专利名称：一种注入机束流引出电极水平校准系统的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及半导体集成电路及其制造领域，尤其涉及一种注入机束流引出电极水平校准系统。
背景技术：
随着集成电路的飞速发展，半导体的元器件的结构及其制造工艺都较以前发生了根本性的变化，尤其是现今随着集成度的增大，即在单位面积上的集成更多的电路部件，要求半导体制造设备更加的自动化、可靠和安全。在半导体的元器件制备工艺中离子注入工艺是非常重要的工艺步骤，但在进行离子注入工艺时，但其注入元素的均匀性在掺杂过程中无从发现，若注入元素剂量在晶圆上分布不均匀，将会导致产品良率的下降，尤其是在大尺寸的晶圆上制备元器件，由于离子注入工艺中的注入元素剂量分布不均造成的损失是不可估量的。目前，国内外各种类型的离子注入机，虽然在整机设计上都能得到均匀的束流。但当某些关键功能模块发生水平偏移时，会得到不均匀的束流，如束流引出电极。图1是本实用新型背景技术中传统的束流引出电极和离子源发生腔的结构示意图，图2是本实用新型背景技术中当引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时造成的晶圆出现电阻不均的示意图；如图1所示，由于束流引出电极11在注入设备调整束流过程中，需要经常前后、左右或上下移动，以保证最大束流通过；会造成束流引出电极11与离子源发生腔12之间的相对水平偏移，且当维护注入机的离子源发生腔12或引出电极11时，由于安装不到位，也会导致引出电极11与离子源发生腔12之间出现相对水平的偏移；当出现引出电极11与离子源发生腔12之间出现相对水平的偏移时，将会导致引出的束流均匀性变差，进而造成元素注入后的晶圆电阻值相应的会出现如图2所示的晶圆的电阻一边高一边低现象，从而降低了产品 的良率。但操作人员发现引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时，由于在注入机处于开车状态，且目前所有类型的注入机都没有办法自动监测并自动修复，只能进行停车，需要耗费大量的时间和人力进行检修，大大增加了工艺生产成本，降低了工作效率。
实用新型内容本实用新型公开了一种注入机束流引出电极水平校准系统，包括束流引出电极和离子源发生腔，所述束流引出电极位于所述离子源发生腔的前方，其中，还包括逻辑计算板、电机控制板和位于同一与所述离子发生腔平行的直线上的至少两距离感应件；所述距离感应件与所述离子源发生腔固定连接，所述逻辑计算板分别与所述电机控制板和所述距离感应件通信连接；所述电机控制板控制所述束流引出电极摆动。上述的注入机束流引出电极水平校准系统，其中，所述距离感应件为两个，且该两个距离感应件对称位于所述离子源发生腔的两侧，测量位于两距离感应件正前方的所述束流引出电极的左表面相对于两距离感应件的垂直距离，并将该距离数值信息传送至所述逻辑计算板。上述的注入机束流引出电极水平校准系统，其中，所述逻辑计算板还与所述电机控制板电连接。上述的注入机束流引出电极水平校准系统，其中，所述离子源发生腔位于所述束流引出电极位于的正后方。上述的注入机束流引出电极水平校准系统，其中，所述离子源发生腔位于水平线上。上述的注入机束流引出电极水平校准系统，其中，所述电机控制板控制其与所述逻辑计算板的连接。综上所述，由于采用了上 述技术方案，本实用新型提出一种注入机束流引出电极水平校准系统，通过在离子源反应腔上设置的距离感应件，以感应位于其前方束流引出电极的水平度，若该束流引出电极倾斜时，则通过逻辑运算板和电机控制板控制束流引出电极恢复水平位置，进而避免因出现束流引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时，导致的束流均匀性变差，造成元素注入后的晶圆电阻值不均，不仅增大了产品的良率，还能实现注入机在开车状态下的自动监测和修复，从而降低了工艺生产成本，且大大提高了工作效率。
图1是本实用新型背景技术中传统的束流引出电极和离子源发生腔的结构示意图；图2是本实用新型背景技术中当引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时造成的晶圆出现电阻不均的示意图；图3是本实用新型注入机束流引出电极水平校准系统的结构示意图；图4是本实用新型注入机束流引出电极水平校准系统中各部件的连接示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
