阵列基板和显示面板的制作方法

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板以及具有该阵列基板的显示面板。


背景技术：

2.薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor-liquid crystal display，tft-lcd)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，因此被广泛应用于液晶电视、移动电话、个人数字助理(personal digital assistant，pda)、数字相机、计算机屏幕、投影机或笔记本电脑屏幕等电子装置，在显示领域中具有主导地位。因此，在当前迅速发展的液晶显示技术中，薄膜晶体管液晶显示器受到人们的广泛青睐。
3.tft-lcd通常包括显示面板及背光模组，显示面板中一般设置有显示区域以及设置于显示区域周边的绑定区和扇出(fanout)区，其中，所述扇出区连接所述显示区域和绑定区，以实现数据信号的传输。然而，在基于coa(cf on array)产品中的扇出区走线设计中，由于绑定区的焊接引线(bonding lead)的线宽大于扇出区走线的线宽，使得绑定区和扇出区交界处线宽过渡较大，导致制程中容易在绑定区和扇出区交界处产生底切(undercut)，进而造成水汽渗入致使成线不良的问题。


技术实现要素：

4.鉴于现有技术的不足，本技术的目的在于提供一种阵列基板以及具有该阵列基板的显示面板。所述阵列基板的直线区的第一走线的线宽部分加宽至与所述绑定区的绑定引线相等，或所述阵列基板的直线区的第一走线的线宽部分加宽至大于所述斜线区的线宽且小于所述绑定引线的线宽，使得所述绑定区和所述扇出区的直线区的线宽平滑过渡，从而避免了在所述直线区与所述绑定区交界处由于线宽变化较大，进而造成水汽渗入的问题。
5.第一方面，本技术技术方案提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括绑定区以及与所述绑定区连接的扇出区，所述扇出区包括直线区和斜线区，所述直线区连接于所述斜线区和所述绑定区之间，所述绑定区包括多条绑定引线，所述直线区包括多条第一走线，所述斜线区包括多条第二走线，所述第一走线与所述绑定引线电连接，所述第二走线与所述第一走线电连接，所述直线区内邻接所述绑定区的所述第一走线在第一预设长度内的线宽等于所述绑定引线的线宽；或者，所述直线区内邻接所述绑定区的第一走线在第二预设长度内的线宽不小于所述第二走线的线宽且不超过多条所述绑定引线的线宽，且所述直线区内邻接所述绑定区的所述第一走线在第二预设长度内靠近所述绑定区一侧的线宽大于所述第一走线远离所述绑定区一侧的线宽。
6.可选地，所述阵列基板包括有机层、保护层、绝缘层、金属走线层以及衬底基板，其中，所述金属走线层设置于所述衬底基板上，所述绝缘层位于所述金属走线层上，所述保护层位于所述绝缘层上，所述有机层位于所述保护层上，所述金属走线层包括所述绑定引线、所述第一走线和所述第二走线，所述第一走线连接于所述绑定引线和所述第二走线之间。
7.可选地，所述阵列基板开设有过孔，所述阵列基板还包括导电膜，所述金属走线层包括第一走线部分、第二走线部分以及第三走线部分，所述第一走线部分、所述第二走线部分以及所述第三走线部分依次连接；所述过孔依次贯穿所述有机层、所述保护层和所述绝缘层以露出所述金属走线层的第二走线部分，所述导电膜覆盖对应所述过孔底部的所述金属走线层的第二走线部分和所述过孔的侧壁，所述导电膜还覆盖所述有机层背对所述保护层一侧的表面区域；所述导电膜在所述过孔内通过所述绑定引线与所述金属走线层的第二走线部分电连接。
8.可选地，所述阵列基板包括有机层、保护层、金属走线层、绝缘层、以及衬底基板，其中，所述绝缘层位于所述衬底基板上，所述金属走线层设置于所述绝缘层上，所述保护层位于所述金属走线层上，所述有机层位于所述保护层上，所述金属走线层包括所述绑定引线、所述第一走线和所述第二走线，所述第一走线连接于所述绑定引线和所述第二走线之间。
9.可选地，所述阵列基板开设有过孔，所述阵列基板还包括导电膜，所述金属走线层包括第一走线部分、第二走线部分以及第三走线部分，所述第一走线部分、所述第二走线部分以及所述第三走线部分依次连接；所述过孔依次贯穿所述有机层和所述保护层以露出所述金属走线层的第二走线部分，所述导电膜覆盖对应所述过孔底部的所述金属走线层的第二走线部分和所述过孔的侧壁，所述导电膜还覆盖所述有机层背对所述保护层一侧的表面区域；所述导电膜在所述过孔内通过所述绑定引线与所述金属走线层的第二走线部分电连接。
