光罩的缺陷的修复方法、修复装置和光罩的修复系统与流程

1.本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种光罩的缺陷的修复方法、修复装置、计算机可读存储介质、处理器和光罩的修复系统。


背景技术：

2.常规解决掩模版的多余铬的缺陷的方式是采用激光修版机进行修补，对位于透明区的多余铬，激光修补机修补后会对修补区域的透光率造成影响。
3.在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。


技术实现要素：

4.本技术的主要目的在于提供一种光罩的缺陷的修复方法、修复装置、计算机可读存储介质、处理器和光罩的修复系统，以解决现有技术中激光修版机去除多余的铬缺陷会对修补区域的透光率造成影响的问题。
5.根据本发明实施例的一个方面，提供了一种光罩的缺陷的修复方法，包括：确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，所述缺陷信息包括所述缺陷的位置信息以及尺寸信息，所述缺陷为位于所述目标光罩的透明区的铬层；根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩。
6.可选地，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，包括：控制缺陷检查机台对所述目标光罩进行检查，以确定所述目标光罩是否包括所述缺陷；在确定所述目标光罩包括所述缺陷的情况下，获取所述缺陷信息。
7.可选地，根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩，包括：根据所述缺陷的所述尺寸信息，确定所述缺陷的最大宽度是否大于10μm；在确定所述最大宽度大于10μm的情况下，根据所述位置信息以及所述尺寸信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷。
8.可选地，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，包括：控制在所述目标光罩的表面设置光刻胶层，并对所述光刻胶层进行烘干处理；根据所述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进行曝光，得到预备光罩，所述光刻胶区域为所述光刻胶层的覆盖所述缺陷的部分；控制对所述预备光罩进行显影处理；控制刻蚀气体对显影处理后的所述预备光罩进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的所述光罩，且修复后的所述光罩的侧向角度小于5
°
，所述侧向角度为修复后的所述光罩的铬层的边缘线与预定方向的夹角，所述预定方向与所述光罩的厚度方向平行。
9.可选地，所述刻蚀气体包括氯气和氧气，所述氯气的体积分数和所述氧气的体积分数的比值在8～10之间。
10.可选地，根据所述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进
行曝光，包括：获取所述目标光罩的定位标记；根据所述定位标记和所述缺陷信息，控制所述电子束曝光机台对所述光刻胶区域进行对准；控制对准后的所述电子束曝光机台对所述光刻胶区域进行曝光。
11.根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种光罩的缺陷的修复装置，包括确定单元和控制单元，其中，所述确定单元用于确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，所述缺陷信息包括所述缺陷的位置信息以及尺寸信息，所述缺陷为位于所述目标光罩的透明区的铬层；所述控制单元用于根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩。
12.根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。
13.根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。
14.根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种光罩的修复系统，包括一个或多个处理器、存储器、显示装置以及一个或多个程序，其中，所述一个或多个程序被存储在所述存储器中，并且被配置为由所述一个或多个处理器执行，所述一个或多个程序包括用于执行任意一种所述的方法。
15.本技术的光罩的缺陷的修复方法，首先确定目标光罩上的缺陷的缺陷信息，所述缺陷为位于所述目标光罩的透明区的铬层；然后根据所述缺陷信息，控制对所述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除所述缺陷，得到修复后的光罩。本技术的所述方法，通过干法刻蚀去除所述目标光罩的透明区的铬层，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
附图说明
16.构成本技术的一部分的说明书附图用来提供对本技术的进一步理解，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：
17.图1示出了根据本技术的实施例的光罩的缺陷的修复方法生成的流程示意图；
18.图2示出了根据本技术的实施例的光罩的缺陷的修复装置的示意图。
具体实施方式
19.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
