一种光刻板的制作方法

1.本实用新型涉及半导体芯片制造技术领域，特别涉及一种光刻板。


背景技术：

2.led芯片是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小等特点，被广泛应用于照明等领域，通常，在芯片整个前段制程需要经过多次黄光站点。而黄光站点又分为涂胶、曝光、显影、目检四大步骤。其中步骤之一的曝光，作用类似于生活中的老式交卷相机，工作原理为使用一定量的紫外线(波长一般为365nm)透过光刻板照射在涂胶后的晶圆上，将光刻板上的图形复制到晶圆上。
3.一般的，在曝光时，需要对晶圆的多层进行曝光，为了将后一层曝光需要将光刻板上的新图形套合到前一层的图形上，故需要特殊标记点进行对位，以保证两次套合的偏移量不超过设定的偏移量。然而，现有技术中，光刻板只能适用单一的曝光机进行曝光，通用性较差。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本实用新型的目的是提供一种光刻板，旨在解决现有技术中的光刻板通用性差的问题。
5.本实用新型提出的光刻板包括非芯片区以及围绕所述非芯片区设置的芯片区，所述非芯片区分别设于所述光刻板的两侧，所述非芯片区上设有对位标记单元，两个所述对位标记单元沿所述光刻板的其中一条中心轴线对称设置，所述对位标记单元包括并排设置的第一标记位和第二标记位，两个所述第一标记位之间的间距与两个所述第二标记位之间的间距不同。
6.上述光刻板通过设置非芯片区为对位标记单元提供安装空间，并将对位标记单元对称设置以保证在曝光时对晶圆进行精准定位，对位标记单元中的第一标记位和第二标记位分别用于不同类型的曝光机进行曝光定位，将第一标记位和第二标记位进行并排设置以保证两个第一标记位之间的间距与两个第二标记位之间的间距不同，从而使得不同类型的曝光机可以分别精准的识别到第一标记位和第二标记位，并对晶圆进行曝光，提升了光刻板的通用性，解决了现有技术中的光刻板通用性差的问题。
7.另外，根据本实用新型提出的光刻板，还可以具有如下的附加技术特征：
8.进一步地，所述第一标记位与所述第二标记位均包括多个间隔设置的标记区。
9.进一步地，所述标记区包括第一标记点以及围绕所述第一标记点设置的第二标记点。
10.进一步地，所述第一标记位中，相邻两个所述第一标记点的形状不同。
11.进一步地，所述光刻板还包括设于所述第一标记点内的第三标记点。
12.进一步地，所述第一标记位呈矩形，所述第一标记位的长度为10～15mm。
13.进一步地，两个所述对位标记单元之间的间距大于晶圆半径的二分之一且小于晶
圆半径的三分之二。
14.进一步地，相邻两个所述第二标记点的形状不同。
15.进一步地，所述第二标记位中，每个所述第一标记点的形状均不相同。
16.进一步地，两个所述对位标记单元设于所述光刻板的另一条中心轴线上，以当所述光刻板盖设于晶圆上时，所述晶圆处于所述光刻板的中心区域。
附图说明
17.图1为本实用新型一实施例中提出的光刻板的结构示意图；
18.图2为本实用新型一实施例中提出的光刻板中的标记区的结构示意图；
19.图3为本实用新型一实施例中提出的光刻板中的第一标记位的结构示意图；
20.图4为本实用新型一实施例中提出的光刻板中的第一标记位中其中一个标记区的结构示意图；
21.图5为本实用新型一实施例中提出的光刻板中的第二标记位的结构示意图。
22.主要元件符号说明：
[0023][0024][0025]
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本实用新型。
具体实施方式
[0026]
为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的若干实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容更加透彻全面。
[0027]
需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0028]
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0029]
请参阅图1至图5，所示为本实用新型一实施例中的光刻板，该光刻板包括非芯片
区10以及围绕所述非芯片区10设置的芯片区20，其中：
[0030]