10.可选地，所述阵列基板包括有机层、保护层、第二金属走线层、绝缘层、第一金属走线层以及衬底基板，其中，所述第一金属走线层位于所述衬底基板上且对应所述绑定区，所述绝缘层包括相连接的第一绝缘部分和第二绝缘部分，所述第一绝缘部分位于所述第一金属走线层上且对应所述绑定区，所述第二绝缘部分位于所述衬底基板上对应所述扇出区的位置；所述第二金属走线层设置于所述绝缘层上，所述保护层位于所述第二金属走线层上，所述有机层位于所述保护层上，所述第一金属走线层包括所述绑定引线的一部分，所述第二金属走线层包括所述绑定引线的另一部分、所述第一走线和所述第二走线。
11.可选地，所述阵列基板开设有第一过孔和第二过孔，所述阵列基板包括导电膜，所述第二金属走线层包括第一走线部分、第二走线部分以及第三走线部分，所述第一走线部分、所述第二走线部分以及所述第三走线部分依次连接；所述第一过孔依次贯穿所述有机层、所述保护层、所述第二金属走线层、所述绝缘层的第一绝缘部分以露出所述第一金属走线层，所述第二过孔依次贯穿所述有机层和所述保护层以露出所述第二金属走线层的第二走线部分；所述导电膜覆盖对应所述第一过孔底部的所述第一金属走线层和所述第一过孔的侧壁以及对应所述第二过孔底部的第二金属走线层和所述第二过孔的侧壁，所述导电膜还覆盖所述有机层背对所述保护层的一侧且位于所述第一过孔和所述第二过孔周侧的表面区域；所述导电膜在所述第一过孔内通过绑定引线与所述第一金属走线层电连接，所述导电膜在所述第一过孔和所述第二过孔内通过绑定引线与所述第二金属走线层的第二走线部分电连接。
12.可选地，所述第一预设长度是指所述第一走线邻接所述绑定区一侧在第一预设长度内的预定设计线宽大于所述斜线区的第二走线的线宽与相邻两条所述第二走线的间距
的比值的特定值。
13.可选地，所述第二预设长度是指所述直线区邻接所述绑定区一侧的多条所述第一走线在第二预设长度内的预定设计线宽大于所述斜线区的线宽与相邻两条第二走线的间距的比值的特定值，且所述直线区邻接所述绑定区一侧的多条所述第一走线在第二预设长度内的线宽沿由靠近所述绑定区至远离所述绑定区的方向渐变缩小。
14.第二方面，本技术技术方案提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述的阵列基板、彩膜基板以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。
15.综上所述，在本技术提供的所述阵列基板和显示面板中，所述扇出区与所述连接区连接，所述绑定区与所述扇出区连接，所述绑定区包括绑定引线，所述扇出区包括直线区和斜线区，所述直线区靠近所述绑定区的一侧在预设长度的区段内所述直线区的线宽等于所述绑定引线的线宽；或所述直线区邻接所述绑定区的一侧在第二预设长度内的线宽呈规律性变化且不小于所述斜线区的线宽且不超过所述绑定引线的线宽且邻接所述绑定区的一侧大于远离所述绑定区的一侧，实现所述绑定区到所述斜线区线宽的平滑过渡，避免了在所述直线区与所述绑定区交界位置处由于线宽变化较大，尤其是coa产品中的扇出区走线设计中，过孔边缘过度线宽差异较大，容易产生的逆倒角或底切导致的水汽渗入造成的线不良的问题，提高了所述阵列基板的线的良率，有效提高了所述阵列基板的使用性能，提高所述显示面板的显示效果和品质。此外，由于绑定区的绑定引线的线宽通常大于直线区的预定设计线宽，本技术将直线区的线宽加宽为等于绑定引线的线宽或较预定设计线宽加宽，有效减小了直线区的第一走线的电阻，从而有效提升了阵列基板的信号驱动和传输，提升了阵列基板的使用性能，有效提升所述显示面板的使用效果。
附图说明
16.图1为本技术实施例公开的一种阵列基板的整体结构示意图；
17.图2为本技术实施例公开的阵列基板的绑定区和扇出区的截面结构示意图；
18.图3为本技术第一实施例公开的阵列基板的绑定区与直线区的局部截面示意图；
19.图4为本技术第二实施例公开的阵列基板的绑定区与直线区的局部截面示意图；
20.图5为本技术实施例公开的阵列基板的扇出区的局部截面示意图；
21.图6为本技术第一实施例公开的阵列基板沿图2中由ii至iii方向的层结构示意图；
22.图7为本技术第二实施例公开的阵列基板沿图2中由ii至iii方向的层结构示意图；
23.图8为本技术第三实施例公开的阵列基板沿图2中由ii至iii方向的层结构示意图。
24.附图标记说明：
