修正装置制造方法

修正装置制造方法
【专利摘要】本发明公开一种修正装置，其对于试样的损伤较小，在长时间内稳定且效率良好地进行掩膜等的细微部位的修正。修正装置(10)至少具备：气体电场电离离子源，其具有锐化的针尖；冷却单元，其冷却针尖；离子束镜筒(11)，其使在气体电场电离离子源产生的气体的离子集束，形成集束离子束；试样工作台(15)，其设置经通过离子束镜筒(11)形成的集束离子束照射的试样，并能够移动；试样室(13)，其内置试样工作台(15)；以及控制部(20)，其通过集束离子束修正作为试样的掩膜(14)或纳米压印光刻的模具。气体电场电离离子源以氮作为离子，并具备通过铱单晶构成的针尖，该铱单晶具有能够产生离子的单一的顶点。
【专利说明】修正装置

【技术领域】
[0001] 本发明涉及基于具备气体电场电离离子源的离子束的修正装置，还涉及用于修正 半导体元件的制造时等形成细微图形时所使用的光掩模、EU掩模以及纳米压印原板等存在 的缺陷等的修正装置。

【背景技术】
[0002] 以往，在制造半导体元件等时用于图形曝光装置的掩模为透射型掩模或 EUV(ExtremeUltraViolet:极紫外光）曝光用的反射型掩模等。已知在这些掩模的图形中 存在缺陷等的情况下，并非再次重新制作昂贵的掩模整个表面，而是基于经济性和时间性 的观点，采用仅修正缺陷等的方法。作为这种情况下使用的修正装置，已知除了可用于掩模 之外还可用于纳米压印原板（模具），基于镓离子的集束离子束（FIB:FocusedIonBeam) 或电子束的掩模修正装置。
[0003] 例如公开了使用集束离子束的装置（例如，参照专利文献1)，该集束离子束是通 过离子光学系统集束作为照射束从液体金属离子源释放的离子而形成的。该装置使用聚集 为直径几nm左右的镓离子的集束离子束，通过细微区域的不要图形的去除和图形欠缺部 的植模等，进行掩模修正。
[0004] 例如，公开了使用电子束和辅助气体的掩模修正装置（例如，参照专利文献2)。该 装置能够防止离子注入的透射率比镓离子的集束离子束低的情况，束集束性优良。
[0005]另外，当前作为被期待集束性比镓离子的集束离子束良好的集束离子束装置的离 子源，已知气体电场电离离子源（GFIS:GasFieldIonSource)。气体电场电离离子源通过 使原料气体在针尖前端的高电场区域离子化而能够形成为集束离子束，因此释放的离子能 量的扩散较小仅为液体金属离子源的几分之一，因而束集束性比镓离子的集束离子束高。 可通过二次电子和辅助气体与电子束同样地产生蚀刻效果，然而由于二次电子的产生区域 比电子束的产生区域小，因此期待能够实现细微区域的加工。
[0006] 此外，将在气体电场电离离子源中产生离子并锐化的针状电极称作针尖（Tip)。该 锐化的针状电极还可用于电子显微镜的电子源的针状电极和扫描探针显微镜的探针等。以 往，为了在电子显微镜和集束离子束装置中获得高分辨率的图像，期望将针尖的前端锐化 为由几个原子构成的程度。另外，为了在扫描探针显微镜中使针尖的寿命变长，并获得高分 辨率的图像，期望将针尖的前端锐化为原子级别（level)使其寿命变长。
[0007] 图13 (A)?（C)表示现有的针尖500的概要形状。如图13 (A)所示的针尖500的 整体形状那样，针尖500形成为直径为几百μm以下的细线的前端被电解研磨（也称之为 湿蚀刻）而变细变尖的形状。如图13(B)所示的针尖500的前端部A那样，针尖500在前 端部A具备微小的突起501。如图13(C)所示的针尖500的突起501那样，该微小的突起 501为原子累积数层而成的三角锥形状，而其前端（顶点）最多由数个原子构成。在以下内 容中，将突起501称作角锥结构。
[0008] 接着，参照图14说明使用针尖500的气体电场电离离子源的离子产生原理。
[0009] 向离子源供给待离子化的气体，在针尖500周边存在待离子化的气体分子和原子 (在此简称为气体分子）601。针尖500通过冷却装置（省略图示）进行冷却。
[0010] 而且，通过电源602向针尖500与导出电极603之间施加电压，若在针尖500的前 端的周边产生了高电场，则在针尖500周边漂浮的气体分子601极化，通过极化力被吸引移 动到针尖500的前端。然后，被吸引的气体分子601通过针尖500的前端的高电场进行离 子化。
[0011] 产生的离子604从导出电极603的开口部603a通过下游的离子光学系统（省略 图示）朝试样（省略图示）释放。该气体电场电离离子源的释放离子604的束（离子束） 的区域的大小、即离子源的源极尺寸极小，因此成为高亮度的离子源，能够在试样上形成极 细的集束离子束。
[0012] 当前已知在使用气体电场电离离子源的集束离子束装置（或离子显微镜）中，使 用钨针尖的技术。
[0013] 例如，公开了一种使用气体电场电离离子源的光掩模的缺陷修正方法（例如，参 照专利文献4)。使用从该气体电场电离离子源产生的稀有气体离子束的修正装置能够减轻 掩模透射性的恶化（例如，向通过现有的镓离子的集束离子束产生的掩模内注入镓导致的 掩模透射性的恶化）。另外，作为稀有气体的一种的氦，其质量大于电子，因而相比基于电子 束的掩模修正，加工效率得以提升。
[0014] 例如，已知通过使氮离子化而形成集束离子束的掩模修正装置（例如，参照专利 文献5)。作为该掩模修正装置的针尖，使用在钨或钥上抑或是由钨或钥构成的针状基材上 覆盖钼、钯、铱、铑或金等贵金属的结构。
[0015] 例如，公开了基于从气体电场电离离子源产生的氢离子束的极紫外光曝光用的掩 模修正（例如，参照专利文件5)。该掩模修正装置的针尖是在由钨或钥构成的针状基材上 覆盖钼、钯、铱、铑或金等贵金属形成的。该针尖的前端为通过原子级别锐化的金字塔状。
[0016] 以原子级别使针尖前端锐化的方法十分重要，然而难以执行，已知有各种方法。
[0017] 针尖的结晶表面的原子密度较低的晶面易被锐化，因而钨针尖的<111>方向被 锐化。钨的{111}晶面为3次旋转对称，{110}晶面或{112}晶面成为锥体结构的侧面（锥 面）。
