专利名称：半导体马赫－陈德尔调制器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体马赫-陈德尔调制器，更具体地说，是涉及一种用于光纤通信系统或光学数据通信系统并由推挽式调制结构中的单个驱动器驱动的半导体马赫-陈德尔调制器。
近来，光纤通信技术越来越向着高比特率发送的方向发展.在光纤通信系统中，在世界各地特别是北美地区安装的大多数光纤是1.3微米的零色散光纤，在这些光纤中1.55微米范围内的损失最小。常规上说，半导体激光直接调制技术一般已用于光纤通信中。但是，这种技术当高比特率的1.55微米范围的光纤信号通过1.3微米的零色散光纤传送时由于色散而有波长的间歇噪声问题，从而导致信号的失真。失真的水平一般与(比特率)2×(传送距离)的积成比例。
波长的间歇噪声问题可以用外部调制技术在一定程度上加以解决。在其它的外部调制器中，一种吸收型的调制器与半导体激光器相比具有较小的间歇噪声，但也并非为零。另一方面，如果采用光的相干原理工作的马赫-陈德尔调制器用作在推挽式调制结构中工作的外部调制器，从理论上说，波长的间歇噪声问题可以完全解决。因此，人们期望马赫-陈德尔调制器作为超高速和长距离光纤通信系统中使用的关键的外部调制器。
一些已知的马赫-陈德尔调制器具有诸如LiNbO3这样的介电物质。另一方面，半导体马赫-陈德尔调制器在考虑与光学元件如半导体激光器或半导体光学放大器以及电气元件如FETs的集成能力和考虑到它们的较小的尺寸和较低的功耗方面被认为比介电类型的马赫-陈德尔调制器更优。
图1A所示是常规的半导体马赫-陈德尔调制器的透视图，而图1B所示是沿图1A的X-X方向的横截面图。
图1A所示的半导体马赫-陈德尔调制器包括一输入波导6；一对输入分支波导7-1和7-2，其将输入波导6分支；一对相位调制器8-1和8-2，其接收来自各分支波导7-1和7-2的输入；一对输出分支波导9-1和9-2，其接收各相位调制器8-1和8-2的输出；以及一输出波导10，其接收输出分支波导9-1和9-2的合成输出。
图lA所示的马赫-陈德尔调制器是通过顺序地在n型InP衬底上淀积非掺杂的InP层102、非掺杂的InxGal-xAsyP1-y层103(λPL＝1.3μm)、p型InP层104，并使指定的淀积层图样化以形成一组合的台面结构，并形成独立的驱动电极105-1和105-2以及调制器的共用电极106，如图lB所示。
一般而言，半导体马赫-陈德尔调制器要对加到p-n结上的反偏电压产生的折射率的变化加以利用。半导体马赫-陈德尔调制器的光学特性如图2所示，其中相对于驱动电压(反偏电压)画出了它的光学信号输出。由”Vl”所指的曲线显示了一个单臂驱动即调制器中的一个被驱动的情况，而”V1&V2”所指的曲线显示了双臂驱动即两个调制器都被驱动以进行推挽调制的情况。
图3所示是图lA和1B所示的调制器推挽调制的定时图，其中调制器8-1通过电极105-1被施加一反偏电压V1，该电压在0到Vπ/2之间变化，而调制器8-2通过电极105-2被施加一反偏电压V2，该电压在Vπ/2到Vπ之间变化，其相位与电压V1相反。Vπ提供了一个π相移到相位调制器，而Vπ/2提供了一个π/2相移。如图2所示，对于具体的光学信号输出，双臂调制(即推挽式调制)的驱动电压(V1&V2)大约是单臂调制电压(V1)的一半。
John C.Cartledge等人在”对基于半导体马赫-陈德尔调制器的10Gb/s光波系统的色散补偿”一文中报告了一种双臂调制方案，其传输距离为单臂调制机构传输距离的两倍。见IEEE Photonics Technology.Letters，1995年2月，Vol.7，No.2，第224-226页。
图4所示是在最大值一半处，半导体马赫-陈德尔调制器的单臂调制和双臂调制(即推挽式调制)相对于光纤长度(千米)画出的高斯脉冲的全脉冲宽度，是在我们的实验中得到的。从图4可知，推挽式调制由于脉冲压缩而实现了小的波形失真，从而维持了比单臂调制好一半值的宽度。根据上述结果，可以认为推挽式调制可以提供两倍或三倍于单臂调制的传输距离。
