构的实际实现可以包括未对准公差。

虽然上面已经描述了特定实施例，但是应当理解，实施例可以以不同于所描述的方式实践。本描述不旨在限制本发明。

以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员很清楚的是，在不脱离下面陈述的权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

应当理解，具体实施方式部分而不是发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述发明人所预期的一个或多个但不是所有示例性实施例，因此，不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。

上面借助于示出特定功能及其关系的实现的功能构建块描述了实施例。为了便于描述，本文中任意定义了这些功能构建块的边界。可以定义替代边界，只要适当地执行指定的功能及其关系。

具体实施例的以上描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，使得其他人可以在不脱离本发明的一般概念的情况下通过应用本领域技术范围内的知识来容易地针对各种应用而修改和/或适应这样的具体实施例，而无需过多的实验。因此，基于本文中给出的教导和指导，这样的适应和修改旨在落入所公开的实施例的等同物的含义和范围内。应当理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由本领域技术人员鉴于这些教导和指导来解释。

本发明的广度和范围不应当受任何上述示例性实施例的限制，而应当仅根据所附权利要求及其等同物来被限定。