[0018] 作为以钨针尖的前端面由几个原子构成的方式使前端锐化的方法，已知使用氮或 氧的电场感应气体蚀刻、热分面（facet)和重塑（remolding)等的方法，通过这些方法能够 再现性良好地使< 111 >方向锐化。
[0019] 电场感应气体蚀刻是在使用电场离子显微镜（FM:FieldIonMicroscope)对以 氦等作为成像气体的FIM像的观察中导入氮气，蚀刻钨针尖的方法。氮的电场电离强度比 氦的电场电离强度低，因而氮气无法接近能够观察FIM像的区域（即氦进行电场电离的区 域），而被吸附于从钨针尖的前端略微离开的针尖侧面。然后，氮气与针尖表面的钨原子结 合而形成钨氮化物。钨氮化物的电场蒸发强度较低，因而仅对从氮气所吸附的前端略微离 开的针尖侧面选择性进行蚀刻。此时，钨针尖的前端的钨原子未被蚀刻，因而可获得具有比 经电解研磨的针尖更为锐化的前端的针尖（例如，参照专利文献7)。
[0020] 热分面是在氧气氛中对电解研磨后的针尖进行加热，从而使特定的晶面成长，在 针尖的前端形成多面体结构的方法（例如，参照专利文献8)。
[0021] 重塑是在超高真空中对电解研磨后的针尖加热和施加高电压，从而在针尖的前端 形成晶面的方法（例如，参照专利文献9)。
[0022] 此外，当前已知基于搭载了使用锐化为原子级别的钨针尖的气体电场电离离子源 的氦集束离子束的扫描离子显微镜、即集束离子束装置（例如，参照非专利文献1)。该集束 离子束装置的针尖前端由3个钨原子构成（也称之为三量体），从3个原子分别释放离子， 选择从其中1个原子释放的离子进行束集束。
[0023] 此外，当前已知在基于搭载了使用钨针尖的气体电场电离离子源的氦集束离子束 的扫描离子显微镜中，释放离子的钨针尖的前端被由3个钨原子构成的三量体封端，从3个 原子分别释放离子，选择从其中1个原子释放的离子进行束集束（例如，参照非专利文献 2)。
[0024] 此外，当前已知在<210 >铱单晶针尖的前端形成由1个{110}晶面和2个{311} 晶面构成的微小的三角锥结构（例如，参照非专利文献3)。
[0025] 此外，当前已知在锐化的<210 >铱单晶针尖的前端通过热分面形成由1个{110} 晶面和2个{311}晶面构成的微小的三角锥，进而其顶点为单一原子。已知该使用铱针尖 的气体电场电离离子源能够在大约2250秒的期间内连续进行束释放（例如，参照非专利文 献4)。
[0026] 现有技术文献
[0027] 专利文献
[0028] 专利文献1:日本特开2003-156833号公报
[0029] 专利文献2:日本特开2003-328161号公报
[0030] 专利文献3:日本特表2009-517840号公报
[0031] 专利文献4:国际公开第2009/022603号公报
[0032] 专利文献5:日本特开2013-89534号公报
[0033] 专利文献6:日本特开2011-181894号公报
[0034] 专利文献7:美国专利第7431856号说明书
[0035] 专利文献8:日本特开2009-107105号公报
[0036] 专利文献9:日本特开2008-239376号公报
[0037] 非专利文献
[0038] 非专利文献IWilliamB.Thompson等，第28次LSI测试研讨会（LSITS2008)会 议记录，（2008 年）249 页?254 页，"HeliumIonMicroscopeforSemiconductorDevice ImagingandFailureAnalysisApplications"
[0039]非专利文献 2B.W.Ward等，JournalofVacuumScience&Technology, 24 卷， (2006 年）2871 页?2874 页，"Heliumionmicroscope:Anewtoolfornanoscale microscopyandmetrology"
[0040]非专利文献 3IvanErmanoski等，Surf.Sci.596 卷，（2〇〇5 年），89 页?97 页 "Atomicstructureof0/Ir(210)nanofacets，'
[0041]非专利文献 4Hong-ShiKuo等，Nanotechnology，20 卷，（2009 年）335701 号，"A Single-atomsharpiridiumtipasanemitterofgasfieldionsources"


【发明内容】

[0042] 发明所要解决的课题
[0043](关于镓集束离子束）
[0044] 当前已知基于镓集束离子束或电子束的掩模修正装置。基于镓集束离子束的加工 能够通过溅射效果蚀刻各种材料，然而若向掩模的待透射区域植入镓离子，则会产生光透 射率降低的问题。此外，还会产生镓集束离子束不足以获得最前端的超细微尺寸的掩模的 修正所需的最小加工尺寸的问题。
[0045](关于电子束）
[0046] 另一方面，使用电子束和辅助气体的掩模修正装置不会降低束照射部位的光透射 率，能够实现超细微尺寸的光掩模修正所需的最小加工。然而，由于对于掩模材料的溅射效 率较低，因而加工效率较差，通过电子束观察图形时的对比度较小，因而会产生无法明确地 观察图形的问题。另外，近年来，关于将硅化钥（MoSi)等作为遮光膜的相位移位光掩模，提 出了多种提高对于曝光和洗浄的损伤的耐性的遮光膜。然而，这些遮光膜的组成都接近基 底玻璃基板的组成，且在遮光膜与基底玻璃基板的蚀刻速度间产生差异的辅助气体并不存 在。因而，蚀刻材料的选择性较低，会产生难以在遮光膜与基底玻璃基板的界面等期望的位 置处停止蚀刻的问题。进而，最小加工尺寸的极限是20到30nm，因此无法应对新一代EUV 掩模等超细微尺寸的图形。
[0047](关于气体电场电离离子源）
[0048] 在使用气体电场电离离子源的掩模修正装置中，会产生进行试样观察时由于氩离 子束的溅射效应对试样带来损伤的问题。另一方面，质量较小的氦虽然能够减轻对于透射 部分的损伤，其集束性也高于镓集束离子束，然而由于试样的蚀刻效率较低，因而会产生掩 模修正耗费过多时间的问题。另外，气体电场电离离子源的针尖会产生如下问题。