非芯片区10上设有对位标记单元30，用于曝光机在进行曝光时，准确的对位以对晶圆进行精准曝光，非芯片区10分别设于光刻板的两侧，即对位标记单元30设于光刻板的两侧，以对被曝光的晶圆进行精准定位，具体的，对位标记单元30包括并排设置的第一标记位31和第二标记位32，其中，第一标记位31用于第一类型的曝光机进行识别定位，第二标记位32用于第二类型的曝光机进行识别定位，两个第一标记位31分别沿光刻板的其中一条中心轴线对称设置，两个第二标记位32也分别沿光刻板的其中一条中心轴线设置，由于每种类型的曝光机对于用于标记定位的定位区域的要求均不一样，因此，两个第一标记位31之间的间距与两个第二标记位32之间的间距不同，避免两个第一标记位31与两个第二标记位32设置相同，干扰曝光机的识别，保证第一标记位31以及第二标记位32能分别被第一类型的曝光机和第二类型的曝光机精准识别。
[0031]
可以理解的，上述光刻板通过设置非芯片区10为对位标记单元30提供安装空间，并将对位标记单元30对称设置以保证在曝光时对晶圆进行精准定位，对位标记单元30中的第一标记位31和第二标记位32分别用于不同类型的曝光机进行曝光定位，将第一标记位31和第二标记位32进行并排设置以保证两个第一标记位31之间的间距与两个第二标记位32之间的间距不同，从而使得不同类型的曝光机可以识别到第一标记位31和第二标记位32，并对晶圆进行曝光。
[0032]
进一步的，第一标记位31与第二标记位32均包括多个间隔设置的标记区33，具体的，第一标记位31与第二标记位32主要通过标记区33被适配的曝光机识别对位，标记区33设置有多个并间隔设置，以通过多个标记区33对晶圆中的不同层分别进行标记。在具体实施时，第一标记位31设置成矩形，第一标记位31的长度优选为10～15mm。以便被曝光机识别，多个标记区33沿矩形的长轴方向设置，以便被曝光机识别到每个标记区33。
[0033]
具体的，标记区33包括第一标记点330以及围绕第一标记点330设置的第二标记点331，其中，第一标记点330可以用于晶圆前一层的曝光，第二标记点331可以用于晶圆后一层曝光，在具体实施时，第二标记点331与第一标记点330进行套合，在进行曝光时，曝光机会自动计算，当套合的偏移量小于预设偏移量时，表示对位精确，以保证光刻板两次与晶圆的相对位置相同，从而使两层不同的图形复制到晶圆的同一位置，更具体的，在第一标记位31中，相邻两个第一标记点330的形状不同以及相邻两个第二标记点331的形状也不相同，在第二标记位32中，每个第一标记点330的形状均不相同，避免在对位时产生错对的情况以及方便区分曝光的层数，进一步的提升对位精度。
[0034]
进一步的，在本实施例当中，第一标记点330内还设有第三标记点332，每个第三标记点332均由两个嵌套的标记点组成，两个标记点可以分别与第一标记点330和第二标记点331组成对位组，具体的，在进行对位时，后一层的第二标记点331可以与第一标记点330可以先进行初步定位，而第三标记点332中的其中一个标记点与另一个标记点可以进行进一步的精准对位，可以理解的，通过在第一标记点330内设置第三标记点332，在进行曝光时，可以对晶圆进行粗对位后进行精对位，方便晶圆对位的同时提升对位的精度。
[0035]
更近一步的，两个对位标记单元30之间的间距大于晶圆半径的二分之一且小于晶圆半径的三分之二，以保证在放置晶圆后，对位标记单元30始终处于晶圆的易识别区域；两个对位标记单元30设于光刻板的另一条中心轴线上，以当光刻板盖设于晶圆上时，晶圆处
于光刻板的中心区域，将对位标记单元30设于光刻板的另一条中心轴线上，无论晶圆尺寸大小，保证晶圆始终处于光刻板的中心区域，便于曝光机的曝光。
[0036]
综上，本实用新型上述实施例当中的光刻板，通过设置非芯片区10为对位标记单元30提供安装空间，并将对位标记单元30对称设置以保证在曝光时对晶圆进行精准定位，对位标记单元30中的第一标记位31和第二标记位32分别用于不同类型的曝光机进行曝光定位，将第一标记位31和第二标记位32进行并排设置以保证两个第一标记位31之间的间距与两个第二标记位32之间的间距不同，从而使得不同类型的曝光机可以分别精准的识别到第一标记位31和第二标记位32，并对晶圆进行曝光，提升了光刻板的通用性，解决了现有技术中的光刻板通用性差的问题。
[0037]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0038]
以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。