一种像素结构的制作方法

本实用新型涉及了显示技术领域，特别是涉及了一种像素结构。

背景技术：

TN型显示面板具有结构简单、工艺成熟且生产成本低等优点，因此在TFT-LCD行业中应用广泛，TN型显示面板的像素结构中，一般都是由公共电极和像素电极形成存储电容，由于公共电极一般布置在基板上，而像素电极在薄膜晶体管形成之后设置，使得像素电极与公共电极之间会形成两层绝缘层，距离较大，因此若需要增大存储电容，就需要增加像素电极和薄膜晶体管的重叠面积，由于像素电极和薄膜晶体管的重叠位置不透明，这样往往又降低了像素结构的开口率。

技术实现要素：

本实用新型所要解决的技术问题是能够有效保证TN型显示面板中像素结构的开口率同时有效增大存储电容。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种像素结构，应用于TN型显示面板中，其特征在于，包括：

基板；

栅电极和公共电极，形成于所述基板上；

第一绝缘层，形成于所述栅电极、基板和公共电极上；

有源层，形成于所述第一绝缘层上且对应栅电极设置；

源电极和漏电极，形成于所述有源层上；

金属电极，与所述源电极和漏电极材质一致且设于同层，与所述公共电极位置重叠形成存储电容；

第二绝缘层，形成于所述源电极、漏电极、金属电极、第一绝缘层上；

像素电极，形成于所述第二绝缘层上并与所述漏电极电性连接。

作为本实用新型的一种优选方案，所述金属电极与所述漏电极相接。

作为本实用新型的一种优选方案，还包括与所述栅电极电性连接的栅极线和与所述源电极电性连接的数据线。

作为本实用新型的一种优选方案，所述金属电极朝向所述栅极线一侧延伸至与所述栅极线位置相接或重叠。

作为本实用新型的一种优选方案，还包括设于所述像素电极背向所述栅极线一侧的相邻栅极线。

作为本实用新型的一种优选方案，所述金属电极朝向所述相邻栅极线一侧延伸至与所述相邻栅极线位置相接或重叠。

作为本实用新型的一种优选方案，所述金属电极三面围绕所述像素电极设置，其开口朝向所述相邻栅极线设置。

作为本实用新型的一种优选方案，所述像素电极通过穿透第二绝缘层的过孔与所述漏电极电性连接

本实用新型具有如下技术效果：本实用新型提供的一种像素结构通过设置与源电极和漏电极材质一致且设于同层的金属电极，由金属电极与公共电极之间形成存储电容，由于金属电极与公共电极之间仅设置第一绝缘层一层绝缘层，其距离较短，从而能够有效增大存储电容，且不会影响到开口率；而且因距离较短，在保证一定存储电容的前提下，还可以有效减少金属电极与公共电极的布置面积，从而增大开口率；由于金属电极与源电极和漏电极材质一致且设于同层，因此可以在形成源电极和漏电极在同一工序中形成金属电极，无需增加新的工序，有效保证了生产效率和成本。此外，通过使得所述金属电极朝向栅极线一侧延伸至与所述栅极线位置相接或重叠，可以有效遮挡住栅极线与像素电极之间区域，从而可以有效减少漏光，提高对比度。

附图说明

图1为本实用新型实施例一提供的一种像素结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例一提供的一种像素结构的平面示意图；

图3为本实用新型实施例一提供的一种金属电极的布置示意图；

图4为本实用新型实施例二提供的一种金属电极的布置示意图；

图5为本实用新型实施例三提供的一种金属电极的布置示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本实用新型实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

除非另外定义，本实用新型使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本实用新型中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本实用新型的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

实施例一

如图1-2所示，其表示了本实用新型提供的一种像素结构。该像素结构应用于TN型显示面板中，包括：基板1；栅电极2和公共电极3，形成于所述基板1上；第一绝缘层4，形成于所述栅电极2、基板1和公共电极3上；有源层5，形成于所述第一绝缘层4上且对应栅电极2设置；源电极6和漏电极7，形成于所述有源层5上；金属电极8，与所述源电极6和漏电极7材质一致且设于同层，与所述公共电极3位置重叠形成存储电容；第二绝缘层9，形成于所述源电极6、漏电极7、金属电极8、第一绝缘层4上；像素电极10，形成于所述第二绝缘层9上并与所述漏电极7电性连接。具体地，所述像素电极10通过穿透第二绝缘层9的过孔与所述漏电极7电性连接，具体地，所述金属电极8与所述漏电极7相接，从而实现与像素电极10的电性连接。

这样，本实用新型提供的像素结构通过设置与源电极6和漏电极7材质一致且设于同层的金属电极8，由金属电极8与公共电极3之间形成存储电容，由于金属电极8与公共电极3之间仅设置第一绝缘层4一层绝缘层，其距离较短，从而能够有效增大存储电容，且不会影响到开口率；而且因距离较短，在保证一定存储电容的前提下，还可以有效减少金属电极8与公共电极3的布置面积，从而增大开口率；由于金属电极8与源电极6和漏电极7材质一致且设于同层，因此可以在形成源电极6和漏电极7在同一工序中形成金属电极8，无需增加新的工序，工艺简单，有效保证了生产效率和成本。

进一步地，如图3所示，本实用新型提供的像素结构还包括与所述栅电极2电性连接的栅极线11和与所述源电极6电性连接的数据线12。所述金属电极8朝向所述栅极线11一侧延伸至与所述栅极线11位置相接或重叠。这样，延伸了金属电极8之后，金属电极8可以有效遮挡住栅极线11与像素电极10之间区域，从而可以有效减少漏光，提高对比度。

实施例二

本实施例与前一实施例原理相同，结构类似，其区别仅在于，如图4所示，还包括设于所述像素电极10背向所述栅极线11一侧的相邻栅极线13。所述金属电极8朝向所述相邻栅极线13一侧延伸至与所述相邻栅极线13位置相接或重叠。这样，金属电极8延伸后可以有效遮挡住像素电极10与相邻栅极线13之间的间隔区域，从而可以有效减少漏光，进一步提高对比度。

实施例三

本实施例与以上实施例原理相同，结构类似，其区别仅在于，如图5所示，所述金属电极8三面围绕所述像素电极10设置，其开口朝向所述相邻栅极线13设置；这样相当于在在靠近相邻栅极线13一侧未设置金属电极8，从而可以有效增大开口率。

以上所述实施例仅表达了本实用新型的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本实用新型的保护范围之内。