，于本发明中，反射器29是相对发光芯片22而设置于光感芯片23相反的一侧，并且发光芯片22与光感芯片23皆设置在同一平面上。邻近发光芯片22所设置的反射器29较佳地是呈碗形，光束24的第一部份24a通过反射器29的碗形反射曲面反射并汇聚至光感芯片23。其中，透明内封装体25具有一长边L及一向内缩的中央窄部251。发光芯片22及光感芯片23分别设置于长边L的两端，以增加发光芯片22及光感芯片23间的距离，并提高绝缘效果。中央窄部251设置于发光芯片22及光感芯片23间，透明内封装体25的中央窄部251与外封装体26间的界面28还包括一反射面281，适可反射发光芯片22所发射的光束24至光感芯片23。光耦合器2还包含至少二引线架27a、27b，发光芯片22及光感芯片23分别设置于一第一引线架27a及一第二引线架27b上，且至少二引线架27a、27b可相互远离地向外延伸，然亦可朝向同一方向延伸。该反射器29较佳地是一体成形于发光芯片22所在的第一引线架27a上。
[0018]于上述的较佳实施例中，被外封装体26所包覆的透明内封装体25的中央窄部251较佳地是一侧具有较窄开口，而另一侧则具有较宽开口的设计，其中该较窄开口较邻近发光芯片22，而该较宽开口较邻近光感芯片23，通过反射面281相对于发光芯片22至光感芯片23的方向略微倾斜的设计，使光束24的第一部分24a及第三部分24c得以更有效率地反射并聚集至光感芯片23上。同时，为满足本发明于高工作电压环境下的使用需求，发光芯片22与光感芯片23间的距离是大于或等于3.0毫米(mm)，且光耦合器2的漏电距离是大于或等于8.0毫米(mm)，以避免尖端放电而导致电路毁损的现象产生。
[0019]本发明光親合器2的电转光、光再转为电的转换步骤详述如下。当一输入电信号传送至发光芯片22时，发光芯片22适可将该输入电信号转换为光束24以传送至光感芯片23，而当光感芯片23接收光束24后，便可进一步将光束24转换为一输出电信号，而完成将电转光、光再转换为电的步骤。需特别说明的是，于本发明中，发光芯片22所发射的光束24可进一步被区分为第一部份24a、第二部分24b及第三部分24c。其中，光束24的第一部份24a是由发光芯片22发射，且通过反射器29反射后，直接穿过透明内封装体25或间接地通过反射面281反射后聚集至光感芯片23 ;光束24的第二部分24b是于发光芯片22发射，于未经过反射器29、亦未经过反射面281反射的情况下穿过透明内封装体25，直接地传递至光感芯片23 ;而光束24的第三部份24c是由发光芯片22发射，且不通过反射器29反射，间接地通过反射面281反射后聚集至光感芯片23。因此，本发明的光耦合器2是通过反射器29、反射面281及中央窄部251间的相互搭配，适可大幅降低光束24于透明内封装体25间传递所造成的损失，从而提高电转光、光再转为电的转换效率，以满足于高工作电压环境下的需求。
[0020]上述的实施例仅用来例举本发明的实施态样，以及阐释本发明的技术特征，并非用来限制本发明的保护范畴。任何熟悉此技术者可轻易完成的改变或均等性的安排均属于本发明所主张的范围，本发明的权利保护范围应以申请专利范围为准。
【主权项】
1.一种光親合器，其特征在于，包含: 一第一引线架，具有一反射器，该反射器是呈碗形； 一第二引线架，与该第一引线架朝同一方向相互远离地向外延伸； 一发光芯片，设置于该第一引线架的该反射器上，适于发出一光束； 一光感芯片，设置于该第二引线架上，面对该发光芯片设置，适于接收该光束； 一透明内封装体，包覆该发光芯片、该光感芯片、一部分之该第一引线架、该反射器及一部分之该第二引线架，该透明内封装体具有一长边，该发光芯片及该光感芯片分别设置于该长边的二端，该透明内封装体于该发光芯片与该光感芯片间具有一向内缩的中央窄部，该中央窄部具有相对一窄开口及一宽开口，该窄开口及该宽开口分别邻近于该发光芯片及该光感芯片；以及 一非透明外封装体，包覆该透明内封装体、另一部分之该第一引线架及另一部分之该第二引线架，该非透明外封装体具有一反射面与该透明内封装体接触，适于反射该光束，该反射面相对于该发光芯片至该光感芯片的方向略微倾斜； 其中，该光束的一第一部分通过该第一引線架的該反射器反射后，直接地穿透该透明内封装体或间接地通过该非透明外封装体的该反射面反射后，而聚集至该光感芯片； 其中，该光束的一第二部分于未经过该非透明外封装体的该反射面反射的情况下，直接地穿过该透明内封装体，而传递至该光感芯片； 其中，该光束的一第三部分于不通过該第一引線架的該反射器反射的情况下，间接地通过该非透明外封装体的该反射面反射后，而聚集至该光感芯片。2.根据权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，该发光芯片与该光感芯片位在同一平面上。3.根据权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，该发光芯片与该光感芯片间的距离大于或等于3.0毫米。4.根据权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，该光耦合器的漏电距离大于或等于8.0晕米。5.根据权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，该非透明外封装体的材质包含环氧树脂基材及白色填料。6.根据权利要求5所述的光耦合器，其特征在于，该白色填料包含二氧化钛。7.根据权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，该发光芯片是一红外光发光二极管。8.根据权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，该光感芯片是一光敏晶体管。9.根据权利要求1所述的光耦合器，其特征在于，该透明内封装体包含环氧树脂。
【专利摘要】本发明的光耦合器包含一第一引线架、一第二引线架、一发光芯片、一光感芯片、一透明内封装体及一非透明外封装体。第一引线架具有一反射器，並與第二引线架朝同一方向相互远离地向外延伸。发光芯片设置于反射器上并发出一光束，而光感芯片设置于第二引线架上并接收该光束。透明内封装体包覆发光芯片、光感芯片、部分之第一引线架、反射器及部分之第二引线架，发光芯片及光感芯片分别设置于透明内封装体的二端。非透明外封装体包覆透明内封装体、另一部分之第一引线架及第二引线架，並具有一反射面以反射该光束。其中，该光束的第一部分通过反射器反射后，直接地穿透透明内封装体或间接地通过非透明外封装体的反射面反射后，而聚集至光感芯片。
【IPC分类】H01L31/0232, H01L31/0203, G02B6/42
【公开号】CN105372772
【申请号】CN201510951777
【发明人】苏炤亘, 赖律名
【申请人】亿光电子工业股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2010年2月9日
【公告号】CN102147512A