微波炉用磁控管的排气管的制作方法
【专利摘要】一种微波炉用磁控管的排气管，包括管状结构的管体和由管体外部向外延伸并向下弯折的固定壁，上述排气管设置在磁控管的天线封盖上方的陶瓷环上,而陶瓷环的下部与天线封盖固定,管体的顶端在抽真空后密封，密封后管体的长度减少20-25%；固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离减少18-21%。通过改变管体上端的保留长度和管体下端突出固定壁的长度来提高排气管针对三次谐波和四次谐波的扼流能力，相应的抑制了磁控管工作中产生的无用的高频谐波，在不引起磁控管特性变化的前提下，提高了微波炉用磁控管的电磁兼容特性。
【专利说明】 微波炉用磁控管的排气管
【技术领域】
[0001]本发明属于磁控管的【技术领域】，具体涉及一种在保持磁控管特性不变更的情况下，提高磁控管电磁兼容特性的微波炉用磁控管的排气管。
【背景技术】
[0002]图1是现有技术的磁控管结构纵剖视图；图2是现有技术中磁控管排气管位置的结构示意图。
[0003]如图1至图2所示，磁控管主要包括有:正电极部；负电极部；磁极部；微波发射部。正电极部由圆桶形状的正极外壳11，在正极外壳11的内壁上形成有多个放射状的叶片12，叶片上下沟槽中焊接内外环构成。
[0004]负电极部包括在中心轴上由W (钨)和TH (钍)元素形成的螺旋形状并可放射热电子的灯丝13 ;在叶片12的末端和灯丝13之间形成使热电子旋转的作用空间14 ;为了防止从灯丝13放射出来的热电子从中心轴上下方向脱离，在灯丝13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16 ;为了支撑灯丝13及引入电源，设计了贯通下部密封件16并连接上部密封件15的灯丝中央导杆17和与中央导杆17—起引入电源并连接下部密封件16的侧面导杆18。
[0005]磁极部包括固定在正极外壳11的上端和下端且能形成磁通的上磁极20，下磁极21 ;为了能使作用空间14上形成磁场，在上磁极20的上端和下磁极21的下端安装磁铁22。
[0006]此外，还有贯通陶瓷部件31并连接灯丝中央导杆17 —端和侧面导杆18 —端进行滤波功能的滤波线圈32 ;连接滤波线圈32，并跨接于电源两端从外部引入电源的电容器33 ;形成在上磁极20的上部和下磁极21的下部进行磁通作用的上部密封室41和下部密封室42 ;为了在作用空间14里产生的高频波发射到外部，设有连接在叶片12并贯通上磁极20和上部密封室41中央引出来的天线51 ;为了冷却在作用空间14里产生并通过叶片12传递的热量，设置有冷却片61 ;另外还有把冷却片61保护在内部并将冷却片61传递的热量散出的外壳19等部件。
[0007]外壳19包括从上侧容纳内部装置的上壳19a和从下侧容纳内部装置的下壳19b。
[0008]图中所示的排气管60是磁控管组装以后，进行排气工序时为了把磁控管变成真空状态切断的部分。
[0009]下面说明如上所述的磁控管工作情况。在磁铁22产生的磁场通过上磁极20和下磁极21形成磁通时，在叶片12和灯丝13之间形成磁场。当通过电容器33进行通电的时候，灯丝13在大约2000K温度下放射热电子，热电子在灯丝13与正电极部之间的4.0 KV到4.4KV和在磁铁22产生的磁场的作用下的作用空间14进行旋转。
[0010]这样，在通过中央导杆17和侧面导杆18向灯丝13通电的时候，在叶片12和灯丝13之间产生2450MHZ左右的电场，使热电子在作用空间14内通过电场和磁场的作用下变成谐波，并使谐波传递到连接叶片12的天线51发射到外部。
[0011]在作用空间产生的不仅有用于烹调的基本波(2450MHZ)，还有基本波频率整数倍的高频谐波，主要包括第二高频谐波(4900MHZ)、第三高频谐波(7350MHZ)、第四高频谐波(9.8GHZ)、第五高频谐波(12.5GHZ)等。基本波用于对微波炉内的物品加热，整数倍高频谐波容易对周围的电器元件造成强烈的电磁干扰，而且对人体有害，因此必须尽量减少高频谐波从磁控管中泄漏。
[0012]微波炉用磁控管的天线封盖由封盖壁包围形成，设置于磁控管的正极外壳上部，并在封盖壁内部形成上部密封室，在天线封盖上部设置天线出口，天线从天线出口中穿出。而天线封盖的上端从外壳的上壳中穿出。为避免微波从天线封盖和上壳之间组合处的缝隙泄漏，在天线封盖的上端需要嵌套一个垫圈环101。
[0013]而现有技术中的微波炉用磁控管的排气管60，包括管状结构的管体63和由管体外部向外延伸并向下弯折的固定壁64，上述排气管固定设置在磁控管的天线封盖上方的陶瓷环62上，而陶瓷环的下部与天线封盖固定，管体的顶端在抽真空后密封。现有技术中密封后管体的长度为9毫米，而固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离为2.6毫米。
[0014]图3是现有技术中磁控管排气管的6 δ管理示意图。如图3所示，现有技术的磁控管排气管在密封后管体的长度为9毫米时6 δ管理中的Mean值为7.4，而管理Z值Ht仅为2.45。
[0015]但是现有技术的磁控管的排气管无法有效抑制磁控管的高频谐波，部分高频谐波会从排气结构中向外泄露，从而使微波炉用磁控管的电磁兼容特性变差，从而对人体和微波炉周围的电器元件产生不利影响。
