测量光刻设备中的图案形成装置的变形的设备和方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月5日提交的美国申请62/755,590的优先权，并且其全部内容通过引用并入本文。

本公开涉及一种用于测量物体的变形的设备和方法，该物体例如是光刻设备中的诸如掩模版的图案形成装置。

背景技术：

光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上(通常应用到所述衬底的目标部分上)的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ic)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述ic的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分、一个或多个管芯)上。典型地，经由成像将所述图案转移到在所述衬底上设置的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括：所谓步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。还可以通过将所述图案压印到所述衬底上，而将所述图案从所述图案形成装置转移到所述衬底上。

在光刻设备中，辐射束可以在掩模版中引起热效应(例如，热膨胀)。这些热效应可能是由于掩模版的非透射部分对辐射束的吸收，并且可能导致例如在基板上形成的图案中的对准误差和/或重叠误差。为了校正由于掩模版的热膨胀而引起的这些误差，当前的光刻设备可以依赖于校正系统，例如掩模版或晶片对准系统、放大率校正系统、用于膨胀预测的前馈系统、透镜校正系统或其组合。然而，随着朝着缩小装置尺寸的持续趋势，这些校正系统可能无法提供开发这些缩小装置所需的对准和/或覆盖精度的期望水平。

就用于膨胀预测的前馈系统而言，当前的光刻设备可以结合使用掩模版温度控制系统(加热和/或冷却系统)以实现对准和/或覆盖精度的更高水平。变形是使用热预测模型(tpm)和机械预测模型(mpm)估算的，这些模型输入到掩模版加热控制(rhc)中。但是，这种方法存在局限性。例如，至tpm的输入可以是掩模版在其“冷”状态(即在任何辐射诱发的加热之前的热学状态)下的掩模版的一次性掩模版温度传感器(rts)测量结果，并且并不表示曝光期间的掩模版温度状态。同样，掩模版可能具有彼此不同的属性，例如，与负性相反的正性，并且预测模型可能并非对所有种类的掩模版都是准确的。另外，夹具组件之间的刚度变化会使mpm的预测精度降低。解决这些局限性引起本文公开的主题。

技术实现要素：

以下给出了一个或多个实施例的简化概述，以便提供对实施例的基本理解。该概述不是所有预期实施例的详尽概述，并且无意于标识所有实施例的关键或重要元素，也不旨在描绘任何或所有实施例的范围。其唯一目的是以简化形式呈现一个或多个实施例的一些概念，作为稍后呈现的更详细描述的序言。

根据实施例的一个方面，一种气动传感器用于测量掩模版的变形。气动传感器可以是“空气计”类型的，其中沿掩模版的两侧(y轴)将喷嘴放置在掩模版边缘附近。来自传感器的掩模版变形测量结果可以被用作掩模版加热控制的输入。

下面参考附图详细描述本发明的其他特征和优点以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于在此描述的特定实施例。在此提出这样的实施例仅出于说明目的。基于本文所包含的教导，其他实施例对相关领域的技术人员将是显而易见的。

附图说明

结合在本文中并构成说明书一部分的附图示出了本发明，并且与说明书一起进一步用于解释本发明的原理并使相关领域的技术人员能够以制造和使用本发明。

图1描绘了根据本发明实施例的一个方面的光刻设备。

图2a是根据一个实施例的一个方面的包括掩模版感测系统的示例系统的侧视示意图。

图2b是根据实施例的一个方面的包括掩模版感测系统的示例系统的平面示意图。

图3是根据实施例的一方面的用于补偿掩模版变形的系统的功能框图。

通过结合附图在下面阐述的详细描述，本发明的特征和优点将变得更加明显，在附图中，相似的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元件。

具体实施方式

本说明书公开了结合了本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的实施例仅例示了本发明。本发明的范围不限于所公开的实施例。本发明由所附的权利要求书限定。

所描述的实施例以及说明书中对“一个实施例”，“实施例”，“示例实施例”等的引用指示了所描述的实施例可以包括特定的特征、结构、或特性，但是每个实施例可能不一定包括特定的特征结构、或特性。而且，这样的短语不一定指代相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定的特征、结构、或特性时，应理解的是，无论是否明确描述，在本领域技术人员的知识范围内可以结合其他实施例来实现这种特征、结构、或特性。

