一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构与流程

1.本发明属于半导体设计和制造领域，具体涉及一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构。


背景技术：

2.随着集成电路生产工艺技术节点不断推进，集成电路的设计变得越来越复杂。现今应用于集成电路生产的主流光刻工艺，其光波波长一直维持在193nm。在曝光机台波长不更新的情形下，曝光图形尺寸的却不断缩小，进而会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形，一般称之为光刻缺陷热点图形。对于光刻缺陷热点图形的处理方法包括在流片前优化原始的版图设计，以及对检查出的光刻工艺热点进行特殊工艺处理。
3.光刻缺陷热点图形，一般是指版图中具有某种几何特征以及特征尺寸在某个范围内的容易引起光刻缺陷的图形或者图形组合；在实际的制造生产中，因不同制造厂商处理方式不同，光刻缺陷热点图形不一定都会实际引起光刻缺陷，也就是对于不同制造厂商来说，实际导致光刻缺陷发生的光刻缺陷热点图形可能是不同的。对提前在大量的版图数据中快速准确地定位出光刻缺陷热点图形，对制造厂商进行设计生产等的指导具有重大的实际意义。不能有效便捷的识别出所述热点图形，这对于光刻工艺及设计的进一步完善是很不利的。


技术实现要素：

4.本发明是基于上述现有技术的全部或部分问题而进行的，本技术以下叙述中涉及的名词以及相关技术原理所有解释或定义仅是进行示例性而非限定性说明。
5.本发明一方面提供的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：步骤s1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层；步骤s2.预设宽度范围，设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；将线宽在所述宽度范围内的图形识别为初始多边形，并将初始多边形中沿着图形走向的轮廓边识别为初始边；步骤s3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区；步骤s4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边；步骤s5.将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out；所述plg_out为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。
6.一个实施情况里，所述步骤s3中“相邻图形之间的间距”是指所述初始多边形与其相邻图形之间的间距。
7.一个实施情况里，第一间隔区和/或第二间隔区是多边形，多边形可以是矩形，也可以是一个能切割成若干个矩形的多边形区域。
8.所述待识别层是多晶硅层、金属层或有源区层中的一层或多层。
9.在版图的待识别层中，所有图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形
走向边。
10.所述目标图形plg_out沿着图形走向的轮廓边都识别为edge_out，用于作为识别出的目标图形的信息提供。
11.本发明另一方面提供的一种光刻缺陷热点图形结构，通过本发明的一种光刻缺陷热点图形的识别方法识别得到，包括：图层及图层上的光刻缺陷热点图形。
12.所述图层包括多晶硅层、金属层和有源区层中的一层或多层。
13.所述光刻缺陷热点图形为多边形图形，并设为plg_out；设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；所述plg_out的线宽满足预设的宽度范围，且该plg_out中沿着图形走向的两侧轮廓边，与相邻图形的间距分别满足：plg_out与一侧相邻图形之间的间距在预设的第一间距范围内，plg_out与另一侧相邻图形之间的间距在预设的第二间距范围内。
14.所述多边形图形和/或相邻图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形走向边。
15.本发明具有如下有益效果：(1)根据本发明的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，通过预设范围能快速的识别出初始边、第一边和第二边，进而直观准确的识别出目标图形为光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁，效率高。(2)根据本发明所涉及的一种光刻缺陷热点图形结构，通过本发明的识别方法得到，有利于在生产中辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。
附图说明
16.图1是本发明的实施例一中光刻缺陷热点图形结构示意图。
17.图2是本发明的实施例一中光刻缺陷热点图形的识别方法的示意图。
18.图3是本发明的实施例一中的初始边的示意图。
19.图4是本发明的实施例三中的第一间距范围及第二间距范围的示意图。
20.图5是本发明的实施例三中的第一间隔区及第二间隔区的示意图。
21.图6是本发明的实施例三中的第一边与第二边的示意图。
22.图7是本发明的实施例三中的目标图形的示意图。
具体实施方式
23.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解。
24.下面将参照附图更详细地描述本发明公开的实施例。虽然附图中显示了本发明公开的某些实施例，然而应当理解的是，本发明公开可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本公开。应当理解的是，本发明公开的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本发明公开的保护范围。在下述实施例中采用特定次序描绘了实施例的操作，这些次序的描述是为了更好的理解实施例中的细节以全面了解本发明，但这些次序的描述并不一定与本发明的方法一一对应，也不能以此限定本发明的范围。
