专利名称：分割非金属基片的方法
技术领域：
本发明涉及沿预定分割线分割诸如半导体晶片的非金属基片的方法。
背景技术：
如本领域中的普通技术人员所知，在半导体器件的生产中，通过以网格方式形成在大体为圆片形半导体晶片正面上的迹线(分割线)将许多区域隔开，以及如IC或LSI电路形成在每个隔开区域。沿迹线切割半导体晶片，使得形成电路的区域彼此分开，从而制造出单个半导体芯片。沿半导体晶片迹线的切割通常由叫作“切割机”的切割设备实施。该切割设备包括固定作为工件的半导体晶片的卡盘台，用于切割固定在卡盘台上的半导体晶片的切割工具，以及用来彼此相对移动卡盘台和切割工具的移动工具。切割工具包括高速旋转的旋转轴和安装在轴上的切割刀片。切割刀片包括圆片形基座和安装在基座外周部分的侧壁上的环状切割刃，通过电铸成型把具有如直径约3μm的金刚石磨削颗粒装配至基座形成约20μm厚的环状切割刃。当用此切割刀片切割半导体晶片时，由于在半导体芯片的切割表面上产生碎屑或裂纹，预期到该裂痕或裂缝的影响，每个迹线的宽度设为约50μm。因此，当半导体芯片的尺寸减小时，就增加了占据半导体晶片上表面的总迹线的比例，从而减少了产量。用切割刀片切割涉及限定馈送速度和产生的细屑污染半导体芯片的问题。
与此同时，作为分割诸如半导体晶片的非金属基片的手段，现在开始采用激光束加工方法，在此方法中，使用了能够穿过非金属基片的具有红外线波段(如1064nm)的激光束以在要被分割区域内部上的会聚点方式施加至非金属基片。这种利用激光束加工的分割方法，是从非金属基片的一个侧面，以在非金属基片内部上的其会聚点方式，通过施加具有红外线波段激光束来分割非金属基片，以便沿分割线在非金属基片内部持续形成变质(deteriorated)层，如JP-A 2002-192367所披露的那样。
然而，有一种情况，即使当在非金属基片内部，以在其内部上的其会聚点方式，从非金属基片的一面施加具有红外线波段的激光束，沿分割线形成变质层时，变质层不能暴露在激光束所施加的一面中。进而，存在一个问题，在如厚度为500μm硅晶片的前表面上已经形成诸如LSI的电路，且硅晶片的背面已经被研磨了100μm厚度之后，即使以前表面附近上会聚点的方式，当从硅晶片背面施加激光束以形成变质层，以便将它暴露在前表面时，变质层没有均匀地暴露在前表面，并且也同样没有均匀地暴露在后表面。即，当硅晶片的易碎材料被研磨厚度约为100μm时，形成在前表面上的如LSI电路的不均匀性转移到硅晶片的背面，结果是背面有约5至10μm的不平整度，从而激光束的会聚点在厚度的方向上变得不均匀，变质层没有均匀地暴露在前表面同样也没有均匀地暴露在后表面。因此，当外力施加于有变质层形成于其内的非金属基片上，沿分割线分割它时，未形成变质层的前表面侧不能以一相对于前表面的直角度分割，并且碎屑的出现导致了成品率的下降。
发明内容
本发明的目的是提供沿分割线分割非金属基片的方法，通过施加会聚点在非金属基片内部上的激光束在基片内部沿分割线形成变质层，由此沿分割线平滑地分割非金属基片而不产生碎屑。
依据本发明，通过分割具有第一表面及与第一表面平行形成的第二表面的非金属基片的方法来实现上述目的，包括通过将能够穿过非金属基片的激光束从第一表面侧施加到非金属基片且激光束的会聚点在非金属基片之内，在非金属基片内部沿分割线形成变质层的变质层形成步骤；；以及通过研磨具有其内形成变质层的非金属基片的第一表面，将变质层暴露到第一表面侧的变质层暴露步骤。