在下面的描述中以及在权利要求书中，可以使用术语“上”、“下”、“顶部”、“底部”、“垂直”、“水平”以及类似术语。这些术语旨在仅示出相对取向，而不是相对于重力的任何取向。类似地，诸如左、右、前、后等之类的术语仅旨在给出相对方向。

在更详细地描述实施例之前，提供可以在其中实现本发明的实施例的示例环境是有益的。图1示意性地描绘了光刻设备，该光刻设备包括：被配置为调节辐射束的照明系统(照明器)il；支撑结构(例如掩模台)mt，被配置以支撑图案形成装置(例如掩模)ma并与配置用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置ma的第一定位装置pm相连；衬底台(例如晶片台)wt，被配置以保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)w，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底w的第二定位装置pw相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)ps，被配置用于将由图案形成装置ma赋予辐射束b的图案投影到衬底w的目标部分c(例如包括一根或多根管芯)上。

所述照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。

支撑结构承受图案形成装置的重量。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其它条件的方式保持图案形成装置。支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术来保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。

这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。

图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列、以及可编程lcd面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。

本文所使用的术语“投影系统”应广义地解释为涵盖任何类型的投影系统，包括折射、反射、折反射、电磁和静电光学系统，或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液体或使用真空之类的其他因素所适合的。本文中术语“投影透镜”的任何使用可以被认为与更上位的术语“投影系统”同义。

如这里所描绘的，该设备是透射型的(例如，采用透射掩模)。可替代地，该设备可以是反射型的(例如，采用上述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射掩模)。

所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的掩模台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。

光刻设备也可以是以下类型的，其中衬底的至少一部分可以被具有相对高折射率的液体、例如水所覆盖，以填充投影系统和衬底之间的空间。浸没液体也可以被施加到光刻设备中的其它空间，例如被施加到掩模和投影系统之间。浸没技术可用于增加投影系统的数值孔径在本领域是公知的。此处所使用的术语“浸没”并不意味着诸如衬底等结构必须淹没在液体中，而仅仅意味着在曝光期间液体处于例如投影系统和衬底之间。

再次参照图1，所述照射器il接收从辐射源so发出的辐射束。该源和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统的帮助，将所述辐射从所述源so传到所述照射器il。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源so和所述照射器il、以及如果需要时设置的所述束传递系统bd一起称作辐射系统。

所述照射器il可以包括配置用于调整所述辐射束的角强度分布的调整装置ad。通常，可以对所述照射器的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和σ-内部)进行调整。此外，所述照射器il可以包括各种其它部件，例如积分器in和聚光器co。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均匀性和强度分布。

所述辐射束b入射到保持在支撑结构(例如，掩模台mt)上的所述图案形成装置(例如，掩模ma)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过掩模ma之后，所述辐射束b通过投影系统ps，所述投影系统ps将所述束聚焦到所述衬底w的目标部分c上。通过第二定位装置pw和位置传感器if(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台wt，例如以便将不同的目标部分c定位于所述辐射束b的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，所述第一定位装置pm和另一个位置传感器(在图1中未明确示出)可以被用于相对于所述辐射束b的路径精确地定位掩模ma。通常，可以通过形成所述第一定位装置pm的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现掩模台mt的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置pw的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台wt的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，所述掩模台mt可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用掩模对准标记m1、m2和衬底对准标记p1、p2来对准掩模ma和衬底w。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模ma上的情况下，所掩模对准标记可以位于这些管芯之间。

可以将所述设备用在至少一个步进模式或扫描模式中。在步进模式中，在将掩模台mt和衬底台wt保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分c上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台wt沿x和/或y方向移动，使得可以对不同目标部分c曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分c的尺寸。

在扫描模式中，在对掩模台mt和衬底台wt同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分c上(即，单一的动态曝光)。衬底台wt相对于掩模台mt的速度和方向可以通过所述投影系统ps的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。

在另一种模式中，将用于保持可编程图案形成装置的掩模台mt保持为基本静止，并且在对所述衬底台wt进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分c上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台wt的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。