25.100-阵列基板，10-连接区，20-绑定区，30-扇出区，32-直线区，322-第一走线，34-斜线区，342-第二走线，s-第一界线，m-第二界线，a-第一直线，b-第二直线，51-导电膜，52-有机层，53-保护层，54-绝缘层，56-金属走线层，561-第一走线部分，563-第二走线部分，565-第三走线部分，567-过孔，568-绑定引线，58-衬底基板，200-阵列基板，57-金属走线层，571-第一走线部分，573-第二走线部分，575-第三走线部分，577-过孔，300-阵列基板，
541-第一绝缘部分，543-第二绝缘部分，57a-第二金属走线层，56a-第一金属走线层，572-第一过孔，574-第二过孔。
具体实施方式
26.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的较佳实施方式。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本技术的公开内容理解的更加透彻全面。
27.以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本技术可用以实施的特定实施例。本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接(联接)。本技术中所提到的方向用语，例如，“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、“侧面”等，仅是参考附加图式的方向，因此，使用的方向用语是为了更好、更清楚地说明及理解本技术，而不是指示或暗指所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
28.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸地连接，或者一体地连接；可以是机械连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。
29.本技术实施例提供一种阵列基板100，请参阅图1、图2、图3、图4和图5，其中，图1为本技术实施例公开的一种阵列基板的整体结构示意图，图2为本技术实施例公开的阵列基板的绑定区和扇出区的截面结构示意图，图3为本技术第一实施例公开的阵列基板的绑定区与直线区的局部截面示意图，图4为本技术第二实施例公开的阵列基板的绑定区与直线区的局部截面示意图，图5为本技术实施例公开的阵列基板的扇出区的局部截面示意图。
30.在本技术实施例提供的阵列基板100中，如图1和图2所示，所述阵列基板100至少可以包括绑定区(bonding area)20和扇出区(fanout area)30，其中，所述绑定区20与所述扇出区30电连接，如图3和图5所示，所述绑定区20包括多条绑定引线(bonding lead)568，所述扇出区30包括直线区32和斜线区34，其中，所述斜线区34与所述直线区32的一侧相邻接，所述直线区32相对的另一侧与所述绑定区20相邻接，即所述直线区32连接于所述斜线区34和所述绑定区20之间。所述直线区32包括多条第一走线322，所述斜线区34包括多条第二走线342，所述直线区32内邻接所述绑定区20的所述第一走线322在第一预设长度内的线宽等于所述绑定引线568的线宽；
31.或者，所述直线区32内邻接所述绑定区20的第一走线322在第二预设长度内的线宽不小于所述第二走线342的线宽且不超过多条所述绑定引线568的线宽，同时所述直线区32内邻接所述绑定区20一侧的所述第一走线322在第二预设长度内靠近所述绑定区20一侧的线宽大于远离所述绑定区20一侧的线宽，也即是，所述直线区32连接于所述斜线区34和所述绑定区20之间，则所述直线区32内的第一走线322的一端靠近所述绑定区20，第一走线
322相对的另一端远离所述绑定区20，则邻接所述绑定区20的所述第一走线322在第二预设长度内靠近所述绑定区20的线宽大于远离所述绑定区20的线宽，从而实现了所述绑定区20的所述绑定引线568的线宽到所述直线区32的第一走线322的线宽的平滑过渡，进而提升所述阵列基板100走线的良率。
32.在本技术实施例中，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的线宽可以为渐变形式，即所述直线区邻接所述绑定区一侧的多条所述第一走线在第二预设长度内的线宽沿由靠近所述绑定区至远离所述绑定区的方向渐变缩小，例如，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的线宽变化呈现为平滑的曲线或多个均匀缩小折线段(即在预设长度内所述第一走线322的轴截面可为多个叠加的等腰梯形或梯形)等规律性变化。