一种推挽式驱动的半导体马赫-陈德尔调制器如图5中的301所示，其一般需要一对驱动器200-1和2002，用于向各相位调制器的电极302和303施加驱动电压，以及定时发生器203，用于以相反的相位精确地驱动相位调制器301。要通过定时发生器203精确地调节定时是困难的，特别是在较高频率下，例如，在2.5Gb/s以上时，就难于使相位调制器的臂在如此高的频率下操作。
因此，本发明的一个目的就提供一种半导体马赫-陈德尔调制器，其能够使一个驱动器在2.5Gb/s以上的高频进行推挽调制操作。
本发明的另一个目的是提供一种制造这种半导体马赫-陈德尔调制器的方法。
本发明提供了一种半导体马赫-陈德尔调制器，其包括一衬底和一覆盖在该衬底上的合成波导。该合成波导包括一输入光波导；第一和第二输入分支光波导，其将输入的光波导分支；第一和第二调制器臂波导，其分别与第一和第二输入分支光波导光耦合；第一和第二输出分支光波导，其分别与第一和第二调制器臂波导光耦合；和一输出光波导，其与第一和第二输出分支光波导光耦合；每个波导具有一第一导电类型的第一覆盖层和一第二导电类型的第二覆盖层，以及一夹在第一覆盖层与第二覆盖层之间的未掺杂光导层；第一调制器臂波导具有一与其第二覆盖层电连接的第一电极，和一与其第一覆盖层及第二调制器臂波导的第二覆盖层电连接的第二电极；第二调制器臂波导具有一与其第一覆盖层电连接的第三电极。
本发明还包括一种制造这种半导体马赫-陈德尔调制器的方法，包括如下步骤形成一个覆盖在衬底上的合成台面结构，该合成台面结构包括一输入光波导、将输入的光波导分支的第一和第二输入分支光波导，分别与第一和第二输入分支光波导光耦合的第一和第二调制器臂波导，分别与第一和第二调制器臂波导光耦合的第一和第二输出分支光波导，一与第一和第二输出分支光波导光耦合的输出光波导，每个未掺杂的光波导依次具有一第一导电类型的第一覆盖层、一光导层、一第二导电类型的第二覆盖层，并形成一与第一调制器臂波导的第二覆盖层电连接的第一电极，和一与第一调制器臂波导的第一覆盖层及第二调制器臂波导的第二覆盖层电连接的第二电极；和一与第二调制器臂波导的第一覆盖层电连接的第三电极。
根据本发明及本发明的方法制造的这种半导体马赫-陈德尔调制器和可以使一个驱动器以推挽式调制的方式来驱动，其优于具有两个驱动器和用于其推挽驱动的相关定时发生器的常规马赫-陈德尔调制器。
图1A和1B分别是常规半导体马赫-陈德尔调制器的正面图和横截面图；图2是常规的调制器中单臂驱动和双臂驱动的光学信号输出相对于驱动电压的曲线图；图3是常规调制器中双臂驱动的时序图；图4是在最大值的一半处相对于传送距离所画出的单臂驱动和双臂驱动的全脉冲宽度图；图5是常规的双臂驱动调制器的示意性的方框图；图6是根据本发明一个实施例的半导体马赫-陈德尔调制器的示意图；图7A和7B分别是图6的半导体马赫-陈德尔调制器的顶视图和截面图；图8A和8B分别是图7A和7B中调制器在其制造过程的一个步骤中的顶视图和截面图；图9A和9B分别是图7A和7B中调制器在其制造过程的另一个步骤中的顶视图和截面图；图10A和10B分别是图7A和7B中调制器在其制造过程的另一个步骤中的顶视图和截面图；图11A是第的调制器的时序图；图11B是在第一实施例中光学信号输出相对于驱动电压的曲线图；图12A和12B分别是根据本发明第二实施例的半导体马赫-陈德尔调制器的顶视图和截面图；图13A和13B分别是图12A和12B中调制器在其制造过程的一个步骤中的顶视图和截面图；图14A和14B分别是图12A和12B中调制器在其制造过程的另一个步骤中的顶视图和截面图；图15A和15B分别是图12A和12B中调制器在其制造过程的另一个步骤中的顶视图和截面图；图16A和16B分别是图12A和12B中调制器在其制造过程的另一个步骤中的顶视图和截面图；图17A和17B分别是图12A和12B中调制器在其制造过程的另一个步骤中的顶视图和截面图；参考图6，根据本发明一个实施例的一种半导体马赫-陈德尔调制器包括一对相位调制器臂(简称为调制器臂)201和202及一在推挽式调制驱动相位调制器臂201和202的驱动器200。相位调制器臂201的P电极保持在恒定的负压值Vπ而相位调制器臂201的n电极则由驱动器200驱动。与相位调制器臂201的n电极相连的相位调制器臂202的P电极由驱动器200驱动，而相位调制器臂202的n电极则保持为地电位。
