像素结构、阵列基板以及液晶显示面板的制作方法

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、阵列基板以及液晶显示面板。

背景技术：

垂直串扰为液晶显示面板显示垂直画面时，产生亮度异常和色偏的现象，其中引起亮度异常的主要原因是像素电极与数据线的耦合电容过大，使像素电极电位受到数据信号的影响从而产生亮度变化。而引起色偏的主要原因是各个颜色的子像素的耦合电容不一致，例如，当g像素的耦合电容较大时，会产生部分区域偏绿和部分区域偏红的现象。

随着面板的分辨率越来越高，像素尺寸越来越小，液晶显示面板容易因工艺偏差造成像素电极发生偏移，导致数据线与左右两侧的像素电极的耦合差异不断增大，从而加剧各个颜色的子像素的耦合电容的不一致性，导致垂直串扰色偏的现象愈发突出，影响画面显示效果以及产品良率。

技术实现要素：

本实用新型实施例提供一种像素结构、阵列基板以及液晶显示面板，以解决现有的液晶显示面板容易因工艺偏差造成像素电极发生偏移，导致数据线与左右两侧的像素电极的耦合差异不断增大，导致出现垂直串扰色偏技术问题。

为解决上述问题，本实用新型提供的技术方案如下：

本实用新型提供一种像素结构，包括基板以及设于所述基板上的多条栅极线和多条数据线，多条所述栅极线和多条所述数据线界定出多个像素单元；

每一所述像素单元包括像素电极与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一所述电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，所述第一电容补偿部与邻近的第一数据线部分重叠，所述第二电容补偿部与邻近的第二数据线部分重叠；

所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减；或者，所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递减，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积沿所述像素电极的偏移方向递增。

根据本实用新型提供的像素结构，所述第一电容补偿部的横截面面积沿所述第一数据线朝向所述第二数据线的方向递减，所述第二电容补偿部的横截面面积沿所述第一数据线朝向所述第二数据线的方向递增。

根据本实用新型提供的像素结构，所述第一电容补偿部和所述第二电容补偿部在所述基板上的正投影的形状为梯形或三角形。

根据本实用新型提供的像素结构，当所述像素电极无偏移时，所述第一电容补偿部与所述第一数据线的重叠面积为a，所述第二电容补偿部与所述第二数据线的重叠面积为b；其中，a=b。

根据本实用新型提供的像素结构，每一电容补偿单元还包括用于连接所述第一电容补偿部、所述第二电容补偿部与所述像素电极的连接部；所述像素结构包括用于连接所述像素电极和薄膜晶体管的过孔，所述连接部经过所述过孔。

根据本实用新型提供的像素结构，所述像素结构包括设于所述像素电极上下两侧的第一黑矩阵区，所述栅极线和所述电容补偿单元位于所述第一黑矩阵区。

根据本实用新型提供的像素结构，所述像素结构还包括设于所述像素电极左右两侧的第二黑矩阵区，所述数据线和所述电容补偿单元位于所述第二黑矩阵区。

根据本实用新型提供的像素结构，同一所述像素单元的所述第一电容补偿部和所述第二电容补偿部呈对角线设置，多个所述像素单元的多个所述第一电容补偿部水平设置，多个所述像素单元的多个所述第二电容补偿部水平设置。

本实用新型提供一种阵列基板，包括上述像素结构；以及

驱动电路，设置于所述基板上，所述驱动电路与所述像素结构相连。

本实用新型提供一种液晶显示面板，包括上述阵列基板；

彩膜基板，与所述阵列基板相对设置；以及

液晶层，设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。

本实用新型的有益效果为：本实用新型提供的像素结构、阵列基板以及液晶显示面板，每一所述像素单元包括像素电极以及与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，第一电容补偿部与邻近的第一数据线部分重叠，第二电容补偿部与邻近的第二数据线部分重叠；第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减；或者，第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增。本实用新型增设的电容补偿单元可有效补偿像素电极由于工艺制程因素出现偏移时造成左右两侧的耦合电容差异，改善了液晶显示面板垂直串扰色偏现象，有利于提升液晶显示面板的生产良率以及显示效果。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的一种像素结构的俯视结构示意图；

