充电构件、处理盒和电子照相设备的制造方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及充电构件、处理盒和电子照相设备。
【背景技术】
[0002] 目前，接触充电法是使电子照相感光构件的表面带电的方法的一种。在接触充电 法中，将直流电压或直流交流叠加电压施加至与电子照相感光构件接触或相邻配置的充电 构件，并且充电构件与电子照相感光构件之间的微少放电使电子照相感光构件的表面带 电。
[0003] 从充分确保充电构件与电子照相感光构件之间的辊隙的观点，用于接触充电法的 充电构件的结构一般包括支承体和设置在支承体上的导电性弹性层。为了防止调色剂等对 充电构件表面的附着，和为了防止导电性弹性层中包含的低分子量组分渗出至充电构件的 表面，一般在导电性弹性层的表面上设置表面层。
[0004] 日本专利No. 2894508公开了设置在导电性弹性层上的含羟基苯乙烯树脂的树脂 层可以防止带电层与电子照相感光构件之间的熔合和充电构件的调色剂污染。以及日本 专利申请特开No. 2001-173641公开了一种具有导电性弹性层的充电辊，所述导电性弹性 层具有覆盖有有机-无机混合涂膜的周面，所述导电性弹性层防止低分子量组分渗出至表 面。
[0005] 然而，根据本发明人的研究，当日本专利No. 2894508和日本专利申请特开 No. 2001-173641中记载的充电构件以静止状态与电子照相感光构件长期接触后用于形成 电子照相图像时，充电构件与电子照相感光构件之间的接触痕迹在一些情况下出现条纹状 的浓度不均匀。
[0006] 已知用于与其它构件长期接触时接触充电的充电构件在接触部变形并且难以回 复，导致压缩永久变形。推测由于充电构件的具有压缩永久变形的部分与没有压缩永久变 形的部分之间的带电能力不同，所以在对应于充电构件的具有压缩永久变形的部分的电子 照相图像中导致条纹状的浓度不均匀。在日本专利申请特开No. 2001-173641中记载的具 有有机-无机混合涂膜的充电构件中，可以设想，作为没有充分抑制低分子量组分向表面 的渗出的结果表面上出现的渗出物也有助于条纹状的浓度不均匀。推测作为将挠性设定为 高值的结果，由于有机-无机混合涂膜的小的交联密度导致浓度不均匀。
[0007] 本发明的目的是提供一种充电构件，其即使与其它构件长期接触后也能够抑制接 触痕迹对电子照相图像的影响。
[0008] 本发明的另一目的是提供能够稳定地形成高品质电子照相图像的处理盒和电子 照相设备。
【发明内容】
[0009] 根据本发明的一方面，提供一种具有支承体和在支承体上的表面层的充电构件， 其中表面层包含具有由下式（1)表示的结构单元的高分子化合物。
[0010]
[0011] 在式（1)中，A表示芳香族环烃基。&表示下式（2)-(5)的任意之一。L表示具有 Si0 3/2单元（T)和SiO 2/2单元（D)的至少一种的聚硅氧烷。U表示1以上的整数。在U为2 以上的整数的情况下，存在多个各自独立地表示下式（2)-(5)的任意之一。
[0012]
[0014] 在式（2)-(5)中，私-1?6、1?9-1? 13、1?18、1?19、1?24和1?25各自独立地表示氢原子、具有1-4 个碳原子的烷基、羟基、羧基或氨基。R 7、R8、R14-R17、R22、R 23和R 28-1?31各自独立地表示氢原子 或具有1-4个碳原子的烷基。RM、R 21、R26和R27各自独立地表示氢原子、具有1-4个碳原子 的烷氧基或具有1-4个碳原子的烷基。此处，11、!11、1、(1、 8和1各自独立地表示1-8的整数。 此处，P和r各自独立地表示4-12的整数。此处，X和y各自独立地表示0或1。此处，符 号*表不与由式（1)中的L表不的聚硅氧烷中的娃原子的结合位置。此处，符号**表不与 由式（1)中的-(? (L)-0)_表示的单元的氧原子的结合位置。
[0015] 本发明的另一方面，提供一种可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其 具有电子照相感光构件和使电子照相感光构件的表面带电的充电构件，其中充电构件为上 述充电构件。
[0016] 本发明的另一方面，提供一种电子照相设备，其具有电子照相感光构件和使电子 照相感光构件的表面带电的充电构件，其中充电构件为上述充电构件。
[0017] 发明的效果
[0018] 根据本发明，可以获得即使与其它构件长期接触后也能够抑制接触部的痕迹对电 子照相图像的影响，即，消除影响或有效降低影响的充电构件。此外，根据本发明，可以获得 使得稳定地形成高品质电子照相图像的处理盒和电子照相设备。
[0019] 参考附图从以下示例性实施方案的描述中，本发明的进一步特征将变得显而易 见。
【附图说明】