光刻系统还优选地包括控制系统。通常，控制系统包括数字电子电路、计算机硬件、固件和软件中的一个或多个。控制系统还包括可以是只读存储器和/或随机存取存储器的存储器。适用于有形地体现计算机程序指令和数据的存储设备包括所有形式的非易失性存储器，例如包括半导体存储设备，诸如eprom、eeprom和闪存设备；诸如内部硬盘和可移动磁盘之类的磁盘；磁光盘；和cd-rom磁盘。

当热能被掩模版吸收时，热应力会发展，并且在掩模版中会出现热膨胀。由于典型掩模版的石英材料的导热系数较低，因此热梯度和应力会发展。这样的应力可能导致局部掩模版形变。掩模版通常被夹紧的事实可能导致额外的高阶形变。这种形变中的至少一些可以通过调整扫描透镜元件来校正。而且，可以将热量添加到掩模版的未遇到曝光的部分或具有低于掩模版其他部分的温度的部分。

然而，由于掩模版通常被夹紧的事实，热应力仍然可能发展。可以通过松开掩模版并让掩模版松弛来定期缓解这些压力。以这种方式消除应力后，可以根据需要将掩模版重新夹紧并重新对准。可替代地，可以在空间和时间上调节选择性加热装置，以使加热引起的变形的不可校正部分最小化。这可能导致基板中的温度分布不均匀，但未校正的掩模变形最小。

尽管采取了这些措施，仍然必需能够确定掩模版的变形并控制系统以补偿这些变形，以使它们不会导致任何生产误差。如所讨论的，可以使用馈入掩模版加热控制(rhc)的热预测模型(tpm)和机械预测模型(mpm)来估计该变形。温度传感器测量掩模版的温度。提供该测得的温度作为到tpm中的输入。tpm使用计算矩阵来预测由掩模版的热负荷引起的掩模版变形，其又被馈入mpm，以获得对掩模版加热校正的前馈控制。预测的热变形用于执行掩模版加热校正和/或控制补偿透镜致动器。mpm是掩模版的机械性能的近似，用于预测由掩模版的机械负载、例如夹子引起的掩模版的机械变形。通过控制光学系统以对掩模版中的所计算的变形进行光学校正来进行掩模版加热校正。就这一点而言，例如，参见2012年5月22日发布的题为“用于光刻设备中的非均匀掩模版加热的校正方法”的编号8,184,265的美国专利。

根据实施例的一方面，传感器测量掩模版的侧面的位置。通常，由于变形，侧面将不是笔直的，并且传感器和掩模版边缘的相对位移将发生几十纳米量级的变化。传感器和掩模版边缘之间位移的变化将导致背压的变化。测量背压的这种变化可以用于确定边缘位移的变化。用于使用喷嘴确定位置和测量背压的装置以被公开，例如，在2017年6月29日公开的标题为“高度测量仪”的编号wo2017/108336a1的国际公开中、例如在2006年4月4日发布的标题为“高分辨率气体压力表接近传感器”的编号7,021,120的美国专利号中、以及在2009年8月25日发布的标题为“使用喷嘴面对的表面粗糙度来增加气体压力表压力灵敏度”的编号7,578,168的美国专利中，上述文献的所有内容均为特此通过引用整体并入。

根据一个实施例的一个方面，如在图2a中所示，作为掩模台mt的一部分的卡盘100支撑图案形成装置110。膜120可以被插入在图案形成装置110和卡盘100之间。还示出了位于图案形成装置110的边缘的一侧的传感器130，和位于图案形成装置110的相对边缘侧附近的传感器140。传感器130和140是空气计类型的，其中使用箭头“a”指示的气流来检测在图案形成装置110与相应的传感器130和140之间的距离“d”。

图2b是图2a的布置的俯视图。可以看出，图案形成装置110在三个点100a、100b和100c处被支撑。传感器130具有一系列喷嘴132、134、136和138。传感器140具有一系列喷嘴142、144、146和148。尽管图2b示出了对于每个边缘使用四个喷嘴，但是对于本领域的普通技术人员显而易见的是，可以使用更多或更少的喷嘴。喷嘴将诸如空气的气体吹到图案形成装置110的边缘上。由传感器130和140测量在该处的流动所产生的背压，以确定边缘与传感器之间的距离。