图2为图1中的像素结构的像素电极向右偏移时的俯视结构示意图；

图3为图1中的像素结构的像素电极向左偏移时的俯视结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的另一种像素结构的俯视结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的另一种像素结构的俯视结构示意图。

附图标记说明：

10、像素结构；11、基板；12、栅极线；13、数据线；131、第一数据线；132、第二数据线；14、像素单元；15、像素电极；151、过孔；16、电容补偿单元；161、第一电容补偿部；162、第二电容补偿部；163、连接部；17、第一黑矩阵区；18、第二黑矩阵区。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。在本实用新型中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

请参阅图1，图1为本实用新型实施例提供的一种像素结构的俯视结构示意图。本实用新型实施例提供的像素结构10，包括基板11以及设于所述基板11上的多条栅极线12和多条数据线13，多条所述栅极线12和多条所述数据线13界定出多个像素单元14。

每一所述像素单元14包括像素电极15以及与所述像素电极15相连的至少一电容补偿单元16，每一所述电容补偿单元16包括第一电容补偿部161和第二电容补偿部162，所述第一电容补偿部161与邻近的所述第一数据线131部分重叠，所述第二电容补偿部162与邻近的第二数据线132部分重叠。所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递增，所述第二电容补偿部162与所述第二数据线132的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递减；或者，所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递减，所述第二电容补偿部162与所述第二数据线132的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递增。通过利用所述电容补偿单元16和所述数据线13之间的交叠电容，与因所述像素电极15偏移而产生的耦合电容差值相匹配，从而补偿由所述像素电极15偏移带来的耦合电容差异，从而可以有效改善垂直串扰色偏缺陷，有利于提升应用该像素结构10的液晶显示面板的生产良率以及显示效果。

具体地，所述电容补偿单元16与所述像素电极15同层设置，且可采用相同材料、采用同一工艺制程制备而成。

在本实用新型实施例中，所述第一数据线131和所述第二数据线132分别位于所述像素电极15的左右两侧，需要说明的是，所述像素电极15的偏移方向可以向左，也可以向右。其中，所述像素电极15的偏移方向向左即所述像素电极15向靠近所述第一数据线131的方向偏移，所述像素电极15的偏移方向向右即所述像素电极15向靠近所述第二数据线132的方向偏移。

为了便于理解，下面对所述像素电极15沿以上两种偏移方向偏移时，本实用新型实施例中的所述电容补偿单元16有效补偿所述像素电极15因工艺制程因素出现偏移时造成左右两侧的耦合电容差异，改善垂直串扰色偏的原理进行简单说明。

需要说明的是，每一所述像素单元14内可以设有多个电容补偿单元16，为了方便描述，本实用新型实施例以每一所述像素单元14内设有一个所述电容补偿单元16为例进行阐述说明。

请继续参阅图1，所述第一电容补偿部161与所述第二电容补偿部162对称设置，当所述像素电极15无偏移时，所述像素电极15与所述第一数据线131之间的距离d1和所述像素电极15与所述第二数据线132之间的距离d2相等，则所述像素电极15与所述第一数据线131之间的耦合电容cpd1和所述像素电极15与所述第二数据线132之间的耦合电容cpd2相等。此时，所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的重叠面积为a，所述第二电容补偿部162与所述第二数据线132的重叠面积为b；其中，a=b。

请参阅图2，图2为图1中的像素结构的像素电极向右偏移时的俯视结构示意图。所述像素电极15向右偏移时，则所述像素电极15与所述第一数据线131及所述第二数据线132之间的距离发生变化，一个距离增大，一个距离减小，此时，所述像素电极15与所述第一数据线131之间的耦合电容cpd1和所述像素电极15与所述第二数据线132之间的耦合电容cpd2产生差异。具体为，所述像素电极15与所述第一数据线131之间的距离d1增大，导致所述像素电极15与所述第一数据线131之间的耦合电容cpd1减小；所述像素电极15与所述第二数据线132之间的距离d2减小，导致所述像素电极15与所述第二数据线132之间的耦合电容cpd2增大。