20.为了使本技术领域的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。
21.需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例。此外，术语“包括”和“具
有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
22.应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
23.正如背景技术中所说的，现有技术中激光修版机去除多余的铬缺陷会对修补区域的透光率造成影响，为了解决上述问题，本技术的一种典型的实施方式中，提供了一种光罩的缺陷的修复方法、修复装置、计算机可读存储介质、处理器和光罩的修复系统。
24.根据本技术的实施例，提供了一种光罩的缺陷的修复方法。
25.图1是根据本技术实施例的光罩的缺陷的修复方法的流程图。如图1所示，该方法包括以下步骤：
26.步骤s101，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，上述缺陷信息包括上述缺陷的位置信息以及尺寸信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；
27.步骤s102，根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。
28.上述的光罩的缺陷的修复方法，首先确定目标光罩上的缺陷的缺陷信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；然后根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。本技术的上述方法，无需使用激光去除缺陷，通过干法刻蚀去除上述目标光罩的透明区的铬层，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
29.根据本技术的一种具体的实施例，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，包括：控制缺陷检查机台对上述目标光罩进行检查，以确定上述目标光罩是否包括上述缺陷；在确定上述目标光罩包括上述缺陷的情况下，获取上述缺陷信息。上述方法，首先通过上述缺陷检查机台确定上述目标光罩是否包括上述缺陷，在包括上述缺陷的情况下，通过获取上述缺陷信息，为后续对缺陷进行修复提供了较为准确的数据支撑。
30.根据本技术的另一种具体的实施例，根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩，包括：根据上述缺陷的上述尺寸信息，确定上述缺陷的最大宽度是否大于10μm；在确定上述最大宽度大于10μm的情况下，根据上述位置信息以及上述尺寸信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷。上述方法，在对有缺陷的光罩进行修复前，对缺陷的最大宽度进行确定，以甄别出需要修复的缺陷，对于最大宽度小于等于10μm的上述缺陷无需进行修复，这样保证修复的效率较高，同时保证了修复光罩的人力物力消耗较小。
31.在实际的应用过程中，上述缺陷可能跨越上述目标光罩的多个透明区，上述缺陷可能与目标光罩的图形边缘接触，在此种情况下，为了保证修复的过程中不破坏上述目标光罩原有的图形，根据本技术的另一种具体的实施例，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，包括：控制在上述目标光罩的表面设置光刻胶层，并对上述光刻胶层进行烘干处理；根据上
述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进行曝光，得到预备光罩，上述光刻胶区域为上述光刻胶层的覆盖上述缺陷的部分；控制对上述预备光罩进行显影处理；控制刻蚀气体对显影处理后的上述预备光罩进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的上述光罩，且修复后的上述光罩的侧向角度小于5
°
，上述侧向角度为修复后的上述光罩的铬层的边缘线与预定方向的夹角，上述预定方向与上述光罩的厚度方向平行。上述方法，通过对上述光刻胶区域进行高精度曝光，通过管控修复后的上述光罩的铬层的边缘线与预定方向的夹角小于5
°
，保证了修复缺陷的过程中不会对目标光罩上原有的图形轮廓造成影响，进一步地保证了修复的效果较好。
32.本技术的再一种具体的实施例中，上述刻蚀气体包括氯气和氧气，上述氯气的体积分数和上述氧气的体积分数的比值在8～10之间。这样进一步地保证了不会对目标光罩上原有的图形轮廓产生影响，进一步地避免了对目标光罩造成二次损伤。
33.在实际的应用过程中，上述光刻胶的厚度可以根据实际工艺进行确定，一种具体的实施例中，上述光刻胶层的厚度为294nm～306nm。
34.本技术的另一种具体的实施例中，上述烘干处理的温度可以为150℃，上述烘干处理的时间可以为20分钟。当然，本领域技术人员可以根据实际情况进行灵活的调整，以确定较佳的烘干条件。
35.根据本技术的又一种具体的实施例，根据上述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进行曝光，包括：获取上述目标光罩的定位标记；根据上述定位标记和上述缺陷信息，控制上述电子束曝光机台对上述光刻胶区域进行对准；控制对准后的上述电子束曝光机台对上述光刻胶区域进行曝光。这样可以保证上述电子束曝光机台较为精确地对准上述光刻胶区域，进一步地保证了对上述缺陷的修复效果较好。