在操作中，驱动电压在负电位Vπ和Vπ/2之间变化，从而调制器臂201和202按照推挽方式调制来驱动。Vπ可以是例如-4伏，取决于调制器臂的长度。当驱动电压假定为Vπ/2时，调制器臂201被一个反偏电压Vπ/2驱动并提供具有与输入的光学信号具有同一相移π/2的输出信号，其是光学信号的ON(导通)状态。当驱动电压假定为Vπ时，调制器臂201用零电压驱动，使得调制器臂201的输出相移为零，而调制器臂202用Vπ来驱动时，则使调制器臂202的输出相移为π。也就是说，调制器臂201和202的输出由于其相位相反而彼此抵消，因此使输出光学信号产生了OFF(截止)状态。按这种方式，图6的马赫-陈德尔调制器用一个驱动器在推挽式调制中工作。
参考图7A，其显示了图6所示的半导体马赫-陈德尔调制器的结构，该调制器包括一合成台面结构，包括输入光波导台面6A，一对将输入的光波导台面6A分支的输入分支光波导台面7A-1和7A-2，一对用于分别调制从输入光波导台面7A-1和7A-2来的光学信号的调制器臂台面8A-1和8A-2，一对分别接收相位调制器台面8A-1和8A-2输出的光学信号的输出分支光波导台面9A-1和9A-2，以及一接收输出光波导台面9A-1和9A-2的合成输出的输出光波导台面10A。
参考图7B，其显示了沿图7A向X-X方向切开的截面图，合成台面结构的调制器臂台面8A-1和8A-2各包括一n-型InP覆盖层2-1a或2-2a，一光波导层3-1或3-2，一p型InP覆盖层4-1或4-2，一p型盖层5-1或5-2，它们顺序地形成于半绝缘衬底1上以形成台面结构，调制器臂8A-1的n-型覆盖层2-1a与调制器臂8A-2的p型InGaP盖层5-2通过一个电极13-2连接。光导层3-1和3-2形成为多量子阱(MQW)层。
一种制造本实施例的半导体马赫-陈德尔调制器的方法将参考图7A和7B到图10A和10B进行说明。其中例如图8B是一个沿图8A的X-X线切开的截面图，其它图的情况类似。如图8B所示，1微米厚的n型InP覆盖层2具有1×1018cm-3的载流子浓度，MQW结构的光波导层3具有30圈(30-cycle)的层的合成，每个包括10nm厚的未掺杂的InP阻挡物膜和10nm厚的波长成分为1.52微米的InvGa1-vAswP1-w量子阱膜，1.0微米厚的具有5×1017cm-3的载流子浓度的p型InP覆盖层4，和0.2微米厚的载流子浓度为1×1018cm-3的p型In0.53Ga0.47As盖层5，它们通过金属-有机汽相外延生长(MOVPE)技术连续生长在半导体InP衬底1的表面(100)上。
接着，InGaAs盖层5，InP覆盖层4，光波导层3和n-InP覆盖层2通过反应离子束蚀刻(RIBE)技术用一个合适的掩模选择性地刻蚀以形成一合成台面结构，其包括输入波导台面6A、一对分支波导台面7A-1和7A-2、一对调制器臂台面8A-1a和8A-2a，一对分支波导台面9A-1和9A-2，以及输出波导台面10A如图9A和9B所示。在每个调制器臂台面8A-1a或8A-2a以及分支波导台面7A-1、7A-2、9A-1或9A-2之间设置了2微米或更小的间隔、接着，n型覆盖层2a的其余的底部与衬底1的小部分顶部通过RIBE技术用合适的掩模选择性地去除，如图10A和10B所示，以将调制器臂台面8A-1b同调制器臂台面8A-2b电隔离开将每个调制器臂台面8A-1b同剩下的台面电隔离。在这一蚀刻步骤中，与各调制器臂台面8A-1和8A-2连接的InP覆盖层的的接触区域2a-1和2a-2被留下了。