33.在本技术实施例中，所述绑定区20与所述扇出区30相邻接，且二者之间电连接，所述绑定区20的多条所述绑定引线568之间可相平行且间隔设置。所述直线区32与所述绑定区20相邻接，且二者之间电连接，所述直线区32的多条第一走线322之间可相平行且间隔设置，且所述第一走线322与对应的绑定引线568电连接。所述斜线区34与所述直线区32相邻接，且二者之间电连接，所述斜线区34的多条第二走线342之间可相平行且间隔设置，且所述第二走线342与对应的第一走线322电连接。也即为，所述第一走线322连接于所述绑定引线568与所述第二走线342之间。
34.综上所述，所述绑定区20与所述扇出区30电连接，所述绑定区20包括绑定引线568，所述扇出区30包括直线区32和斜线区34，所述直线区32靠近所述绑定区20的一侧在预设长度的区段内所述直线区32的线宽等于所述绑定引线568的线宽；或者，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的线宽不小于多条第二走线342的线宽且不超过多条所述绑定引线568的线宽，同时所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内靠近所述绑定区20一侧的线宽大于远离所述绑定区20一侧的线宽，实现所述绑定区20的所述绑定引线568的线宽到所述直线区32的第一走线322的线宽的平滑过渡，从而避免了在所述直线区与所述绑定区交界处由于线宽变化较大，导致制程中，例如蚀刻过程中容易在绑定区和扇出区交界处产生底切(undercut)，进而造成水汽渗入的问题，提高了所述阵列基板的线的良率，有效提高了所述阵列基板100的使用性能。
35.请继续参阅图1，所述阵列基板100还包括连接区10、有效显示区域(active area，aa)及外围功能区，所述连接区10位于所述有效显示区域内，所述绑定区20与所述扇出区30位于所述外围功能区，所述扇出区30邻接所述有效显示区域设置且与所述连接区10之间电连接。所述连接区10可以接收来自所述扇出区30的电信号，所述绑定区20邻接所述扇出区30设置且可以向所述扇出区30发送电信号。
36.在本技术一实施例中，所述扇出区30还包括连接所述有效显示区域的数据信号线(图未示)，所述有效显示区域为主要显示影像的部份。所述绑定区20内可设置有驱动集成电路(integrated circuit，ic)，用以供驱动ic来接合于面板上。所述扇出区30内可设置多条走线，并呈扇形分布，用以连接所述有效显示区域内的线路与所述外围功能区的驱动电路。
37.请继续参阅图2，图2中第一界线s示出的面为所述绑定区20和所述扇出区30的交
界位置。具体为，图2中第一界线s的一侧(图2中所示第一界线s的上侧)为所述阵列基板100的扇出区30，第一界线s的另一侧(图2中所示第一界线s的下侧)为所述阵列基板100的绑定区20。
38.需要说明的是，现有市场中，连接所述绑定区20和所述扇出区30使用的导线通常在交界位置处线宽过渡较大，在制程中容易出现逆倒角或底切进而造成水汽渗入致使成线不良的问题，从而影响线连接的良率，进而影响所述阵列基板100信号传输的可靠性。
39.请一并参阅图6至图8，图6至图8中的第二界线m示出的面为所述绑定区20和所述扇出区30的交界位置，具体为，图6至图8中的第二界线m的左侧部分为所述阵列基板100的绑定区20，图6至图8中的第二界线m的右侧部分为所述阵列基板100的扇出区30。结合图2可知，所述第一界线s与所述第二界线m共面。
40.请参阅图3、图4和图6，图6为本技术第一实施例公开的阵列基板沿图2中由ii至iii方向的层结构示意图。在本技术实施例中，所述阵列基板100可包括由上至下依次层叠设置的有机层52、保护层53、绝缘层(gate insulator，gi)54、金属走线层56、以及衬底基板58，所述衬底基板58位于所述阵列基板100的最下层。具体地，所述衬底基板58位于所述阵列基板100层结构的最下层，用于支撑位于其上的所述阵列基板100的其他结构层；
41.所述金属走线层56设置于所述衬底基板58上，所述金属走线层56包括所述绑定引线568、所述第一走线322和所述第二走线342，所述第一走线322连接于所述绑定引线568和所述第二走线342之间；
42.所述绝缘层54位于所述金属走线层56上，所述绝缘层54可以由氮化硅、氧化硅等无机材料制成；
43.所述保护层53位于所述绝缘层54上，用于保护其自身在内的所述阵列基板100不受损害；
44.所述有机层52位于所述保护层53上，所述有机层52可由可溶性聚四氟乙烯(polyfluoroalkoxy，teflon pfa，pfa)制成。
