技术特征：
技术总结
本发明提供一种宽谱吸收器，包括基底；吸收组件，多个所述吸收组件间隔设置在所述基底上，形成周期性阵列；激发单元，所述激发单元嵌入在所述吸收组件内；其中所述吸收组件的材质为六方氮化硼。与现有技术相比，本发明的有益效果如下：使用支持高阶双曲声子极化激元的hBN，声子极化激元的激发可以通过改变梯形结构形状及金属结构的位置予以实现，这使得能够在宽谱段实现高吸收，同时对于吸收谱也具有较大的可调整度。
技术研发人员：赵长颖;阚银辉
受保护的技术使用者：上海交通大学
技术研发日：2018.04.11
技术公布日：2018.09.21