[0049](关于钨针尖）
[0050] 若针尖通过钨形成，则会产生针对作为待离子化的气体的化学活性气体种类、例 如氮气等的耐性较低，离子源寿命较短的问题。例如，若氧或氮附着于钨针尖的表面时产生 反应，生成了电场蒸发强度较低的钨氧化物或钨氮化物，则这些氧化物或氮化物以较低的 电场强度从钨针尖表面电场蒸发而导致的损伤可能会加剧。微量的氧或氮可用于钨针尖的 锐化处理，因而在钨针尖表面的氧化物或氮化物的生成是不可避免的，如果在钨针尖的前 端产生了损伤，则可能出现产生离子电流的变动甚至是离子释放的停止。此外，若在钨针 尖的前端产生了损伤，则需要再次进行锐化处理，产生搭载了该钨针尖的装置的停机时间 (downtime)增加的问题。针对这种问题的产生，如果在通过搭载钨针尖的气体电场电离离 子源释放氦离子，向离子源室导入氦气体的情况下，需要高昂的纯度气体，产生費用变高的 问题。
[0051] 另外，钨针尖以前端为被称作三量体的3个原子为顶点，从这3个原子同时释放3 根束。具备该气体电场电离离子源的装置通过在离子束路径内设置的光圈选择从钨针尖释 放的3根束中的1根束，使该束聚集并向试样照射。因此，到达试样的束电流至少减少为全 束电流的1/3。此外，即使从针尖的前端释放的3根总释放离子电流的合计值固定，从3个 原子分别释放的离子电流量的均衡也可能不稳定。束电流的降低会产生如下问题，即在图 像化时会招致画质的降低，在加工时会招致加工量的减少。因而，通过3个原子封端的钨针 尖存在加工形状和观察图像不稳定的可能性。
[0052] (关于被覆盖的针尖）
[0053] 关于在由钨或钥构成的针材料上覆盖钼、钯、铱、铑或金等贵金属的针尖，其覆盖 作业需要时间，在覆盖作业中可能会损伤前端。另外，在覆盖不充分的情况下，会产生通过 化学活性气体从覆盖不充分的部位起进行蚀刻的问题。
[0054] (关于铱针尖）
[0055] 针对钨针尖在前端以3个原子作为顶点的问题，作为能够以1个原子作为顶点且 化学耐性比钨强的材料，已知在针尖使用铱。
[0056] 然而，本发明人发现，在使铱针尖的前端锐化的精加工中，如果单纯沿用现有的手 法，则难以在期望的位置仅形成1个期望的形状（S卩，以1个原子作为顶点的角锥结构）。 [0057](关于铱针尖的锐化方法）
[0058] 此外，铱的{210}晶面的表面原子密度较低，易于锐化，因而铱针尖的<210>方 向被锐化。如图15所示，从正面观察铱的{210}晶面时的结晶相对于包含<110>的轴和 <210>的轴的平面为镜像对称，因此若进行电场诱导气体蚀刻，则会保留{210}晶面与 {310}晶面的边界附近，而由于{310}面呈长方形，因此不会保留奇数个的原子。即，使用铱 的情况下，即便是三聚体等，也难以在较少的状态下在期望的位置形成终端的原子个数。此 夕卜，本发明人通过实验得出，仅凭电场蒸发进行最终的锐化精加工时，前端部的数层的原子 层大多以块状态一并地电场蒸发，难以在前端形成期望的顶点。
[0059](关于铱针尖的电场诱导氮蚀刻）
[0060] 此外，作为铱针尖的锐化方法，在电场感应气体蚀刻中基于现有方法的氧气导入 时，由于铱比钨化学耐性强，因而与处理钨的情况相比，会产生处理所需时间变长的问题。 此外，在取代氧气的导入而导入氮气的情况下，能够在针尖的前端制作与钨同样的角锥结 构。然而，会产生提高所导入的氮的压力的需要。提高导入气体压力会诱发针尖与导出电 极之间的放电，损伤针尖前端的危险性变高。另外，蚀刻速度比钨的情况要慢，因此会产生 处理所需时间变长的问题。
[0061] 此外，本发明人通过实验得出，在通过电场感应气体蚀刻使铱针尖锐化时，有时在 期望的位置以外的其他位置形成顶点，难以在每次处理时在同一个原子位置再现性良好地 形成角锥结构。针尖前端的位置的再现性不稳定意味着离子和电子的释放位置在每次前端 形成的处理时都会变化，需要每次高精度进行离子源或电子源的位置调整，以使得以较高 精度对准电子显微镜或集束离子束装置的束，会产生实用情况下并非优选的问题。
[0062](关于铱针尖的热分面）
[0063] 此外，通过在氧气氛中对铱针尖进行热分面（低指数晶面的形成），从而能够再现 性良好地使< 210 >方向锐化。然而，若仅凭热分面进行最终的锐化精加工，则期望的顶点 不仅形成于期望的位置处，有时还会形成在多处。另外，即使对铱进行加热处理，期望的晶 面也不会成长，因而在规定的位置被规定的晶面包围，难以进行形成前端为单一原子的角 锥结构的控制。进而，在气体电场电离离子源内实施热分面的情况下，在气体电场电离离子 源内残留的氧原子作为对于铱针尖而言的杂质进行作用，可能会妨碍稳定的离子释放。由 此，基于稳定动作的观点，期望提出在不使用氧的情况下使期望的位置锐化的方法。
[0064] 另外，根据搭载了气体电场电离离子源的掩模修正装置，能够通过同一装置切换 质量较大的离子源气体和质量较小的离子源气体。即，若照射离子种类的质量较大则能够 进行接近镓集束离子束的特性的加工和观察，若照射离子种类的质量较小则能够进行接近 电子束的特性的加工和观察。照射离子种类的质量可按照加工目的等进行选择。例如，在相 位移位型光掩模的缺陷修正中，在除去表层的含MoSi玻璃层的情况下，需要使蚀刻在基底 玻璃基板的界面上停止。为此，要求表层的蚀刻速度大于基底的蚀刻速度、即要求材料选择 性较高的工艺。然而，在氢或氦等较轻的离子或电子束中，由于表层和基底都为玻璃材料， 因此蚀刻速度并无太大差异。另一方面，氮或氖等的略重的离子束具有溅射效应，因而表层 与基底的结构差异就成为蚀刻速度的差异。进而在作为较重元素的氩、氪和氙等中，植入离 子造成的光透射率的恶化成为问题。因此，在相位移位型光掩模的修正中，采用氮和氖等略 重的离子是最佳方案。