36.一种具体的实施例中，上述电子束曝光机台的对准精度为毫米级别，这样进一步地保证了对上述光刻胶区域的对准精度较高。
37.需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
38.本技术实施例还提供了一种光罩的缺陷的修复装置，需要说明的是，本技术实施例的光罩的缺陷的修复装置可以用于执行本技术实施例所提供的用于光罩的缺陷的修复方法。以下对本技术实施例提供的光罩的缺陷的修复装置进行介绍。
39.图2是根据本技术实施例的光罩的缺陷的修复装置的示意图。如图2所示，该装置包括确定单元10和控制单元20，其中，上述确定单元用于确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，上述缺陷信息包括上述缺陷的位置信息以及尺寸信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；上述控制单元用于根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。
40.上述的光罩的缺陷的修复装置，通过上述确定单元确定目标光罩上的缺陷的缺陷信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；通过上述控制单元，根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。本技术的上述装置，无需使用激光去除缺陷，通过干法刻蚀去除上述目标光罩的透明区的铬层，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不
会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
41.根据本技术的一种具体的实施例，上述确定单元包括第一控制模块和获取模块，其中，上述第一控制模块用于控制缺陷检查机台对上述目标光罩进行检查，以确定上述目标光罩是否包括上述缺陷；上述获取模块用于在确定上述目标光罩包括上述缺陷的情况下，获取上述缺陷信息。上述装置，首先通过上述缺陷检查机台确定上述目标光罩是否包括上述缺陷，在包括上述缺陷的情况下，通过获取上述缺陷信息，为后续对缺陷进行修复提供了较为准确的数据支撑。
42.根据本技术的另一种具体的实施例，上述控制单元包括确定模块和第六控制模块，其中，上述确定模块用于根据上述缺陷的上述尺寸信息，确定上述缺陷的最大宽度是否大于10μm；上述第六控制模块用于在确定上述最大宽度大于10μm的情况下，根据上述位置信息以及上述尺寸信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷。上述装置，在对有缺陷的光罩进行修复前，对缺陷的最大宽度进行确定，以甄别出需要修复的缺陷，对于最大宽度小于等于10μm的上述缺陷无需进行修复，这样保证修复的效率较高，同时保证了修复光罩的人力物力消耗较小。
43.在实际的应用过程中，上述缺陷可能跨越上述目标光罩的多个透明区，上述缺陷可能与目标光罩的图形边缘接触，在此种情况下，为了保证修复的过程中不破坏上述目标光罩原有的图形，根据本技术的另一种具体的实施例，上述控制单元包括第二控制模块、第三控制模块、第四控制模块和第五控制模块，其中，上述第二控制模块用于控制在上述目标光罩的表面设置光刻胶层，并对上述光刻胶层进行烘干处理；上述第三控制模块用于根据上述缺陷信息，控制电子束曝光机台对烘干处理后的光刻胶区域进行曝光，得到预备光罩，上述光刻胶区域为上述光刻胶层的覆盖上述缺陷的部分；上述第四控制模块用于控制对上述预备光罩进行显影处理；上述第五控制模块用于控制刻蚀气体对显影处理后的上述预备光罩进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的上述光罩，且修复后的上述光罩的侧向角度小于5
°
，上述侧向角度为修复后的上述光罩的铬层的边缘线与预定方向的夹角，上述预定方向与上述光罩的厚度方向平行。上述装置，通过对上述光刻胶区域进行高精度曝光，通过管控修复后的上述光罩的铬层的边缘线与预定方向的夹角小于5
°
，保证了修复缺陷的过程中不会对目标光罩上原有的图形轮廓造成影响，进一步地保证了修复的效果较好。
44.本技术的再一种具体的实施例中，上述刻蚀气体包括氯气和氧气，上述氯气的体积分数和上述氧气的体积分数的比值在8～10之间。这样进一步地保证了不会对目标光罩上原有的图形轮廓产生影响，进一步地避免了对目标光罩造成二次损伤。
45.在实际的应用过程中，上述光刻胶的厚度可以根据实际工艺进行确定，一种具体的实施例中，上述光刻胶层的厚度为294nm～306nm。
46.本技术的另一种具体的实施例中，上述烘干处理的温度可以为150℃，上述烘干处理的时间可以为20分钟。当然，本领域技术人员可以根据实际情况进行灵活的调整，以确定较佳的烘干条件。
47.根据本技术的又一种具体的实施例，上述第三控制模块包括获取子模块、第一控制子模块和第二控制子模块，其中，上述获取子模块用于获取上述目标光罩的定位标记；上述第一控制子模块用于根据上述定位标记和上述缺陷信息，控制上述电子束曝光机台对上
述光刻胶区域进行对准；上述第二控制子模块用于控制对准后的上述电子束曝光机台对上述光刻胶区域进行曝光。这样可以保证上述电子束曝光机台较为精确地对准上述光刻胶区域，进一步地保证了对上述缺陷的修复效果较好。
48.一种具体的实施例中，上述电子束曝光机台的对准精度为毫米级别，这样进一步地保证了对上述光刻胶区域的对准精度较高。
