显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示驱动技术领域，特别涉及一种显示面板。


背景技术：

2.在显示领域，在tft（thin film transistor，薄膜晶体管）的显示面板中，通常设置lcd（liquid crystal display，液晶显示器）显示器，lcd显示器由于液晶无法完全阻断光线，导致颜色的对比度较低。并且还需要在阵列基板和对置基板的表面设置偏光片，通过偏光片来进一步控制光线的通过。这种方式的由于需要设置较多的偏光片，结构更加复杂。
3.在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强主要作用于减少对本技术的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

4.本技术的一个目的在于提供一种显示面板，能够减少偏光片的使用，使结构更加简单。
5.根据本技术的一个方面，本技术提供一种显示面板，包括对置基板和阵列基板，所述对置基板和所述阵列基板在竖直方向上相对设置，所述对置基板设置有多个阵列排布的开口区和位于相邻所述开口区之间的非开口区，所述阵列基板包括第一衬底及设置于所述第一衬底上的多个电泳单元，每个所述电泳单元对应一所述开口区，所述电泳单元包括：环形支撑柱，所述环形支撑柱在所述对置基板上的正投影位于所述非开口区内，并围设所述开口区，所述环形支撑柱围设形成容置空间；间隔设置的像素电极和公共电极，所述像素电极和所述公共电极设于所述环形支撑柱在水平方向上的相对两侧，并能够产生水平电场；若干电泳粒子，设于所述环形支撑柱的容置空间内，且所述电泳粒子能够在所述像素电极和所述公共电极之间形成的水平电场驱动下，进行水平移动。
6.在其中一个方面，所述容置空间包括显示区和至少一避让区，所述显示区和所述避让区相连通；所述显示区和所述开口区在所述第一衬底上的正投影完全重合；所述避让区在所述第一衬底上的正投影位于所述非开口区在所述第一衬底上的正投影内；其中，所述若干电泳粒子能够在所述像素电极和所述公共电极之间形成的水平电场作用下完全聚集在所述避让区或向所述显示区分散。
7.在其中一个方面，所述像素电极和所述公共电极的至少部分设于所述环形支撑柱的内环面。
8.在其中一个方面，所述像素电极和所述公共电极均包括内电极、外电极以及连接所述内电极和所述外电极的连接电极；其中，所述内电极设于所述环形支撑柱的内环面，所述连接电极设于所述环形支撑柱的
顶面，所述外电极设于所述环形支撑柱的外环面。
9.在其中一个方面，所述电泳单元还包括驱动晶体管及公共信号连接端；所述驱动晶体管及所述公共信号连接端位于所述环形支撑柱靠近所述第一衬底的一侧，并与所述第一衬底之间形成有钝化层；所述驱动晶体管和所述公共信号连接端在所述第一衬底上的正投影位于所述非开口区在所述第一衬底上的正投影内；其中，所述像素电极的外电极贯穿所述钝化层并与所述驱动晶体管的漏极连接，所述公共电极和外电极贯穿所述钝化层并与所述公共信号连接端连接。
10.在其中一个方面，所述公共信号连接端与所述漏极同层设置且相互间隔。
11.在其中一个方面，所述对置基板包括第二衬底、彩膜层和黑色矩阵层，所述黑色矩阵层和所述彩膜层依次形成在所述第二衬底上；所述黑色矩阵层位于所述非开口区处，且所述黑色矩阵层在所述第一衬底上的正投影覆盖所述环形支撑柱和所述避让区在所述第一衬底上的正投影；所述彩膜层包括若干彩膜子单元，每个所述彩膜子单元的至少部分对应位于一所述开口区处，且所述彩膜子单元在所述第一衬底上的正投影覆盖所述显示区在所述第一衬底上的正投影。
12.在其中一个方面，所述环形支撑柱在所述竖直方向上的截面为梯形；所述梯形的上底的两边缘相对所述梯形的下底的两边缘呈内缩设置；所述梯形的内侧腰和外侧腰与所述梯形的下底之间的倾斜角度范围为70