接着，如图7A和7B所示，在整个表面上淀积0.3微米厚的SiO2膜，然后用合适的掩模对其进行选择性蚀刻，以形成开口12-1，12-2，12-3和12-4以分别暴露调制器臂台面8A-1的盖层5-1、接触区域2a-1、调制器臂台面8A-2的盖层5-2以及接触区域2a-2。然后，通过汽相技术在整个表面上形成Ti/Pt/Au膜，然后使其图样化以形成电极13-1、13-2和13-3，它们与调制器臂台面8A-1的P型In0.53Ga0.47As的盖层5-1、n型覆盖层2-1a的接触区2a-1以及调制器臂台面8A-2的P型In0.53Ga0.47As的盖层5-2、n型覆盖层2-2a的接触区2a-2分别接触，以完成图7A和7B的结构。
这样构成的半导体马赫-陈德尔调制器有一个500微米长的调制器臂台面8A-1和8A-2，该长度使4伏的反偏电压加到调制器臂的两个电极之间，以对输出的光学信号提供相移，即在此调制器中，Vπ≈-4伏。
在操作中，Vπ和零分别加到电极13-1和13-3上，而在Vπ和Vπ /2之间变化的方波形式的驱动电压通过电极13-2被加到调制器臂8A-1的接触区域2a-1和调制器臂8A-2的盖层5-2上。图11A显示了图7A和7B所示调制器的驱动电压和输出光学信号的时序图。当驱动电压假定为高(负的)电平Vπ时，调制器臂8A-1的两个电极之间被加上零电压，而调制器臂8A-2的两个电极之间被加上一个反偏电压Vπ。因此，在两个调制器臂8A-1和8A-2之间就出现了相位差π，造成输出分支波导10A处于OFF状态。
当驱动电压假定为低电平Vπ/2时，调制器臂8A-1和8A-2都被加上反偏电压Vπ/2，因此，在这两个调制器臂8A-1和8A-2的输出之间相位差为零，使得输出分支波导10A处于ON状态。这样，通过对电极13-2加上在Vπ和Vπ/2之间变化的驱动电压时，在本实施例的半导体马赫-陈德尔调制器上就可以得到推挽式调制。在这一结构中，由一个驱动器驱动使驱动变得简单，从而不需要定时发生器。
在上述实施例中电压Vπ/2可以由Vπ/2来代替，但是，这样可能使调制器由于调制器臂的非线性特性而导致ON/OFF比的恶化。
作为上述制造过程的另一种选择，可以采用另一过程，其中0.3微米厚的n型InP层被淀积在半绝缘衬底的整个表面上，其后用SiO2膜作为阻碍生长掩模连续地选择性生长0.7微米厚的n型InP层、光导层、p型InP覆盖层、和p型In0.53Ga0.47As的盖层，以形成图9A和9B的结构。其它的步骤与前述步骤类似。
图12A和12B显示与图7A和图7B类似的一种根据本发明第二实施例的半导体马赫-陈德尔调制器。本实施例的半导体马赫-陈德尔调制器与第一实施例相似，不同点在于本实施例的调制器臂台面8A-2有p型InP覆盖层4B、光导层3A、n型InP覆盖层2B和n型In0.53Ga0.47As盖层5B，与调制器臂8B-1的n型InP覆盖层2A连接的接触区域2Aa-1和与调制器臂8B-2的p型InP覆盖层4B连接的接触区域4Ba-1通过电极13A-2连接，调制器臂8B-2的n型In0.53Ga0.47As盖层5B与电极13A-3连接。
在制造本实施例的半导体马赫-陈德尔调制器时，在半绝缘InP衬底1的表面(100)上形成0.1微米厚的SiO2膜15作为一矩形生长阻碍掩模，然后用MOVPE技术连续淀积1.0微米厚的载流子浓度为1×1018cm-3的n型InP覆盖层2A、与第一实施例中光导层3类似的MQW光导层3A、和1.0微米厚的载流子浓度为5×1017cm-3的InP覆盖层4A，0.2微米厚的载流子浓度为5×1018cm-1的p型In0.53Ga0.47As盖层5A，如图13A和13B所示。
接着，从盖层5A到n型InP覆盖层2A顶部的层通过蚀刻来选择性地去除，以形成一合成台面结构，其包括输入波导台面6B、一对分支波导台面7B-1和7B-2、一调制器臂台面8B-1、一对分支波导9B-1和9B-2，和一输出波导台面10B。调制器臂台面8B-1的一侧与SiO2掩模膜15靠近的一侧接触，而分支波导台面7B-2和9B-2与SiO2掩模膜15相应的一侧接触。