25.需要说明的是，附图中的流程图和框图，图示了按照本发明实施例的方法可能实现的操作过程。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以并不同
于附图中所标注的顺序发生。例如，两个接连地表示的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以穿插的执行，这依所涉及的步骤要实现的目的而定。此外框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或操作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与人工操作结合来实现。本发明为了便于叙述清楚而采用的一些常用的英文名词或字母只是用于示例性指代而非限定性解释或特定用法，不应以其可能的中文翻译或具体字母来限定本发明的保护范围。
26.实施例一为了便于说明以下叙述中结合附图以图形走向为第一方向y，垂直于图形走向的方向为第二方向x。需要指出的是，实际情况中本发明涉及的图形走向是随着图形在改变的，对于同一个图形沿着其走向，可能一会其沿着水平方向延伸，一会其沿着垂直方向延伸，第一方向y和第二方向x只是为了配合附图进行示意，实际并不是固定不变的，不能因此限定本发明的图形的走向。如图1所示，多边形m在第二方向x上的图形宽度为线宽lw；分别与多边形图形m在在第二方向x上的两侧轮廓边间隔预设的间距s1和间距s2设置有相邻的其它图形n。
27.本实施例中如图2所示，并结合参考图3，光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：步骤s1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层。步骤s2.预设宽度范围，将线宽lw符合所述宽度范围的多边形识别为初始多边形，记为fit_width_p，并将其沿第一方向y上的轮廓边识别为初始边，记为fit_width_e；步骤s3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区；步骤s4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边；步骤s5.将所述初始多边形fit_width_p上满足一侧轮廓边为第一边并且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out；所述plg_out为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。图1仅仅作为一个示例，多边形m可以是版图中任一图形，本实施例的光刻缺陷热点图形的识别方法中，所述步骤s2与步骤s3可以基本并行地执行，有时也可以穿插的执行。步骤s3中对所有相邻图形之间的间隔区域进行判断识别，进而识别出所有第一、第二间隔区。步骤s4基于步骤s2和步骤s3中得到的结果进一步识别。
28.所述待识别层是多晶硅层、金属层或有源区层的任意一层。目标图形plg_out沿着图形走向的边都识别为edge_out，用于作为识别出的目标图形的信息提供。同时还识别edge_out是所述初始多边形fit_width_p在第二方向x上哪一侧的轮廓边，避免单侧条件重复输入时的误报。
29.实施例二本实施例与实施例一的区别主要在于，步骤s2先于步骤s3执行，先通过步骤s2识别出初始多边形，记为fit_width_p，并将其沿第一方向y上的轮廓边识别为初始边，记为fit_width_e；然后执行步骤s3。所述步骤s3中相邻图形之间的间距，是指初始多边形fit_width_p与其相邻图形之间的间距，将s1或s2符合第一间距范围的相邻其它图形与初始多边形之间的区域识别为第一间隔区；s1或s2符合第二间距范围的相邻其它图形与初始多边形之间的区域识别为第二间隔区。即步骤s3只针对与已识别的初始多边形fit_width_p相邻的图形进行，而非版图中所有图形。
30.实施例三结合参考图4至图7，实施例三在实施例一的基础上，将第一间距范围记为leftspace、第二间距范围记为rightspace，两者不相同。本实施例中间隔的s1或s2符合第一间距范围leftspace的相邻的其它图形与初始多边形fit_width_p之间的区域识别为第一间隔区，记为fit_ls；s1或s2符合第二间距范围rightspace的相邻其它图形与初始多边形之间的区域识别为第二间隔区，记为fit_rs。将所述fit_width_e中与所述fit_ls接触的线段识别为第一边fit_width_e_ls，将所述fit_width_e中与所述fit_rs接触的线段识别为第二边fit_width_e_rs。将所述fit_width_p中，符合一侧边属于fit_width_e_rs且另一侧边属于fit_width_e_ls的多边形区域识别为plg_out。本实施例中edge_out，用于作为识别出的目标图形的信息提供。附图中以plg_out是矩形为例，但不能因此而限定本发明plg_out可能的形状。fit_ls及fit_rs是矩形也可能包括多个矩形区域第一间隔区和第二间隔区可能的区域形状并不能以附图的示例限定。
31.需要指出的是，以上列举的仅是本发明的具体实施例。显然，本发明不限于以上实施例，还可以有很多变形。本领域的普通技术人员能从本发明公开的内容中直接导出或联想到的所有变形，均应认为是本发明的保护范围。
32.上述实施方式为本发明的优选案例，并不用来限制本发明的保护范围。为明确说明起见，许多实施上的细节在以上叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实施中的细节不应用以限制本发明。
33.实施例述及的一些做法之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。