°
至80
°
。
13.在其中一个方面，所述连接电极包括若干交叉段，所述交叉段的一端连接所述内电极，另一端连接所述外电极，若干所述交叉段之间形成间隔空间，所述环形支撑柱的部分顶面于所述间隔空间显露。
14.在其中一个方面，所述电泳粒子为黑色电泳粒子；和/或所述像素电极和所述公共电极均为铟锡氧化物。
15.本技术的技术方案中，通过控制电泳粒子水平移动的方式来控制光线穿过对置基板的开口区。在需要光线透射时，在像素电极和公共电极上施加电压，从而在像素电极和公共电极之间的容置空间形成电场，电泳粒子在电场的作用下，向像素电极或公共电极移动。在电泳粒子聚集在一边后，开口区不存在电泳粒子，如此，减少了对光线的遮挡，保证光线的透射。在需要遮挡光线时，在像素电极和公共电极上施加反向电压，电场的方向反向，这样电泳粒子在容置空间内扩散，开口区对应位置分布有电泳粒子，对开口区的光线进行了遮挡。本技术方案通过电泳粒子来控制光线透射，减少了偏光片的设置，结构更加简单。
16.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。
附图说明
17.通过参照附图详细描述其示例实施例，本技术的上述和其它目标、特征及优点将变得更加显而易见。
18.图1是本技术第一实施例的显示面板中对置基板和阵列基板的分解结构示意图。
19.图2是本技术的显示面板中像素电极和公共电极之间水平电场的结构示意图。
20.图3是本技术的显示面板中电泳粒子位于显示区的结构示意图。
21.图4是本技术的显示面板中电泳粒子位于避让区的结构示意图。
22.图5是本技术的显示面板中环形支撑柱的环面倾角的结构示意图。
23.图6是本技术的显示面板中阵列基板的俯视结构示意图。
24.图7是本技术图6中连接电极另一排布结构的结构示意图。
25.图8是本技术的显示面板中像素电极和公共电极连接驱动电路的连接示意图。
26.附图标记说明如下：10、对置基板；20、阵列基板；30、光线；40、驱动电路；101、开口区；102、非开口区；110、第二衬底；120、黑色矩阵层；130、彩膜层；131、彩膜子单元；201、容置空间；201a、显示区；201b、避让区；202、水平电场；210、环形支撑柱；220、像素电极；221、像素电极的内电极；222、像素电极的外电极；223、像素电极的连接电极；2231、像素电极的交叉段；230、公共电极；231、公共电极的内电极；232、公共电极的外电极；233、公共电极的连接电极；2331、公共电极的交叉段；240、源极；250、漏极；260、公共信号连接端；270、钝化层；271、第一通孔；272、第二通孔；280、有源层；281、绝缘层；282、栅极；283、第一衬底；290、电泳粒子。
具体实施方式
27.尽管本技术可以容易地表现为不同形式的实施方式，但在附图中示出并且在本说明书中将详细说明的仅仅是其中一些具体实施方式，同时可以理解的是本说明书应视为是本技术原理的示范性说明，而并非旨在将本技术限制到在此所说明的那样。
28.由此，本说明书中所指出的一个特征将用于说明本技术的一个实施方式的其中一个特征，而不是暗示本技术的每个实施方式必须具有所说明的特征。此外，应当注意的是本说明书描述了许多特征。尽管某些特征可以组合在一起以示出可能的系统设计，但是这些特征也可用于其他的未明确说明的组合。由此，除非另有说明，所说明的组合并非旨在限制。
29.在附图所示的实施方式中，方向的指示（诸如上、下、左、右、前和后）用于解释本技术的各种元件的结构和运动不是绝对的而是相对的。当这些元件处于附图所示的位置时，这些说明是合适的。如果这些元件的位置的说明发生改变时，则这些方向的指示也相应地改变。