[0065] 基于离子束的加工速度与释放离子电流成比例，而气体电场电离离子源的释放离 子电流比镓集束离子束低几位数。即，由于加工速度极慢，因此需要确保尽可能大的释放离 子电流。单纯提高原料气体压力以增大释放离子电流的情况下，会诱发针尖前端的放电，可 能导致针尖前端损伤。因此，期待在较低的气体压力使用易于离子化的原料气体。其中，本 发明人发现，由于氮的离子化效率比氖的离子化效率高，因此在相同的气体压力下氮束比 氖束更易于获得较高的释放离子电流，对于光掩模修正而言氮集束离子束为最佳选择。 [0066] 然而,氮气对某种金属具有腐蚀性,在氦气中混入微量的氮也会腐蚀（蚀刻）作为 以往基于氦气的气体电场电离离子源的针尖材料而标准使用的钨。由此，针尖形状会发生 变形，作为离子释放部的针尖前端部损伤，甚至可能导致离子释放的停止。因此，在使用钨 针尖的现有的气体电场电离离子源中，难以通过以氮气作为主要成分供给实现氮离子束的 生成。
[0067] 本发明就是鉴于上述情况而完成的，其目的在于提供一种搭载了气体电场电离离 子源的修正装置，该气体电场电离离子源对于试样的损伤较小，能够在长期间内稳定且效 率良好地进行掩模等的细微部位的修正。
[0068] 用于解决课题的手段
[0069] 为了解决上述课题，达成该目的，本发明采用如下方式。
[0070] (1)本发明的一个方面的修正装置至少具备：气体电场电离离子源，其具备离子 产生部，该离子产生部具有锐化的针尖；冷却单元，其冷却所述针尖；离子束镜筒，其使在 所述气体电场电离离子源中产生的气体的离子集束，形成集束离子束；试样工作台，其设置 要被照射所述离子束镜筒所形成的所述集束离子束的试样并能够移动；试样室，其至少内 置所述试样工作台；以及控制单元，其通过由所述离子束镜筒形成的所述集束离子束修正 作为所述试样的掩模或纳米压印光刻模具，所述气体电场电离离子源以氮作为所述离子， 并具备由能够产生所述离子的铱单晶构成的所述针尖。
[0071] (2)在上述（1)所述的修正装置中，所述针尖具备角锥结构，该角锥结构具有以1 个铱原子作为顶点的前端。
[0072] (3)在上述（1)或（2)所述的修正装置中，所述针尖由〈210>方位的铱单晶构成， 所述针尖的顶点具备由1个{100}晶面和2个{111}晶面围成的前端。
[0073] (4)在上述（1)至（3)中的任意一项所述的修正装置中，在所述离子产生部具备供 给待离子化的气体的气体供给部，所述气体供给部具备能够分别储藏多种气体并供给多种 气体的容器。
[0074] (5)在上述（4)所述的修正装置中，所述气体供给部至少具有氮和氢作为所述多 种气体。
[0075] (6)在上述（5)所述的修正装置中，所述控制单元在将极紫外光曝光用的掩模作 为所述掩模进行修正的情况下，使用氢离子束作为所述集束离子束，在将光掩模作为所述 掩模进行修正的情况下，使用氮离子束作为所述集束离子束。
[0076] (7)在上述（1)至（6)中的任意一项所述的修正装置中，具备气体切换部，其能够 切换从所述气体供给部供给的气体的种类。
[0077] (8)在上述（4)至（6)中的任意一项所述的修正装置中，具备离子切换部，其切换 所述离子产生部的气体离子化所需的电压，从而切换离子的种类。
[0078]发明的效果
[0079] 根据上述方式，能够提供一种搭载了气体电场电离离子源的修正装置，该气体电 场电离离子源对于试样的损伤较小，能够在长期间内稳定且效率良好地进行掩模等的细微 部位的修正。

【专利附图】

【附图说明】
[0080] 图1是表示本发明的实施方式的修正装置的概要结构的说明图。
[0081] 图2是用于说明本发明的实施方式的气体电场电离离子源的结构的概要结构图。
[0082] 图3是本发明的实施方式的针尖组件的立体图。
[0083] 图4是本发明的实施方式的离子束镜筒的结构图。
[0084] 图5是用于说明本发明的实施方式的修正装置的待修正的图形的图。
[0085] 图6是用于说明本发明的实施方式的铱针尖的前端的角锥结构的图，其中，（A)是 角锥结构的原子模型图，（B)是用于明示晶面的说明图。
[0086] 图7是表示本发明的实施方式的铱针尖的前端的角锥结构的晶面的原子的排列 的图，其中，（A)是从正面观察构成锥面的{100}晶面的图，（B)是从正面观察构成锥面的 {111}晶面的图。
[0087] 图8是用于说明现有例的铱针尖的前端的第1的角锥结构的图，其中，㈧是角锥 结构的原子模型图，（B)是用于明示晶面的说明图。
[0088] 图9是用于说明现有例的铱针尖的前端的第2角锥结构的图，其中，㈧是角锥结 构的原子模型图，（B)是用于明示晶面的说明图。
[0089] 图10是表示现有例的铱针尖的前端的角锥结构的晶面的原子的排列的图，其中， (A)是从正面观察构成锥面的{110}晶面的图，（B)是从正面观察构成锥面的{311}晶面的 图。
[0090] 图11是用于制作本发明的实施方式的针尖的针尖制作装置的概要结构图。
[0091] 图12是表示本发明的实施方式的针尖的制造方法的流程图。
[0092] 图13是用于说明现有的针尖的概要图。其中，（B)是㈧的前端部A的放大图， (C)是⑶的前端部B的放大图。
[0093] 图14是用于说明现有的气体电场电离离子源的离子化的概要结构图。
[0094] 图15是表示铱的各晶面的配置的图。

【具体实施方式】
[0095] 以下，参照附图对本发明一个实施方式所涉及的修正装置进行说明。
[0096](实施例1)光掩模的修正装置
[0097] 首先，参照图1说明修正装置10。
[0098] 修正装置10在制造半导体元件等时用于图形曝光装置（省略图示），对存在于光 掩模的缺陷进行修正。
[0099] 修正装置10搭载了后述的气体电场电离离子源，作为从气体电场电离离子源释 放的离子，并非氦等较轻的元素，而使用溅射效应较高的氮。另外，修正装置10使用氮作为 主成分的离子化气体，因此使用后述的化学耐性较强的铱作为针尖。该针尖的锐化的前端 由特定的晶面构成，具有顶点为1个铱原子的微小的三角锥形状。
[0100] 修正装置10主要具备搭载了气体电场电离离子源（省略图示）的离子束镜筒11、 搭载了电子源（省略图示）的电子束镜筒12、试样室13、以及控制部20。
