在15mm半径心轴上的时候，光纤能够展现出小于0. 4dB/转的弯曲损耗。
[0048] 在一些其他实施方式中，纤芯的纤芯a参数大于10,并且凹槽体积V2大于5% A 微米2。
[0049] 通过以下实施例进一步阐述本发明的各个示例性实施方式。对本领域的技术人 员而言，显而易见的是可以在不背离权利要求书的精神或范围的情况下作出各种修改和变 动。
[0050] 下表1列出具有如图1所示的折射率的建模示意性实施例1-9的特性。具体来 说，以下对于各个实施例所示是中心纤芯区域1的折射率A(A》、纤芯a和外半径札，内 包层区域2的折射率A(A2)和外半径R2，和内包层区域2的分布体积V2 (其是在札和R2 之间计算的），以及外包层区域3的折射率A(A3)。还有外包层区域3的折射率A(A3)， 玻璃光纤的外直径Rgt，和外包层区域3的分布体积V3 (其是在私和30微米的半径距离之 间、以及折射率A(A3)和未掺杂的石英的折射率之间计算的）。还有1310nm处的零色散 和散射斜率，1550nm处的色散和散射斜率，1310nm和1550nm处的模场直径，22m光缆截止， 1310nm处的MAC数，1550nm处的1x10mm直径的弯曲损耗，1550nm处的1x20mm直径的 弯曲损耗，1550nm处的1x15mm直径的弯曲损耗，1550nm处的1x30mm直径的弯曲损耗， 以及1310和1550nm处的衰减，以及通过丝网鼓测试测得的微弯曲损耗。
[0051]表1
[0052]
[0053]
[0054]从上表1的示例性光纤可以看出，示例性光纤实施方式采用具有折射率A i的中 心玻璃纤芯区域、具有折射率A 2的第一内包层区域以及具有折射率A 3的外包层区域，其 中八1>八3>八2，其中八 3与八2之差大于或等于〇.〇2%八，并且分布体积的绝对值卜2|至少 为30%微米 2。这些示例性光纤实施方式展现出小于红等于1260nm的光缆截止以及小于或 等于0. 08dB/转的弯曲损耗，当缠绕在20mm直径心轴上的时候。这些示例性光纤实施方式 还展现出1310nm处约为8. 2-9. 1微米、更优选8. 3-8. 9微米的模场直径，1300-1324nm之间 的零色散波长，1310nm处小于或等于0. 092ps/nm2/km的色散斜率。当缠绕在15mm直径心轴 上的时候，这些光纤中的大部分还展现出1550nm处小于0. 3dB/转的弯曲损耗，并且在一些 情况下小于〇. 2或0. ldB/转。当缠绕在20mm直径心轴上的时候，这些光纤还展现出1550nm 处小于0.0 lOdB/转的弯曲损耗，更优选小于0. 008dB/转，一些光纤最优选小于0. 006dB/ 转。当缠绕在30mm直径心轴上的时候，这些光纤还展现出1550nm处小于0.0 lOdB/转的弯 曲损耗，一些光纤更优选小于0. 003dB/转。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯， 含量大于1200ppm，例如1200-12000ppm。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯，含 量大于或等于1400ppm。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯，含量大于1400ppm且 小于3000ppm。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯，含量大于2000ppm，在一些情 况下大于3000或者甚至大于4000ppm，以重量计。在一些实施方式中，外包层区域包含氯， 其含量大于2000且小于12000ppm，以重量计。
[0055] 1550nm处的衰减优选小于0.20dB/km，更优选小于0.195dB/km，甚至更优选小于 0. 190dB/km。在一些优选的实施方式中，1550nm处的衰减小于0. 189dB/km，甚至更优选小 于或等于〇. 186dB/km，甚至更优选小于或等于0. 184dB/km，最优选小于或等于0. 182dB/ km〇
[0056] 应理解，前述描述仅是示例性的并且旨在提供权利要求书所限定的光纤的性质和 特性的总体理解。包括的附图提供了对优选实施方式的进一步理解，附图被结合在本说明 书中并构成说明书的一部分。【附图说明】了各个特征和实施方式，并与其说明书一起用来解 释原理和操作。对于本领域的技术人员显而易见的是，可以在不偏离所附权利要求的精神 或范围的情况下，对本文所述的优选实施方式进行各种改动。
【主权项】