30.现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些示例实施方式使得本技术的描述将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。附图仅为本技术的示意性图解，并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
31.以下结合本说明书的附图，对本技术的较佳实施方式予以进一步地详尽阐述。
32.实施例一参阅图1至图4所示，本技术提供一种显示面板，包括对置基板10和阵列基板20，对置基板10和阵列基板20在竖直方向上相对设置，对置基板10和阵列基板20具有相对设置的内环面，对置基板10设置有多个开口区101，多个开口区101矩阵排列于对置基板10的内环
面，一个开口区101为一个独立的光线30透过区。相邻开口区101之间的非开口区102。阵列基板20包括第一衬底283及设置于第一衬底283上的多个电泳单元，每个电泳单元对应一开口区101。第一衬底283一般为透明基板。其中，x方向代表水平方向，y方向代表竖直方向。
33.电泳单元包括：环形支撑柱210、若干电泳粒子290、像素电极220和公共电极230。环形支撑柱210支撑形成一个围绕开口区101的容置空间201，电泳粒子290放置容置空间201中。电泳粒子290（particle electrophoresis）是直径1～10um颗粒物质。通过像素电极220和公共电极230施加不同电压，从而在像素电极220和公共电极230之间形成电场，电泳粒子290在电场作用下向像素电极220或公共电极230移动。
34.具体地，环形支撑柱210在对置基板10上的正投影位于非开口区102内，并围设开口区101。环形支撑柱210设于开口区101的两侧的非开口区102，并抵接于对置基板10的下表面；从而环形支撑柱210和对置基板10的下表面形成一个密闭的容置空间201，电泳粒子290设于容置空间201内，防止电泳粒子290泄漏。
35.像素电极220和公共电极230间隔设置，像素电极220和公共电极230分设于环形支撑柱210在水平方向上的相对两侧，并能够产生水平电场202；若干电泳粒子290设于环形支撑柱210的容置空间201内，且电泳粒子290能够在像素电极220和公共电极230之间形成的水平电场202驱动下，进行水平移动。其中，水平分布是指电场的方向和光线30的穿过对置基板10的方向垂直。水平电场202强度更强，且垂直方向电场分量很小或者没有垂直分量，电泳粒子290运动更加易于控制，而且，能够降低显示能耗。
36.本实施例的技术方案中，通过控制电泳粒子290水平移动的方式来控制光线30穿过对置基板10的开口区101。在需要光线30透射时，在像素电极220和公共电极230上施加电压，从而在像素电极220和公共电极230之间的容置空间201形成电场，电泳粒子290在电场的作用下，向像素电极220或公共电极230移动。在电泳粒子290聚集在一边后，开口区101不存在电泳粒子290，如此，减少了对光线30的遮挡，保证光线30的透射。在需要遮挡光线30时，在像素电极220和公共电极230上施加反向电压，电场的方向反向，这样电泳粒子290在容置空间201内扩散，开口区101对应位置分布有电泳粒子290，对开口区101的光线30进行了遮挡，光线30无法透射。本技术方案通过电泳粒子290来控制光线30透射，减少了偏光片的设置，结构更加简单。
37.进一步地，环形支撑柱210的截面为柱形结构，环形支撑柱210的表面与对置基板10的表面基本垂直，或者就理解为垂直。如此可以理解为像素电极220和公共电极230的两表面是相互平行的，像素电极220和公共电极230形成的电场是和光线30的出射方向垂直。保证电泳粒子290在较短的路径上移动，减少电场作用力的分散，降低能耗。