[0101] 离子束镜筒11至少具备作为离子产生源的气体电场电离离子源（省略图示）和 离子束光学系统，该离子束光学系统聚集在气体电场电离离子源产生的离子并形成集束离 子束，在作为试样的掩模14上进行扫描。此外，后面详细叙述该气体电场电离离子源和离 子束镜筒11。
[0102] 电子束镜筒12至少具备作为电子产生源的气体电子源（省略图示）和电子束光 学系统（省略图示），该电子束光学系统聚集在电子源产生的电子并形成电子束，在作为试 样的掩模14上进行扫描。
[0103] 此外，离子束镜筒11和电子束镜筒12以集束离子束和电子束照射在掩模14上的 大致相同部位的方式配置。此外，将用于后述的气体电场电离离子源的针尖组件用作电子 源，从而能够获得集束性良好的电子束，能够获得鲜明的SEM(扫描电子显微镜）图像。另 夕卜，电子束镜筒12能够照射电子束以中和离子束镜筒11的离子束照射造成的带电。
[0104] 试样室13具备试样工作台15,该试样工作台15放置作为试样的掩模14且可移 动。试样工作台15根据作业人员的指示进行动作。例如在构成为能够在5轴移位的情况 下，试样工作台15被变位机构（省略图示）支撑，该变位机构具有在同一面内彼此正交的 X轴和Y轴；使试样工作台15沿着与该X轴和Y轴正交的Z轴移动的XYZ轴机构（省略图 示）；使试样工作台15绕X轴或Y轴旋转并倾斜的倾斜轴机构（省略图示）；以及使试样工 作台15绕Z轴旋转的旋转机构（省略图示）。
[0105] 另外，试样室13具备能够向掩模14上的欠缺缺陷提供沉积（deposite)用的气体 的沉积气体供给部16、以及促进掩模14上的多余缺陷的选择性去除的蚀刻气体供给部17。 由此，控制部20从沉积气体供给部16向掩模14上的缺陷部喷射炭素系气体、硅烷类气体 或含有钨等的金属的碳类化合物气体等，同时照射氮等离子束，从而能够在掩模14上形成 碳、氧化硅或钨等的膜。如上修正了缺陷的掩模14即使被曝光也不会转印缺陷，能够正常 地转印图形。
[0106] 另外，控制部20从掩模14上的遮光膜部修正多余形成的缺陷图形时，从蚀刻气体 供给部17向掩模14的缺陷部照射碘等卤素类蚀刻气体，并照射氮等离子束。由此，控制部 20相比不导入蚀刻气体的情况，能够进行掩模图形的高速加工或选择性地仅除去期望的材 料。
[0107] 进而，试样室13具备检测器18和监视器19,该检测器18检测通过离子束和电子 束的照射而从掩模14产生的二次电子、二次离子、反射电子和X射线等的二次信号，该监视 器19能够将检测器18检测的结果显示为观察像。另外，监视器19还能够显示各种控制值。
[0108] 如后所述，控制部20具备像形成部（图4所示的像形成部131)、导出电压控制部 (图4所示的导出电压控制部132)、离子源气体控制部（图4所示的离子源气体控制部133) 和温度控制部（图4所示的温度控制部134)等。控制部20还进行对于离子束光学系统或 电子束光学系统的聚束透镜（condenserlenses)电极（省略图不）和物镜电极（省略图 示）等的施加电压控制和试样工作台15的移动控制等。
[0109] 离子束光学系统的导出电压控制部用于控制气体电场电离离子源（省略图示）对 导出电极（省略图示）的施加电压，调整释放离子电流，并且在制作或处理针尖前端的角锥 结构时也进行动作。
[0110] 像形成部向试样照射后述的集束离子束，通过检测器18检测产生的二次离子或/ 和二次电子，从而能够将试样的观察像显示于显示部19并观察。即，像形成部向掩模14照 射氮等离子束，检测二次电子，从而能够探测掩模14的表面形态。另外，通过检测二次离 子，能够探测构成掩模14的表面的元素的分布。这些掩模14的表面图像、元素分布结果和 各种控制值能够显示于监视器19。
[0111] 此外，控制部20能够通过设置在各部分的真空排气系统的控制，将离子束镜筒11 内、电子束镜筒12内、以及试样室13内保持为真空。
[0112] 离子源气体控制部控制离子源气体供给部（省略图示），该离子源气体供给 部具备调整由气体电场电离离子源供给的气体的流量的质量流量控制器（massflow controller)等的气体流量调整部（省略图示）、气体种类切换部（省略图示）。
[0113] (气体电场电离离子源）
[0114] 图2表示气体电场电离离子源（GFIS)的基本结构。气体电场电离离子源30主要 具备针尖组件31、导出电极32、离子源气体供给部33、以及冷却装置34。
[0115] 如图3中抽选示出，针尖组件31主要具备绝缘性的基底部材35、固定于基底部材 35的1对通电销36、在1对通电销36的前端部间连接的由钨等的细线构成的灯丝37、以及 电和机械性固定于灯丝37的针尖1。
[0116] 针尖1通过点焊等与灯丝37电和机械性连接，从其前端部释放离子。针尖1由能 够耐受氮气的化学反应的铱构成，具体是通过〈210>方位的单晶铱形成。针尖1具有以易于 集中电场的方式按照原子级别锐化的前端。进而，针尖1为了实现气体电场电离离子源30 的长期间动作，在前端具备以往所不具备的崭新的细微角锥结构。该角锥结构被1个{100} 晶面和2个{111}晶面围成，其顶点仅通过〈210>方位的1个原子构成。
[0117] 另外，灯丝37能够调整针尖1的温度，用于清洗针尖1的表面或制作针尖1的前 端的角锥结构时等。
[0118] 关于该针尖1的前端的详细结构及其效果以及制造方法，将在实施例3中详细叙 述。
[0119] 导出电极32与针尖1的前端远离配设，具备开口部32a。导出电极32将针尖1释 放的离子2穿过导出电极32的开口部32a引导至下游的离子光学系统。导出电源（省略 图示）向导出电极32与针尖1之间施加导出电压，从而在针尖1的前端使气体分子离子化 以生成尚子2,将该尚子2导出到导出电极32侦Ij。