49.上述光罩的缺陷的修复装置包括处理器和存储器，上述确定单元和上述控制单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。
50.处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决现有技术中激光修版机去除多余的铬缺陷会对修补区域的透光率造成影响的问题。
51.存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(ram)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(rom)或闪存(flash ram)，存储器包括至少一个存储芯片。
52.本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述光罩的缺陷的修复方法。
53.本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述光罩的缺陷的修复方法。
54.本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：
55.步骤s101，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，上述缺陷信息包括上述缺陷的位置信息以及尺寸信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；
56.步骤s102，根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。
57.本文中的设备可以是服务器、pc、pad、手机等。
58.本技术还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：
59.步骤s101，确定目标光罩的缺陷的缺陷信息，上述缺陷信息包括上述缺陷的位置信息以及尺寸信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；
60.步骤s102，根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。
61.在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
62.根据本技术的又一种典型的实施例，还提供了一种光罩的修复系统，上述修复系统包括一个或多个处理器、存储器、显示装置以及一个或多个程序，其中，上述一个或多个程序被存储在上述存储器中，并且被配置为由上述一个或多个处理器执行，上述一个或多个程序包括用于执行任意一种上述的方法。
63.本技术的光罩的修复系统，包括一个或多个处理器、存储器、显示装置以及一个或多个程序，上述一个或多个程序包括用于执行任意一种上述的方法。上述光罩的修复系统，
无需使用激光去除缺陷，通过干法刻蚀去除上述目标光罩的透明区的铬层，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
64.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
65.上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
66.另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
67.上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个计算机可读存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
68.从以上的描述中，可以看出，本技术上述的实施例实现了如下技术效果：
69.1)、本技术的光罩的缺陷的修复方法，首先确定目标光罩上的缺陷的缺陷信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；然后根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。本技术的上述方法，无需使用激光去除缺陷，通过干法刻蚀去除上述目标光罩的透明区的铬层，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
70.2)、本技术的光罩的缺陷的修复装置，通过上述确定单元确定目标光罩上的缺陷的缺陷信息，上述缺陷为位于上述目标光罩的透明区的铬层；通过上述控制单元，根据上述缺陷信息，控制对上述缺陷进行干法刻蚀处理，以去除上述缺陷，得到修复后的光罩。本技术的上述装置，无需使用激光去除缺陷，通过干法刻蚀去除上述目标光罩的透明区的铬层，避免了现有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
71.3)、本技术的膜版的修复系统，包括一个或多个处理器、存储器、显示装置以及一个或多个程序，上述一个或多个程序包括用于执行任意一种上述的方法。上述光罩的修复系统，无需使用激光去除缺陷，通过干法刻蚀去除上述目标光罩的透明区的铬层，避免了现
有技术中，采用激光修版机去除多余的铬缺陷对修补区域的透光率造成影响的问题，不会对光罩造成二次损伤，保证了修复效果较好。
72.以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。