一种曝光装置的制作方法

1.本实用新型涉及光刻技术领域，特别涉及一种曝光装置。


背景技术：

2.芯片制造的众多工艺过程会导致芯片的载体硅片带有大量的电荷，这些电荷在不加以任何控制的从硅片传导到其他与硅片接触的导体上时，接触瞬间会产生很大的电流，甚至会产生电火花，无论是大电流还是电火花都会对硅片上面承载的芯片造成无法弥补的损坏，这样就会导致光刻机的良率大大降低，从而使得芯片成本的上升。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种曝光装置，以避免因静电导致芯片损坏，从而提升光刻机的良率，降低芯片的制造成本。
4.为解决上述技术问题，本实用新型提供的曝光装置，包括：吸盘、吸盘支撑组件以及升降机构，所述吸盘连接于所述吸盘支撑组件的上表面，所述升降机构通过升降将硅片承载于所述吸盘的上表面，其中，
5.所述吸盘及所述升降机构依次传导静电形成第一静电传导路径；
6.所述吸盘支撑组件包括吸盘座及连接于所述吸盘座的接地端子，所述吸盘、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成第二静电传导路径。
7.可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘支撑组件还包括第一传导件，所述第一传导件的一端于所述吸盘座内与所述吸盘座弹性连接，在所述吸盘连接于所述吸盘座之前，所述第一传导件的另一端凸出于所述吸盘座的上表面；所述吸盘、所述第一传导件、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第一子传导路径。
8.可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘通过锁紧销锁紧于所述吸盘座；所述吸盘、所述锁紧销、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第二子传导路径。
9.可选的，在所述的曝光装置中，所述第一传导件为弹簧。
10.可选的，在所述的曝光装置中，所述第一传导件包括弹簧和钢珠，所述弹簧的一端与所述吸盘座相接，所述弹簧的另一端与所述钢珠连接，在所述吸盘连接于所述吸盘座之前，所述钢珠部分凸出于所述吸盘座的上表面。
11.可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘支撑组件还包括钢珠挡板，所述钢珠挡板可拆卸连接于所述吸盘座，且所述钢珠挡板的上表面不高于所述吸盘座的上表面，所述钢珠挡板具有自上表面至下表面直径逐渐增大的圆台状的通孔，所述通孔供所述钢珠穿设，所述通孔的最小直径不大于所述钢珠的直径。
12.可选的，在所述的曝光装置中，所述吸盘的表面电阻率为106～109ohms/sq。
13.可选的，在所述的曝光装置中，所述升降机构包括：吸附组件、基板、电机、电机底座及第二传导件；其中，所述吸附组件、所述基板、所述电机及所述电机底座依次连接，且所
述基板与所述电机底座之间通过所述第二传导件连接；所述吸盘、所述吸附组件、所述基板、所述第二传导件及所述电机底座依次传导静电形成所述第一静电传导路径。
14.可选的，在所述的曝光装置中，所述吸附组件包括吸嘴及吸柱，所述吸嘴通过所述吸柱固定于所述基板上，所述吸嘴的表面电阻率为106～109ohms/sq。
15.可选的，在所述的曝光装置中，所述第二传导件为弹簧或导线。
16.综上所述，本实用新型提供的曝光装置，包括：吸盘、吸盘支撑组件以及升降机构，所述吸盘连接于所述吸盘支撑组件的上表面，所述升降机构通过升降将硅片承载于所述吸盘的上表面，其中，所述吸盘及所述升降机构依次传导静电形成第一静电传导路径；所述吸盘支撑组件包括吸盘座及连接于所述吸盘座的接地端子，所述吸盘、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成第二静电传导路径。即，本实用新型提供的曝光装置，所述吸盘、所述吸盘支撑组件、所述升降机构的材料选用可传导静电的材料，从而升降机构将硅片运输至吸盘的过程中，将硅片的静电传导到大地，以及在将硅片放置于吸盘后，吸盘及吸盘支撑组件接着将硅片的静电传导到大地，如此，便可将硅片的静电耗散掉，避免因静电导致芯片损坏，从而提升光刻机的良率，降低芯片的制造成本。