由于所述像素电极15和所述电容补偿单元16相连，所述像素电极15向右偏移会带动所述电容补偿单元16向右偏移。此时，所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递增，使得所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的交叠电容增大，从而可以补偿由于所述像素电极15与所述第一数据线131之间的距离增大而引起的耦合电容cpd1减小变化量。与此同时，所述第二电容补偿部162与所述第二数据线132的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递减，使得所述第二电容补偿部162与所述第二数据线132的交叠电容减小，从而可以补偿由于所述像素电极15与所述第二数据线132之间的距离减小而引起的耦合电容cpd2增大变化量。

同理，请参阅图3，图3为图1中的像素结构的像素电极向左偏移时的俯视结构示意图。当所述像素电极15向左偏移时，则所述像素电极15与所述第一数据线131及所述第二数据线132之间的距离发生变化，一个距离增大，一个距离减小，此时，所述像素电极15与所述第一数据线131之间的耦合电容cpd1和所述像素电极15与所述第二数据线132之间的耦合电容cpd2产生差异。具体为，所述像素电极15与所述第一数据线131之间的距离d1减小，导致所述像素电极15与所述第一数据线131之间的耦合电容cpd1增大；所述像素电极15与所述第二数据线132之间的距离d2增大，导致所述像素电极15与所述第二数据线132之间的耦合电容cpd2减小。

由于所述像素电极15和所述电容补偿单元16相连，所述像素电极15向左偏移会带动所述电容补偿单元16向左偏移。此时，所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递减，使得所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131的交叠电容减小，从而可以补偿由于所述像素电极15与所述第一数据线131之间的距离增大而引起的耦合电容cpd1增大变化量。与此同时，所述第二电容补偿部162与所述第二数据线132的重叠面积沿所述像素电极15的偏移方向递增，使得所述第二电容补偿部162与所述第二数据线132的交叠电容增大，从而可以补偿由于所述像素电极15与所述第二数据线132之间的距离减小而引起的耦合电容cpd2减小变化量。

在本实用新型实施例中，所述第一电容补偿部161的横截面面积沿所述第一数据线131朝向所述第二数据线132的方向递减，所述第二电容补偿部162的横截面面积沿所述第一数据线131朝向所述第二数据线132的方向递增。

具体地，所述第一电容补偿部161和所述第二电容补偿部162在所述基板11上的正投影的形状为梯形或三角形，所述梯形可以为直角梯形或等腰梯形，所述三角形可以为直角三角形或等边三角形。

一般地，可根据实际制程偏移量调整所述第一电容补偿部161和所述第二电容补偿部162的尺寸，例如，当实际制程偏移量为2um时，需保证所述第一电容补偿部161的左右边界超出所述第一数据线131边缘的尺寸大于2um，所述第二电容补偿部162的左右边界超出所述第二数据线132边缘的尺寸大于2um，以确保对左右两侧的耦合电容差异进行有效补偿。

具体地，在实际制程中，可通过模拟最大偏移量下右两侧的耦合电容变化量来进行所述第一电容补偿部161和所述第二电容补偿部162的设计，例如，所述像素电极15往右偏移2um，则所述像素电极15与所述第一数据线131之间的耦合电容减小为δc1，所述第一电容补偿部161与所述第一数据线131之间的交叠电容增大为δc2，可通过调整所述第一电容补偿部161的斜边斜率使得δc2向δc1靠拢并最终等于δc1。所述像素电极15往左偏移亦同理，在此不再详述。

进一步地，每一电容补偿单元16还包括用于连接所述第一电容补偿部161、所述第二电容补偿部162与所述像素电极15的连接部163。所述第一电容补偿部161和所述第二电容补偿部162可分别通过一个所述连接部163与所述像素电极15连接，所述第一电容补偿部161和所述第二电容补偿部162也可先通过一个所述连接部163相邻，再通过所述连接部163与所述像素电极15连接。

