液晶面板的制作方法

本发明涉及一种液晶面板。

背景技术：

当前，作为液晶显示装置的一个例子，已知有下述专利文献1记载的技术。在专利文献1中所记载的液晶显示装置中，在夹着液晶层而相对的两片基板之中的一个基板的相对面侧形成下述部分的构造：以矩阵状配置的源极配线及栅极配线；与所述源极配线和栅极配线的各交叉点对应而设置的开关元件；与所述开关元件连接的像素电极；以及与所述像素电极相对并沿着所述源极配线形成的共用电极，在该构造中，在所述一对基板之中的另一个基板上设置有电场控制电极，所述电场控制电极以覆盖所述源极配线的边缘部的方式配置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：

日本特开2001-91974号公报

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题

在上述专利文献1中记载的液晶显示装置，由于具有以覆盖源极配线的边缘部的方式配置的电场控制电极，因此利用电场控制电极，在源极配线与相邻的共用电极或者像素电极之间的间隙部会产生垂直电场。由此液晶分子立起，间隙部成为黑色状态而不会漏光，对比度提高。

这样，专利文献1以由产生自源极配线的边缘的无用的电场引起的漏光为课题，但例如，如果呈长条状的像素电极与在短边方向上相邻的像素电极成为接近的配置，则在相邻的像素电极中的沿着长边方向的端部之间会产生强电场，由该电场引起而在液晶层中所包含的液晶分子的取向状态会发生错乱，有可能会进行与原本不同的灰度显示。

本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于，优化灰度显示。

解决问题的手段

(1)本发明的一个实施方式是一种液晶面板，其具有：第一基板，其具有多个像素电极和以相对于多个所述像素电极重叠的方式配置的共用电极，其中，多个所述像素电极呈长条状并至少沿所述像素电极自身的短边方向排列；第二基板，其是与所述第一基板相对配置的第二基板，且具有对置电极，该对置电极被配置为，沿所述像素电极的长边方向延伸，并且与在所述短边方向上相邻的所述像素电极之间的间隔相比为宽的宽度，至少分别相对于在所述短边方向上相邻的所述像素电极中的、所述短边方向上的端部选择性地重叠；以及液晶层，其介于所述第一基板与所述第二基板之间。

(2)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)的结构的基础上，所述共用电极，以至少跨过在所述短边方向上相邻的所述像素电极之间的方式，至少沿所述短边方向延伸。

(3)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)或者上述(2)的结构的基础上，所述第二基板具有彩色滤光片，其被配置为，呈不同颜色的彩色滤光片沿所述短边方向排列多个，并且与多个所述像素电极重叠。

(4)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(3)中的任1个结构的基础上，所述第二基板具有遮光部，其被配置为，至少一部分与所述对置电极重叠，而与在所述短边方向上相邻的所述像素电极不重叠。

(5)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(3)中的任1个结构的基础上，所述第二基板具有遮光部，其至少一部分与所述对置电极重叠，与在所述短边方向上相邻的所述像素电极中的所述短边方向上的端部重叠，所述遮光部与所述像素电极的重叠范围，比所述对置电极与所述像素电极之间的重叠范围更广。

(6)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(5)中的任1个结构的基础上，所述像素电极与所述共用电极相比，配置于所述液晶层的附近。

(7)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(5)中的任1个结构的基础上，所述共用电极与所述像素电极相比，配置于所述液晶层的附近。

(8)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(7)的结构的基础上，所述共用电极中开口形成有沿所述长边方向延伸的狭缝，所述对置电极被配置为，所述短边方向上的端部与所述狭缝重叠。

(9)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(7)中的任1个结构的基础上，所述像素电极中开口形成有沿所述长边方向延伸的狭缝。

(10)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(9)的结构的基础上，所述像素电极在所述短边方向上隔着间隔而形成多个所述狭缝，并且具有以与所述狭缝交互地排列的方式配置的至少3个分割电极，所述对置电极被配置为，与在所述短边方向上的端部配置的所述分割电极重叠，但与在所述短边方向上的中央侧配置的所述分割电极不重叠。

(11)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(10)的结构的基础上，所述像素电极形成为，在所述短边方向上的端部配置的所述分割电极，与在所述短边方向上的中央侧配置的所述分割电极相比为宽的宽度。

(12)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(11)中的任1个结构的基础上，所述第二基板具有低电阻取向膜，其被配置为相对于所述对置电极而与所述液晶层侧重合，并且至少沿着所述短边方向延伸。

(13)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(12)中的任1个结构的基础上，所述对置电极与所述共用电极设为同电位。

(14)另外，本发明的某个实施方式的液晶面板，在上述(1)至上述(13)中的任1个结构的基础上，所述液晶层由介电常数异方性为负的液晶材料构成。

发明效果

根据本发明，可以优化灰度显示。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式涉及的液晶面板等的俯视图。

图2是液晶面板的剖视图。

图3是表示液晶面板的显示区域中的像素排列的俯视图。

图4是液晶面板中的图3的a-a线剖视图。

图5是液晶面板中的图3的b-b线剖视图。

图6是表示对向像素电极施加的电压值与像素电极的光透射率之间的关系进行表示的曲线的图。

图7是将本发明的第二实施方式涉及的液晶面板的显示区域中的像素沿x轴方向剖切而成的剖视图。

图8是将本发明的第三实施方式涉及的液晶面板的显示区域中的像素沿x轴方向剖切而成的剖视图。

图9是将本发明的第四实施方式涉及的液晶面板的显示区域中的像素沿x轴方向剖切而成的剖视图。

图10是将本发明的第五实施方式涉及的液晶面板的显示区域中的像素沿x轴方向剖切而成的剖视图。

图11是将本发明的第六实施方式涉及的液晶面板的显示区域中的像素沿x轴方向剖切而成的剖视图。

图12是表示本发明的其它实施方式(1)涉及的液晶面板的显示区域中的像素排列的俯视图。

具体实施方式

＜第一实施方式＞

利用图1至图6对本发明的第一实施方式进行说明。在本实施方式中，针对液晶面板10进行例示。该液晶面板10利用来自于未图示的背照灯装置(照明装置)的光而对图像进行显示。此外，在各附图的一部分中示出x轴、y轴及z轴，以各轴方向成为在各附图中示出的方向的方式描绘。另外，将图4及图5的上侧设为正面侧，将下侧设为背面侧。