优选地，上述变质层形成步骤通过调整激光束会聚点来实施使得上述变质层暴露在非金属基片的第二表面。进而，通过在上述非金属基片的厚度方向上逐步改变激光束会聚点，多次实施上述变质层形成步骤，在非金属基片的厚度方向上以形成许多变质层。
进而，依据本发明分割非金属基片的方法包括在上述变质层暴露步骤之后，沿上述分割线通过在上述变质层上施加外力用来分割非金属基片的分割步骤。
优选地，依据本发明分割非金属基片的方法进一步包括在上述变质层暴露步骤之前，对非金属基片的第一表面镜面研磨的镜面研磨步骤。优选地，镜面研磨步骤是研磨非金属基片以便保留一预定的或更多的厚度。
从下述描述中，本发明的其它特征将变得显而易见。
图1是依据本发明用来实施分割非金属基片的方法的激光束设备的立体图；图2是提供于图1所示的激光束设备中的激光束加工工具组成部分的示意性框图；图3是依据本发明通过分割方法分割作为非金属基片的半导体晶片的立体图；图4是依据本发明的分割方法中所展示的镜面研磨步骤的说明图；图5是依据本发明的分割方法中所展示的变质层形成步骤的一个例子说明图；图6是依据本发明的分割方法中所展示的另一变质层形成步骤实例的说明图；图7是依据本发明图的分割方法中所展示的变质层暴露步骤的说明图；图8是作为具有通过变质层暴露步骤暴露的变质层的非金属基片的半导体晶片的剖面图；图9是作为具有通过变质层暴露步骤暴露的变质层的非金属基片的半导体晶片放置在保护性粘附带上的所示状况的立体图；图10是在依据本发明的分割方法中用来实施分割步骤的外力施加装置的立体图；以及图11(a)和(b)是在依据本发明的分割方法中用来阐述分割步骤的说明图。
具体实施例方式
参照附图，在下文更加详细地描述依据本发明的分割非金属基片的方法。
图1是依据本发明在分割储如半导体晶片的非金属基片方法中用来施加激光束至非金属基片的激光束设备的立体图。图1中示出的激光束设备包括固定基座2、夹持工件的卡盘台单元3、激光束施加单元支撑机构4、以及激光束施加单元5；卡盘台单元3以这样的方式配置在固定基座2上，使其可沿箭头X所示的方向移动；激光束施加单元支撑机构4以这样的方式配置在固定基座2上，使其可沿垂直于箭头X所示方向的、箭头Y所指的方向上移动；激光束施加单元5以这样的方式配置到激光束施加单元支撑机构4，使其可沿箭头Z所示的方向移动。
上述卡盘台单元3包括一对导轨31及31、第一滑块32、第二滑块33、支承台35以及卡盘台36。所述一对导轨31及31安装在固定基座2上、并沿箭头X所指的方向上相互平行排列；安装在导轨31及31上的第一滑块32可沿箭头X所指的方向移动；安装在第一滑块32上的第二滑块33可沿箭头Y所指的方向移动；支承台35通过圆柱形部件34支撑在第二滑块33上；卡盘台36为工件夹持装置。该卡盘台36包括由多孔材料制成的吸附卡盘361，令到作为工件示例的盘形半导体晶片通过抽吸装置(未示出)保持在吸附卡盘361上。卡盘台36通过装配在圆柱形部件34中的脉动电机(未示出)来转动。
在上述第一滑块32的底表面上有一对配合上述一对导轨31及31的受导向槽321及321，以及在第一滑块32的顶表面上有一对沿箭头Y所指的方向形成相互平行的导轨322及322。上述构成的第一滑块32通过将受导向槽321及321分别与导轨对31及31配合，可以沿导轨对31及31在箭头X所指的方向移动。在给出的实施例中卡盘台单元3包括沿导轨对31及31在箭头X所指的方向移动第一滑块32的移动装置37。移动装置37具有位于上述导轨对31及31之间并与之平行的阳螺纹杆371，以及用来驱动阳螺纹杆371转动的如脉动电机372的驱动源。阳螺纹杆371于其一端处可转动地支撑在固定于上述固定基座2上的承载块373上，于另一端，通过未示出的减速器传输连接到上述脉动电机372输出轴。阳螺纹杆371被旋入形成在从第一滑块32中心部分的底面凸出来的内螺纹块(未示出)上的螺纹通孔中。因此，通过脉动电机372正向或反向驱动阳螺纹杆371，第一滑块32沿导轨对31及31沿箭头X所指的方向移动。
