一种光刻胶清洗液的制作方法

文档序号:21405675发布日期:2020-07-07 14:39阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种光刻胶清洗液,其特征在于,包括:

(a)醇胺;

(b)硼酸及其衍生物;

(c)苯并三氮唑及其衍生物;

(d)水;

(e)有机溶剂。

2.根据权利要求1所述的光刻胶清洗液,其特征在于,包括如下质量百分比的组分:

3.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的醇胺选自单乙醇胺、n-甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、异丙醇胺、乙基二乙醇胺、n,n-二乙基乙醇胺、n-(2-氨基乙基)乙醇胺和二甘醇胺中的一种或多种。

4.根据权利要求3所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的醇胺选自单乙醇胺、三乙醇胺中的一种或两种混合。

5.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的硼酸及其衍生物选自三乙醇胺硼酸酯、3-甲酰氨苯硼酸、2-氨基苯硼酸频哪醇酯、5-乙酰基噻吩-2-硼酸、二苯基硼酸-2-氨基乙酯、4-乙酰氧基苯基硼酸频呐醇酯、4-氨基甲酰苯硼酸、2-胺基嘧啶-5-硼酸频哪酯、4-乙酰苯硼酸、3-氨基-4-甲基苯硼酸、3-乙酰胺基苯硼酸和3-甲氧基羰基苯硼酸中的一种或多种。

6.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的苯并三氮唑及其衍生物选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1-羟基苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑和2,2’-[[(甲基-1h-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]双乙醇中的一种或多种。

7.根据权利要求1或2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的有机溶剂选自亚砜、砜、咪唑烷酮、吡咯烷酮、咪唑啉酮、酰胺和醇醚中的一种或多种。

8.根据权利要求7所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的亚砜选自二甲基亚砜和甲乙基亚砜中的一种或两种混合;所述的砜选自甲基砜和环丁砜中的一种或两种混合;所述的咪唑烷酮选自2-咪唑烷酮和1,3-二甲基-2-咪唑烷酮中的一种或两种混合;所述的吡咯烷酮选自n-甲基吡咯烷酮和n-环己基吡咯烷酮中的一种或两种混合;所述的咪唑啉酮为1,3-二甲基-2-咪唑啉酮;所述的酰胺选自二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺中的一种或两种混合;所述的醇醚选自二乙二醇单丁醚和二丙二醇单甲醚中的一种或两种混合。

9.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的醇胺的质量百分比浓度为10%-40%。

10.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的硼酸及其衍生物的质量百分比浓度为0.1%-5%。

11.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的苯并三氮唑及其衍生物的质量百分比浓度为0.001%-2%。

12.根据权利要求2所述的光刻胶清洗液,其特征在于,所述的水的质量百分比浓度为5%-30%。


技术总结
本发明提供一种光刻胶清洗液,包括:(a)醇胺;(b)硼酸及其衍生物;(c)苯并三氮唑及其衍生物;(d)水;(e)有机溶剂。本发明的光刻胶清洗液可有效地去除晶圆上的光阻残留物,同时对金属铝、铜、钛、钨、金、银、钼、ITO等基本无腐蚀,特别对金属银极低的腐蚀;本发明的光刻胶清洗液不含有季胺氢氧化物,解决了传统季铵盐类、羟胺类清洗液价格昂贵、不环保、腐蚀性大等问题;本发明的光刻胶清洗液解决了传统清洗液在清洗操作中由于水的吸收导致腐蚀增大的问题,具有较大操作窗口,在半导体晶片清洗等微电子领域具有良好的应用前景。

技术研发人员:孙广胜;刘兵;张维棚;周前付;赵鹏
受保护的技术使用者:安集微电子科技(上海)股份有限公司
技术研发日:2018.12.27
技术公布日:2020.07.07
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