【发明内容】
[0016]本发明为解决现有技术中存在的技术问题而提供一种在保持磁控管特性不变更的情况下，提高磁控管电磁兼容特性的微波炉用磁控管的排气管。
[0017]本发明为解决现有技术中存在的技术问题所采取的技术方案是:
本发明的微波炉用磁控管的排气管，包括管状结构的管体和由管体外部向外延伸并向下垂直弯折的固定壁，上述排气管固定设置在磁控管的天线封盖上方的陶瓷环上，而陶瓷环的下部与天线封盖固定，管体的顶端在抽真空后密封，其特征在于:密封后管体的长度减少20-25% ;固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离减少 18-21%。
[0018]本发明还可以采用如下技术措施:
所述的密封后管体的长度为7毫米。
[0019]所述的固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离为2.1毫米。
[0020]本发明具有的优点和积极效果是:
本发明的微波炉用磁控管的排气管中，通过改变排气管的管体上端在密封后的保留长度提高了磁控管对三次谐波的扼流能力，同时通过改变管体下端插入到陶瓷环中的长度来改变排气管和陶瓷环相互固定时形成的扼流结构，从而提高了磁控管对四次谐波的抑制能力，通过对排气管本身两端结构的改变，从而形成了针对高频谐波的扼流结构，相应的抑制了磁控管工作中产生的无用的高频谐波，在不引起磁控管特性变化的前提下，提高了微波炉用磁控管的电磁兼容特性，所以避免了排气结构中微波泄漏的可能性，使磁控管更加可靠，提高了磁控管的裕度特性，在磁控管工作时减小了高频谐波对周围人体和电器元件的不利影响。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1是现有技术的磁控管结构纵剖视图；
图2是现有技术中磁控管排气管位置的结构示意图；
图3是现有技术中磁控管排气管的6 δ管理示意图；
图4是本发明的磁控管排气管的示意图；
图5是本发明的磁控管排气管的6 δ管理示意图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。
[0023]图4是本发明的磁控管排气管的示意图；图5是本发明的磁控管排气管的6 δ管理示意图。
[0024]如图4所示，本发明的微波炉用磁控管的排气管，包括管状结构的管体63和由管体外部向外延伸并向下弯折的固定壁64，上述排气管60固定设置在磁控管的天线封盖上方的陶瓷环62上，而陶瓷环的下部与天线封盖100固定，管体的顶端在抽真空后密封，固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离h相对现有技术中的数值减少约19%，而同时管体上端在密封后的保留距离H相对现有技术减少了约22%。
[0025]密封后管体的长度为7毫米。如图5所示，磁控管排气管在密封后管体的长度为7毫米时6 δ管理中的Mean值为6.4，而管理Z值Ht提升为3.3。
[0026]固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离为2.1毫米。
[0027]本发明的微波炉用磁控管的排气管中，通过改变排气管的管体上端在密封后的保留长度提高了磁控管对三次谐波的扼流能力，同时通过改变管体下端插入到陶瓷环中的长度来改变排气管和陶瓷环相互固定时形成的扼流结构，从而提高了磁控管对四次谐波的抑制能力，通过对排气管本身两端结构的改变，从而形成了针对高频谐波的扼流结构，相应的抑制了磁控管工作中产生的无用的高频谐波，在不引起磁控管特性变化的前提下，提高了微波炉用磁控管的电磁兼容特性，所以避免了排气结构中微波泄漏的可能性，使磁控管更加可靠，提高了磁控管的裕度特性。
[0028]以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然而，并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当然会利用揭示的技术内容作出些许更动或修饰，成为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。
【权利要求】
1.一种微波炉用磁控管的排气管，包括管状结构的管体和由管体外部向外延伸并向下垂直弯折的固定壁，上述排气管固定设置在磁控管的天线封盖上方的陶瓷环上，而陶瓷环的下部与天线封盖固定，管体的顶端在抽真空后密封，其特征在于:密封后管体的长度减少20-25% ;固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离减少18-21%。
2.根据权利要求1所述的微波炉用磁控管的排气管，其特征在于:密封后管体的长度为7毫米。
3.根据权利要求1所述的微波炉用磁控管的排气管，其特征在于:固定壁下端延伸至最远处的所在平面与管体最下端所在平面之间的距离为2.1毫米。
【文档编号】H01J23/00GK104253005SQ201310260580
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年6月27日 优先权日:2013年6月27日
【发明者】李斌 申请人:乐金电子(天津)电器有限公司