17.进一步的，由于直接与硅片接触的吸嘴及吸盘，均采用表面电阻率为106～109ohms/sq的材料，如此，便可对硅片上静电传导的速度进行控制，避免静电传导瞬间产生大电流或电火花，提高光刻机的良率。
18.进一步的，由于吸盘座多采用铝材，其表面容易氧化，本实用新型提供的所述曝光装置，所述吸盘支撑组件还包括第一传导件，所述第一传导件于所述吸盘座内，一端于所述吸盘座内与所述吸盘座连接，一端用于与所述吸盘连接，如此，便可解决铝制材料表面氧化后不导通的问题，另外，由于所述第一传导件于自由状态时，凸出于所述吸盘座的上表面，因此，实现了吸盘与吸盘座时刻导通。
附图说明
19.图1为本实用新型实施例提供的曝光装置的结构示意图；
20.图2为本实用新型实施例中吸盘支撑组件的结构示意图；
21.图3为本实用新型实例中吸盘支撑组件剖视图的局部放大图；
22.图4为本实用新型实施例中升降机构的结构示意图；
23.其中，各附图标记说明如下：
24.1-吸盘；2-吸盘支撑组件；3-升降机构；
25.201-吸盘座；202-定位销；203-第一传导件；204-钢珠挡板；205-第一螺栓；
26.206-气管插头；207-接地端子；208-第二螺栓；209-锁紧销；
27.2031-钢珠；2032-弹簧；
28.301-吸嘴；302-吸柱；303-基板；304-第一连接柱；305-第二传导件；306-第二连接柱；307-电机；308-电机底座。
具体实施方式
29.以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的曝光装置作进一步详细说明。根据下面说明，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式
且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
30.如图1所示，本实施例提供一种曝光装置，包括：吸盘1、吸盘支撑组件2以及升降机构3，所述吸盘1连接于所述吸盘支撑组件2的上表面，所述升降机构3通过升降将硅片承载于所述吸盘1的上表面，其中，
31.所述吸盘1及所述升降机构3依次传导静电形成第一静电传导路径；
32.所述吸盘支撑组件2包括吸盘座201及连接于所述吸盘座201的接地端子207，所述吸盘1、所述吸盘座201及所述接地端子207依次传导静电形成第二静电传导路径。
33.本实施例提供的所述曝光装置，所述吸盘1及吸盘支撑组件2具有供所述升降机构3升降的通孔，在机械手将硅片放置于所述升降机构3后，所述升降机构3吸附硅片向下运动至硅片与所述吸盘1的上表面接触，此时，所述升降机构3解除对于所述硅片的吸附，从而将硅片转移至所述吸盘1，进而在所述吸盘1上执行后续工艺，如光刻等。
34.本实施例提供的所述曝光装置，所述吸盘1、所述吸盘支撑组件2、所述升降机构3的材料选用可传导静电的材料，从而升降机构3将硅片运输至吸盘1的过程中，将硅片的静电传导到大地，以及在将硅片放置于吸盘1后，吸盘1及吸盘支撑组件2接着将硅片的静电传导到大地，如此，便可将硅片的静电耗散掉，避免因静电导致芯片损坏，从而提升光刻机的良率，降低芯片的制造成本。
35.如图2及图3所示，除了所述吸盘座201，所述吸盘支撑组件2还包括第一传导件203，所述第一传导件203于所述吸盘座201内与所述吸盘座201弹性连接，且凸出于所述吸盘座201的上表面；所述吸盘1、所述第一传导件203、所述吸盘座201及所述接地端子207依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第一子传导路径。
36.吸盘座多采用铝材，其表面容易氧化，氧化之后无法传导静电，且为了避免氧化，一般会对吸盘座的表面进行处理，使得其表面为绝缘层。本实施例中，所述吸盘1与所述吸盘座201的内部通过所述第一传导件203连接，因此可解决铝制材实表面氧化或处理后不导通的问题，另外，由于所述第一传导件203于自由状态(未受到吸附连接于吸盘座201上表面的吸盘1的挤压)时，凸出于所述吸盘座201的上表面，因此，实现了所述吸盘1与所述吸盘座201时刻导通，这里所述“导通”是指传导至所述吸盘1的静电始终能够传递至所述吸盘座201。