38.除此之外，本实施例中的显示面板不需要设置偏光片来控制光线30的透射或截止，减少由于设置偏光片而造成的光线30吸收，提高光线30的透过率。
39.并且，由于不需要偏光片来配合控制光线30的透射，从而还能够减少显示面板的厚度。
40.为了提高在开口区101的光线30透过率，容置空间201包括有显示区201a和至少一避让区201b，显示区201a和避让区201b相连通，显示区201a和开口区101在第一衬底283上的正投影完全重合；经过显示区201a的光线30也经过开口区101，如果显示区201a被遮挡，则光线30无法经开口区101射出。避让区201b在第一衬底283上的正投影位于非开口区102
在第一衬底283上的正投影内；其中，若干电泳粒子290能够在像素电极220和公共电极230之间形成的水平电场作用下完全聚集在避让区201b或向显示区201a分散。如此，电泳粒子290聚集在避让区201b时，在显示区201a的位置不存在黑色电泳粒子290的遮挡，光线30可以顺利穿过开口区101。
41.显示区201a在第一衬底283上的正投影面积为s，则避让区201b在第一衬底283上的正投影面积为s*1/10。保证电泳粒子290具有足够的存储位置。
42.也就是说显示区201a位于开口区101的正下方，避让区201b位于非开口区102的正下方，避让区201b用于供电泳粒子290聚集。可以设置两个避让区201b，即在像素电极220一侧设置一个避让区201b，在公共电极230的一侧也设置一个避让区201b，电泳粒子290可以聚集在像素电极220的一侧，也可以聚集在公共电极230的一侧。
43.也就是说，环形支撑柱210的至少一侧更加远离开口区101的中心线，这样在电泳粒子290移动向像素电极220或者公共电极230时，电泳粒子290可以聚集在避让区201b，光线30在经过开口区101时，没有电泳粒子290的遮挡，进而可以提高光线30的透过率。
44.为了提高电场强度，像素电极220和公共电极230的至少部分设于环形支撑柱210的内环面。这样像素电极220和公共电极230能够更加靠近电泳粒子290，一般在越靠近像素电极220或者公共电极230的位置，电场强度更强。
45.像素电极220和公共电极230设置在环形支撑柱210的内环面，能够提供更强的电场，便于电泳粒子290的受力移动。
46.并且，为了减少电泳粒子290对像素电极220和公共电极230的侵蚀，在像素电极220和公共电极230的表面还设置一层保护膜，保护膜用于保护像素电极220和公共电极230的表面，避免电泳粒子290的侵蚀。
47.另外，像素电极220和公共电极230还可以设置在环形支撑柱210的外环面。这样能够缩短像素电极220和漏极250之间、以及公共电极230和公共信号连接端260之间的距离，提高漏极250到像素电极220、以及公共信号连接端260到公共电极230的电信号传输速度。还能够避免电泳粒子290对像素电极220和公共电极230的侵蚀。
48.还需要说明的是，像素电极220和公共电极230其中一个可以设置在环形支撑柱210的内环面，另一个设置在环形支撑柱210的外环面。这样设置结构更加灵活。
49.像素电极220和公共电极230是通过先镀膜，然后在刻蚀的方式完成加工的。在设置环形支撑柱210与像素电极220和公共电极230时，可以在阵列基板20的钝化层270上先设置导电层，在导电层上设置环形支撑柱210，加工出环形支撑柱210后，再进行环形支撑柱210的内环面镀膜。如此，像素电极220穿设于环形支撑柱210和钝化层270之间的位置，并延伸至漏极250，公共电极230穿设于环形支撑柱210和钝化层270之间的位置，并延伸至公共电极230。这种方式中，像素电极220和公共电极230的延伸路径较短，能够提高电信号的传递效率。但是，这种结构中需要两次镀制导电层才能完成像素电极220和公共电极230的设置，通过两次镀膜将环形支撑柱210的内外导电层连接起来，加工过程步骤繁琐。