[0120] 离子源气体供给部33向针尖1的周围供给待离子化的气体（离子源气体、例如气 体分子等）38。离子源气体供给部33以可通过阀33a调整流量的方式经由气体导入管33b 与离子源室39连通。在离子源气体供给部33设置的气体种类不限于1种，可以设置多个 气体种类的储气瓶（也称作气体容器，省略图示），按照需要切换气体种类，或者混合多个 气体种类，并向离子源室39供给。另外，在供给多种气体种类的情况下，可以将各气体种类 的最优导出电压预先存储于导出电压控制部132,在离子切换时由离子切换部（省略图示） 指示导出电压控制部132,切换并产生所供给的多种气体中的期望的气体的离子。
[0121] 在本实施例中，离子源气体供给部33将氮气作为所供给的离子源气体，然而不 限于此，也可以是氦、氖、氩、氪和氙等的惰性气体，还可以是氢或氧等的分子气体，还可以 是它们的混合气体。例如，离子源气体供给部33可以具备氦、氢、氮、氧和氖各自的储气瓶 (省略图示），选择期望的气体并从储气瓶供给。例如可以在基于针尖1的前端的原子等级 (order)并通过电场离子显微镜（FIM:FieldIonMicroscope)观察较大区域时供给氦，在 对针尖1的前端锐化时供给氧或氮，在形成集束离子束时供给氢、氮和氖中的某个。另外， 离子源气体供给部33在极紫外光（EUV=ExtremeUltraViolet)曝光用的掩模（EUV掩模） 的修正时，由于EUV掩模的图形对于离子照射带来的损伤的影响极弱，因而供给较轻的离 子、例如氢气等。这种情况下，在连续修正EUV掩模时，仅凭气体种类的切换就能实现期望 的修正。例如，使用氮气作为离子源气体修正光掩模的缺陷，此后使用氢气作为离子源气体 修正EUV掩模的缺陷，从而能够通过1台装置修正不同种类的掩模。
[0122] 另外，在上述专利文献6中公开了产生氢离子束的气体电场电离离子源的发射极 针尖是在钨或钥抑或是由钨或钥构成的针状的基材上覆盖钼、钯、铱、铑、金等贵金属构成 的部件，其前端为基于原子级别锐化的金字塔状。然而，该专利文献6公开了若对于发射极 针尖的施加电压过大，则发射极针尖的构成元素（钨和钼）会与氢离子一起向导出电极侧 飞散。因此，专利文献6中描述在动作时（即离子束放射时）施加给发射极针尖的电压被 维持在不会使得发射极针尖本身的构成元素飞出的电压。如上，以往有时难以通过发射极 针尖的构成元素不进行电场蒸发而产生氢离子。
[0123] 对此，本实施例的修正装置10的产生氢离子束的气体电场电离离子源30的针尖 1由铱构成，能够修正EUV掩模，铱针尖1的前端为至少具有{100}晶面的细微的三角锥结 构，该三角锥结构的前端仅通过1个铱原子构成。由此，针尖1的前端是构成为比现有的铱 针尖紧密的角锥结构，因此能够在较长期间内稳定地产生氢离子束，发挥能够修正EUV掩 模的期望部位的作用效果。
[0124]如上，优选按照所修正对象物的物性，改变所照射的离子种类，为此，离子源气体 供给部33可以构成为能够设置多个储气瓶（省略图示），具有气体的切换部（省略图示）。 该气体切换部是通过离子源气体控制部133控制的。
[0125]冷却装置34通过液体氦或液体氮等的冷媒（coolingmedium)冷却从铱针尖1和 离子源气体供给部33向离子源室39供给的供给气体38。在冷却装置34产生的低温的制 冷剂经由连接部34a与包围针尖组件31的壁面40和气体导入管33b接触，冷却它们以及 离子源室39内。
[0126] 另外，冷却装置34不限于这种结构，只要至少能够冷却针尖1即可，例如可以是具 备冷却块或冷冻机等的结构。此外，在离子源室39与针尖组件31之间配设用于放出针尖 1的热的低温制冷机41。低温制冷机41形成为通过氧化铝或蓝宝石或氮化铝等的陶瓷材 料形成的块状，固定有基底部材35。
[0127] 针尖1的冷却温度通过控制部20的温度控制部进行控制，根据从离子源气体供给 部33供给的气体种类不同而不同，而在本实施例中，能够在约40K到200K的范围内进行温 度设定。由此，能够稳定地照射细微加工所需的电流量的离子束。
[0128] 此外，在本实施例中，以光掩模作为掩模14的例子描述了修正装置10的结构。然 而，本发明的修正装置10不限于光掩模，还能用于EUV掩模的缺陷修正。
[0129] (离子束镜筒）
[0130] 使用图4说明离子束镜筒的结构。
[0131] 离子束镜筒110 (11)至少具备：具有上述针尖组件31的离子源室39 ;使从该离子 源室39释放的离子2集束为集束离子束101的聚束透镜电极111 ;以及使集束离子束101 在试样（省略图示）集束的物镜电极112。
[0132] 真空泵117保持离子源室39的真空度。例如，将气体电场电离离子源30供给离 子源气体之前的真空度维持为IX104?IX10^8Pa左右的高真空。在离子源室39与收 容试样的试样室（省略图示）之间具备中间室113,在离子源室39与中间室113之间以及 试样室与中间室113之间具备孔口（orifice) 114、115。
[0133] 离子束镜筒110使集束离子束101通过孔口114、115,向试样照射。中间室113与 真空泵116连接，能够通过真空泵116调整真空度。中间室113能够在试样室与离子源室 39之间进行差动排气。通过该离子束光学系统，能够形成直径Inm以下的集束氮离子束。
[0134] 控制部130(20)具备像形成部131、导出电压控制部132、离子源气体控制部133、 以及温度控制部134等。控制部130执行对于离子束光学系统或电子束光学系统的聚束透 镜电极111和物镜电极112等的施加电压控制和放置试样的试样工作台（省略图示）的移 动控制等。离子束光学系统的导出电压控制部132用于控制对导出电极32的施加电压，调 整释放离子电流，并且在制作或处理针尖1的前端的角锥结构时也进行动作。
[0135] 该气体离子的集束离子束101可用于使用从试样表面上的照射部（省略图示）产 生的二次电子进行的试样表面的观察，以及使用基于所照射的气体离子造成的试样的溅射 进行的试样表面的加工（开孔和表面层的除去等）。