37.可选的，所述第一传导件203为弹簧，所述弹簧的一端与所述吸盘座201相接，在所述吸盘1连接于所述吸盘座201之前，所述弹簧的另一端凸出于所述吸盘座201的上表面，在所述吸盘1连接于所述吸盘座201之后，所述弹簧的另一端受到所述吸盘1的挤压，向所述吸盘座201内收缩，但始终保持与所述吸盘1相接触，因此，可保证所述吸盘1与所述吸盘座201时刻导通。
38.可选的，所述第一传导件203包括弹簧2032和钢珠2031，所述弹簧2032的一端与所述吸盘座201相接，所述弹簧2032的另一端与所述钢珠2031连接，在所述吸盘1连接于所述吸盘座201之前，所述钢珠2031部分凸出于所述吸盘座201的上表面，在所述吸盘1连接于所
述吸盘座201之后，所述钢珠2031受到所述吸盘1的挤压，使得所述弹簧2032收缩，从而带动所述钢珠2031向所述吸盘座201内收缩，但始终保持与所述吸盘1相接触，因此，可保证所述吸盘1与所述吸盘座201时刻导通。图3中所示，是以所述第一传导件203包括弹簧2032和钢珠2031做出示例，由于采用钢珠2031与弹簧2032的组合设计，相较于单独使用弹簧，具有更好的静电传导效果，因此在下文对于静电传导路径的相关描述中，也是以所述第一传导件203包括弹簧2032和钢珠2031来进行说明。
39.进一步的，所述吸盘支撑组件2还可包括钢珠挡板204，所述钢珠挡板204可拆卸连接于所述吸盘座201，且所述钢珠挡板204的上表面不高于所述吸盘座201的上表面，以保证所述吸盘座201能够直接与所述吸盘座201相连接。所述钢珠挡板204具有自上表面至下表面直径逐渐增大的圆台状的通孔，所述通孔供所述钢珠2031穿设，所述钢珠2031在所述通孔内能够沿所述弹簧2032发生弹性形变的方向活动，在所述吸盘1连接于所述吸盘座201之前，所述钢珠2031在穿过所述通孔后部分凸出于所述吸盘座201的上表面，所述通孔的最小直径不大于所述钢珠2031的直径，从而能够保证所述钢珠2031始终不脱离于所述钢珠挡板20。
40.如图2所示，所述钢珠挡板204可通过第一螺栓205连接于所述吸盘座201，所述第一螺栓205在穿过所述钢珠挡板204后，与所述吸盘座201螺纹连接。通过所述钢珠挡板204与所述吸盘座201的可拆卸连接，便于所述钢珠2031及所述弹簧2032在所述吸盘座201内的布置。
41.本实施例中，所述吸盘座201的侧壁设有气管插头206，所述气管插头206与外部真空系统连接，所述吸盘座201的上表面设有气道，当所述外部真空系统与气管插头206相接抽真空时，所述吸盘1真空吸附于所述吸盘座201的上表面，且所述吸盘1内部形成真空环境，对硅片进行吸附。所述吸盘1除了真空吸附连接于所述吸盘支撑组件2的上表面，即，真空吸附于所述吸盘座201的上表面以外，所述吸盘1还可通过锁紧销209锁紧于所述吸盘座201。此时，所述吸盘1通过所述锁紧销209与所述吸盘座201的内部连接，因此，所述吸盘1、所述锁紧销209、所述吸盘座201及所述接地端子207依次传导静电形成构成所述第二静电传导路径的第二子传导路径。
42.进一步具体地，所述接地端子207可通过第二螺栓208连接于所述吸盘座201，所述第二螺栓208在穿过所述接地端子207后与所述吸盘座201螺纹连接，如此，传导至所述吸盘座201的静电，可通过所述第二螺栓208传导至所述接地端子207，进而通过所述接地端子207传导至大地。此外，所述吸盘座201的上表面还可设置定位鞘202，用于所述吸盘1在所述吸盘座201上表面的定位。
43.本实施例中，较佳的，所述吸盘1的表面电阻率为106～109ohms/sq，由于所述吸盘1与硅片直接接触，当所述吸盘1的电电阻率为106～109ohms/sq时，可对硅片上静电传导的速度进行控制，避免静电传导瞬间产生大电流或电火花，提高光刻机的良率。