如图1所示，液晶面板10作为整体例如为纵长的方形形状。液晶面板10安装有对液晶面板10进行驱动的驱动器(面板驱动部、驱动电路部)11、以及一端侧与液晶面板10连接的柔性基板12。驱动器11及柔性基板12相对于液晶面板10经由acf(anisotropicconductivefilm)而安装。在柔性基板12中的与液晶面板10侧相反一侧的端部，连接从外部供给各种输入信号的信号供给源即控制电路基板(未图示)。

如图1所示，液晶面板10中，中央侧被设为可显示图像的显示区域(有效区域)aa，与之相对，外周端侧被设为以包围显示区域aa的方式俯视观察时呈框状(边框状)而不显示图像的非显示区域(无效区域)naa。在本实施方式中，液晶面板10中的短边方向与各附图的x轴方向一致，长边方向与各附图的y轴方向一致，并且板厚方向与z轴方向一致。此外，在图1中，点划线表示显示区域aa的外形，与该点划线相比为外侧的区域成为非显示区域naa。另外，在液晶面板10的非显示区域naa设置栅极电路部13。栅极电路部13呈沿y轴方向延伸的带状，以从x轴方向上的两侧隔着显示区域aa的方式配置一对。栅极电路部13相对于显示区域aa的配线(具体地说为后述的栅极配线16)供给扫描信号。栅极电路部13在后述的阵列基板10a上单片地设置，具有将扫描信号在规定的定时输出的电路、用于将扫描信号放大的缓存器电路等。

如图2所示，液晶面板10至少具有：一对基板10a、10b；液晶层10c，其介于两个基板10a、10b间，包含有液晶分子，该液晶分子是伴随电场施加而光学特性变化的物质；密封部10d，其以包围液晶层10c的方式介于一对基板10a、10b之间，将液晶层10c密封。构成液晶面板10的一对基板10a、10b之中，将反面侧(背面侧)设为阵列基板(第一基板、有源矩阵基板、tft基板)10a，将表面侧(正面侧)设为cf基板(第二基板、对置基板)10b。阵列基板10a及cf基板10b均是在透明的玻璃基板的内表面侧层叠形成各种膜而成的。在本实施方式中，液晶层10c由介电常数异方性为负的液晶材料、即负型的液晶材料构成。在负型的液晶材料中所包含的液晶分子，具有相对于在电场中存在的电力线而垂直地取向的特性。密封部10d例如由紫外线硬化性树脂材料等光硬化性树脂材料构成，成为沿着cf基板10b的外周端部延伸的大致框状(参照图1)。此外，在两个基板10a、10b的外表面侧分别贴合偏光板10e。

在阵列基板10a的显示区域aa中的内表面侧，如图3所示，作为开关元件的tft(薄膜晶体管)14及像素电极15以矩阵状(行列状)排列而设置。在tft14及像素电极15的周围，以环绕的方式配置呈方格状的栅极配线(扫描线)16及源极配线(数据线、信号线)17。栅极配线16沿x轴方向延伸，源极配线17沿y轴方向延伸。栅极配线16和源极配线17分别与tft14的栅极电极14a和源极电极14b连接，像素电极15与tft14的漏极电极14c连接。像素电极15被配置在由栅极配线16及源极配线17包围的区域，呈纵长(长条状)的方形。像素电极15的长边方向与各附图的y轴方向一致，像素电极15的短边方向与各附图的x轴方向一致。像素电极15与所连接的tft14一起，沿x轴方向及y轴方向一个一个地分别排列多个而配置。像素电极15中形成有沿自身的长边方向(y轴方向)延伸的多条(在图3中为2条)狭缝15a。因此，像素电极15由2条狭缝15a分割为3个分割电极15b，分割电极15b与狭缝15a沿x轴方向(像素电极15的短边方向)交互地排列。以下，构成像素电极15的3个分割电极15b之中，将位于x轴方向上的两端的2个设为端侧分割电极15b1，将位于x轴方向上的中央侧的1个设为中央侧分割电极15b2。在阵列基板10a的显示区域aa，以与像素电极15重叠的方式形成有大致整面状的共用电极18。共用电极18在阵列基板10a的板面内沿x轴方向及y轴方向延伸，具有遍及显示区域aa的大致整个区域的形成范围，以与在显示区域aa配置的全部像素电极15重叠的方式配置。即，具有本实施方式涉及的阵列基板10a的液晶面板10，动作模式设为ffs(fringefieldswitching)模式。如果在彼此重叠的像素电极15与共用电极18之间产生电位差，则在像素电极15中的狭缝15a的缘部与共用电极18之间主要产生水平电场，利用该水平电场而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态被控制，并且像素电极15的透光量被控制。

如图3及图4所示，tft14被设为如下配置：相对于成为连接对象的像素电极15在y轴方向上与图3所示的下侧相邻。构成tft14的栅极电极14a以从栅极配线16分支而沿y轴方向凸出的方式形成。构成tft14的源极电极14b，由源极配线17的一部分构成，与沟道区域14d的一端侧连接。构成tft14的漏极电极14c，相对于源极电极14b在x轴方向上隔着间隔而配置，其一端侧与沟道区域14d的另一端侧(与源极电极14b侧的相反侧)连接，另一端侧与像素电极15连接。构成tft14的沟道区域14d与栅极电极14a重叠，并且沿x轴方向延伸而其两端部分别与源极电极14b及漏极电极14c连接。并且，如果基于向栅极电极14a供给的扫描信号而tft14被驱动，则向源极配线17供给的图像信号(电荷)从源极电极14b经由沟道区域14d向漏极电极14c供给。其结果，像素电极15被充电为基于图像信号的电位。

与之相对，在cf基板10b的显示区域aa中的内表面侧，如图5所示，至少设置以与各像素电极15重叠的方式配置的3色的彩色滤光片19、对相邻的彩色滤光片19间进行分隔的遮光部(黑色矩阵)20、以及保护膜21。对于彩色滤光片19包含下述三色：红色彩色滤光片19r，其呈红色，并选择性地透射红色的波长区域(约600nm～约780nm)所属的红色光；蓝色彩色滤光片19b，其呈蓝色，并选择性地透射蓝色的波长区域(约420nm～约500nm)所属的蓝色光；以及绿色彩色滤光片19g，其呈绿色，并选择性地透射绿色的波长区域(约500nm～约570nm)所属的绿色光。彩色滤光片19设为将红色彩色滤光片19r、绿色彩色滤光片19g及蓝色彩色滤光片19b的组沿x轴方向重复并排的排列。彩色滤光片19成为俯视观察与阵列基板10a侧的各像素电极15重叠的配置，与各像素电极15一起构成像素px。像素px在液晶面板10的板面内，沿x轴方向及y轴方向一个一个地并排多个而配置。在像素px中包含：红色像素rpx，其包含红色彩色滤光片19r而呈红色；蓝色像素bpx，其包含蓝色彩色滤光片19b而呈蓝色；以及绿色像素gpx，其包含绿色彩色滤光片19g而呈绿色。由沿x轴方向连续地并排的1组红色像素rpx、蓝色像素bpx及绿色像素gpx构成1个显示像素，并且与各色的像素rpx、bpx、gpx的显示灰度对应而成为显示像素的彩色显示。