1. 一种光纤，其包括： 具有外半径ri和折射率A1的中屯、纤忍区域， 包层区域，其包括第一内包层区域和围绕所述第一内包层区域的第二外包层区域，所 述第一内包层区域的外半径。〉17微米并且具有折射率A,，所述第二外包层区域包括折射 率A3,其中，A3大于0.0%，A1〉A3〉A2,并且A3与A2之差大于0.02%A，所述光纤展 现出所述内包层区域的分布体积V2,其在ri和r2之间计算得到，并且等于下式：化及IVzI至少是30%A微米2。2. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还展现出小于7. 5的MC数。3. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，A3与A2之差大于0.05%。4. 如权利要求3所述的光纤，其特征在于，所述内包层区域至少基本不含氣。5. 如权利要求1所述的光纤，当绕着15mm直径的鼓缠绕时，所述光纤在1550nm处还展 现出小于0. 4地/转的弯曲损耗。6. 如权利要求1所述的光纤，当绕着20mm直径的鼓缠绕时，所述光纤在1550nm处还展 现出小于或等于0. 08地/转的弯曲损耗。7. 如权利要求4所述的光纤，其特征在于，所述第二外包层区域中的氯浓度高于 2000卵m。8. 如权利要求7所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出小于或等于1260nm的22m 光缆截止，W及1310nm处小于约9. 1的模场直径。9. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的纤忍展现出小于10的a。10. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述纤忍区域包括超高斯分布。11. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一内包层区域基本不含氣、棚和氧 化错。12. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，对于从r2延伸到至少30微米半径的长度， A3〉A2。13. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm处展现出小于或等于 0. 195地Am的衰减。14. 如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1300-1324nm具有零色散波长。15. 如权利要求14所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出通过丝网鼓测试测量的 小于0.1地/km的微弯曲损耗。16. -种光纤，其包括： 中屯、纤忍区域，其具有外半径ri、折射率Ai和大于10的纤忍a， 包层区域，其包括第一内包层区域和围绕所述第一内包层区域的第二包层区域，所述 第一内包层区域的外半径。〉14微米并且具有折射率A2,所述第二包层区域包括折射率 As,其中，As大于0.0%，A1〉A3〉As,并且As与A2之差大于0.02%A，所述光纤展现 出所述内包层区域的分布体积V2,其在ri和r2之间计算得到，并且等于下式：化及IVzl至少是5%A微米2。17. 如权利要求16所述的光纤，其特征在于，所述内包层区域至少基本不含氣和棚。18. 如权利要求16所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出小于或等于1260皿的 22m光缆截止，W及1310nm处小于约9. 1的模场直径。19. 如权利要求16所述的光纤，当绕着15mm直径的鼓缠绕时，所述光纤在1550nm处还 展现出小于0. 4地/转的弯曲损耗。20. 如权利要求16所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出通过丝网鼓测试测量的 小于0. 1地/km的微弯曲损耗。
【专利摘要】具有低弯曲损耗的光纤。光纤具有：中心纤芯区域(1)、内包层区域(2)和围绕内包层区域的第二包层区域(3)，所述中心纤芯区域具有折射率Δ1，所述内包层区域的外半径r2>17微米且具有折射率Δ2，所述第二包层区域具有折射率Δ3。光纤分布区段可布置成使得Δ1>Δ3>Δ2。光纤可展现出内包层区域的分布体积V2，其在r1和r2之间计算得到，并且至少是30％Δ微米2。
【IPC分类】G02B6/036, G02B6/028
【公开号】CN105209946
【申请号】CN201480020058
【发明人】S·K·米什拉, P·坦登
【申请人】康宁股份有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2014年4月4日
【公告号】EP2984509A1, US9188736, US20140301708, WO2014168822A1