在上述第二滑块33的底表面上有一对与安装在第一滑块32的顶表面上的导轨对322及322配合的受导向槽331及331，并且通过将受导向槽331及331分别配合导轨对322及322，第二滑块33可以沿箭头Y所指的方向移动。在所示实施例中的卡盘台单元3包括移动装置38，该移动装置38沿安装在第一滑块32上的导轨对322及322在箭头Y所指的方向移动第二滑块33。移动装置38包含位于上述导轨对322及322之间并与之平行排列的阳螺纹杆381，以及用来驱动阳螺纹杆381转动的如脉动电机382的驱动源。阳螺纹杆381于其一端处可转动地支撑在固定于上述第一滑块32的顶表面上的承载块383，于另一端，通过未示出的减速器传输连接到上述脉动电机382输出轴。阳螺纹杆381被旋入形成在从第二滑块33中心部分的底面凸出来的内螺纹块(未示出)上的螺纹通孔中。因此，通过脉动电机382正向或反向驱动阳螺纹杆381，第二滑块33沿导轨对322及322在箭头Y所指的方向移动。
上述激光束施加单元支撑机构4包括安装在固定基座2上并在箭头Y所指的指示方向上相互平行排列的一对导轨41及41，以及以在箭头Y所指的方向上的可移动的方式安装在导轨41及41上的可移动支撑基座42。这个可移动支撑基座42包括可移动地安装在导轨41及41上的可移动支撑部分421和安装在可移动支撑部分421上的安装部分422。在安装部分422的一侧表面上装备有在箭头Z所指的方向延伸的一对导轨423及423。在说明的实施例中，激光束施加单元支撑机构4包括沿导轨对41及41在箭头Y所指的指示方向用来移动可移动支撑基座42的移动工具43。这个移动工具43包含位于上述导轨对41及41之间、平行排列的阳螺纹杆431以及用来驱动阳螺纹杆431转动的如脉动电机432的驱动源。在阳螺纹杆431的一端，阳螺纹杆431被可转动地支撑到固定至上述固定基座2上的承载块(未示出)，在另一端，通过未示出的减速器传输连接到与上述脉动电机432输出轴。阳螺纹杆431被旋入形成在从组成可移动支撑基座42的可移动支撑部分421的中心部分的底面凸出来的内螺纹块(未示出)的螺纹通孔中。因此，通过脉动电机432在正向或反向驱动阳螺纹杆431，可移动支撑基座42沿导轨对41及41在箭头Y所指的指示方向移动。
在说明的实施例中激光束施加单元5包括单元夹持器51和固定到单元夹持器51的激光束施加工具52。相应地，单元夹持器51有一对与安装在上述安装部分422上的一对导轨423及423滑动地配合的受导向槽511及511，以及单元夹持器51以这样的方式支撑，以便通过分别将受导向槽511及511配合于导轨对423及423其可以沿箭头Z所指的方向移动。
图示的激光束施加工具52包括固定到上述单元夹持器51的圆柱形盒521并基本上在水平方向延伸。在箱521中，装配有图2所示的激光束振荡工具522和激光束调制工具523。YAG或YVO4激光振荡器可用作激光束振荡工具522。激光束调制工具523包括重复频率设置工具523a、激光束脉冲宽度设置工具523b和激光束波长设置工具523c。构成激光束调制工具523的重复频率设置工具523a、激光束脉冲宽度设置工具523b和激光束波长设置工具523c是本领域普通技术人员已知的器件。因而，它们的结构的详细描述在本文中予以省略。可以是公知器件的聚光器524连接至上述盒521的端部。