如图3及图5所示，遮光部20俯视观察时呈方格状，由沿y轴方向延伸的第一遮光部20a、以及沿x轴方向延伸的第二遮光部20b构成。此外，在图3中，作为遮光部20，其端缘由粗的双点划线图示。第一遮光部20a俯视观察与源极配线17重叠，对在x轴方向上相邻并且彼此呈不同颜色的彩色滤光片19(像素px)之间分隔而对在它们之间来往的光进行遮挡。即，利用第一遮光部20a，呈不同颜色的彩色滤光片19(像素px)之间的混色难以产生。第二遮光部20b俯视观察与栅极配线16重叠，对在y轴方向上相邻并且呈同色的彩色滤光片19(像素部px)之间分隔而对在它们之间来往的光进行遮挡。即，利用第二遮光部20b，抑制在呈同色的彩色滤光片19(像素px)上可能产生的灰度偏移。如图4所示，保护膜21在彩色滤光片19的内表面侧(上层侧)层叠形成，具有对cf基板10b的内表面进行平坦化的功能。另外，在两个基板10a、10b中的面向液晶层10c的内表面，分别形成有用于对在液晶层10c中所包含的液晶分子进行锚定的取向膜22、23。

另外，如图4及图5所示，在cf基板10b的外表面侧，设有用于实现防带电的导电层24。详细地说，本实施方式涉及的液晶面板10如前所述，动作模式被设为ffs模式，且成为如下结构：用于向液晶层10c施加电场的像素电极15及共用电极18一起被配置于阵列基板10a侧，而不被配置于cf基板10b侧。因此，cf基板10b与阵列基板10a相比，在cf基板10b的表面产生带电(充电)且电荷容易积累，并且因已积累的电荷的影响而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态会错乱，其结果，有可能会产生显示不良。因此，在cf基板10b的外表面侧层叠形成有导电层24，该导电层24经由规定的连接部件与接地电路电性连接。这样，由于可以使在cf基板10b的表面充电的电荷向接地电路逃逸，因此表面难以产生带电，在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态难以产生错乱，因此难以产生显示不良。导电层24由在cf基板10b的外表面中的大致整个区域以整面状形成的透明电极膜构成。构成导电层24的透明电极膜例如由ito等的透明电极材料构成。

下面，针对在阵列基板10a的内表面侧层叠形成的各种的膜，参照图4及图5进行说明。如图4及图5所示，阵列基板10a中从下层侧按顺序层叠形成有第一金属膜(栅极金属膜)25、栅极绝缘膜26、半导体膜27、第二金属膜(源极金属膜)28、第一层间绝缘膜29、平坦化膜30、第一透明电极膜31、第二层间绝缘膜32、第二透明电极膜33、以及取向膜22。

第一金属膜25设为将不同种类的金属材料层叠而成的层叠膜、或者由1个种类的金属材料构成的单层膜，如图4及图5所示，构成栅极配线16或tft14的栅极电极14a等。栅极绝缘膜26由sinx或sio2等无机绝缘材料(无机材料)构成。半导体膜27由作为材料而使用了例如氧化物半导体的薄膜构成，构成tft14的沟道区域14d等。第二金属膜28与第一金属膜25同样地，设为层叠膜或者单层膜，构成源极配线17或tft14的源极电极14b及漏极电极14c等。第一层间绝缘膜29与栅极绝缘膜26同样地由无机绝缘材料构成。平坦化膜30例如由pmma(丙烯树脂)等有机绝缘材料(有机材料)构成，其膜厚比由无机树脂材料构成的其它绝缘膜26、29、32大。利用该平坦化膜30而阵列基板10a的表面被平坦化。第一透明电极膜31与cf基板10b侧的导电层24同样地，例如由ito等透明电极材料构成，构成共用电极18。第二层间绝缘膜32与栅极绝缘膜26等同样地由无机绝缘材料构成。第二透明电极膜33与第一透明电极膜31同样地由透明电极材料构成，构成像素电极15。即，在本实施方式中，像素电极15与共用电极18相比配置于液晶层10c的附近。第一层间绝缘膜29、平坦化膜30及第二层间绝缘膜32中开口形成有用于将由第二透明电极膜33构成的像素电极15与由第二金属膜28构成的漏极电极14c连接的接触孔ch。接触孔ch配置在俯视观察时与像素电极15和漏极电极14c这两者重叠的位置。除了该接触孔ch以外，第一层间绝缘膜29、平坦化膜30及第二层间绝缘膜32，至少在显示区域aa的整个区域以整面状形成。

但是，本实施方式涉及的液晶面板10如前所述是ffs模式，与具有梳齿状的共用电极的ips(inplaneswitching)模式相比，各像素电极15的透光量变多。与其相反地，在ffs模式中，与ips模式相比，有时在x轴方向上相邻的像素电极15之间的间隔会变窄。详细地说，在ips模式中，由于成为在源极配线与像素电极之间隔着梳齿状的共用电极的一部分的配置，因此与用于配置共用电极的一部分的空间相应地，在x轴方向上相邻的像素电极之间的间隔变宽。在ffs模式中，如图3所示，由于在源极配线17与像素电极15之间不需要确保ips模式的这种空间，因此在x轴方向上相邻的像素电极15之间的间隔变窄。因此，在ffs模式中，与ips模式相比，在x轴方向上相邻的像素电极15被充电为彼此不同的电位时，存在在这些像素电极15之间产生更强的水平电场的倾向。这种水平电场，由于在像素电极15之中的x轴方向上的端部附近产生，因此由该水平电场引起而在相同端部附近存在的液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态会发生错乱，其结果，像素电极15构成的像素px的灰度显示可能会变得与原本不同。特别地，由于各像素电极15中的x轴方向上的端部，沿着像素电极15的长边方向延伸，因此与沿像素电极15的短边方向延伸的y轴方向上的端部相比，在x轴方向上相邻的像素电极15中的x轴方向上的端部之间，存在产生更强的水平电场的倾向。因此，由水平电场引起而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态容易产生错乱，像素px的灰度显示容易从原本偏移。并且，在x轴方向上相邻的像素电极15，由于构成彼此呈不同颜色的像素px，因此如果灰度显示产生偏移，则会产生非意图的混色。如果这样，则由构成1个显示像素的1组的红色像素rpx、蓝色像素bpx及绿色像素gpx进行的彩色显示，会成为与原本不同的色感。此外，像素电极15中开口形成有沿自身的长边方向延伸的狭缝15a，在像素电极15中的狭缝15a的缘部与共用电极18之间产生的水平电场，成为与在x轴方向上相邻的像素电极15之间产生的水平电场平行的关系。因此，如果在x轴方向上相邻的像素电极15之间产生水平电场，则由该水平电场引起而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态存在容易更错乱的倾向。