45.在其中一个实施例中，所述金属走线层56包括第一走线部分561、第二走线部分563以及第三走线部分565，所述第一走线部分561、第二走线部分563以及第三走线部分565依次连接，其中，所述金属走线层56对应所述第二走线部分563的区域包括所述绑定引线568，所述金属走线层56对应所述第三走线部分565的区域包括所述第一走线322。所述阵列基板100设有至少一个过孔567，所述过孔567依次贯穿所述有机层52、所述保护层53和所述绝缘层54以露出所述金属走线层56的第二走线部分563。也即为，所述过孔567依次贯穿所述有机层52、所述保护层53和所述绝缘层54直至所述金属走线层56的第二走线部分563，即所述过孔567在阵列基板100内形成了以所述金属走线层56的第二走线部分563为底壁的凹槽结构。
46.在本技术实施例中，所述阵列基板100还包括导电膜51，所述导电膜51可以由氧化铟锡(indium tin oxide，ito)制成，所述导电膜51覆盖对应所述过孔567底部的所述金属走线层56的第二走线部分563和所述过孔567的侧壁，所述导电膜51还覆盖所述有机层52背对所述保护层53一侧的表面区域，也即为，所述导电膜51作为所述阵列基板100的上表面。由于所述过孔567依次贯穿所述有机层52、所述保护层53和所述绝缘层54并露出所述第二走线部分563，且所述导电膜51覆盖所述第二走线部分563上，因此所述导电膜51在所述过
孔567内与所述金属走线层56的第二走线部分563连接。
47.在本技术实施例中，所述绑定引线568用于实现所述金属走线层56的第二走线部分563与所述导电膜51之间的电连接，即所述导电膜51在所述过孔567内通过所述绑定引线568与所述金属走线层56的第二走线部分563连接。
48.请参阅图3、图4和图7，图7为本技术第二实施例公开的一种阵列基板沿图2中由ii至iii方向的层结构示意图。
49.在本技术实施例中，所述阵列基板200可以包括由上至下依次层叠设置的有机层52、保护层53、金属走线层57、绝缘层54、以及衬底基板58，所述衬底基板58位于所述阵列基板100层结构的最下层。具体地，所述衬底基板58位于所述阵列基板100的最下层，用于支撑位于其上的所述阵列基板100的其他结构层；
50.所述绝缘层54位于所述衬底基板58上，所述绝缘层54可以由氮化硅、氧化硅等无机材料制成；
51.所述金属走线层57设置于所述绝缘层54上，所述金属走线层57包括所述绑定引线568、所述第一走线322和所述第二走线342，所述第一走线322连接于所述绑定引线568和所述第二走线342之间；
52.所述保护层53位于所述金属走线层57上，用于保护其自身在内的所述阵列基板不受损害；
53.所述有机层52位于所述保护层53上，所述有机层52可由可溶性聚四氟乙烯制成。
54.在其中一个实施例中，所述金属走线层57包括第一走线部分571、第二走线部分573以及第三走线部分575，所述第一走线部分571、第二走线部分573以及第三走线部分575依次连接，其中，所述金属走线层57对应第二走线部分573的区域包括所述绑定引线568，所述金属走线层57对应所述第三走线部分575的区域包括所述第一走线322。所述阵列基板200开设有至少一个过孔577，所述过孔577依次贯穿所述有机层52和所述保护层53以露出所述金属走线层57的第二走线部分573。也即为，所述过孔577依次贯穿所述有机层52和所述保护层53直至所述金属走线层57的第二走线部分573，即所述过孔577在阵列基板100内形成了以所述金属走线层57的第二走线部分573的部分区域为底壁的凹槽结构。
55.在本技术实施例中，所述阵列基板200还包括导电膜51，所述导电膜51可以由氧化铟锡制成，所述导电膜51覆盖对应所述过孔577底部的所述金属走线层57的第二走线部分573和所述过孔577的侧壁，所述导电膜51还覆盖所述有机层52背对所述保护层53一侧的表面区域，也即为，所述导电膜51作为所述阵列基板200的上表面。由于所述过孔577依次贯穿所述有机层52和所述保护层53并露出所述第二走线部分573，且所述导电膜51覆盖所述第二走线部分573上，所述导电膜51在所述过孔577内与所述金属走线层57的第二走线部分573连接。
56.在本技术实施例中，所述绑定引线568用于所述金属走线层57的第二走线部分573与所述导电膜51连接，也即为所述导电膜51在所述过孔577内通过所述绑定引线568与所述金属走线层57的第二走线部分573连接。
