专利名称：一种k波段同轴传输结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及微波电真空器件领域，尤其是行波管能量传输的制造领域，具体 为一种k波段同轴传输结构。
背景技术：
行波管作为一种微波功率放大器，广泛应用于雷达、通讯、电子对抗等国防和国民 经济领域。在行波管内高频信号沿慢波线传输和内部的电子束进行互作用，将高频信号进 行放大。连接行波管内部慢波线和管外高频信号的组件称做为输能窗，一般为同轴形式或 者波导形式，在传输高频能量的同时还要保持行波管内部真空度。某k波段行波管高频输 入端采用的输能窗为同轴结构，因为工作频带比较高，导致的结构尺寸小，在设计输能窗结 构时为保证气密性和高频传输性能，在输能窗的外端没有采取工作频段常用的接头，无法 和标准接头连接，从而不能传输高频信号。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种k波段同轴传输结构，以解决现有技术的输能窗无 法和标准接头连接的问题。为了达到上述目的，本实用新型所采用的技术方案为一种k波段同轴传输结构，由外导体、内导体和介质支撑组成，外导体为成型有台 阶的圆柱状外导体，外导体上端外部成型有外螺纹，下端外部为台阶状的输能窗，外导体中 沿轴向开有台阶通孔，其中通孔的台阶位于外导体通孔中段和上、下端，外导体外套装有安 装盘，外导体通孔中安装有与外导体同轴的圆柱状的介质支撑，介质支撑中沿轴向开有与 外导体通孔相通的另一通孔，有内导体安装在所述介质支撑的通孔中且内导体上、下端分 别伸出介质支撑位于外导体的通孔中，内导体中间为台阶，内导体上端为开口，下端为针 状，内导体的台阶可抵顶在介质支撑顶部。外导体上端的外螺纹端连接标准的K2. 92接头，阻抗为50欧姆，外导体下端连接 非标准件的k波段行波管的输能窗，使得输入端的驻波在工作频带24-27GHZ内控制在1. 6 以下，满足行波管使用的要求。本实用新型同轴传输结构一端用螺钉固定在k波段行波管 的输能窗进行连接，一端采用螺纹连接标准的k2. 92接头，保证行波管在输入端的能量的 传输。本实用新型的优点为1、本实用新型同轴传输结构体积小，连接方便；2、本实用新型同轴传输结构连接输能窗后冷测量驻波小，在工作频带24-27GHZ 内控制在1.6以下。
图1为本实用新型的同轴传输结构示意图。[0011]图2为本实用新型的同轴传输结构和输能窗连接的示意图。图3为本实用新型同轴传输结构和输能窗冷测量的驻波图。
具体实施方式
如图1所示。一种k波段同轴传输结构，包括有竖向的外导体2，外导体2为成型 有台阶的圆柱状外导体，外导体2上端外部成型有外螺纹，下端外部为台阶状的输能窗，夕卜 导体2中沿轴向开有台阶通孔，其中通孔的台阶位于外导体2通孔中段和上、下端，外导体2 外套有安装盘4，外导体2通孔中安装有与外导体2同轴的圆柱状的介质支撑3，介质支撑 3中沿轴向开有与外导体2通孔相通的另一通孔，有内导体1安装在介质支撑3的通孔中 且内导体1上、下端分别伸出介质支撑3位于外导体2的通孔中，内导体1中间为台阶，内 导体1上端为开口，下端为针状，内导体1的台阶可抵顶在介质支撑3顶部。外导体2材料 为黄铜，需镀金处理；内导体1材料为铍青铜，需镀金处理；介质支撑3材料为聚四氟乙烯。 内导体1需进行热处理，热处理后达到一定的强度HRC50-55。如图2所示。将内导体穿入介质支撑的孔中，到达内导体的台阶处，将两者一并放 入到外导体的孔中，同轴传输结构就组装完成了。同轴传输结构和k波段行波管的输能窗 进行连接，同轴传输结构的外导体2下部的安装盘4中孔通过3个螺钉5固定在输能窗6 下侧的圆盘7，使得同轴传输结构和输能窗固定在一起，形成一整体。具体制造步骤及参数为一种k波段同轴传输结构，由外导体、内导体和介质支撑组成。1、利用计算机软件进行模拟，模拟出同轴传输结构的微波传输方面的内导体外 径、外导体内径和介质支撑的尺寸。2、根据计算的尺寸结合连接情况形成外导体的结构，如图1中(2)所示，为不规则 圆柱状，一端为螺纹结构，符合标准的k2. 92连接，下部有圆盘状用来和输能窗进行固定， 另一端外部为台阶状连接输能窗，内部有孔且孔径在长度方向上不同，外导体材料为黄铜， 加工结束后进行镀金处理。3、根据计算的尺寸形成内导体的结构，如图1中(1)所示，为细长杆状，一端为开 孔结构符合标准k2. 92连接，一端为针状，外径方向上尺寸不一，有一台阶，内导体材料为 铍青铜，加工结束后进行热处理，热处理后达到一定的强度HRC50-55，然后进行镀金处理。4、根据计算的尺寸形成介质支撑的结构，，如图1中(3)所示，介质支撑材料为聚 四氟乙烯。5、将内导体穿入介质支撑的孔中，到达内导体的台阶处，将两者一并放入到外导 体的孔中，同轴传输结构就组装完成了。如图3所示。同轴传输结构和k波段行波管的输能窗进行连接后，同轴传输结构 连接标准的k2. 92接头，进行冷驻波测试，测得输入端的驻波在工作频带24-27GHZ内在1. 6 以下，满足k波段行波管使用的要求。
权利要求1.一种k波段同轴传输结构，包括有竖向的外导体，其特征在于所述外导体为成型有 台阶的圆柱状外导体，外导体上端外部成型有外螺纹，下端外部为台阶状的输能窗，所述外 导体中沿轴向开有台阶通孔，其中通孔的台阶位于外导体通孔中段和上、下端，所述外导体 外套装有安装盘，所述外导体通孔中安装有与外导体同轴的圆柱状的介质支撑，所述介质 支撑中沿轴向开有与外导体通孔相通的另一通孔，有内导体安装在所述介质支撑的通孔中 且内导体上、下端分别伸出介质支撑位于外导体的通孔中，所述内导体中间为台阶，内导体 上端为开口，下端为针状，所述内导体的台阶可抵顶在介质支撑顶部。
2.根据权利要求1所述的一种k波段同轴传输结构，其特征在于所述外导体材料为 黄铜，需镀金处理；内导体材料为铍青铜，需镀金处理；介质支撑材料为聚四氟乙烯。
3.根据权利要求1所述的一种k波段同轴传输结构，其特征在于所述内导体需进行 热处理，热处理后达到一定的强度HRC50-55。
专利摘要本实用新型公开了一种k波段同轴传输结构，包括有竖向的外导体，外导体外套装有安装盘，外导体通孔中有介质支撑，介质支撑通孔中有内导体。本实用新型同轴传输结构体积小，连接方便，且本实用新型连接输能窗后冷测量驻波小。
文档编号H01J23/36GK201877396SQ20102059435
公开日2011年6月22日 申请日期2010年11月3日 优先权日2010年11月3日
发明者吴华夏, 张文丙, 法朋亭, 袁璟春, 贺兆昌, 雷声媛, 高红梅 申请人:安徽华东光电技术研究所