因此，在本实施方式涉及的cf基板10b的显示区域aa中的内表面侧，如图3及图5所示，为了使在x轴方向上相邻的像素电极15之间产生的水平电场减少而设置对置电极34。此外，在图3中，对置电极34，其端缘由细的双点划线图示，并且形成范围设为网点状而图示。对置电极34在保护膜21的上层侧且在取向膜23的下层侧层叠配置。对置电极34与阵列基板10a侧的像素电极15或共用电极18同样地，由ito等的透明电极膜构成。对置电极34被配置在cf基板10b中，成为在x轴方向及y轴方向上分别相邻的彩色滤光片19之间的位置，作为整体成为方格状。即，对置电极34被配置为，其大部分俯视观察与遮光部20重叠。对置电极34在阵列基板10a中，配置于在x轴方向及y轴方向上分别相邻的像素电极15之间的位置，俯视观察与栅极配线16及源极配线17重叠。

详细地说，对置电极34如图3所示，由沿y轴方向(像素电极15的长边方向)延伸的第一电极部34a、沿x轴方向(像素电极15的短边方向)延伸的第二电极部34b构成。第一电极部34a俯视观察与第一遮光部20a及源极配线17重叠，配置于在x轴方向上相邻并且彼此呈现不同颜色的像素px(像素电极15及彩色滤光片19)之间。第二电极部34b俯视观察与第二遮光部20b及栅极配线16重叠，配置于在y轴方向上相邻并且呈同色的像素部px(像素电极15及彩色滤光片19)之间。作为对置电极34，大部分配置于显示区域aa，但一部分向非显示区域naa侧延伸出，该延伸部分成为俯视观察与密封部10d(参照图1)重叠的配置。与之相对，阵列基板10a中设置与共用电极18连接而向共用电极18供给一定的基准电位的基准电位配线，并且设置有与基准电位配线连接的导电焊盘部(基准电位配线均未图示)。该导电焊盘部配置于俯视观察时与密封部10d及对置电极34的延伸部分重叠的位置，经由在密封部10d中所包含的导电性粒子(未图示)，相对于对置电极34的延伸部分而导通连接。由此，向对置电极34供给与共用电极18相同的基准电位。即，对置电极34总是保持与共用电极18同电位。此外，基准电位配线及导电焊盘部，由第一金属膜25及第二金属膜28之中的任1个或者两者构成。

并且，如图5所示，对置电极34之中的沿y轴方向延伸的第一电极部34a与在x轴方向上相邻的像素电极15之间的间隔相比为宽的宽度，且该第一电极部34a被配置为相对于在x轴方向上相邻的像素电极15中的x轴方向上的端部而分别选择性地重叠。即，对置电极34的第一电极部34a具有将在x轴方向上相邻的像素电极15之间跨过的形成宽度，其宽度方向(x轴方向)上的两端部分别与各像素电极15的端部重叠。第一电极部34a与在x轴方向上相邻的2个像素电极15的重叠范围(重叠宽度)彼此相等。这样，在x轴方向上相邻的像素电极15之中的与第一电极部34a重叠的x轴方向上的端部与第一电极部34a之间，垂直电场选择性地产生。伴随该垂直电场的产生，在x轴方向上相邻的像素电极15中的沿y轴方向的端部之间产生的强的水平电场有效地被降低。由此，在像素电极15中的x轴方向上的端部附近，在液晶层10c中所包含的液晶分子由上述水平电场引起而取向状态发生错乱的情况难以发生，在x轴方向上相邻的像素电极15中进行原本的灰度显示的可靠性变高。通过由在x轴方向上相邻的像素电极15构成而呈现彼此不同颜色的像素px进行的显示灰度被优化，从而由三色的各像素rpx、bpx、gpx构成的显示像素进行的彩色显示的色感变得适当，其结果，获得高的显示品质。

更详细地说，如图3及图5所示，构成对置电极34的第一电极部34a被配置为，与构成像素电极15的端侧分割电极15b1的一部分(端侧部分)重叠，但端侧分割电极15b1的剩余部分(中央侧部分)与中央侧分割电极15b2不重叠。由此，各像素电极15，由于并不是成为其整个区域与对置电极34重叠的配置，而是存在与对置电极34不重叠的部分(包含中央侧分割电极15b2在内)，因此对于在该部分与共用电极18之间产生的水平电场，避免由于在各像素电极15中的与对置电极34重叠的端侧分割电极15b1的一部分与第一电极部34a之间产生的垂直电场使而其减少。由此，由于容易利用向各像素电极15施加的电位对在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态进行控制，因此在实现低消耗电力化等方面优选。关于该作用及效果，使用图6具体地进行说明。在图6中，表示横轴取对像素电极15施加的电压值(单位为“v”)，纵轴取像素电极15(像素px)的光透射率(单位为“％”)的曲线。图6所示的虚线的曲线，表示在cf基板10b中的保护膜21的上层侧，遍及显示区域aa的整个区域而设置整面状的对置电极的情况(对比例1)，实线的曲线表示未设置对比例1的这种对置电极的情况(对比例2)。此外，对比例1、2除了上述整面状的对置电极的有无以外，是与本段落以前说明的ffs模式的液晶面板10同样的结构。设置有整面状的对置电极的对比例1，与未设置整面状的对置电极的对比例2相比，即使像素电极15的电压值相同，像素电极15的光透射率也变低。其理由推定为，在对比例1中，在像素电极15的整个区域，在整面状的对置电极之间产生垂直电场，利用该垂直电场减少在像素电极15与共用电极18之间产生的原本必要的水平电场，难以对在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态进行控制。作为对比例2，由于对比例1的这种整面状的对置电极不存在，因此在像素电极15与共用电极18之间产生的水平电场不会减少，容易对在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态进行控制，因此可以说存在像素电极15的光透射率变高的倾向。并且，本实施方式涉及的对置电极34，由于以与像素电极15之中的中央侧分割电极15b2等不重叠的方式配置，因此与对比例2同样地，在像素电极15中的与对置电极34的不重叠部分(包含中央侧分割电极15b2在内)和共用电极18之间产生的水平电场难以减少。由此，本实施方式与对比例1相比，即使像素电极15的电压值相同，像素电极15的光透射率也高。

