一体式高回损光组件适配器的制造方法

文档序号:9523106阅读:285来源:国知局
一体式高回损光组件适配器的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种光纤适配器,尤其是一种一体式高回损光组件适配器。
【背景技术】
[0002]当前,组件适配器是一种由陶瓷插芯、导向套筒和外部金属管体经精密装配而成的无源器件,其中陶瓷插芯具有柱状结构,陶瓷插芯上开设有沿中轴线布置的内孔,并在内孔中预埋光纤,通过对陶瓷插芯端面进行研磨抛光,达到低插入损耗、高回波损耗等性能。组件适配器广泛应用与光收发模块的光信号的耦合输入与输出、光学探测器的光信号的耦合输入与输出。
[0003]近几年随着光通信飞速发展,光通信网络向着大容量、长距离的方向发展,因此,光通信模块的信号耦合输入与输出的要求也越来越高,相比较而言,当前的组件适配器在此要求下具有局限性,主要体现为:(1)由于组件适配器与光纤连接器是以PC(普通球面)相连接,而陶瓷插芯的端面没有经过特殊处理,因端面连接引起的回波光功率的增加,直接影响到传输信号的质量,进而降低了通信信噪比;(2)当前的组件适配器由于没有集成标准的连接器端口,当其装配到模块上之后不能直接与光纤连接器对接,必须再装配相应的插拔式适配器散件形成通用接口,再与光纤连接器对接,从而不仅安装工序繁琐,费时费力,而且增加了相应的加工成本。