57.请参阅图3、图4和图8，图8为本技术公开的阵列基板的第三实施例的绑定区和直线区层结构的示意图。
58.在本技术实施例中，所述阵列基板300可以包括有机层52、保护层53、第二金属走
线层57a、绝缘层54、第一金属走线层56a以及衬底基板58，所述衬底基板58位于所述阵列基板100的最下层。
59.在本技术实施例中，所述第一金属走线层56a可以与上述第一实施例中的所述阵列基板100中的所述金属走线层56具有相同的材料，所述第二金属走线层57a可以与上述第二实施例中的所述阵列基板200中的所述金属走线层57具有相同的材料，本技术对此不做具体限制。
60.具体地，所述衬底基板58位于所述阵列基板100的最下层，用于支撑位于其上的所述阵列基板100的其他结构层；
61.所述第一金属走线层56a位于所述衬底基板58上且对应所述绑定区20，也即为，所述第一金属走线层56a在所述衬底基板58上的正投影与所述绑定区20的长度相等(即位于所述阵列基板100的第一界线m的左侧)，且所述第一金属走线层56a的一端与所述衬底基板58位于所述绑定区20的一端对齐，所述第一金属走线层56a包括所述绑定引线568的一部分。
62.所述绝缘层54设置于所述第一金属走线层56a和所述衬底基板58上，所述绝缘层54可以由氮化硅、氧化硅等无机材料制成。具体为，所述绝缘层54整体可为“l”形，所述绝缘层54可包括相连接的第一绝缘部分541和第二绝缘部分543，所述第一绝缘部分541位于所述第一金属走线层56a上且对应所述绑定区20，也即为，所述第一绝缘部分541在所述衬底基板58上的正投影与所述第一金属走线层56a在所述衬底基板58上的正投影重合。所述第二绝缘部分543位于所述衬底基板58上对应所述扇出区30的位置，所述第二绝缘部分543的上表面与所述第一绝缘部分541的上表面平齐。也即为，所述绝缘层54的第一绝缘部分541设置于所述第一金属走线层56a上且对应所述绑定区20，所述第二绝缘部分543设置于所述衬底基板58上对应所述扇出区30。所述第一绝缘部分541的厚度小于所述第二绝缘部分543的厚度。
63.所述第二金属走线层57a设置于所述绝缘层54上；也即为，所述第一绝缘部分541对应所述绑定区20，且位于所述第一金属走线层56a与所述第二金属走线层57a之间，所述第二绝缘部分543对应所述扇出区30，且位于所述衬底基板58与所述第二金属走线层57a之间，所述第二金属走线层57a包括所述绑定引线568的另一部分、所述第一走线322和第二走线342，也即为，所述绑定引线568分别属于第一金属走线层56a和第二金属走线层57a，即所述绑定引线568的一部分属于第一金属走线层56a，所述绑定引线568的另一部分属于所述第二金属走线层57a。
64.所述保护层53位于所述第二金属走线层57a上，用于保护其自身在内的所述阵列基板不受损害；
65.所述有机层52位于所述保护层53上，所述有机层52可由可溶性聚四氟乙烯制成。
66.在其中一个实施例中，所述第二金属走线层57a包括第一走线部分571、第二走线部分573以及第三走线部分575，第一走线部分571、第二走线部分573以及第三走线部分575依次连接，所述第二金属走线层57a对应所述第二走线部分573的区域包括所述绑定引线568，所述第二金属走线层57a对应所述第三走线部分575的区域包括所述第一走线322。所述阵列基板300设有至少一个第一过孔572，所述第一过孔572依次贯穿所述有机层52、所述保护层53、所述第二金属走线层57a、所述绝缘层54的第一绝缘部分541以露出所述第一金
属走线层56a。也即为，所述第一过孔572依次贯穿所述有机层52、所述保护层53、所述第二金属走线层57a、所述绝缘层54的第一绝缘部分541直至所述第一金属走线层56a，即所述第一过孔572在所述阵列基板300内形成了以所述第一金属走线层56a对应所述第一过孔572的区域为底壁的凹槽结构。
67.所述阵列基板300设有至少一个第二过孔574，所述第二过孔574依次贯穿所述有机层52和所述保护层53以露出所述第二金属走线层57a的第二走线部分573。也即为，所述第二过孔574依次贯穿所述有机层52和所述保护层53直至所述第二金属走线层57a的第二走线部分573，即所述第二过孔574在阵列基板300内形成了以所述第二金属走线层57a的第二走线部分573对应所述第二过孔574的区域为底壁的凹槽结构。