除此之外，如图3及图5所示，构成对置电极34的第一电极部34a与构成遮光部20的第一遮光部20a相比为宽的宽度。即，第一遮光部20a与第一电极部34a相比为窄的宽度。除此以外，第一遮光部20a以与在x轴方向上相邻的像素电极15不重叠的方式配置。由此，在x轴方向上相邻的像素电极15的透射光难以由第一遮光部20a遮挡，因此实现开口率的提高。

另外，如图3及图5所示，构成对置电极34的第一电极部34a以与源极配线17重叠的方式配置。在阵列基板10a中，源极配线17由上层侧的共用电极18覆盖，但在该共用电极18中也有时会形成局部的开口，在该情况下，在源极配线17与对置电极34之间会产生垂直电场。由于利用该垂直电场可以使在源极配线17与像素电极15之间产生的水平电场减少，因此由源极配线17的电位引起而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态难以错乱。由此，像素电极15的灰度显示被优化。另外，如图3所示，构成对置电极34的第二电极部34b以与栅极配线16重叠的方式配置。在阵列基板10a上，栅极配线16由上层侧的共用电极18覆盖，但在该共用电极18上有时会形成局部的开口，在该情况下，在栅极配线16与对置电极34之间会产生垂直电场。由于利用该垂直电场，可以使在栅极配线16与像素电极15之间产生的水平电场减少，因此由栅极配线16的电位引起而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态难以错乱。由此，像素电极15的灰度显示被优化。此外，共用电极18的开口，有时是由设计者有意地形成，有时是违反设计者的意图而形成，但不管哪一个，通过使对置电极34与栅极配线16或源极配线17重叠配置，从而都可以抑制由从栅极配线16或源极配线17产生的电场引起的液晶分子的取向错乱。

如以上说明所述，本实施方式的液晶面板10具有：阵列基板(第一基板)10a，其具有呈长条状而至少沿自身的短边方向排列的多个像素电极15、和以相对于多个像素电极15而重叠的方式配置的共用电极18；cf基板10b，其与阵列基板10a相对配置，该cf基板(第二基板)10b具有对置电极34，该对置电极34被配置为，沿着像素电极15的长边方向延伸，并且与在短边方向上相邻的像素电极15之间的间隔相比为宽的宽度，至少分别相对于在短边方向上相邻的像素电极15中的短边方向上的端部选择性地重叠；以及液晶层10c，其介于阵列基板10a与cf基板10b之间。

这样，如果阵列基板10a中的多个像素电极15被充电，则在多个像素电极15与共用电极18之间会产生水平电场。基于该水平电场，在介于阵列基板10a和cf基板10b之间的液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态被控制，针对每个像素电极15而透光量被控制。与阵列基板10a相对配置的cf基板10b具有对置电极34。由于该对置电极34被配置为，与沿着像素电极15的长边方向延伸并且在短边方向上相邻的像素电极15之间的间隔相比为宽的宽度，至少分别相对于在短边方向上相邻的像素电极15中的短边方向上的端部选择性地重叠，因此在各像素电极15之中的与对置电极34重叠的短边方向上的端部与对置电极34之间，垂直电场选择性地产生。伴随该垂直电场的产生，在短边方向上相邻的像素电极15中的沿长边方向的端部之间可能产生的水平电场减少。特别地，由于像素电极15中的短边方向上的端部沿着长边方向延伸，因此与沿着短边方向延伸的长边方向上的端部相比，在彼此相邻的像素电极15中的短边方向上的端部之间，存在产生更强的水平电场的倾向。因此，利用通过相对于相邻的像素电极15中的短边方向上的端部使对置电极34重叠配置从而产生的垂直电场，可以使水平电场有效地降低。由此，由于在液晶层10c中所包含的液晶分子由上述水平电场引起而取向状态错乱的情况难以发生，因此在短边方向上相邻的像素电极15中进行原本的灰度显示的可靠性变高。另外，对置电极34至少分别相对于在短边方向上相邻的像素电极15中的短边方向上的端部选择性地重叠，并未成为相对于各像素电极15的整个区域而重叠的结构。即，由于在各像素电极15上存在与对置电极34不重叠的部分，因此对于在该部分与共用电极18之间产生的水平电场，可以避免利用在各像素电极15中的与对置电极34重叠的部分与对置电极34之间产生的垂直电场而使其减少。由此，利用向各像素电极15施加的电位而容易控制在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态，在实现低消耗电力化等方面优选。

另外，共用电极18以至少跨过在短边方向上相邻的像素电极15之间的方式，至少沿短边方向延伸。这样，由于成为所谓的ffs(fringefieldswitching)模式，因此与具备梳齿状的共用电极18的ips(inplaneswitching)模式相比，各像素电极15的透光量变多。与其相反地，在ffs模式中，与ips模式相比，有时在短边方向上相邻的像素电极15之间的间隔变窄，存在在这些像素电极15之间产生的水平电场变强的倾向。与之相对，通过对置电极34以至少与在短边方向上相邻的像素电极15中的短边方向上的端部分别重叠的方式配置，从而在这些像素电极15之间产生垂直电场，可以利用该垂直电场使在相邻的像素电极15之间产生的水平电场有效地减少。

另外，cf基板10b具有彩色滤光片19，其被配置为，呈不同颜色的彩色滤光片沿短边方向排列多个，并且与多个像素电极15重叠。这样，在阵列基板10a上沿短边方向排列的多个像素电极15、和在cf基板10b上沿短边方向排列的多个彩色滤光片19彼此重叠，与各像素电极15的电位对应而液晶层10c的透光量被控制的光，通过透射过各彩色滤光片19从而呈现彼此不同的颜色。在这里，如果在短边方向上相邻的像素电极15之间产生水平电场，在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态错乱，则由在短边方向上相邻的彩色滤光片19进行的灰度显示与原本不同，有时会产生非意图的混色。这一点，通过利用对置电极34实现在短边方向上相邻的像素电极15之间产生的水平电场的减少，从而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态错乱的情况难以产生，由在短边方向上相邻的彩色滤光片19进行的灰度显示被优化。由此，抑制非意图的混色显示的产生。