【发明内容】

[0004]本发明的目的就是要解决当前的组件适配器所存在的上述缺点,为此提供一种具有结构紧凑、接口通用的一体式高回损光组件适配器。
[0005]本发明的具体方案是:一体式高回损光组件适配器,其特征是:包括有插拔式适配器散件、陶瓷插芯、定位金属环和陶瓷套筒,插拔式适配器散件包括有前、后座与卡座,前座具有底板A和设置在底板A端面上凸起结构以及贯穿底板A与凸起结构的台阶状通孔,且位于凸起结构上的通孔的孔径大于位于底板A上通孔的孔径,后座具有底板B,在底板B端面上的设有筒状壳体,其中底板A与底板B相匹配,并通过螺栓紧固连接;卡座具有底板C,底板C被后座压合在前座的底板A上,并在背对底板A —侧的端面上设有限位套筒和对称布置在限位套筒两侧的弹性卡板,限位套筒的内径分别与底板A上通孔的孔径和陶瓷套筒的外径相同,在限位套筒的端口部位设有用于限位的沿边;所述定位金属环套装在凸起结构上的通孔中,陶瓷套筒的一端插装在底板A上的通孔中并与定位金属环相接触或相配合,陶瓷套筒的另一端套装在限位套筒中,陶瓷插芯与定位金属环过盈配合,且陶瓷插芯的一端插装在陶瓷套筒中。
[0006]本发明中所述陶瓷插芯和陶瓷套筒均采用二氧化锆陶瓷粉体经高温烧结成型。
[0007]本发明中所述陶瓷套筒的侧壁上开设有沿轴线贯穿的开口。
[0008]本发明中所述陶瓷插芯的两端均呈斜球面结构。
[0009]本发明中所述定位金属环采用304不锈钢材料加工而成,在定位金属环的外侧壁上铣削加工有宽度为2-3mm的定位面,定位金属环的内壁呈台阶状结构。
[0010]本发明中所述壳体的横截面呈矩形结构,在壳体的两个纵向侧壁的内侧分别开设有与弹性卡板相对应的让位槽,在壳体其中一个横向侧壁上开设有腰圆形导向口。
[0011]本发明具有以下优点:
(1)本发明实现了陶瓷插芯、陶瓷套筒与插拔式适配器散件一体化同轴装配,结构紧凑、接口通用,便于客户安装使用;
(2)本发明在加工过程中,对陶瓷插芯的两端面进行APC(斜球面)加工,使之能够与标准SC/APC光纤连接器进行精密对接,以达到提高光回波损耗的目的,提高了产品光学性能,广泛应用于光通信模块、光电探测器等领域。
【附图说明】
[0012]图1是本发明的爆炸结构示意图;
图2是本发明的剖面结构示意图;
图3是本发明中定位金属环的结构示意图。
[0013]图中:1 一陶瓷插芯,2—定位金属环,3—陶瓷套筒,4 一前座,5—后座,6—卡座,7一底板A,8 —凸起结构,9一台阶状通孔,10一底板B,11 一壳体,12一底板C,13一限位套筒,14一弹性卡板,15—沿边,16—开口,17—定位面,18—让位槽,19一导向口,20—斜球面结构。
【具体实施方式】
[0014]参见图1-3,本发明包括有插拔式适配器散件、陶瓷插芯1、定位金属环2和陶瓷套筒3,插拔式适配器散件包括有前、后座4、5与卡座6,前座4具有底板A7和设置在底板A7端面上凸起结构8以及贯穿底板A7与凸起结构8的台阶状通孔9,且位于凸起结构8上的通孔的孔径大于位于底板A7上通孔的孔径,后座5具有底板B10,在底板B10端面上的设有筒状壳体11,其中底板A7与底板B10相匹配,并通过螺栓紧固连接;卡座6具有底板C12,底板C12被后座5压合在底板A7上(在与底板A7相贴合的底板B10的端面开设有凹槽,凹槽与底板C12相匹配),并在背对底板A7 —侧的端面上设有限位套筒13和对称布置在限位套筒13两侧的弹性卡板14,限位套筒13的内径分别与底板A7上通孔的孔径和陶瓷套筒3的外径相同,在限位套筒3的端口部位设有用于限位的沿边15 ;所述定位金属环2套装在凸起结构8上的通孔中,陶瓷套筒3的一端插装在底板A7上的通孔中并与定位金属环2相接触或相配合,陶瓷套筒3的另一端套装在限位套筒13中,陶瓷插芯1与定位金属环2过盈配合,且陶瓷插芯1的一端插装在陶瓷套筒3中。
[0015]本实施例中所述陶瓷插芯1和陶瓷套筒3均采用二氧化锆陶瓷粉体经高温烧结成型;所述陶瓷插芯1的外径尺寸为Φ2.499±0.0005mm,外径的圆度< 0.5 μ m,其内孔的内径尺寸为125-126 μm,同心度〈1.0 μm,陶瓷插芯1的长度尺寸为9.2±0.05mm ;陶瓷套筒3的外径尺寸为Φ 3.2±0.02mm,内径尺寸为2.49 μ m,内径圆度< 0.5 μ m,同心度〈1.0 μ m,陶瓷套筒3的长度尺寸为10.2±0.05mm。
[0016]本实施例中所述陶瓷套筒3的侧壁上开设有沿轴线贯穿的开口 16。
[0017]本实施例中所述陶瓷插芯1的两端面采用APC加工呈斜球面结构20,其中APC加工是指在陶瓷插芯在内孔预埋光纤的情况下,通过定制的研磨夹具对其两端面进行研磨抛光,使之满足行业标准YD/T 1272.3-2005要求的低插入损耗(插入损耗〈0.2dB)和高回波损耗(回波损耗>50dB)的要求。
[0018]本实施例中所述定位金属环2采用304不锈钢材料加工而成,在定位金属环2的外侧壁上铣削加工有宽度为2-3mm的定位面17,定位面17用于对陶瓷插芯1进行定位,定位金属环2的内壁呈台阶状结构,其中陶瓷套筒3与定位金属环2上具有较大内径的内壁相配合,陶瓷插芯1的一端穿过定位金属环2上具有较小内径的内壁并伸入至陶瓷套筒3中。
[0019]本实施例中所述壳体11的横截面呈矩形结构,在壳体11的两个纵向侧壁的内侧分别开设有与弹性卡板14相对应的让位槽18,在壳体11的其中一个横向侧壁上开设有腰圆形导向口 19,导向口 19用于对待安装的光纤连接器进行导向定位。
【主权项】
1.一体式高回损光组件适配器,其特征是:包括有插拔式适配器散件、陶瓷插芯、定位金属环和陶瓷套筒,插拔式适配器散件包括有前、后座与卡座,前座具有底板A和设置在底板A端面上凸起结构以及贯穿底板A与凸起结构的台阶状通孔,且位于凸起结构上的通孔的孔径大于位于底板A上通孔的孔径,后座具有底板B,在底板B端面上的设有筒状壳体,其中底板A与底板B相匹配,并通过螺栓紧固连接;卡座具有底板C,底板C被后座压合在前座的底板A上,并在背对底板A —侧的端面上设有限位套筒和对称布置在限位套筒两侧的弹性卡板,限位套筒的内径分别与底板A上通孔的孔径和陶瓷套筒的外径相同,在限位套筒的端口部位设有用于限位的沿边;所述定位金属环套装在凸起结构上的通孔中,陶瓷套筒的一端插装在底板A上的通孔中并与定位金属环相接触或相配合,陶瓷套筒的另一端套装在限位套筒中,陶瓷插芯与定位金属环过盈配合,且陶瓷插芯的一端插装在陶瓷套筒中。2.根据权利要求1所述的一体式高回损光组件适配器,其特征是:所述陶瓷插芯和陶瓷套筒均采用二氧化锆陶瓷粉体经高温烧结成型。3.根据权利要求1或2所述的一体式高回损光组件适配器,其特征是:所述陶瓷套筒的侧壁上开设有沿轴线贯穿的开口。4.根据权利要求1或2所述的一体式高回损光组件适配器,其特征是:所述陶瓷插芯的两端均呈斜球面结构。5.根据权利要求1所述的一体式高回损光组件适配器,其特征是:所述定位金属环采用304不锈钢材料加工而成,在定位金属环的外侧壁上铣削加工有宽度为2-3mm的定位面,定位金属环的内壁呈台阶状结构。6.根据权利要求1所述的一体式高回损光组件适配器,其特征是:所述壳体的横截面呈矩形结构,在壳体的两个纵向侧壁的内侧分别开设有与弹性卡板相对应的让位槽,在壳体其中一个横向侧壁上开设有腰圆形导向口。
【专利摘要】一体式高回损光组件适配器,包括有插拔式适配器散件、陶瓷插芯、定位金属环和陶瓷套筒,插拔式适配器散件包括有前、后座与卡座,前座具有底板A、凸起结构及贯穿底板A与凸起结构的台阶状通孔,后座具有底板B和筒状壳体,底板A与底板B相匹配连接;卡座具有底板C、限位套筒和弹性卡板,底板C被后座压合在底板A上;定位金属环套装在凸起结构上的通孔中,陶瓷套筒的两端分别插装在底板A上的通孔和限位套筒中,陶瓷插芯与定位金属环过盈配合,且陶瓷插芯的一端插装在陶瓷套筒中;本发明实现了陶瓷插芯、陶瓷套筒与插拔式适配器散件一体化同轴装配,结构紧凑、接口通用,安装使用方便,光学性能好,广泛适用于光通信模块、光电探测器领域。
【IPC分类】G02B6/38
【公开号】CN105278052
【申请号】CN201510871184
【发明人】叶苍竹, 吴远策, 官守军, 戴正华, 万晶
【申请人】黄石晨信光电股份有限公司
【公开日】2016年1月27日
【申请日】2015年12月2日
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