50.为此，像素电极220和公共电极230均包括内电极、外电极以及连接内电极和外电极的连接电极；其中，内电极设于环形支撑柱210的内环面，连接电极设于环形支撑柱210的顶面，外电极设于环形支撑柱210的外环面。这样，像素电极220穿设于环形支撑柱210和对置基板10之间的位置，并沿环形支撑柱210的外环面延伸至漏极250，公共电极230穿设于环
形支撑柱210和对置基板10之间的位置，并沿环形支撑柱210的外环面延伸至公共信号连接端260。这种设置方式中，先设置环形支撑柱210，再进行像素电极220和公共电极230的设置，这种加工过程，只需要镀膜一次就可以完成导电层的设置，相比两次镀膜的方式效率更高。
51.这种结构中，在环形支撑柱210的内外环面均设置像素电极220和公共电极230的情况下，像素电极220设置有两层，公共电极230也设置有两层，通过这样的两层设置，相当于电场强度翻倍，进一步地提高电场强度，提高驱动电力粒子移动的作用力。
52.进一步地，为了保证像素电极220和公共电极230正常工作。电泳单元还包括驱动晶体管及公共信号连接端260；驱动晶体管及公共信号连接端260位于环形支撑柱210靠近第一衬底283的一侧，并与第一衬底283之间形成有钝化层270；驱动晶体管和公共信号连接端260在第一衬底283上的正投影位于非开口区102在第一衬底283上的正投影内；其中，像素电极220的外电极贯穿钝化层270并与驱动晶体管的漏极250连接，公共电极230和外电极贯穿钝化层270并与公共信号连接端260连接。通过驱动晶体管的漏极250给像素电极220供电，通过公共信号连接端260给公共电极230供电。并且驱动晶体管设置在非开口区102，能够避免影响光线30的透射。
53.其中，钝化层270为氧化硅层或者是氮化硅层，也可以是氧化硅层和氮化硅层共同组成。钝化层270用于保护阵列基板20表面的各种线路。
54.公共信号连接端260与漏极250同层设置且相互间隔，保证两者能够经过同一道工序完成加工，并且可以接收电压大小不同的控制信号。钝化层270覆盖住了源极240和漏极250、以及公共信号连接端260的上表面。其中，源极240和漏极250、以及公共信号连接端260的材质一般相同。为了保证像素电极220和公共电极230能够连接到漏极250和公共信号连接端260，钝化层270在位于漏极250的位置开设第一通孔271，在公共信号连接端260的位置开设第二通孔272，通过第一通孔271显露漏极250，通过第二通孔272显露公共信号连接端260；这样，像素电极220可以延伸至漏极250的第一通孔271位置，并覆盖在漏极250上，实现和漏极250的连接。公共电极230可以延伸至公共信号连接端260的第二通孔272位置，并覆盖在公共信号连接端260上，实现和公共信号连接端260的连接。
55.漏极250和公共信号连接端260均为可以导电的金属材料，例如铜、铝或者钼等。通过漏极250可以给像素电极220供电，通过公共信号连接端260给公共电极230供电。利用漏极250和公共信号连接端260能够充分利用显示面板的结构设计，减少连接其它电源或者更改布线设计而造成的复杂性。
56.当然，像素电极220也可以连接源极240，通过源极240给像素电极220供电。
57.其中，像素电极220和公共电极230提供的电压大小是不同的。例如，像素电极220的电压大于公共电极230的电压，这样形成电场的方向是由像素电极220指向公共电极230的，电泳粒子290沿着电场的方向移动，由像素电极220移动至公共电极230，电泳粒子290聚集在靠近公共电极230的避让区201b，这样开口区101的透光位置显露出来，光线30透射于开口区101。