另外，cf基板10b具有遮光部20，其被配置为，至少一部分与对置电极34重叠，与在短边方向上相邻的像素电极15不重叠。这样，可以利用遮光部20将在短边方向上相邻的像素电极15之间来往的光遮挡。由于与在短边方向上相邻的像素电极15不重叠的遮光部20相比于与在短边方向上相邻的像素电极15重叠的对置电极34为窄的宽度，因此在实现开口率提高的方面优选。

另外，像素电极15与共用电极18相比配置于液晶层10c的附近。这样，与假设将共用电极与像素电极相比配置于液晶层10c的附近的情况相比，在短边方向上相邻的像素电极15之间产生水平电场的情况下，成为该水平电场对在液晶层10c中所包含的液晶分子施加更强的影响的倾向。这一点，通过利用对置电极34实现在短边方向上相邻的像素电极15之间产生的水平电场的减少，从而有效地抑制由水平电场引起的液晶分子的取向状态的错乱。

另外，在像素电极15上开口形成沿着长边方向延伸的狭缝15a。这样，利用在像素电极15中的狭缝15a的缘部和共用电极18之间产生的水平电场，在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态被控制。该狭缝15a由于沿着像素电极15的长边方向延伸，因此在像素电极15中的狭缝15a的缘部与共用电极18之间产生的水平电场、和在短边方向上相邻的像素电极15之间产生的水平电场成为彼此平行的关系。因此，如果在短边方向上相邻的像素电极15之间产生水平电场，则由该水平电场引起而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态存在更加容易产生错乱的倾向。这一点，通过利用对置电极34实现在短边方向上相邻的像素电极15之间产生的水平电场的减少，从而在液晶层10c中所包含的液晶分子的取向状态错乱的情况难以产生，在短边方向上相邻的像素电极15中进行原本的灰度显示的可靠性变高。

另外，像素电极15在短边方向上隔着间隔而形成多个狭缝15a，并且具有以与狭缝15a交互地排列的方式配置的至少3个分割电极15b，对置电极34被配置为，与在短边方向上的端部配置的分割电极15b即端侧分割电极15b1重叠，但与在短边方向上的中央侧配置的分割电极15b即中央侧分割电极15b2不重叠。这样，像素电极15之中配置于短边方向上的中央侧的中央侧分割电极15b2与对置电极34不重叠，因此对于在其中央侧分割电极15b2与共用电极18之间产生的水平电场，避免利用在像素电极15之中的短边方向上的端部配置而与对置电极34重叠的端侧分割电极15b1和对置电极34之间产生的垂直电场而使其减少。

另外，对置电极34设为与共用电极18同电位。这样，与假设向对置电极施加的电位与共用电极18的电位相比更接近像素电极15的电位的情况相比，对置电极34与像素电极15之间的电位差变大。由此，在对置电极34与像素电极15之间产生的垂直电场充分地强，可以适当地减少在短边方向上相邻的像素电极15之间产生的水平电场。

另外，液晶层10c由介电常数异方性为负的液晶材料构成。这样，在液晶层10c中所包含的液晶分子相对于在电场存在的电力线垂直地取向。因此，相对于在对置电极34与像素电极15之间产生的垂直电场所存在的电力线而垂直地取向的液晶分子水平地进行取向。由此，难以伴随对置电极34的设置而对在液晶层10c包含的液晶分子的取向状态产生恶劣影响。

＜第二实施方式＞

利用图7对本发明的第二实施方式进行说明。在该第二实施方式中，示出对像素电极115的结构进行了变更。此外，针对与上述第一实施方式同样的构造、作用及效果，重复的说明省略。

如图7所示，本实施方式涉及的像素电极115以端侧分割电极115b1与中央侧分割电极115b2相比宽的宽度的方式形成。其另一方面，针对构成对置电极134的第一电极部134a，设为上述第一实施方式相同的宽度尺寸。因此，虽然端侧分割电极115b1与第一电极部134a的重叠范围与上述第一实施方式相同，但与第一电极部134a的不重叠范围比上述第一实施方式更宽。这样，在液晶面板110的制造过程进行的两个基板110a、110b的贴合工序中，即使在两个基板110a、110b之间，在x轴方向上产生位置偏移，第一电极部134a相对于像素电极115在x轴方向上位置偏移的情况下，第一电极部134a相对于像素电极115重叠配置的可靠性也变高。换言之，端侧分割电极115b1与中央侧分割电极115b2相比成为宽的宽度，与此相应地，两个基板110a、110b在x轴方向上的位置偏移余地变大。

如以上说明所述，根据本实施方式，像素电极115形成为，在短边方向上的端部配置的分割电极115b即端侧分割电极115b1，与在短边方向上的中央侧配置的分割电极115b即中央侧分割电极115b2相比成为宽的宽度。在对阵列基板110a和cf基板110b进行相对配置时，会担心在两个基板110a、110b之间产生位置偏移。如果这种位置偏移产生，则在阵列基板110a所具有的像素电极115和cf基板110b所具有的对置电极134之间的位置关系也可能会变动。这一点，通过使在像素电极115之中的短边方向上的端部配置而与对置电极134重叠的端侧分割电极115b1，与在短边方向上的中央侧配置而与对置电极134不重叠的中央侧分割电极115b2相比为宽的宽度，从而即使在两个基板110a、110b在短边方向上位置偏移的情况下，对置电极134与在短边方向上的端部配置的端侧分割电极115b1重叠配置的可靠性也变高。换言之，在短边方向上的端部配置的端侧分割电极115b1与在中央侧配置的中央侧分割电极115b2相比成为宽的宽度，与此相应地，两个基板110a、110b在短边方向上的位置偏移余地变大。

＜第三实施方式＞

利用图8对本发明的第三实施方式进行说明。在该第三实施方式中，示出相对于上述第一实施方式变更了遮光部220的结构。此外，针对与上述第一实施方式同样的构造、作用及效果，重复的说明省略。

如图8所示，本实施方式涉及的遮光部220形成为，第一遮光部220a与像素电极215中的x轴方向上的端部重叠。详细地说，第一遮光部220a，其宽度尺寸与在x轴方向上相邻的像素电极215之间的间隔相比更宽。在此基础上，第一遮光部220a相对于构成对置电极234的第一电极部234a为宽的宽度。即，第一遮光部220a与第一电极部234a相比，相对于像素电极215的重叠范围更广。这样，假设在第一电极部234a中在x轴方向上的端部附近产生光的散乱的情况下，也可以利用与第一电极部234a相比为宽的宽度而与像素电极215的重叠范围广的第一遮光部220a对该光进行遮挡。由此，抑制由散乱光引起的对比度的下降。