[0136] 此外，离子束镜筒110具备用于获得确认气体电场电离离子源30的针尖1的前端 的原子排列的FIM(电场离子显微镜）像的检测器（图1所示的检测器18等）。检测器构 成为能够向离子束轴移动，在不需要FIM像的确认的情况下，能够使其远离离子束轴待机。 该检测器在离子电流不稳定的情况下以及观察像紊乱的情况下等能够按照需要确认针尖1 的前端的原子排列。本实施例的铱针尖1的特征在于，由〈210>方位的铱单晶构成，在该针 尖1的前端至少具有{100}晶面，具有将1个原子作为顶点的角锥结构。关于该前端形状， 将在实施例3详细叙述。
[0137] 如上，通过具有铱针尖1的气体电场电离离子源30能够形成氮集束离子束的本实 施例的修正装置10是以往不存在的装置，根据本实施例的修正装置10,不会植入降低掩模 14的透射部分的光透射性的离子。另外，还能带来能够实现比现有的基于镓集束离子束的 掩模14的修正更为细微的加工的效果。
[0138] 本发明人通过实验确认到，集束氮离子束的稳定性为1%/小时以下的高稳定度， 在30日期间的连续动作的情况下针尖1的前端的原子也不会脱落，离子释放不会中断，离 子产生位置不会发生变动，能够形成连续的集束氮离子束。
[0139] 这与在上述非专利文献1所述的约2250秒（最多38分钟）的连续动作相比而言 已是绝对的长寿命。在实际的掩模等的修正中，加工的过度或不足都会强烈影响修正后的 掩模的曝光性能，因此要求修正中的束电流恒定，最多为38分钟左右的连续照射的性能难 以修正掩模。对此，根据本实施例的修正装置10的30日期间的连续照射的性能，能够实施 多例正确的修正。
[0140] 另外，本实施例的修正装置10能够以高分辨率使得表面形态和元素分布可视化， 提供一种长寿命且高稳定的集束离子束。
[0141] 在使用现有的气体电场电离离子源的商用集束离子束装置中，由于使用氦离子， 而离子的质量非常轻，因此无法期待溅射效应。因而，遮光膜与基底玻璃基板的组成相近， 在不存在遮光膜与基底玻璃基板的蚀刻速度存在差异的辅助气体的情况下，蚀刻材料选择 性较低，难以在遮光膜与基底玻璃基板的界面等期望位置处停止蚀刻。然而，能够通过本实 施例的修正装置10的集束氮离子束进行试样的加工，而且基于其集束性，与现有的商用的 镓集束离子束装置相比，能够进行更为细微的局部的加工。
[0142] 另外，在本实施例中，说明的是搭载了离子束镜筒11和电子束镜筒12的修正装置 10,然而省略电子束镜筒12而仅具备离子束镜筒11的结构也能针对掩模修正具有同样的 效果。以下说明其示例。
[0143] 仅具有离子束镜筒11的修正装置10在离子源气体供给部33具备氢气和氮气的 储气瓶（省略图示），能够以从气体导入管33b供给氢气和氮气的混合气体的方式，在离子 源气体供给部33内进行调整。氢的电场电离强度约为22V/nm，氮的电场电离强度约为17V/ nm，因而修正装置10向离子源室39内供给氢气与氮气的混合气体时，也能够通过上述离 子切换部对导出电压进行的调整分别释放氢离子和氮离子。基于这种结构，能够通过集束 氮离子束加工掩模14,通过集束氢离子束观察该加工部。氢比氮的1/10还要轻，因此基于 集束离子束的照射的掩模面的溅射损伤，集束氢离子束轻微，适于掩模表面的观察，这都是 不言自明的。即，以使氢离子化的方式调整针尖1的前端的电场强度（导出电压）时，氮气 也会离子化，而氢离子在针尖1的前端原子的近处的较小区域产生，对此，氮离子在与针尖 1的前端原子略微离开的较大区域产生，因而在使氢离子聚集为束时，氮离子成为电流密度 较薄的束。因此，在通过集束氢离子束观察掩模表面时，氮离子很少会损伤掩模表面。反之， 通过使氮离子化时的电场强度（导出电压）无法使氢离子化，因此氢离子不会到达掩模表 面，在基于集束氮离子束的掩模加工时，氢离子不会影响掩模表面。
[0144] 这种仅具有离子束镜筒11的修正装置10不限于上述氮与氢的组合，还可以是氮 与氖、氩、氪和氙中的至少某种元素的组合。另外，不限于始终持续供给混合气体的情况，还 可以将按照加工和观察的作业频度供给的气体种类限定为1种。
[0145](实施例2)掩模的修正方法
[0146] 接着，使用图5说明使用该修正装置10的掩模修正方法。图5是基于掩模14的 离子束的二次电子观察像的示意图。
[0147] 光掩模14具有遮光图形部151和透射部152。在遮光图形部151的一部分存在图 形的缺损部153和不要图形154(多余缺陷）的缺陷。这种缺陷可通过事先的光掩模设计 信息与完成制作的光掩模表面的二次电子观察像的比较，或通过怀疑存在缺陷的区域的二 次电子观察像与正常区域的二次电子观察像的比较进行检测。缺陷位置的坐标信息、缺陷 的种类和缺陷的图像信息等能够储存于修正装置10的控制部20,或用于从外部的信息设 备获得息。
[0148] 修正装置10考虑缺陷的位置、大小和缺陷形态为缺损缺陷还是不要图形缺陷的 区别等，进行使得修正后的状态为与正常区域同等情况的最佳修正方法的计算，根据该计 算结果，能够控制离子束镜筒11、电子束镜筒12、沉积气体供给部16、以及蚀刻气体供给部 17。
[0149] 另外，修正装置10从沉积气体供给部16向缺损部153喷射芘、萘、菲等炭气或四 甲基环四硅氧烷（TMCTS)等硅烷类气体，并照射氮离子束，能够填充缺损部153。如上修正 了缺陷的掩模14即使被曝光也不会转印缺陷，能够正常地转印图形。另一方面，存在掩模 14上的多余缺陷154的情况下，修正装置10向多余缺陷154喷射蚀刻气体并照射氮离子 束。由此，既能够蚀刻去除多余缺陷，又不会植入降低掩模14的透射部分的光透射性的离 子。如上，修正装置10能够正常地修正掩模14。
[0150] 另外，修正装置10通过观察二次电子图像或二次离子像的变化，从而能够探测去 除遮光带而露出基底玻璃基板的时刻（timing)。
[0151] 修正装置10对于完成修正的部位取得基于氮离子束照射的二次电子图像，并将 图像与修正前的图像对应起来储存于控制部20或外部信息设备，能够在修正加工后确认 修正的完成情况。本实施例的修正装置10的特征还在于能够全自动进行上述一系列的作 业。另外，使用修正的掩模14比较实际曝光的图形，能够判定图形修正的好坏。