68.在本技术实施例中，所述阵列基板300还包括导电膜51，所述导电膜51可以由氧化铟锡(indium tin oxide，ito)制成，所述导电膜51覆盖对应所述第一过孔572底部的所述第一金属走线层56a和所述第一过孔572的侧壁以及对应所述第二过孔574底部的第二金属走线层57a和所述第二过孔574的侧壁，所述导电膜51还覆盖所述有机层52背对所述保护层53的一侧且位于所述第一过孔572和所述第二过孔574周侧的表面区域，也即为，所述导电膜51作为所述阵列基板200的上表面。由于所述第一过孔572依次贯穿所述有机层52、所述保护层53、所述第二金属走线层57a、所述绝缘层54的第一绝缘部分541直至所述第一金属走线层56a，所述第二过孔574依次贯穿所述有机层52和所述保护层53直至所述第二金属走线层57a的第二走线部分573，同时所述导电膜51覆盖所述第一金属走线层56a对应所述第一过孔572的表面区域和所述第二走线部分573对应所述第二过孔574的表面区域，所述导电膜51在所述第一过孔572内与所述第一金属走线层56a连接，所述导电膜51在所述第一过孔572和所述第二过孔574内与所述第二金属走线层57a的第二走线部分573连接。
69.在本技术实施例中，所述绑定引线568用于实现所述第一金属走线层56a、所述第二金属走线层57a的第二走线部分573与所述导电膜51之间的电连接，也即为，所述导电膜51在所述第一过孔572内通过所述绑定引线568与所述第一金属走线层56a连接，所述导电膜51在所述第一过孔572和所述第二过孔574内通过所述绑定引线568与所述第二金属走线层57a的第二走线部分573连接。
70.请继续参阅图3、图4和图5，图3为本技术第一实施例公开的阵列基板的绑定区与直线区局部截面示意图；图4为本技术第二实施例公开的阵列基板的绑定区与直线区局部截面示意图；图5为本技术实施例公开的阵列基板的扇出区的的局部截面示意图。如图3和图4所示，第一直线a与第二直线b之间的距离为多条所述绑定引线568的长度，所述第一直线a为所述绑定区20与所述直线区32的交界位置，即所述第一直线a的一侧为所述直线区32(图3或图4中所述第一直线a的上侧为所述直线区32)，所述第一直线a的另一侧为所述绑定区20(图3或图4中所述第一直线a的下侧为所述绑定区20)。
71.在本技术实施例中，如图5所示，所述扇出区30包括相邻接的所述直线区32和斜线区34，所述直线区32与所述绑定区20相邻接，且二者之间电连接，所述直线区32的多条第一走线322与对应的绑定引线568电连接。所述斜线区34与所述直线区32相邻接，且二者之间电连接，所述斜线区34的多条第二走线342与对应的第一走线322电连接。
72.请继续参阅图3，在本技术实施例中，所述直线区32邻接所述绑定区20的一侧在第一预设长度内的线宽等于所述绑定引线568的线宽，其中，所述第一预设长度是指所述第一
走线322邻接所述绑定区20一侧在第一预设长度内的预定设计线宽大于所述斜线区34的第二走线342的“w”与“s”的比值的特定值。其中，“w”是指所述斜线区34的第二走线342线宽，“s”是指所述斜线区34的相邻两条第二走线342的间距。
73.在其中一个实施例中，所述预定设计线宽是指阵列基板在未进行走线优化前选定使用的第一走线的线宽。
74.在其中一个实施例中，所述“w”与“s”的比值会影响到制作所述阵列基板100的制程，所述“w”与“s”的比值的特定值可以取最小值，本技术对此不做具体限制。
75.请继续参阅图4，在本技术其他实施例中，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的线宽不小于多条第二走线342的线宽且不超过多条所述绑定引线568的线宽，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内靠近所述绑定区20一侧的线宽大于远离所述绑定区20一侧的线宽，同时，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的线宽可以为渐变形式，即所述直线区邻接所述绑定区一侧的多条所述第一走线在第二预设长度内的线宽沿由靠近所述绑定区至远离所述绑定区的方向渐变缩小，例如，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的线宽变化呈现为平滑的曲线或多个均匀缩小折线段等规律性变化，实现所述绑定区20的绑定引线568的线宽到所述直线区32的第一走线322的线宽的平滑过渡，进而提升所述阵列基板100走线的良率。其中，所述第二预设长度是指所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的预定设计线宽大于所述斜线区34的“w”与“s”的比值的特定值，同时，所述直线区32邻接所述绑定区20一侧的多条所述第一走线322在第二预设长度内的预定设计线宽应当保证goa(gate on array)电路或驱动集成电路在所述扇出区30的完整布局。