如以上说明所述，根据本实施方式，cf基板210b具有至少一部分与对置电极234重叠而与在短边方向上相邻的像素电极215中的短边方向上的端部重叠的遮光部220，遮光部220与像素电极215的重叠范围，比对置电极234与像素电极215的重叠范围更广。这样，可以利用遮光部220对在短边方向上相邻的像素电极215之间来往的光进行遮挡。即使假设在对置电极234中的短边方向上的端部附近产生光的散乱的情况下，也可以利用与对置电极234相比与像素电极215的重叠范围更广的遮光部220对该光进行遮挡。由此，抑制由散乱光引起的对比度的降低。

＜第四实施方式＞

利用图9对本发明的第四实施方式进行说明。在该第四实施方式中，示出在上述第二实施方式的结构中组合了第三实施方式的结构。此外，针对上述第二、三实施方式同样的作用及效果，重复的说明省略。

如图9所示，本实施方式涉及的像素电极315形成为，端侧分割电极315b1与中央侧分割电极315b2相比为宽的宽度。与之相对，本实施方式涉及的遮光部320，第一遮光部320a与构成对置电极334的第一电极部334a相比为宽的宽度，第一遮光部320a相对于构成像素电极315的端侧分割电极315b1的重叠范围，与第一电极部334a相对于端侧分割电极315b1的重叠范围相比更广。

＜第五实施方式＞

利用图10对本发明的第五实施方式进行说明。在该第五实施方式中，示出与上述第三实施方式相比变更了取向膜。此外，针对与上述第三实施方式同样的构造、作用及效果，重复的说明省略。

如图10所示，本实施方式涉及的cf基板410b设为如下结构：在面向液晶层410c的内表面设置有低电阻取向膜35。低电阻取向膜35与在上述第一实施方式中记载的取向膜22、23相比，比电阻值(体积电阻率)更低，具体地说，例如为10¹⁰～10¹⁴ωcm程度。低电阻取向膜35例如可以由聚酰胺酸或将聚酰胺酸酯进行亚胺化后的物质形成。该低电阻取向膜35覆盖对置电极434及保护层421，并且至少遍及显示区域的整个区域而以整面状形成。利用这种结构的低电阻取向膜35，构成对置电极434的多个第一电极部434a之间或多个第二电极部之间分别电性连接。因此，即使在cf基板410b的表面产生带电的情况下，也可以将在cf基板410b的表面充电的电荷，利用低电阻取向膜35及对置电极434逃逸。由此，可以抑制与cf基板410b的带电相伴的显示不良的产生。在本实施方式中，伴随低电阻取向膜35的设置，在第一实施方式中在cf基板410b的外表面侧设置的导电层(参照图5)被去除。由此，由于在cf基板410b的制造时可以省略形成导电层的工序等，因此可以实现与cf基板410b相关的制造成本的降低。此外，关于阵列基板410a，也在面向液晶层410c的内表面形成与cf基板410b侧同样的低电阻取向膜37。在阵列基板410a侧和cf基板410b侧使低电阻取向膜35、37的材料通用，在实现制造成本的降低的方面优选。

如以上说明所述，根据本实施方式，cf基板410b具有低电阻取向膜35，其被配置为相对于对置电极434而在液晶层410c侧重合，并且至少沿短边方向延伸。通过使低电阻取向膜35与对置电极434重合并且至少沿短边方向延伸，从而可以抑制在cf基板410b的表面可能产生的带电(充电)。由于利用低电阻取向膜35来抑制带电，因此在cf基板410b中的与液晶层410c侧相反一侧的面不形成用于对应带电的导电层也没关系。

＜第六实施方式＞

利用图11对本发明的第六实施方式进行说明。在该第六实施方式中，示出与上述第一实施方式相比对像素电极515及共用电极518的结构进行了变更。此外，针对与上述第一实施方式同样的构造、作用及效果，重复的说明省略。

如图11所示，本实施方式涉及的像素电极515由第一透明电极膜531构成，与之相对，共用电极518由第二透明电极膜533构成。即，共用电极518与像素电极515相比配置于液晶层510c的附近。根据这种结构，与上述第一实施方式相比，在x轴方向上相邻的像素电极515之间产生水平电场的情况下，可以减轻该水平电场向在液晶层510c中所包含的液晶分子施加的影响。即，由于原本就是难以由在x轴方向上相邻的像素电极515之间产生的水平电场引起而产生液晶分子的取向状态的错乱的构造，因此可以利用对置电极534进一步使液晶分子的取向状态难以产生错乱。

详细地说，在像素电极515上未形成在上述第一实施方式中记载的这种狭缝(参照图5)。与之相对，在共用电极518上，开口形成沿y轴方向(像素电极515的长边方向)延伸的狭缝36。狭缝36在成为整面状的共用电极518之中的与各像素电极515重叠的部分(像素电极重叠部)每个多条(在本实施方式中例如为3条)地设置。如果像素电极515被充电，则在像素电极515与共用电极518中的狭缝36的缘部之间主要产生水平电场，利用该水平电场，在液晶层510c中所包含的液晶分子的取向状态被控制，并且像素电极515的透光量被控制。并且，对置电极534被配置为，x轴方向(像素电极515的短边方向)上的端部与狭缝36重叠。详细地说，构成对置电极534的第一电极部534a中的x轴方向上的各端部，成为相对于在共用电极518之中的与各像素电极515重叠的部分配置的各3条的狭缝36之中的位于x轴方向上的端部的各狭缝36而重叠的配置。这样，在第一电极部534a中的x轴方向上的端部与像素电极515之间，通过共用电极518的狭缝36而垂直电场良好地产生。利用该垂直电场，可以适当地减少在x轴方向上相邻的像素电极515之间产生的水平电场。

如以上说明所述，根据本实施方式，共用电极518与像素电极515相比配置于液晶层510c的附近。这样，与假设像素电极与共用电极相比配置于液晶层510c的附近的情况相比，在短边方向上相邻的像素电极515之间产生水平电场的情况下，可以减轻该水平电场对在液晶层510c中所包含的液晶分子施加的影响。即，由于原本就是难以由在短边方向上相邻的像素电极515之间产生的水平电场引起而产生液晶分子的取向状态的错乱的构造，因此可以利用对置电极534进一步使液晶分子的取向状态难以产生错乱。