[0152] 另外，相比作为现有技术的基于电子束的掩模修正，可修正的掩模材料的选项得 以扩展，还能够应对最先进的光掩模材料。进而，根据本实施例的修正装置10,通过使用氮 离子束，与现有的使用氦电场电离离子源的光掩模修正装置相比，能够保持同等的加工精 度并大幅提升加工速度。而且，离子源本身为使用本实施例的铱针尖1的气体电场电离离 子源30,因而能够长时间实现稳定的束形成，同时掩模修正也能够在长时间内稳定且高精 度地执行。
[0153] 使用化学耐性较强的铱作为针尖1，并且使前端为后述结构，从而能够将针尖1的 前端保持为长时间也不会脱落，因而可长时间稳定地释放离子。进而，由于针尖1的前端的 微小的角锥侧面的排列缜密，因此针尖1周边的杂质粒子不易附着，能够形成电流变动和 照射位置变动极小的集束离子束，能够提供一种高性能的集束离子束装置。由此，由于针尖 1的前端的损伤而使原子恢复为1个的再处理次数大为减少，削减了维护的情况，能够大幅 减轻装置用户的负担。本实施例描述了光掩模的修正例。然而，本发明的掩模修正方法不 限于此，还可以修正EUV掩模、纳米压印原板等的缺陷。
[0154](实施例3)铱针尖的前端形状
[0155] 下面详细叙述本申请的铱针尖1的前端形状。
[0156] 铱结晶为面心立方结构，铱的原子位于立方体的8个角和6个面的中央处。
[0157] 图6(A)、⑶是根据观察本实施例的铱针尖1的前端的FIM像的结果制作的图，是 表示从< 210 >方位观看本实施例的铱针尖1的前端的角锥结构的模型图。图6(A)是使 圆形标记与1个铱原子161对应的原子排列。图6(B)是示意性表示晶面的图。
[0158] 铱针尖1的前端的角锥结构具备三角锥形状，该三角锥形状具有3个侧面（锥 面）、仅由1个铱原子161(162)构成的顶点。该角锥结构的构成原子都为铱原子。如图 6(A)所示，通过白圈显示位于各晶面的最上层（最表面）的铱原子161，而对于最上层以下 的内部的铱原子161省略显示。此外，对位于三角锥形状的棱线的铱原子161(163)附上 黑三角形标记。如图6(B)所示，角锥结构具备3个锥面164a、164b、164c分别形成的棱线 45a、45b、45c和基于1个铱原子161 (162)的顶点166。
[0159] 图6 (B)的锥面164a为{100}晶面，图6 (A)的锥面164b、164c为相同的{111}晶 面。
[0160] 图7(A)、⑶是示意性表示从正面（即法线方向）分别观察本实施例的角锥结构 的3个锥面164a、164b、164c的原子排列的图。在图7(A)、⑶中，以白圈标记显不最上层 (表面层）的铱原子167,以灰圈标记显示正下方的第2层的铱原子168,其以下省略。
[0161] 将形成该角锥结构的前端的1个铱原子162作为第1层，在第1层的正下方的第 2层的原子配置中，如下表1所示，3个铱原子161位于接近正三角形的等腰三角形（例如， 在将1边的长度设为1的情况下的等腰约为1. 22的等腰三角形）的各顶点。在第2层的 正下方的第3层的原子配置中，6个铱原子161位于三角形的顶点和边上。
[0162] 另外，本发明人发现第2层和第3层的原子配置可通过在FM像的观察时凭借强 电场而强制使前端的铱原子161 (162)脱离来检测到，这与图6 (A)、(B)所示的模型图一致。
[0163] 另外，若将前端的铱原子161 (162)脱离的状态的铱针尖1用作电子源或离子源的 针状电极或扫描探针显微镜的探针，则会产生向试样的到达束电流的降低或扫描
[0164] 探针显微镜的位置分辨率的降低，因而并不优选。在这种情况下，执行后述的针尖 前端的再生处理，从而将前端原子保持为1个原子。
[0165]表1
[0166]

【权利要求】
1. 一种修正装置，其特征在于，至少具备： 气体电场电离离子源，其具备离子产生部，该离子产生部具有锐化的针尖； 冷却单兀，其冷却所述针尖； 离子束镜筒，其使在所述气体电场电离离子源中产生的气体的离子集束，形成集束离 子束； 试样工作台，其设置要被照射所述离子束镜筒所形成的所述集束离子束的试样并能够 移动； 试样室，其至少内置所述试样工作台；以及 控制单元，其通过由所述离子束镜筒形成的所述集束离子束修正作为所述试样的掩模 或纳米压印光刻的模具， 所述气体电场电离离子源以氮作为所述离子，并具备由能够产生所述离子的铱单晶构 成的所述针尖。
2. 根据权利要求1所述的修正装置，其特征在于， 所述针尖具备角锥结构，该角锥结构具有以1个铱原子作为顶点的前端。
3. 根据权利要求1或2所述的修正装置，其特征在于， 所述针尖由〈210>方位的铱单晶构成，所述针尖的顶点具备由1个{100}晶面和2个 {111}晶面围成的前端。
4. 根据权利要求1至3中的任意一项所述的修正装置，其特征在于， 在所述离子产生部具备供给待离子化的气体的气体供给部， 所述气体供给部具备能够分别储藏多种气体并供给多种气体的容器。
5. 根据权利要求4所述的修正装置，其特征在于， 所述气体供给部至少具有氮和氢作为所述多种气体。
6. 根据权利要求5所述的修正装置，其特征在于， 所述控制单元在将极紫外光曝光用的掩模作为所述掩模进行修正的情况下，使用氢离 子束作为所述集束离子束，在将光掩模作为所述掩模进行修正的情况下，使用氮离子束作 为所述集束离子束。
7. 根据权利要求4至6中的任意一项所述的修正装置，其特征在于， 具备气体切换部，其能够切换从所述气体供给部供给的气体的种类。
8. 根据权利要求4至6中的任意一项所述的修正装置，其特征在于， 具备离子切换部，其切换所述离子产生部的气体离子化所需的电压，从而切换离子的 种类。
【文档编号】H01J37/21GK104425199SQ201410418547
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月22日 优先权日:2013年8月23日
【发明者】荒卷文朗, 八坂行人, 松田修, 杉山安彦, 大庭弘, 小堺智一, 相田和男 申请人:日本株式会社日立高新技术科学