在去除SiO2掩模膜15之后，在整个表面上形成另一0.1微米厚的SiO2膜，然后用光刻技术使其图形化以形成覆盖除由SiO2掩模膜15所覆盖大部分区域之外的整个表面。也就是说，未被SiO2掩模膜16覆盖的生长区形状与SiO2生长阻碍掩模膜15的形状类似，并略小于SiO2掩模膜15。
接着，用一MOVPE过程在未被SiO2掩模膜16覆盖的生长区上连续地形成1.0微米厚的载流子浓度为1×1018cm-3的p型InP覆盖层4B、与光导层3A相似的MQW光导层3B、1.0微米厚的载流子浓度为5×1017cm-3的n型InP覆盖层2B、以及0.2微米厚的载流子浓度为1×1018cm-3的n型In0.53Ga0.47As盖层5B，如图15A和15B所示。
接着，从盖层5B到覆盖层4B顶部之间的层被图样化以形成一调制器臂台面8B-2a，其输入端与分支波导台面7B-2的开口端相对，它们之间有一个小的间隙，8B-2a的输出端与分支波导台面9B-2的开口端相对，它们之间有一个小的间隙，8B-2a的一侧与调制器臂台面8B-1a靠近的一侧相对，如图16A和16B所示。相邻波导之间的小间隙等于或小2微米。然后去掉SiO2掩模膜16，接着对n型覆盖层2A和2B剩下的部分2Aa和2Ba以及衬底1的小部分顶部图样化，以留下接触区2Aa-1和2Ba-1。
接着，如图12A和12B所示，在整个表面上淀积了0.3微米厚的SiO2膜18，然后对其蚀刻以形成开口12A-1、12-A2和12A-3，以暴露调制器臂台面8B-1a的盖层5A部分、接触区2Aa-1和2Ba-1、调制器臂台面8B-2a的盖层5B部分。然后用汽相技术在整个表面上淀积Ti/Pt/Au膜，接着对其图样化以分别形成盖层5A的电极13A-1、13-A2和13A-3、接触区域2Aa-1和4Ba-1，以及盖层5B。
在本实施例中，调制器臂台面8B-2a的层结构与调制器臂台面8B-1a的层结构相反。但是，两种调制器臂台面的pn-pn结的结构相似，因此，第二实施例的调制器与第一实施例的相似。
上述制造过程还可以有另一种选择方案，其中在为图13A和13B中生长阻碍层而形成第一SiO2膜15之后，淀积0.3微米厚的n型InP层，接着形成覆盖除了要形成台面的区域以外整个区域的第二SiO2生长阻碍掩模。然后，连续地生长0.7微米厚的n型覆盖层、光导层、p型覆盖层、以及p型In0.53Ga0.47As盖层，以形成与图14A和14B的类似的结构。接着，在去掉第二SiO2掩模膜并形成第三SiO2掩模膜17之后，如图15A和15B所示，就形成了0.3微米厚的p型InP覆盖层，然后在去掉第三SiO2掩模膜17并形成第四SiO2掩模膜用于阻碍生长(未示出)。然后，通过选择性生长技术连续地形成0.7微米厚的p型InP覆盖层、光导层、n型InP覆盖层、以及n型In0.53Ga0.47As，以形成图16A和图16B的结构。后续的步骤与前面描述的类似。
在上述实施例中，使用了InP基的复合半导体，包括由InP/InxGa1-xAsyP1-y形成的MQW结构。该MQW结构可以由InP/InxA11-xAs膜、InxGa1-xAsyP1-y/InvGa1-vAlwAs1-w膜，或GaAs/A1xGa1-xAs基的半导体形成。还有，光导层的结构、驱动器的结构或位置或波长都可以根据设计进行选择。
因为上述实施例只是作为示例的目的加以说明，本发明并不受上述实施例的限制，在不脱离本发明范围的前提下本领域熟练的技术人员都可以对这些实施例作出各种修改或变化。
权利要求
