一种新型膜层式眼镜片的制作方法

文档序号:15611039发布日期:2018-10-09 20:29阅读:164来源:国知局

本实用新型涉及眼镜片设备技术领域,尤其涉及一种新型膜层式眼镜片。



背景技术:

镜片膜层是指镜片利用光学薄膜及真空的新技术,在透镜表面镀一层物质,以改善镜片反射光线的能力,起到增强或减少光线透过的作用。

但是现有的眼镜镜片膜组成较为单一,缺少抗污抗辐射功能,长时间佩戴会使眼睛疲劳,从而对眼睛产生损伤。



技术实现要素:

本实用新型的目的是为了解决现有技术中现有的眼镜镜片膜组成较为单一,缺少抗污抗辐射功能,长时间佩戴会使眼睛疲劳,从而对眼睛产生损伤的问题,而提出的一种新型膜层式眼镜片。

为了实现上述目的,本实用新型采用了如下技术方案:

一种新型膜层式眼镜片,包括硬层,所述硬层的上侧设有第一增透层,所述第一增透层远离硬层的一侧设有第一抗污层,所述第一抗污层远离第一增透层的一侧设有第一抗辐射层,所述第一抗辐射层远离第一抗污层的一侧设有第一防水层,所述硬层的下侧设有第二增透层,所述第二增透层远离硬层的一侧设有第二抗污层,所述第二抗污层远离第二增透层的一侧设有第二抗辐射层,所述第二抗辐射层远离第二抗污层的一侧设有第二防水层。

优选地,所述硬层的内外表面进行有机硅化加硬处理。

优选地,所述第一增透层与第二增透层均为减反射层。

优选地,所述第一抗辐射层第一防水层之间设有防蓝光层。

优选地,所述第一抗辐射层与第二抗辐射层的表面均含有电导体物质。

优选地,所述第一防水层与第二防水层均进行表面疏水化处理。

本实用新型中,使用者在使用时,通过对硬层的表面进行有机硅处理,使得硬层具有较高的硬度,减反射层是利用干涉原理,使通过膜层的光相互抵消以达到减反射的目的,第一抗辐射层第一防水层之间设有防蓝光层,能阻挡阳光中有害紫外线对眼睛的伤害,抗辐射层含有金属化合物,根据电磁干扰遮蔽原理采用特殊镀膜工艺,经过特殊电导体薄膜处理,使镜片具有抗电磁辐射的功能,防水层具有水分在还没有形成水滴之前就会扩散于镜片表面,形成一层透明薄膜,不再对入射光产生散射作用。本实用新型通过多种高分子复合层的设置,使眼镜片具有抗辐射,防水的功能,同时降低使用者眼睛的疲劳感,从而减小对眼镜的损伤。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种新型膜层式眼镜片的结构示意图;

图中:1硬层、2第一增透层、3第一抗污层、4第一抗辐射层、5第一防水层、6第二增透层、7第二抗污层、8第二抗辐射层、9第二防水层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。

参照图1,一种新型膜层式眼镜片,包括硬层1,硬层1的上侧设有第一增透层2,第一增透层2远离硬层1的一侧设有第一抗污层3,第一抗污层3远离第一增透层2的一侧设有第一抗辐射层4,第一抗辐射层4远离第一抗污层3的一侧设有第一防水层5,硬层1的下侧设有第二增透层6,第二增透层6远离硬层1的一侧设有第二抗污层7,第二抗污层7远离第二增透层6的一侧设有第二抗辐射层8,第二抗辐射层8远离第二抗污层7的一侧设有第二防水层9。

本实用新型中,硬层1的内外表面进行有机硅化加硬处理,增加镜片硬度,第一增透层2与第二增透层6均为减反射层,增加光线的透过率,第一抗辐射层4第一防水层5之间设有防蓝光层,能阻挡阳光中有害紫外线对眼睛损伤,第一抗辐射层4与第二抗辐射层8的表面均含有电导体物质,有效地滤除电磁辐射波,第一防水层5与第二防水层9均进行表面疏水化处理,防止镜片雾化。

本实用新型中,使用者在使用时,通过对硬层1的表面进行有机硅处理,使得硬层1具有较高的硬度,减反射层是利用干涉原理,使通过膜层的光相互抵消以达到减反射的目的,第一抗辐射层4第一防水层5之间设有防蓝光层,能阻挡阳光中有害紫外线对眼睛的伤害,抗辐射层含有金属化合物,根据电磁干扰遮蔽原理采用特殊镀膜工艺,经过特殊电导体薄膜处理,使镜片具有抗电磁辐射的功能,防水层具有水分在还没有形成水滴之前就会扩散于镜片表面,形成一层透明薄膜,不再对入射光产生散射作用。本实用新型通过多种高分子复合层的设置,使眼镜片具有抗辐射,防水的功能,同时降低使用者眼睛的疲劳感,从而减小对眼镜的损伤。

以上所述,仅为本实用新型较佳的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。

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