旋转空心正方柱与旋转三角柱二维正方晶格光子晶体的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及宽绝对禁带二维光子晶体，更具体地说，本发明涉及旋转空心正方柱与旋转三角柱二维正方晶格光子晶体。
【背景技术】
[0002]1987年，美国贝尔实验室的E.Yablonovitch在研宄如何抑制自发辐射和Princeton大学的S.John在研宄光子局域时各自独立提出了光子晶体(PhotonicCrystal)的概念。光子晶体是一种介电材料在空间中呈周期性排列的物质结构，通常由两种或者两种以上具有不同介电常数的材料构成的人工晶体。
[0003]现代光学的主要挑战之一是对光的人工控制，随着光通信和计算机技术的日益发展，对于光信号的控制和操作越发的重要。由于光子晶体具有可以使某一特定频率和特定方向的光通过或者禁止这一性质，因而对光子晶体的研宄备受人们的关注。
[0004]因为绝对禁带中的电磁场模式是完全不存在的，所以当电子能带与光子晶体绝对禁带重叠时，自发辐射就被抑制了。拥有绝对禁带的光子晶体可以通过控制自发辐射来改变场与物质的相互作用以及提高光学器件的性能。这些光子晶体可以应用在半导体激光器，太阳能电池，高品质谐振腔以及滤波器上。
[0005]光子晶体元胞中介电材料的分布对于禁带有着强烈的影响，并且禁带的选择对于光子晶体的应用有着很大的影响，特别是大的绝对禁带对于宽带信号的控制是非常有效的。
[0006]对于频率处在绝对禁带中的光，无论偏振态和波矢如何，都不可能通过。拥有大光子禁带可以用来制作:光波导，液晶光子晶体光纤、负折射率成像、缺陷模式的光子晶体激光器以及缺陷腔。大的光子晶体绝对禁带可以在缺陷模式的光子晶体激光器中抑制自发辐射，尤其是在自发辐射光谱范围很宽的情况下。如果我们想得到拥有窄谐振峰的光子晶体谐振腔时，较大的光子晶体绝对禁带是必需的。在各种光学器件中，偏振无关的光子晶体绝对禁带是非常重要的。正是因为光子晶体的许多器件都要利用光子禁带，所以世界各国的科学家都力求设计出具有更大的绝对禁带的光子晶体结构。
【发明内容】
[0007]本发明的目的是克服现有技术的不足之处，提供一种易于光路集成，且具有大的绝对禁带相对值的二维正方晶格光子晶体结构。
[0008]本发明的目的通过下述技术方案予以实现。
[0009]本发明的旋转空心正方柱与旋转三角柱二维正方晶格光子晶体包括高折射率介质柱和低折射率背景介质柱；所述光子晶体结构由元胞按正方晶格排列而成；所述正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转空心正方柱、高折射率旋转三角柱和背景介质组成；所述空心正方柱的外部轮廓线为第一旋转正方柱；所述空心正方柱的空心部位的截面为第二旋转正方柱；所述高折射旋转三角柱的截面为直角三角形，其位于正方柱的空心部位；所述三角柱为4个直角三角柱；所述四个三角柱的顶点连线处为第三旋转正方柱；所述四个三角形斜边连线处为第四旋转正方柱；所述正方晶格光子晶体的晶格常数为a ;所述第一旋转正方柱的旋转角度α为45°?60°，其边长b为0.56a?0.7a ;所述第二旋转正方柱的旋转角度β为30°?55°，其边长c为0.276a?0.49a;所述第三旋转正方柱的旋转角度γ为40°?55°，其边长d为0.188a?0.3472a;所述第四旋转正方柱的旋转角度ω为26。?50。，其边长e为0.173a?0.382a。
[0010]所述高折射率介质为硅、砷化镓、二氧化钛，或者折射率大于2的高折射率介质。
[0011]所述高折射率介质材料为硅，其折射率为3.4。
[0012]所述背景介质为低折射率介质。
[0013]所述低折射率背景介质为空气、真空、氟化镁、二氧化硅，或者折射率低于1.6的介质。
[0014]所述高折射率介质材料为硅，所述低折射率介质材料为空气；所述第一旋转正方柱的旋转角度为45° <α〈60°，其边长0.56a〈b〈0.7a;所述第二旋转正方柱的旋转角度为30° <β〈55°，其边长0.276&〈(:〈0.49&;所述第三旋转正方柱的旋转角度为40° <γ〈55°，其边长0.188a〈d〈0.3472a;所述第四旋转正方柱的旋转角度为26° <ω<50°，其边长0.173a〈e〈0.382a ;所述光子晶体结构的绝对禁带相对值大于10%。
[0015]所述高折射率介质材料为硅，所述低折射率介质材料为空气；所述第一旋转正方柱的旋转角度α为55.9°，其边长b为0.69a ;所述第二旋转正方柱的旋转角度β为30.2°，其边长c为0.4692a;所述第三旋转正方柱的旋转角度γ为54.2°，其边长d为0.34627a ;所述第四旋转正方柱的旋转角度ω为26.7°，其边长e为0.36358a ;所述光子晶体结构的绝对禁带相对值为18.936%。
[0016]本发明的旋转空心正方柱与旋转三角柱二维正方晶格光子晶体，可广泛应用于大规模集成光路的设计中。它与现有技术相比，有如下优点:
[0017](I)本发明光子晶体结构具有非常大的绝对禁带，可以为光子晶体器件的设计和制造带来更大的方便和灵活性。
[0018](2)光子晶体集成光路中，光路中不同光学器件之间以及不同光路之间易于连接和耦合，采用正方晶格结构可以使光路简洁，且易于提高光路的集成度。
[0019](3)设计简洁，易于制作，降低了制作成本。
【附图说明】
[0020]图1为本发明的旋转空心正方柱与旋转三角柱二维正方晶格光子晶体的元胞结构示意图。
[0021]图2为图1所示采用辅助线的参数结构截面图。