在使用中，在更换掩模版期间将传感器移开。然后，在完成掩模版更换并且将掩模版装载到卡盘100上之后，将传感器130和140布置到其横向邻近图案形成装置110的任一侧的操作位置。在测量位置，当掩模版在曝光期间被加热时，传感器130和140可以连续确定边缘轮廓，即，图案形成装置边缘在y方向上与直线的偏离。然后，可以将传感器移开，以避免干扰更换下一个掩模版。

图3是说明用于使用由刚刚描述的布置产生的变形测量结果来校正图案形成装置中的横向变形的系统的图。该系统包括如上所述的变形测量系统200。指示在由变形测量系统执行的掩模版变形测量中获得的掩模版边缘位置的偏差大小的信号被提供给掩模版变形补偿单元210。掩模版变形补偿单元210然后使用该信号作为至少部分基础以控制光学系统中的透镜致动器220，从而允许对掩模版变形进行光学补偿。

变形测量系统200能够为掩模版变形补偿单元210提供足够的信息以控制透镜致动器220。因此，常规系统的组件，例如掩模版温度传感器、热预测模型和机械预测模型并不是必要的。但是，对于某些应用可能是有利的是，也可以选择使这些组件提供的预测可用。因此，也如在图3中所示，可选的常规掩模版变形预测单元230包括掩模版传感器温度传感器240，其输出被输入到热预测模型250。热预测模型250的输出被作为输入馈送到机械预测模型260。软件开关270选择哪个数据要输入到掩模版变形补偿单元210。

可以使用以下条款进一步描述实施例：

1.一种用于补偿光刻设备中的图案形成装置中的变形的系统，该系统包括：

用于图案形成装置的支撑件；

至少一个传感器，当图案形成装置被安装在支撑件上时，该传感器能横向邻近图案形成装置的边缘定位，该传感器被配置为生成指示传感器与边缘的部分之间的距离的输出信号；和

掩模版变形补偿单元，被布置为接收所述输出信号并且被配置为至少部分地基于所述输出信号来生成补偿控制信号。

2.根据条款1所述的系统，其中，所述传感器包括：至少一个用于在所述边缘的所述部分处排出气流的喷嘴以及测量单元，该测量单元测量由所述边缘的所述部分施加在所述气流上的背压的量。

3.根据条款1所述的系统，还包括至少两个传感器，第一传感器和第二传感器，当所述图案形成装置被安装在所述支撑件上时，所述第一传感器能横向邻近图案形成装置的第一边缘定位，当所述图案形成装置安装在所述支撑件上时，所述第二传感器能横向邻近图案形成装置的第二边缘定位，所述第一传感器被配置为生成指示所述第一传感器与所述第一边缘的部分之间的距离的输出信号，第二传感器被配置为生成指示第二传感器与第二边缘的部分之间的距离的输出信号。

4.根据条款1所述的系统，其中，所述第一传感器包括：至少一个用于在所述边缘的所述部分处排出气流的喷嘴以及测量单元，该测量单元测量由所述第一边缘的该部分施加在所述气流上的背压的量，并且所述第二传感器包括：至少一个用于在边缘的所述部分排出气流的喷嘴以及测量单元，该测量单元测量由所述第二边缘的该部分施加在气流上的背压的量。

5.根据条款1、2、3或4所述的系统，还包括光学系统，该光学系统包括至少一个光学元件，该光学元件具有至少部分地基于所述补偿控制信号能由致动器改变的光学特性。

6.根据条款1所述的系统，其中，所述至少一个传感器包括传感器元件的线性阵列，所述线性阵列被定位成邻近所述边缘并且在平行于所述边缘的方向上延伸。

7.根据条款5所述的系统，其中，传感器元件中的每个传感器元件包括：至少一个用于在边缘的相应部分处排出气流的喷嘴；以及测量单元，该测量单元测量由边缘的相应部分施加在气流上的背压的量。

