1.一种全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在透光基底表面利用电子束蒸发镀一层介质层，然后涂上一层光刻胶；然后经过电子束曝光显影、反应离子束工艺刻蚀、去除残余光刻胶，得到全介质像素式全斯托克斯成像偏振器或者包括以下步骤：利用化学气相沉积法在透光基底表面生长出一层介质层，然后利用聚焦离子束直写工艺在介质层上直接制备超像素单元阵列结构，即得到全介质像素式全斯托克斯成像偏振器；所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器件包括透光基底以及位于透光基底上的介质层；所述介质层由超像素单元阵列组成；所述超像素单元包括三个不同趋向的介质线栅结构和一个手性结构；所述手性结构由Z型通孔结构单元阵列构成；所述介质线栅结构的周期为0.98μm-1.04μm，占空比为1/4-1/5；所述手性结构中，Z型通孔结构单元的周期为0.97μm-1.0μm；所述介质层的厚度为0.21μm -0.27μm。
2.根据权利要求1所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，其特征在于：所述介质线栅结构的趋向为0°、45°以及90°。
3.根据权利要求1所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，其特征在于：所述透光基底为无机氧化物透光基底；所述介质层为半导体介质层。
4.根据权利要求3所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，其特征在于：所述透光基底为二氧化硅透光基底；所述介质层为硅介质层。
5.根据权利要求1所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，其特征在于：所述介质线栅结构的周期为0.99μm，占空比为1/4；所述介质层的厚度为0.25μm。
6.根据权利要求1所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，其特征在于：所述手性结构中，相邻Z型结构单元不接触。
7.根据权利要求1所述全介质像素式全斯托克斯成像偏振器的制备方法，其特征在于：所述Z型通孔结构单元的周期为0.98μm。