58.在像素电极220和公共电极230上施加反向电压后，电场的方向由公共电极230指向像素电极220，电泳粒子290由公共电极230移动至像素电极220，通过控制电压的大小和电场的施加时间，能够控制电泳粒子290的移动距离。使电泳粒子290散布在容置空间201的
不同位置，完成对开口区101不同透射率的要求。
59.另外，通过控制电压的大小和电场的施加时间，还可以根据需要实现不同的透光情况。例如，只需要透光率为50%时，控制电泳粒子290移动，对开口区101的一半进行遮挡，这样，一部分光线30被遮挡，另一部分光线30透射开口区101。
60.为了充分利用对置基板10的结构设计，对置基板10包括第二衬底110、彩膜层130和黑色矩阵层120，黑色矩阵层120和彩膜层130依次形成在第二衬底110上；黑色矩阵层120位于非开口区102处，且黑色矩阵层120在第一衬底283上的正投影覆盖环形支撑柱210和避让区201b在第一衬底283上的正投影；彩膜层130包括若干彩膜子单元131，每个彩膜子单元131的至少部分对应位于一开口区101处，且彩膜子单元131在第一衬底283上的正投影覆盖显示区201a在第一衬底283上的正投影。第二衬底110也为透明基板。
61.黑色遮光块本身就可以遮光，充分利用黑色矩阵层120的遮光，将环形支撑柱210设置在黑色遮光块的下方，光线30只经过开口区101，从而避免了环形支撑柱210对光线30的遮挡。
62.参阅图5所示，为了提高像素电极220和公共电极230在环形支撑柱210上的附着力。环形支撑柱210在竖直方向上的截面为梯形；梯形的上底的两边缘相对梯形的下底的两边缘呈内缩设置；梯形的内侧腰和外侧腰与梯形的下底之间的倾斜角度范围为70
°
至80
°
之间。梯形的内侧腰和外侧腰与梯形的下底之间的倾斜角θ，则满足：70
°
≤θ≤80
°
。
63.也就是说，环形支撑柱210的环面与钝化层270的上表面之间是呈倾斜设置的。在镀膜时，膜层的沉积方向是竖直方向是，通过环形支撑柱210的环面的倾斜设置，可以保证环形支撑柱210的内环面和外环面能够面向沉积方向。这样，膜层在沉积时，可以沉积在环形支撑柱210的环面上。如果夹角大于80
°
，则环形支撑柱210的环面很少面积正对膜层的沉积方向，环形支撑柱210的环面和膜层的沉积方向平行，则膜层难以沉积在环形支撑柱210的环面。
64.如果夹角小于70
°
，环形至支撑柱的环面正对膜层的沉积方向的面积过大，容易导致环形支撑柱210的占据空间增加，相邻的两个环形支撑柱210会出现彼此干涉的情况。为此，将夹角控制在70
°
到80
°
之间。
65.其中，θ可以是70
°
、71
°
、72
°
、73
°
、74
°
、75
°
、76
°
、77
°
、78
°
、79
°
、80
°
其中一个。内环面和外环面的倾角的大小可以相等，也可以不等。
66.参阅图6所示，在设置像素电极220的一侧，在环形支撑柱210的顶面和黑色矩阵层120之间设置像素电极的内电极221，环形支撑柱210和黑色矩阵层120均为有机物，而像素电极的内电极221具有一定金属性是无机物，会对环形支撑柱210和黑色矩阵层120之间的密封性产生影响。为了提高密封性，避免电泳粒子290泄漏。像素电极的连接电极223包括若干像素电极的交叉段2231，像素电极的交叉段2231的一端连接像素电极的内电极221，另一端连接像素电极的外电极222，若干像素电极的交叉段2231之间形成间隔空间，环形支撑柱210的部分顶面于间隔空间显露。环形支撑柱210具有一定的弹性，环形支撑柱210在受压的情况下，会通过间隔空间向黑色矩阵层120外溢，并且和黑色矩阵层120相互接触。这样，两个有机物实现相互接触，减少出现缝隙，提高环形支撑柱210对电泳粒子290的密封。
