1.二硫化钼增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底，其特征在于，该基底为层状结构，自下而上依次为硅层、二氧化硅(sio2)层、三角形单层mos2层和agnw层，三角形状mos2层是通过化学气相沉积法直接在生长在sio2衬底上，agnw层是利用旋涂法将agnws均匀的旋涂在mos2/sio2衬底上的。
2.根据权利要求1所述的二硫化钼增强银纳米线表面等离子体激元传输长度的基底，其特征在于，所述三角形状mos2为单层mos2纳米片，边长为32.11μm。所述agnw层为单根纳米线，纳米线直径为590nm，长度为15μm。
3.mos2增强agnw表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，包含以下步骤：
(1)大尺寸直径银纳米线的制备：在10ml乙二醇中加入0.1665g聚乙烯吡咯烷酮和20μl浓度为0.1mmol/l的fecl3乙二醇溶液，搅拌至混合均匀，将混合后的溶液逐滴滴加到10ml浓度为0.1mol/lagno3的乙二醇溶液中，搅拌至溶液呈乳白色。随后将混合后的溶液倒入硝酸处理过的高压釜内胆中，在170℃下反应2.5h后冷却，便到所需要的银纳米线原液；
(2)三角形状二硫化钼纳米片的制备：使用化学气相沉积法(cvd)利用双温区管式炉使纯度为99.99％的三氧化钼和纯度为99.5％的硫粉在高温状态下反应，在二氧化硅(sio2)衬底上生长三角形状单层二硫化钼(ml-mos2)；
(3)测试样品的制备：将步骤(1)中生成的银纳米线用无水乙醇洗涤并稀释到合适的浓度，使用旋涂法将银纳米线均匀的分散在步骤(2)制备好的二硫化钼纳米片上；
(4)使用光纤锥激发银纳米线表面等离子体激元：使用实验室拉制的光纤锥移动(移动光纤锥)单根agnw相对于mos2/sio2衬底于不同的位置并利用光纤锥激发(激发光纤锥)agnw的spps，包括agnw全部位于sio2衬底或mos2/sio2复合物上、agnw一部分位于sio2衬底一部分位于mos2/sio2复合物上。
4.根据权利要求3所述的mos2增强agnw表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤(3)中取1ml原液和5ml无水乙醇放入离心管中摇匀，并以4000r/s进行5分钟离心，然后倒掉上层溶液加5ml无水乙醇再次摇匀离心，再次倒掉上层溶液加入5ml无水乙醇摇匀，使用移液枪将10μl溶液利用旋涂法使其均匀的分散在mos2/sio2复合物上。
5.根据权利要求3所述的mos2增强agnw表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述光纤锥是单模光纤在熔融状态下利用机械法拉制而成，形态良好，无散光现象，锥尖直径为500nm。
6.根据权利要求3所述的mos2增强agnw表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述agnw相对不同衬底的状态是利用三维纳米平移台夹住移动光纤锥缓慢移动同一根agnw形成的。
7.根据权利要求3所述的mos2增强agnw表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述agnw相对不同衬底spps的激发是利用三维纳米平移台夹住激发光纤锥使锥尖缓慢接触同一根agnw，并且光纤锥与agnw所成的角度均相同。
8.根据权利要求3所述的mos2增强agnw表面等离子体激元传输长度的基底的制备方法，其特征在于，步骤(4)中所述激光光纤锥激发agnwspps使用的是671nm波长的激光。