1.一种半导体马赫-陈德尔调制器，包括一衬底和一覆盖在所述衬底上的合成波导；所述合成波导包括一输入光波导；将所述输入的光波导分支的第一和第二输入分支光波导；分别与所述第一和第二输入分支光波导光耦合的第一和第二调制器臂波导；分别与所述第一和第二调制器臂波导光耦合的第一和第二输出分支光波导；和一输出光波导，其与所述第一和第二输出分支光波导光耦合；每个所述波导具有一第一导电类型的第一覆盖层和第二导电类型的第二覆盖层，以及一夹在所述第一覆盖层与所述第二覆盖层之间的光导层；所述第一调制器臂波导具有一与其所述第二覆盖层电连接的第一电极，和一与其所述第一覆盖层及所述第二调制器臂波导的所述第二覆盖层电连接的第二电极；所述第二调制器臂波导具有一与其所述第一覆盖层电连接的第三电极。
2.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述第一和第三电极分别保持在第一和第二电位，而所述第二电极被施加一驱动电压以进行所述调制器臂波导的推挽调制。
3.一种如权利要求2所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述驱动电压在所述第一电位和所述第一电位与所述第二电位的大致平均值之间变化。
4.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于从所述衬底看，所述第一覆盖层、所述光导层和所述第二覆盖层的次序在所述第一调制器臂波导和所述第二调制器臂波导之间是相反的。
5.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述光导层是一多量子阱层。
6.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述第一和第二调制器臂波导的每一个还有一盖层与所述第二覆盖层电连接。
7.一种如权利要求1所述的半导体马赫-陈德尔调制器，其特征在于所述第一和第二导电类型分别是n型和p型，所述第一和第二电位分别是负电位和地电位。
8.一种制造半导体马赫-陈德尔调制器的方法，包括如下步骤形成一个覆盖在衬底上的合成台面结构，所述合成台面结构包括一输入光波导、将所述输入的光波导分支的第一和第二输入分支光波导，分别与所述第一和第二输入分支光波导光耦合的第一和第二调制器臂波导，分别与所述第一和第二调制器臂波导光耦合的第一和第二输出分支光波导，一与所述第一和第二输出分支光波导光耦合的输出光波导，每个所述波导依次具有一第一导电类型的第一覆盖层、一光导层、一第二导电类型的第二覆盖层，并形成一与所述第一调制器臂波导的所述第二覆盖层电连接的第一电极，和一与所述第一调制器臂波导的所述第一覆盖层及所述第二调制器臂波导的所述第二覆盖层电连接的第二电极；和一与所述第二调制器臂波导的所述第一覆盖层电连接的第三电极。
9.如权利要求8所述的方法，还包括如下步骤在所述衬底上连续地形成所述第一覆盖层、所述有源层和所述第二覆盖层，并选择性地刻蚀所述第二覆盖层、所述有源层和所述第一覆盖层的顶部以形成所述合成台面结构。
10.如权利要求9所述的方法，还包括在所述选择性蚀刻的步骤之后，选择性地去除所述第一覆盖层的底部，从而为所述第一和第二调制器臂波导的每一个的所述第一覆盖层留下接触区的步骤。
11.如权利要求8所述的方法，还包括除所述第二调制器臂波导之外连续性地形成所述合成台面结构的所述第一覆盖层、所述有源层和所述第二覆盖层，并为所述第二调制器臂波导连续性地生长所述第二覆盖层、所述有源层和所述第一覆盖层的步骤。
12.如权利要求10所述的方法，其中所述生长步骤受选择性生长技术的影响。
13.如权利要求10所述的方法，还包括为所述第一调制器臂波导的所述第一覆盖层形成接触区域和为所述第二调制器臂波导的所述第二覆盖层形成接触区域的步骤。
全文摘要
一种半导体马赫—陈德尔调制器,包括一对相位调制器臂波导和一用于推挽式调制的驱动器。一与第一调制器臂的p型覆盖层连接的第一电极保持在负压值V
文档编号G02F1/225GK1200492SQ9810202
公开日1998年12月2日 申请日期1998年5月28日 优先权日1997年5月28日
发明者清水淳一 申请人:日本电气株式会社