67.同样地，在设置公共电极230的一侧，在环形支撑柱210的顶面和黑色矩阵层120之间设置公共电极的内电极231，环形支撑柱210和黑色矩阵层120均为有机物，而公共电极的
内电极231具有一定金属性是无机物，会对环形支撑柱210和黑色矩阵层120之间的密封性产生影响。为了提高密封性，避免电泳粒子290泄漏。公共电极的连接电极233包括若干公共电极的交叉段2331，公共电极的交叉段2331的一端连接公共电极的内电极231，另一端连接公共电极的外电极232，若干公共电极的交叉段2331之间形成间隔空间，环形支撑柱210的部分顶面于间隔空间显露。环形支撑柱210具有一定的弹性，环形支撑柱210在受压的情况下，会通过间隔空间向黑色矩阵层120外溢，并且和黑色矩阵层120相互接触。这样，两个有机物实现相互接触，减少出现缝隙，提高环形支撑柱210对电泳粒子290的密封。
68.参阅图7所示，其中，交叉段的设置可以是成条状，或两排或多排设置，形成一个交错排布的连接，这样可以使间隔空间在环形支撑柱和黑色矩阵层之间分布的更加分散，从而在环形支撑柱和黑色矩阵层接触时，使其相互粘合的位置更加分散。
69.为了在保证遮光效果的情况下，进一步减小显示面板的厚度，梯形的上底与梯形的下底之间的垂直距离范围为3μm至5μm。如果梯形的上底与梯形的下底之间距离大于5μm，则厚度太厚。如果梯形的上底与梯形的下底之间距离小于3μm则容置空间201的体积较小，难以容纳下足够多的电泳粒子290，而电泳粒子290数量太少，在遮光时，容易出现缝隙导致漏光。
70.为了更好的实现对光线30的遮挡，电泳粒子290为黑色电泳粒子290。黑色电泳粒子290可以更加有效的遮光，在遮住光线30后漏光很少，能够更加有效的提高明暗的对比度。也就是说，本技术方案中，电泳粒子290的颜色只有一种，即是黑色电泳粒子290，通过单一的黑色颜色的电泳粒子290实现对光线30的遮挡。
71.在其中一个方面，像素电极220和公共电极230均匀铟锡氧化物。铟锡氧化物可以是ito（indium tin oxide，氧化铟锡）半导体材料，氧化铟锡具有良好的光线透过率和导电性。像素电极220和公共电极230的厚度可以在500
å±
100
å
之间。
72.在设置本技术中的显示面板时，在tft基板上，依次通过物理气相沉积光刻、刻蚀形成栅极282，栅极282一般为铜、铝或者钼等材料。通过化学气相沉积在栅极282上设置绝缘层281，绝缘层281为氮化硅材料。再通过化学气相沉积、光刻、刻蚀的方式在绝缘层281上形成有源层280。通过化学气相沉积、光刻、刻蚀的方式在有源层280上形成源极240和漏极250，并同步形成公共信号连接端260。通过化学气相沉积、光刻、刻蚀的方式形成钝化层270，钝化层270覆盖在源极240、漏极250和公共信号连接端260的上表面。
73.参阅图8所示，本技术的显示面板还连接驱动电路，驱动电路连接像素电极220和公共电极230，驱动电路用于向像素电极220和公共电极230输出电压。其中，像素电极220的电压大小可调，而公共电极230的电压大小一般固定，通过驱动电路调整像素电极220的电压大于公共电极230的电压，而使电泳粒子290移动向公共电极230。通过驱动电路调整像素电极220的电压小于公共电极230的电压，而使电泳粒子290移动向像素电极220。还可以通过调整像素电极220的电压大小，使像素电极220和公共电极230之间形成电场强度较弱的电场，从而维持电泳粒子290的位置状态。
74.虽然已参照几个典型实施方式描述了本技术，但应当理解，所用的术语是说明和示例性、而非限制性的术语。由于本技术能够以多种形式具体实施而不脱离发明的精神或实质，所以应当理解，上述实施方式不限于任何前述的细节，而应在随附权利要求所限定的精神和范围内广泛地解释，因此落入权利要求或其等效范围内的全部变化和改型都应为随
附权利要求所涵盖。