从上述激光束振荡工具522产生振荡的激光束通过激光束调制工具523到达聚光器524。激光束调制工具523的重复频率设置工具523a把激光束调制为具有预定重复频率的脉冲激光束，激光束脉冲宽度设置工具523b把脉冲激光束的脉冲宽度设定成一预定宽度，激光束波长设置工具523c把脉冲激光束的波长设定成一预定值。
图像拾取工具6位于组成上述激光束施加工具52的盒521的前端部。在给出的实施例中该图像拾取工具6包括用来拾取具有可见辐射图像的普通图像拾取装置(CCD)，以及此外，用来施加红外辐射给工件的红外辐照工具，用来捕获经红外辐照工具所施加的红外辐射的光学系统，以及用来输出对应于由光学系统捕获的红外辐射的电信号、并且转移图像拾取信号至未示出的控制工具的图像拾取装置(CCD)。
在给出的实施例中激光束施加单元5包括在所指的箭头Z方向沿导轨对423及423用来移动单元夹持器51的移动工具53。类似于前面提及的移动工具，移动工具53包括位于导轨对423及423之间的阳螺纹杆(未示出)以及用来驱动阳螺纹杆转动的如脉动电机532的驱动源。通过脉动电机532在正向或反向驱动阳螺纹杆(未示出)，单元夹持器51及激光束施加工具52沿导轨423及423在箭头Z所指的方向移动。
随后给出对作为半导体晶片10的硅晶片分割为单个半导体芯片的方法的描述。
如图3所示，半导体晶片10有第一表面10a(图中的下表面)和平行于第一表面10a形成的第二表面10b(图中的上表面)，厚度例如为625μm。半导体晶片10的第二表面10b上许多区域被以网格形式排列的许多迹线(分割线)101隔开，且诸如IC或LSI的电路102形成于每个隔开的区域中。保护带11粘贴在如此形成的半导体晶片10的第二表面10b上。然后，如图4所示，半导体晶片10以这样的方式置于研磨装置的卡盘台7上以便保护带11的表面与卡盘台7表面接触(因此，半导体晶片10的第一表面10a面朝上)以及通过未示出的抽吸工具被吸持在卡盘台7上。接着，卡盘台7以图中箭头所指方向以300rpm旋转来镜面研磨半导体晶片10第一表面10a(镜面研磨步骤)的同时，研磨砂轮8(如，#2000树脂研磨砂轮)以图中箭头所指方向以6000rpm旋转。在该镜面研磨步骤中，半导体晶片10第一表面10a镜面研磨至JIS B0601规定的0.05μm或更小表面粗糙度(Ra)(Ra≤0.05μm)，优选0.02μm或更小(Ra≤0.02μm)且厚度超过300μm。即，当硅晶片具有最少如超过300μm的指定厚度时，背面可以研磨平坦而没有因研磨把形成在前表面上诸如IC或LSI电路102的不平整度转移到背面。
镜面研磨如上所述的半导体晶片10第一表面10a之后，半导体晶片10以第一表面10a朝上的方式载送到图1所示构成激光束设备的卡盘台单元3的卡盘台36的卡盘361上，且被吸附在卡盘361上。结果吸附住半导体晶片10的吸盘工作台36通过移动工具37的操作沿导轨31及31移动，置于附属于激光束施加单元5的图像拾取工具6的正下方位置。