[0022]图3为实施例1采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0023]图4为实施例2采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0024]图5为实施例3采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0025]图6为实施例4采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0026]图7为实施例5采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0027]图8为实施例6采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0028]图9为实施例7采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0029]图10为实施例8采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0030]图11为实施例9采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0031]图12为实施例10采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0032]图13为实施例11采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0033]图14为实施例12采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0034]图15为实施例13采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0035]图16为实施例14采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0036]图17为实施例15采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0037]图18为实施例16采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0038]图19为实施例17采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0039]图20为实施例18采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0040]图21为实施例19采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0041]图22为实施例20采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0042]图23为实施例21采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0043]图24为实施例22采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0044]图25为实施例23采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
[0045]图26为实施例24采用元胞参数值所对应的光子带结构图。
【具体实施方式】
[0046]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细阐述:
[0047]如图1所示，本发明的旋转空心正方柱与旋转三角柱二维正方晶格光子晶体包括高折射率介质柱和低折射率背景介质柱；光子晶体结构由元胞按正方晶格排列而成；正方晶格光子晶体的晶格常数为a ;正方晶格光子晶体的元胞由高折射率旋转空心正方柱、高折射率旋转三角柱和背景介质组成，背景介质为低折射率介质；空心正方柱的外部轮廓线为第一旋转正方柱，该第一旋转正方柱的旋转角度α为45°?60°，其边长b为0.56a?0.7a ;;空心正方柱的空心部位的截面为第二旋转正方柱，该第二旋转正方柱的旋转角度β为30°?55°，其边长c为0.276a?0.49a;如图2所示，高折射旋转三角柱的截面为直角三角形，其位于正方柱的空心部位，三角柱为4个直角三角柱，四个三角柱的顶点连线处为第三旋转正方柱，该第三旋转正方柱的旋转角度为γ，其范围为40°?55°，且边长d为0.188a?0.3472a ;;四个三角形斜边连线处为第四旋转正方柱，该第四旋转正方柱的旋转角度为ω，取值范围为26°?50°，且边长e为0.173a?0.382a;高折射率介质为硅、砷化镓、二氧化钛，或者折射率大于2的高折射率介质；低折射率背景介质为空气、真空、氟化镁、二氧化硅，或者折射率低于1.6的介质。
[0048]实施例1
[0049]高折射率材料采用硅，低折射率材料为空气，α =45°，β =30.2°，γ =54.2。，ω = 26.7°，b = 0.69a，c = 0.4692a，d = 0.34627a，e = 0.36358a。本实施例的数值模拟结果如图3所示可知，具有大绝对禁带相对值为7.64%。
[0050]实施例2
[0051]高折射率材料采用硅，低折射率材料为空气，α =50°，β =30.2°，γ =54.2。，ω = 26.7°，b = 0.69a，c = 0.4692a，d = 0.34627a，e = 0.36358a。本实施例的数值模拟结果如图4所示可知，具有大绝对禁带相对值为13.26%。
[0052]实施例3
[0053]高折射率材料采用硅，低折射率材料为空气，α =60°，β =30.2°，γ =54.2。，ω = 26.7°，b = 0.69a，c = 0.4692a，d = 0.34627a，e = 0.36358a。本实施例的数值模拟结果如图5所示可知，具有大绝对禁带相对值为16.51%。
[0054]实施例4
[0055]高折射率材料采用硅，低折射率材料为空气，α = 55.9°，β = 30.2°，γ =54.2。, ω = 26.7°，b = 0.56a，c = 0.3808a，d = 0.2810a，e = 0.2951a。本实施例的数值模拟结果如图6所示可知，具有大绝对禁带相对值为6.14%。
[0056]实施例5
[0057]高折射率材料采用硅，低折射率材料为空气，α = 55.9°，β = 30.2°，γ =54.2° , ω = 26.7°，b = 0.62a，c = 0.4216a，d = 0.31114a，e = 0.3267a。本实施例的数值模拟结果如图7所示可知，具有大绝对禁带相对值为13.32%。
[0058]实施例6
[0059]高折射率材料采用硅，低折射率材料为空气，α = 55.9°，β = 30.2°，γ =54.2。, ω = 26.7°，b = 0.7a，c = 0.476a，d = 0.3513a，e = 0.3689a。本实施例的数值模拟结果如图8所示可知，具有大绝对禁带相对值为18.11%。
[0060]实施例7