8.根据条款6或7所述的系统，还包括光学系统，该光学系统包括至少一个光学元件，该光学元件具有至少部分地基于所述补偿控制信号能由致动器改变的光学特性。

9.一种用于补偿光刻设备中的图案形成装置中的变形的系统，该系统包括：

用于图案形成装置的支撑件；

第一传感器，当图案形成装置被安装在支撑件上时，第一传感器能横向邻近图案形成装置的第一边缘定位，并且第一传感器包括第一传感器元件的线性阵列，线性阵列被定位成邻近所述图案形成装置的所述第一边缘并且在平行于所述图案形成装置的所述第一边缘的方向上延伸，并且第一传感器被配置为生成指示第一传感器与第一边缘的部分之间的距离变形的第一输出信号；

第二传感器，当图案形成装置被安装在支撑件上时，第二传感器能横向邻近图案形成装置的第二边缘定位，并且第二传感器包括第二传感器元件的线性阵列，线性阵列被定位成邻近所述图案形成装置的所述第二边缘并且在平行于所述图案形成装置的所述第二边缘的方向上延伸，并且第二传感器被配置为生成指示第二传感器与第二边缘的部分之间的距离变形的第二输出信号；和

掩模版变形补偿单元，被布置为接收第一输出信号和第二输出信号，并且被配置为至少部分地基于第一输出信号和第二输出信号来生成补偿控制信号。

10.根据条款9所述的系统，其中，所述第一传感器元件中的每个第一传感器元件包括至少一个用于在所述第一边缘的相应部分处排出气体流的喷嘴以及第一测量单元，所述第一测量单元测量由所述第一边缘的相应部分施加在所述气流上的背压的量，并且第二传感器元件中的每个第二传感器元件包括至少一个用于在第二边缘的相应部分处排出气体流的喷嘴以及第二测量单元，所述第二测量单元测量由所述第二边缘的相应部分施加在气流上的背压的量。

11.根据条款9或10所述的系统，还包括光学系统，所述光学系统包括至少一个光学元件，所述光学元件具有至少部分地基于所述补偿控制信号能由致动器改变的光学特性。

12.一种补偿光刻设备中的图案形成装置中的变形的方法，该方法包括：

将图案形成装置放置在支撑件中；

使用至少一个能横向邻近图案形成装置的边缘定位的传感器，来测量图案形成装置的边缘部分的距离，以生成指示传感器与边缘的该部分之间的距离的输出信号；和

至少部分地基于输出信号来生成补偿控制信号。

13.根据条款12所述的方法，还包括在所述生成步骤之后的步骤：至少部分地基于所述补偿控制信号，来改变至少一个光学元件的光学特性。

14.根据条款12所述的方法，还包括在生成步骤之后的步骤：至少部分地基于补偿控制信号，使用致动器来改变至少一个光学元件的光学特性。

15.根据条款12、13或14所述的方法，其中，所述测量步骤包括：在所述边缘的所述部分处排出气流；以及测量单元，其测量由所述边缘的所述部分施加在所述气流上的背压的量。

尽管在本文中可以做出具体的参考，将所述光刻设备用于制造ic，但应当理解这里所述的光刻设备可以有其他的应用，例如，集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(lcd)、薄膜磁头等的制造。本领域技术人员应该理解的是，在这种替代应用的情况中，可以将其中使用的任意术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将此处公开的内容应用于这种和其它衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如以便产生多层ic，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。

尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，除了所描述的以外，还可以实践本发明。上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员将显而易见的是，在不脱离所附权利要求的范围的情况下，可以对所描述的本发明进行修改。

应当理解，具体实施方式部分旨在用于解释权利要求、而并非发明内容和摘要部分。发明内容部分和摘要部分可以阐述发明人所设想的本发明的一个或多个但不是全部示例性实施例，因此，无意于以任何方式限制本发明和所附权利要求。

上面已经借助于示出特定功能及其关系的实现的功能构造块来描述本发明。为了方便描述，在这里已经任意定义了这些功能构件的边界。只要适当执行指定的功能及其关系，就可以定义其他边界。

对特定实施例的前述描述将充分地揭示本发明的一般性质，以使得在不背离本发明的一般概念的情况下，其他人可以通过应用本领域技术内的知识而容易地修改和/或调整用于诸如特定实施例的各种应用，无需过度实验。因此，基于本文提出的启示和指导，这样的调整和修改旨在所公开的实施例的等同形式的含义和范围内。应当理解，本文的措词或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由技术人员根据启示和指导来解释。

本发明的广度和范围不应由任何上述示例性实施例限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来限定。