44.可选的，所述吸盘1采用陶瓷吸盘，或者，所述吸盘1的表面喷涂能使其表面电阻率为106～109ohms/sq的涂层。另外，所述吸盘座201、所述钢珠2031、所述接地端子207、所述第二螺栓208、所述锁紧销209、所述弹簧2032可均采用导体材质，具有较好的静电传导效果。
45.本实施例中，所述升降机构3包括：吸附组件、基板303、电机307、电机底座308及第二传导件305；其中，所述吸附组件、所述基板303、所述电机307及所述电机底座308依次连
接，且所述基板303与所述电机底座308之间通过所述第二传导件305连接；所述吸盘1、所述吸附组件、所述基板303、所述第二传导件305及所述电机底座308依次传导静电形成所述第一静电传导路径。其中，所述第二传导件305可为弹簧或导线。
46.进一步的，所述第二传导件305的一端可通过第一连接柱304连接于所述基板303，所述第二传导件305的另一端可通过第二连接柱306连接于所述电机底座308。所述第一连接柱304与所述基板303，以及，所述第二连接柱306与所述电机底座308之间均可以螺纹连接的方式连接。
47.更进一步的，所述吸附组件包括：吸嘴301及吸柱302，所述吸嘴301通过所述吸柱302固定于所述基板303上，所述吸嘴301的表面电阻率为106～109ohms/sq，由于所述吸嘴301与硅片直接接触，当所述吸嘴301的电电阻率为106～109ohms/sq时，可对硅片上静电传导的速度进行控制，避免静电传导瞬间产生大电流或电火花，提高光刻机的良率。
48.可选的，所述吸嘴301可采用非金属材质，或者，所述吸嘴301的表面喷涂能使其表面电阻率为106～109ohms/sq的涂层。另外，所述吸柱302、所述基板303、所述第一连接柱304、所述第二连接柱306、所述电机底座308均可采用导体材质，具有较好的静电传导效果。
49.采用本实施例提供的曝光装置，其具体工作原理如下：
50.机械手将硅片放置在升降机构3的吸嘴301上，此时硅片上面的静电依次通过所述吸嘴301、所述吸柱302、所述基板303、所述第一连接柱304、所述第二传导件305、所述第二连接柱306及所述电机底座308传导到大地；由于所述吸嘴301表面电阻率为106～109ohms/sq，所以其不会导致静电传导的时候产生大电流或者电火花；所述升降机构3外接的真空依次通过所述基板303、所述吸柱302、所述吸嘴301内部设置的气道将硅片紧紧地吸附在所述升降机构3的所述吸嘴301上，所述电机307运动将硅片放置在所述吸盘1上，此时所述气管插头206外接的真空依次通过气管插头206、所述吸盘座201上面设置的气道、所述吸盘1使得所述吸盘1真空吸附硅片，所述升降机构3释放真空，从而将硅片转移至所述吸盘1，此时静电传导方式有两种：第一为静电依次通过所述吸盘1、所述钢珠2031、所述弹簧2032、所述吸盘座201、所述第二螺栓208、所述接地端子207传导到大地；第二为静电依次通过所述吸盘1、所述锁紧销209、所述吸盘座201、所述第二螺栓208、所述接地端子207传导到大地；由于所述吸盘1表面电阻率为106～109ohms/sq，所以其不会导致静电传导的时候产生大电流或者电火花。
51.综上所述，本实用新型提供的曝光装置，包括：吸盘、吸盘支撑组件以及升降机构，所述吸盘连接于所述吸盘支撑组件的上表面，所述升降机构通过升降将硅片承载于所述吸盘的上表面，其中，所述吸盘及所述升降结构依次传导静电形成第一静电传导路径；所述吸盘支撑组件包括吸盘座及连接于所述吸盘座的接地端子，所述吸盘、所述吸盘座及所述接地端子依次传导静电形成第二静电传导路径。即，本实用新型提供的曝光装置，所述升降机构将硅片运输至吸盘的过程中，将硅片的静电传导到大地，以及在将硅片放置于吸盘后，吸盘及吸盘支撑组件接着将硅片的静电传导到大地，如此，便可将硅片的静电耗散掉，避免因静电导致芯片损坏，从而提升光刻机的良率，降低芯片的制造成本。
52.上述描述仅是对本实用新型较佳实施例的描述，并非对本实用新型范围的任何限定，本实用新型领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。