另外，在共用电极518上开口形成沿着长边方向延伸的狭缝36，对置电极534被配置为，短边方向上的端部与狭缝36重叠。这样，利用在共用电极518中的狭缝36的缘部与像素电极515之间产生的水平电场，在液晶层510c中所包含的液晶分子的取向状态被控制。由于对置电极534被配置为，短边方向上的端部与共用电极518的狭缝36重叠，因此在对置电极534中的短边方向上的端部与像素电极515之间，通过共用电极518的狭缝36而垂直电场良好地产生。利用该垂直电场，可以适当地减少在短边方向上相邻的像素电极515之间产生的水平电场。

＜其它实施方式＞

本发明并不限定于由上述记载及附图说明的实施方式，例如如下所述的实施方式也包含在本发明的技术范围内。

(1)作为上述第一实施方式的变形例，如图12所示，源极配线17-1也可以非直线状地配线。作为该源极配线17-1，其大部分相对于y轴方向倾斜地延伸，并且以成为锯齿状的方式在中途重复地弯曲。在该情况下，关于像素电极15-1、狭缝15a-1及对置电极34-1的第一电极部34a-1，也优选设为沿着源极配线17-1而在y轴方向上的中途弯曲的平面形状。

(2)除了上述(1)中的图示以外，源极配线中的弯曲角度或弯曲频率(每1个像素电极的弯曲次数)等可以适当变更，与该变更对应地，也可以对像素电极或狭缝的平面形状进行变更。

(3)在上述(1)中，示出对置电极的第一电极部沿着像素电极的平面形状而成为锯齿状的情况，但也可以是即使成为锯齿状的像素电极，第一电极部也沿y轴方向以直线状延伸的结构。即，也可以是第一电极部相对于像素电极的重叠范围，与像素电极的长边方向上的位置对应而变化的结构。

(4)在上述各实施方式中，示出构成对置电极的第一电极部与构成像素电极的端侧分割电极的一部分重叠的情况，但也可以是第一电极部与端侧分割电极的整个区域重叠的结构。此外，也可以是第一电极部在端侧分割电极的整个区域的基础上与中央侧分割电极的一部分重叠，但与中央侧分割电极的剩余部分不重叠的结构。

(5)在上述各实施方式中，示出构成对置电极的第一电极部与在x轴方向上相邻的2个像素电极之间的重叠范围相等的情况，但它们的重叠范围也可以是不同的设定。即，第一电极部也可以以接近在x轴方向上相邻的2个像素电极之中的任一个的方式偏移。

(6)在上述各实施方式(除了第六实施方式)中，示出在像素电极上形成2条狭缝的情况，但在像素电极上形成的狭缝的条数也可以是1条或者3条以上。在该情况下，与狭缝的条数对应而构成像素电极的端侧分割电极及中央侧分割电极的数量等发生变化。

(7)在上述各实施方式中，示出构成对置电极的第一电极部、和构成遮光部的第一遮光部设为不同的宽度尺寸的情况，但这些宽度尺寸也可以相等。另外，关于第二电极部及第二遮光部中的宽度尺寸的大小关系，除了图示以外，也可以适当变更。

(8)在上述各实施方式中，示出像素电极中的短边方向上的端部的延伸方向和狭缝的延伸方向平行的情况，但它们的延伸方向也可以是交叉的关系。例如，也可以是狭缝的延伸方向与x轴方向(像素电极的短边方向)平行，或者与相对于x轴方向及y轴方向倾斜的方向平行。

(9)在上述各实施方式中，示出像素电极的长边方向与源极配线的延伸方向一致，像素电极的短边方向与栅极配线的延伸方向一致的结构，但也可以是像素电极的长边方向与栅极配线的延伸方向一致，像素电极的短边方向与源极配线的延伸方向一致的结构。在该情况下，采用呈不同颜色的彩色滤光片(像素部)的排列方向与像素电极的短边方向一致的结构，在确保1个显示像素的等方性的平面配置的方面优选。

(10)在上述各实施方式中，示出相对于相邻而构成呈现不同颜色的像素部的像素电极，构成对置电极的第一电极部与其重叠的结构，但也可以是相对于相邻而构成呈现同色的像素部的像素电极，第一电极部与其重叠的结构。

(11)在上述各实施方式中，示出对置电极由第一电极部及第二电极部构成的情况，但也可以从对置电极省略第二电极部，对置电极全部由第一电极部构成。

(12)在上述第五实施方式中，以在第三实施方式中记载的结构(第一遮光部与第一电极部相比为宽的宽度的结构)作为前提而进行图示，但当然也可以以在第一、二、四、六实施方式或上述(1)的任意一项中记载的结构为前提。

(13)作为上述第五实施方式的变形例，也可以将阵列基板侧的低电阻取向膜变更为与第一实施方式等同样的取向膜(高电阻取向膜)。

(14)在上述第六实施方式中，以在第一实施方式中记载的结构作为前提而进行图示，但当然也可以以在第二、三、四、五实施方式或上述(1)中任意一项记载的结构作为前提。

(15)在上述第六实施方式中，示出在与共用电极中的像素电极重叠的部分各形成3条狭缝的情况，但在共用电极中的与像素电极重叠的部分配置的狭缝的设置数量除了3条以外，也可以适当变更。

(16)在上述各实施方式中，示出彩色滤光片及像素部的颜色数量为3个的情况，但除此以外，具体的颜色数量可以适当变更。

(17)除了上述各实施方式以外，阵列基板所具有的各金属膜、各绝缘膜、各半导体膜、各透明电极膜等中使用的具体的材料等可以适当变更。另外，阵列基板中的绝缘膜的层叠数量等可以适当变更。

(18)在上述各实施方式中，示出了透射型的液晶面板，但也可以是反射型的液晶面板或半透射型的液晶面板。

(19)除了上述各实施方式以外，液晶面板的平面形状也可以是横长的长方形、正方形、圆形、半圆形、长圆形、椭圆形、梯形等。

附图标记说明

10、110…液晶面板，10a、110a…阵列基板(第一基板)，10b、110b、210b、410b…cf基板(第二基板)，10c、410c、510c…液晶层，15、15-1、115、215、315、515…像素电极，15a、15a-1…狭缝，15b、115b…分割电极，18、518…共用电极，19…彩色滤光片，20、220、320…遮光部，34、34-1、134、234、334、434、534…对置电极，35…低电阻取向膜，36…狭缝。