76.在本技术实施例中，“w”是指所述斜线区34的第二走线342的线宽，“s”是指所述斜线区34的相邻两条第二走线342的间距。
77.在其中一个实施例中，所述预定设计线宽是指阵列基板在未进行走线优化前选定使用的第一走线的线宽。
78.在其中一个实施例中，所述“w”与“s”的比值会影响到制作所述阵列基板300的制程，所述“w”与“s”的比值的特定值可以取最小值，本技术对此不做具体限制。
79.基于相同的构思，针对上述任一实施例的阵列基板，本技术实施例还提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述任一实施例的阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。具体地，所述彩膜基板置于所述导电膜51远离所述衬底基板58的一侧，所述液晶层置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
80.基于相同的构思，针对上述的显示面板，本技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括背光模组以及上述实施例中所述的显示面板，所述显示面板设置于背光模组的出光侧，所述背光模组为所述显示面板提供背光。可以理解的是，所述显示装置还包括其他结构，本技术只列出了与发明点相关的结构，而且，本技术实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。
81.在其中一个实施例中，所述显示装置还包括驱动板、电源板、高压板、按键控制板
等其他必要的部件和组成，本领域技术人员可根据该显示装置的具体类型和实际功能进行相应地补充，在此不再赘述。
82.可以理解地，所述显示装置可用于包括但不限于平板电脑、笔记本电脑、台式电脑等电子设备，例如，tft-lcd。根据本发明的实施例，该显示装置的具体种类不受特别的限制，本领域技术人员可根据应用该显示装置的电子装置的具体的使用要求进行相应地设计，在此不再赘述。
83.可以理解地，所述显示装置还可用于包含诸如个人数字助理(personal digital assistant，pda)和/或音乐播放器功能的电子设备，诸如手机、平板电脑、具备无线通讯功能的可穿戴电子设备(如智能手表)等。上述电子设备也可以是其它电子装置，诸如具有触敏表面(例如触控面板)的膝上型计算机(laptop)等。在一些实施例中，所述电子设备可以具有通信功能，即可以通过2g(第二代手机通信技术规格)、3g(第三代手机通信技术规格)、4g(第四代手机通信技术规格)、5g(第五代手机通信技术规格)或w-lan(无线局域网)或今后可能出现的通信方式与网络建立通信。为简明起见，对此本技术实施例不做进一步限定。
84.综上所述，在本技术提供的所述阵列基板100、显示面板和显示装置中，所述扇出区30与所述连接区10电连接，所述绑定区20与所述扇出区30电连接，所述绑定区20包括绑定引线568，所述扇出区30包括直线区32和斜线区34，所述直线区32靠近所述绑定区20的一侧在预设长度的区段内所述直线区32的线宽等于所述绑定引线568的线宽；或所述直线区32邻接所述绑定区20的一侧在第二预设长度内的线宽呈规律性变化且不小于所述斜线区34的线宽且不超过所述绑定引线568的线宽且邻接所述绑定区的一侧大于远离所述绑定区的一侧，实现所述绑定区20到所述斜线区34线宽的平滑过渡，避免了在所述直线区与所述绑定区交界位置处由于线宽变化较大，尤其是coa产品中的扇出区走线设计中，过孔边缘过度线宽差异较大，容易产生的逆倒角或底切导致的水汽渗入造成的线不良的问题，提高了所述阵列基板的线的良率，有效提高了所述阵列基板的使用性能，提高所述显示装置的显示效果和品质。此外，现有市场中，绑定区的绑定引线的线宽通常大于直线区的预定设计线宽，本技术将直线区的线宽加宽为等于绑定引线的线宽或较预定设计线宽加宽，有效减小了直线区的第一走线的电阻，从而有效提升了阵列基板的信号驱动和传输，提升了阵列基板的使用性能，有效提升所述显示面板和所述显示装置的使用效果。
85.对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
86.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。