[0020] 图1为示出本发明的充电构件的一个实例的截面图。
[0021] 图2为示出本发明的具有处理盒的电子照相设备的实施方案的结构的截面图。
[0022] 图3为示出模拟本发明的充电构件的表面层的一个实例的模型的1H-NMR测量结 果的图。
【具体实施方式】
[0023] 现在将根据附图详细描述本发明的优选实施方案。
[0024] 本发明的充电构件至少具有支承体和设置在支承体上的表面层。可以在支承体与 表面层之间设置弹性层。尽管充电构件的最简单的结构在支承体上包括由弹性层和表面层 组成的两层，在支承体与弹性层之间或者弹性层与表面层之间可以设置一层以上的层。在 示出与作为充电构件的代表性实例的辊形状的充电辊的中心轴正交的截面的图1中，充电 构件具有包括在圆柱状支承体101的周面上依次层压的弹性层102和表面层103的结构。 [00 25]〈支承体〉
[0026] 支承体具有导电性并且具有支承设置在其上的表面层等的功能。支承体的形状可 以对应于充电构件的形状来适当地选择。构成支承体的材料的具体实例包括以下：
[0027] 由如铁、铜、不锈钢、铝、铝合金和镍等金属（合金）形成的支承体。
[0028] 可选择地，可以使用由用导电性填料强化的树脂形成的支承体。
[0029] 〈弹性层〉
[0030] 作为形成弹性层的材料，可以使用如用于常规的充电构件的弹性层或导电性弹性 层的橡胶等弹性材料的一种或多种。
[0031] 橡胶的实例包括以下：
[0032] 聚氨酯橡胶、硅橡胶、丁二烯橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、苯乙烯-丁二烯橡 胶、乙烯-丙烯橡胶、聚降冰片烯橡胶、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯橡胶、丙烯腈橡胶、表氯醇 橡胶和烷基醚橡胶。
[0033] 弹性层可以适当地包括导电剂，从而可以将导电性调节至预定的值。弹性层的电 阻可以通过适当地选择导电剂的种类和使用量来调节。电阻优选为在1〇 2Ω以上且1〇8Ω 以下的范围内，更优选在1〇3Ω以上且1〇 6Ω以下的范围内。
[0034] 用于弹性层的导电剂的实例包括炭材料、金属氧化物、金属、阳离子表面活性剂、 阴离子表面活性剂、两性表面活性剂、抗静电剂和电解质。可以基于需要组合使用其多种。
[0035] 炭材料的具体实例包括导电性炭黑和石墨。
[0036] 金属氧化物的具体实例包括氧化锡、氧化钛和氧化锌。
[0037] 金属的具体实例包括镍、铜、银和锗。
[0038] 阳离子表面活性剂的具体实例包括季铵盐（例如，月桂基三甲基铵、硬脂基三甲 基铵、辛基十二烷基三甲基铵、十二烷基三甲基铵、十六烷基三甲基铵和改性的脂肪酸-二 甲基乙基铵）、高氯酸盐、氯酸盐、氟硼酸盐、乙基硫酸盐和苄基卤盐（苄基溴盐、苄基氯盐 等）。
[0039] 阴离子表面活性剂的具体实例包括脂肪族磺酸盐、高级醇硫酸盐、高级醇环氧乙 烷加成物硫酸盐、高级醇磷酸盐和高级醇环氧乙烷加成物磷酸盐。
[0040] 两性表面活性剂的具体实例包括Ν-烷基氨基丙酸、Ν-烷基甜菜碱和二甲基烷基 氧化胺。
[0041] 抗静电剂的实例包括如高级醇环氧乙烷、聚乙二醇脂肪酸酯和多元醇脂肪酸酯等 非离子性抗静电剂。
[0042] 电解质的实例包括周期表第一族的金属（例如，Li、Na、Κ等）的盐。周期表第一 族金属的盐的具体实例包括 LiCF3S03、NaC104、LiAsF6、LiBF 4、NaSCN、KSCN 和 NaCl。
[0043] 从当与充电构件和作为被充电体的电子照相感光构件（下文中，也简称为感光构 件）接触时抑制充电构件的变形的观点，弹性层的硬度以MD-1硬度计可以为60度以上且 85度以下。弹性层可以为在中央部的层厚度比端部的层厚度厚的凸起状，从而与感光构件 沿宽度方向均匀接触。
[0044] 〈表面层〉
[0045] 本发明的表面层包括具有由下式（1)表示的结构单元的高分子化合物。
[0046]
[0047] 在式⑴中，A表示芳香族环烃基。&表示下式（2)-(5)的任意之一。L表示至少 具有Si0 3/2单元⑴和/或SiO 2/2单元⑶的聚硅氧烷。U表示1以上的整数。在U为2 以上的情况下，即，当包含多个札时，Ri各自独立地表示下式（2)-(5)的任意之一。
[0048] 从改进弹性和抑制渗出的观点，L为具有由分子式Si03/2表示的单元（T)和/或由 分子式Si0 2/2表示的单元（D)的聚硅氧烷，并且可以至少包括可以具有三维交联结构单元 ⑴。
[0049]
[0051] 在式（2)-(5)中，私-1?6、1?9-1? 13、1?18、1?19、1?24和1?25各自独立地表示氢原子、具有1-4 个碳原子的烷基、羟基、羧基或氨基。R 7、R8