一种新型高双折射光子准晶光纤的制作方法

文档序号:9303933阅读:680来源:国知局
一种新型高双折射光子准晶光纤的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半径小的高双折射光子准晶光纤,具体涉及一种基于Si02的高双 折射光子准晶光纤。
【背景技术】
[0002] 在光纤传感、光通讯、光学精密仪器等应用中,高双折射光纤具有极大的应用需 求,如光纤通信、光子晶体光纤激光器、光子晶体光纤传感器等。高双折射可提高保偏能力, 即可使光在超连续谱范围保持偏振。
[0003] 为了达到高双折射,大多数光子晶体光纤结构基本上都引入了过小直径的圆孔、 椭圆孔、螺旋结构或在空气孔充入其它液体使其制作难度加大。
[0004] 在实际传感应用中,不仅要求光纤具有高双折射率,并且在其他方面也提出了较 高要求,比如:为实现高精度光纤陀螺的微型化,一般要求保偏光纤具有更小的直径;为减 少熔接损耗和传输时的模场失配,光纤场能量分布要尽可能集中。然而,现在提出的大多数 高双折射光子晶体光纤半径一般大于l〇nm且场分布较为分散。

【发明内容】

[0005] 为了保持光纤高双折射的同时模场能量分布集中且半径小、制作难度低,本发明 提供了一种新型高双折射光子准晶光纤,具有模场能量分布集中以及降低现有工艺水平对 光纤制备的限制的优势,在通讯传感等方面具有较高应用前景。
[0006] 本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
[0007] -种新型高双折射光子准晶光纤,其背景材料为Si02,整个结构的散射子以十重 Penrose型光子准晶结构排布,晶格常数为A,包层圆形空气孔直径分别为(13和d4,其中: 4取自十重Penrose型光子准晶结构第三至五层的散射子,d4取自十重Penrose型光子准 晶结构第六至九层的散射子;在芯区引入六个圆形空气孔,其中:上下四个圆形空气孔直 径为山,取自十重Penrose型光子准晶结构第二层靠近土Y轴四个散射子;左右两个圆形空 气孔直径为d2,取自十重Penrose型光子准晶结构第三层±X轴上两个散射子;为增强不对 称性以提高双折射率,在土Y轴上1. 3XA处引入两个直径为(15的圆形空气孔。
[0008] 本发明提出光纤具有以下优点:
[0009] (1)双折射率高,与采用椭圆空气孔或小孔径空气孔的光纤具有相同数量级; [0010] (2)全部采用圆形空气孔,制造工艺简单;
[0011] (3)模场能量分布集中,熔接损耗小;
[0012] (4)光纤半径小(6. 5ym),更加适合微型传感通讯设备。
【附图说明】
[0013] 图1为高双折射光子准晶光纤横截面结构图;
[0014] 图2为波长A= 1. 55ym时的Ex偏振模基模模场分布;
[0015] 图3为波长A= 1. 55ym时的Ey偏振模基模模场分布;
[0016] 图4为有效折射率随波长的变化关系;
[0017]图5为芯层空气孔大小对光纤的影响(双折射);
[0018]图6为芯层空气孔大小对光纤的影响(拍长);
[0019] 图7为外包层圆形空气孔大小对光纤的影响(双折射);
[0020] 图8为外包层圆形空气孔大小对光纤的影响(拍长);
[0021]图9为晶格常数大小对光纤的影响(双折射);
[0022] 图10为晶格常数大小对光纤的影响(拍长)。
【具体实施方式】
[0023] 下面结合附图对本发明的技术方案作进一步的说明,但并不局限于此,凡是对本 发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖 在本发明的保护范围中。
[0024] 经典Penrose型光子准晶,即二维八重、十重、十二重Penrose型。本发明高双折 射光子准晶横截面如图1所示,其背景材料为Si02,整个结构的散射子(即图中以不同灰 度标注的空气孔)以十重Penrose型光子准晶结构排布,晶格常数为A,包层圆形空气孔 (取十重Penrose型光子准晶结构第三至九层的散射子)直径分别为d#Pd4,其中:d3取自 十重Penrose型光子准晶结构第三至五层的散射子,(14取自十重Penrose型光子准晶结构 第六至九层的散射子;在芯区引入六个圆形空气孔,上下四个圆形空气孔(取十重Penrose 型光子准晶结构第二层靠近土Y轴四个散射子)直径为山,左右两个圆形空气孔(取十重 Penrose型光子准晶结构第三层±X轴上两个散射子)直径为d2;为增强不对称性以提高 双折射率,在土Y轴上1. 3XA处引入两个直径为(15的圆形空气孔。
[0025] 具体实施算例:
[0026] 束传播法(BPM)是目前模拟集成光波导器件最广泛采用的方法之一。有限差分束 传播法(FD-BPM)利用电磁场理论,在横向采用时域有限差分法(FDTD)代替波动方程,将计 算区域设置为电场和磁场交叉的网格空间,用具有二阶精度的中心差分格式把各场分量满 足的微分方程转化为差分方程从而得到离散场的数值解,在纵向仍逐步计算各个横截面上 的场分布。该方法具有原理简单,精度高及应用广等优点。基于本方法对光纤结构进行理 论计算,得到了各项性能参数与波长、结构的变化关系。
[0027] 模式双折射B:两个正交偏振模之间的有效折射率差。双折射率越高,保偏能力越 强。
[0028]
[0029] 其中:neif表不y偏振方向基t旲的有效折射率,/|eff表不x偏振方向基|旲的有效折 射率。
[0030] 拍长LB:高双折射光纤中两个正交偏振模之间的相位差达到2JI时所传输的长 度,定义为波长A与双折射B的比值,量纲为mm。一般来说,拍长越短,保偏能力越强。
[0031]
(2)
[0032] 二氧化娃的材料折射率n随波长的变化可由Sellmeier方程计算得到:
[0033]
(3)
[0034] 其中:
[0035] Bi= 0. 696166300B2= 0. 4079422600B3= 0. 897479400
[0036] (^= 0.004679148C2= 0. 013512060 C3= 97. 933980000
[0037] 光纤基模模场分布:
[0038] 经模拟和计算所得的最优结构(山=1. 55ym,d2= 1. 6ym,d3= 1.
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