作进一步的说明图3是本实用新型注入机束流引出电极水平校准系统的结构示意图；图4是本实用新型注入机束流引出电极水平校准系统中各部件的连接示意图。如图3所示，本实用新型一种注入机束流引出电极水平校准系统，主要应用于晶圆的注入工艺，包括束流引出电极21、电机控制板(图中未标示)、逻辑计算板(图中未标示)、位于水平线上的离子源发生腔22和位于同一水平线上的距离感应件23及距离感应件24，其中，束流弓丨出电极21位于离子源发生腔22的正前方，距离感应件23和距离感应件24水平对称分别固定设置在离子源发生腔22的两侧，以测量位于两距离感应件23、24正前方的束流引出电极21的左表面相对于两距离感应件23、24的水平距离，并将该距离数值信息传送至逻辑计算板进行数据分析处理，逻辑计算板将对上述距离数值信息分析处理的结果传送至电极控制板，电机控制板根据该数据处理结果控制束流引出电极21摆动，以使得束流引出电极21恢复至水平位置，进而实现引出的均匀的离子束，以对晶圆进行均匀的元素注入。[0024]进一步的，电机控制板控制其与逻辑计算板的连接。具体的,如图3-4所示,距离感应件23和距离感应件24通过光束25测量到位于其正前方的束流引出电极21的左表面相对于两距离感应件23、24的水平距离值x、y，并将该距离值X、y传送通过有线通信方式传送至逻辑计算板，该逻辑计算板对距离值X、y值进行数据处理，如进行x、y的差值运算，即x_y=d，若d=0则说明此时束流引出电极21位于水平位置，则不需要对束流引出电极21位置进行修复；若d古O则说明此时束流引出电极21的左表面位于非水平位置，则需要对束流引出电极21的位置进行修复，此时，逻辑计算板根据X与y之间的差值进行逻辑运算，以得出针对此位置的束流引出电极21调整的数据d，并将该调整数据d发送至电机控制板，电机控制板再根据该调整数据d控制束流引出电极21进行恢复位置摆动；之后，继续进行前述X与I之间的数值判断，以实现循环不断的针对束流引出电极21的位置信息进行调整，最终使得束流引出电极21处于与离子源发生腔22平行的水平位置。综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型提出一种注入机束流引出电极水平校准系统，通过在离子源反应腔上设置的距离感应件，以感应位于其前方束流引出电极的水平度，若该束流引出电极倾斜时，则通过逻辑运算板和电机控制板控制束流引出电极恢复水平位置，进而避免因出现束流引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时，导致的束流均匀性变差，造成元素注入后的晶圆电阻值不均，不仅增大了产品的良率，还能实现注入机在开车状态下的自动监测和修复，从而降低了工艺生产成本，且大大提高了工作效率。通过说明和附图，给出了具体实施方式
的特定结构的典型实施例，基于本实用新型精神，还可作其他的转换。尽管上述实用新型提出了现有的较佳实施例，然而，这些内容并不作为局限。对于本领域的技 术人员而言，阅读上述说明后，各种变化和修正无疑将显而易见。因此，所附的权利要求书应看作是涵盖本实用新型的真实意图和范围的全部变化和修正。在权利要求书范围内任何和所有等价的范围与内容，都应认为仍属本实用新型的意图和范围内。
权利要求1.一种注入机束流引出电极水平校准系统，包括束流引出电极和离子源发生腔，所述束流引出电极位于所述离子源发生腔的前方，其特征在于，还包括逻辑计算板、电机控制板和位于同一与所述离子发生腔平行的直线上的至少两距离感应件； 所述距离感应件与所述离子源发生腔固定连接，所述逻辑计算板分别与所述电机控制板和所述距离感应件通信连接； 所述电机控制板控制所述束流弓I出电极摆动。
2.根据权利要求1所述的注入机束流引出电极水平校准系统，其特征在于，所述距离感应件为两个，且该两个距离感应件水平对称位于所述离子源发生腔的两侧，测量位于两距离感应件正前方的所述束流引出电极的左表面相对于两距离感应件的垂直距离，并将该距离数值信息传送至所述逻辑计算板。
3.根据权利要求1所述的注入机束流引出电极水平校准系统，其特征在于，所述逻辑计算板还与所述电机控制板电连接。
4.根据权利要求1所述的注入机束流引出电极水平校准系统，其特征在于，所述离子源发生腔位于所述束流引出电极位于的正后方。
5.根据权利要求1所述的注入机束流引出电极水平校准系统，其特征在于，所述离子源发生腔位于水平线上。
6.根据权利要求1-5中任意一项所述的注入机束流引出电极水平校准系统，其特征在于，所述电机控制板控制其与所述逻辑计算板的连接。
专利摘要本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种注入机束流引出电极水平校准系统，通过在离子源反应腔上设置的距离感应件，以感应位于其前方束流引出电极的水平度，若该束流引出电极倾斜时，则通过逻辑运算板和电机控制板控制束流引出电极恢复水平位置，进而避免因出现束流引出电极与离子源发生腔之间出现相对水平的偏移时，导致的束流均匀性变差，造成元素注入后的晶圆电阻值不均，不仅增大了产品的良率，还能实现注入机在开车状态下的自动监测和修复，从而降低了工艺生产成本，且大大提高了工作效率。
文档编号H01J37/147GK202871738SQ20122051066
公开日2013年4月10日 申请日期2012年10月8日 优先权日2012年10月8日
发明者张旭昇, 邓建宁, 谢威 申请人:上海华力微电子有限公司