为了在不影响像素光效的同时有效改善垂直串扰缺陷，本实用新型实施例将所述电容补偿单元16与所述像素结构10的黑矩阵区对应设置。

一种实施方式中，请参阅图1~图3，所述像素结构10包括设于所述像素电极15上下两侧的第一黑矩阵区17，所述栅极线12和所述电容补偿单元16位于所述第一黑矩阵区17。也就是说，所述电容补偿单元16位于所述像素电极15的上下两侧，此区域较为宽阔，所述电容补偿单元16的长度可以设置较大。所述像素结构10包括用于连接所述像素电极15和薄膜晶体管（图中未示出）的过孔151，所述像素电极15通过设于所述第一黑矩阵区17的过孔151与薄膜晶体管连接，本实用新型实施例中的所述连接部163可经过所述过孔151与所述像素电极15连接。

一种实施方式中，请参阅图4，图4为本实用新型实施例提供的另一种像素结构的俯视结构示意图。所述像素结构10还包括设于所述像素电极15左右两侧的第二黑矩阵区18，所述数据线和所述电容补偿单元16位于所述第二黑矩阵区18。也就是说，所述电容补偿单元16位于所述像素电极15的左右两侧，此区域较为狭长，所述电容补偿单元16的长度较小，可通过设置多组电容补偿单元16来满足补偿要求。所述连接部163可以直接与所述像素电极15连接。

进一步地，请参阅图5，图5为本实用新型实施例提供的另一种像素结构的俯视结构示意图。所述像素结构10包括多个像素单元14，多个所述像素单元14可以包括红色像素单元r、绿色像素单元g和蓝色像素单元b，每一所述像素单元14内均设有所述电容补偿单元16。为了有效利用空间，以图2为例，在本实用新型实施例中，同一所述像素单元14的所述第一电容补偿部161和所述第二电容补偿部162呈对角线设置，多个所述像素单元14的多个所述第一电容补偿部161水平设置，多个所述像素单元14的多个所述第二电容补偿部162水平设置。例如，所述红色像素单元r的所述第一电容补偿部r1和所述第二电容补偿部r2呈对角线设置，所述绿色像素单元g的所述第一电容补偿部g1和所述第二电容补偿部g2呈对角线设置，所述蓝色像素单元b的所述第一电容补偿部b1和所述第二电容补偿部b2呈对角线设置，所述红色像素单元r的所述第一电容补偿部r1、所述绿色像素单元g的所述第一电容补偿部g1和所述蓝色像素单元b的所述第一电容补偿部b1水平设置，所述红色像素单元r的所述第二电容补偿部r2、所述绿色像素单元g的所述第二电容补偿部g2和所述蓝色像素单元b的所述第二电容补偿部b2水平设置。

本实用新型实施例还提供一种阵列基板，所述阵列基板包括上述实施例中的所述像素结构10和驱动电路，所述驱动电路设置于所述基板11上，所述驱动电路与所述像素结构10相连。在制作所述像素结构10的所述像素电极15的过程中，所述像素电极15的对位精度可以适当降低，从而可以降低所述阵列基板的制作难度，提高所述阵列基板的生产良率。

本实用新型实施例还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括上述实施例中的所述阵列基板、彩膜基板和液晶层，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置，所述液晶层设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。所述液晶显示面板具有所述阵列基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，所述液晶显示面板具有较高的显示品质以及较高的生产良率。

有益效果为：本实用新型实施例提供的像素结构、阵列基板以及液晶显示面板，每一所述像素单元内包括像素电极以及与所述像素电极相连的至少一电容补偿单元，每一电容补偿单元包括第一电容补偿部和第二电容补偿部，第一电容补偿部与邻近的第一数据线部分重叠，第二电容补偿部与邻近的第二数据线部分重叠；第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减；或者，第一电容补偿部与第一数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递减，第二电容补偿部与第二数据线的重叠面积沿像素电极的偏移方向递增。本实用新型增设的电容补偿单元可有效补偿像素电极由于工艺制程因素出现偏移时造成左右两侧的耦合电容差异，改善了液晶显示面板垂直串扰色偏现象，有利于提升液晶显示面板的生产良率以及显示效果。

综上所述，虽然本实用新型已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本实用新型，本领域的普通技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本实用新型的保护范围以权利要求界定的范围为准。