1.一种基于定向耦合的等离子体模式转换及复用器，包括聚合物波导层(1)，其特征在于：所述聚合物波导层(1)包括第一定向耦合波导(104)和第二定向耦合波导(108)，宽度均保持不变；第一定向耦合波导(104)与第二定向耦合波导(108)平行且保持一定间距，共同形成定向耦合区，该定向耦合区将第一定向耦合波导(104)中的基模转换成高阶模并耦合进第二定向耦合波导(108)，第二定向耦合波导(108)中的基模保持不变，最终基模和高阶模共同存在于第二定向耦合波导(108)中。
2.如权利要求1所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述间距为0.01～0.05μm。
3.如权利要求1所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述定向耦合区的长度为4～10μm。
4.如权利要求1所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述第一定向耦合波导(104)的宽度为300～900nm。
5.如权利要求1所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述第二定向耦合波导(108)的宽度为1000～1500nm。
6.如权利要求1所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述聚合物波导层(1)还包括第一输入耦合器(101)、第一输入波导(102)、第一弯曲波导(103)、第二弯曲波导(105)和第一输出波导(106)，第一输入耦合器(101)、第一输入波导(102)、第一弯曲波导(103)、第一定向耦合波导(104)、第二弯曲波导(105)和第一输出波导(106)顺次相连，且第一输入波导(102)、第一弯曲波导(103)、第一定向耦合波导(104)、第二弯曲波导(105)和第一输出波导(106)的宽度均相同。
7.如权利要求1所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述聚合物波导层(1)还包括第二输入耦合器(107)和第二输出波导(109)，第二输入耦合器(107)、第二定向耦合波导(108)、第二输出波导(109)顺次相连，且第二定向耦合波导(108)的宽度与第二输出波导(109)的宽度相同。
8.如权利要求1所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述等离子体模式转换及复用器还包括薄金层(2)和二氧化硅基底(3)，聚合物波导层(1)沉积在薄金层(2)上，薄金层(2)沉积在二氧化硅基底(3)上。
9.如权利要求8所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述聚合物波导层(1)的厚度为350～700nm，折射率为1.2～2。
10.如权利要求8所述的等离子体模式转换及复用器，其特征在于：所述薄金层(2)的厚度为50～200nm。