卡盘台36被放置图像拾取工具6的正下方位置之后，通过图像拾取工具6和未示出的设置工具把以第一方向形成在半导体晶片10上的迹线101与用来沿迹线101施加激光束的激光束施加单元5的聚光器524对准，实施如图形叠合的图像处理，从而完成了激光束施加位置的对准。同样地，实施激光束施加位置的对准也可以在形成于半导体晶片10上并在第二方向延伸的迹线101上实施。在此情况下，尽管具有形成在其上的迹线101的半导体晶片10的第二表面10b面朝下，迹线101的图像可以由如上述红外辐照工具，用来捕获红外辐射的光学系统以及用来输出对应于红外辐射的电信号的图像拾取装置(红外CCD)构成的作为图像拾取工具6通过背面拾取。
检测被吸持在卡盘台36的半导体晶片10上的迹线101和实施激光束施加位置的对准之后，卡盘台36移动至激光束施加区域，在此区域中定位施加激光束的激光束施加单元5的聚光器524，以及沿半导体晶片10的迹线101施加来自激光束施加单元5的聚光器524的激光束。此时，激光束通过镜面研磨了的半导体晶片10的第一表面10a聚焦到半导体晶片10的内部，即，在图5所示的第二表面10b附近，以至于沿迹线101在半导体晶片10的内部形成变质层(变质层形成步骤)。
变质层形成步骤将在下文描述。
在变质层形成步骤中，在来自用来施加激光束的激光束施加单元5的聚光器524的脉冲激光束施加到半导体晶片10上的预定迹线101的同时，卡盘台36，也就是说，吸持在卡盘台36上的半导体晶片10以预定的馈送速度(例如，100mm/秒)在箭头X所指的方向移动。在变质层形成步骤中，下述激光束作为被施加的激光束。
光源YVO4激光器波长1,064nm(红外激光束)脉冲输出10μJ
重复频率100kHz脉冲宽度40ns焦点直径1μm在上面的变质层形成步骤中，具有长波长的红外激光束用作施加的激光束，通过如图5所示的半导体晶片10的第一表面10a聚焦到内部。例如，在以其会聚点P调整到离半导体晶片10第二表面10b 5至10μm位置处的内部施加激光束的同时，沿箭头X所指方向移动半导体晶片10，具有厚度约为30至50μm的变质层10c沿迹线在半导体晶片10的内部连续形成。此时，希望调整激光束的会聚点P以保证在下表面的变质层10c图形暴露到半导体晶片10的第二表面10b。以在半导体晶片10内部上的其会聚点P的方式施加红外激光束，半导体晶片10的第一表面10a进行所希望的镜面研磨。假如半导体晶片10的第一表面10a未镜面研磨，即，所施加红外激光束的表面是粗糙的，表面上将产生红外激光束的漫反射，并且激光束将无法到达预定的会聚点，从而在内部不可能形成指定的变质层。依据本发明发明人进行的实验，当半导体晶片10的第一表面10a的表面粗糙度(Ra)是0.1μm时，在半导体晶片10内部不可能形成预定厚度的变质层。另外，当半导体晶片10的第一表面10a镜面研磨至0.05μm的表面粗糙度(Ra)时，可在指定的内部形成具有具体指定厚度的变质层。尤其当半导体晶片10的第一表面10a镜面研磨至0.02μm或更小的表面粗糙度(Ra)时，在内部形成具有50μm厚度的变质层。在上面的变质层形成步骤中，当半导体晶片10的最终厚度为100μm或更大时，通过如图6所示逐步地改变其会聚点P，经多次施加红外激光束形成所期望的多个变质层10c、10d及10e(图6中三层)。这些变质层10c、10d及10e的形成是按照10e、10d及10c的顺序通过逐步改变激光束的会聚点优选完成的。即，当首先形成变质层10c时，变质层10c防碍变质层10d及10e的形成。在变质层形成步骤中为何使用红外激光束的原因是具有短波长的紫外激光束在表面上反射并且不能到达硅晶片的内部。因此，重要的是选择具有波长可以穿过非金属基片的激光束。
在上面的变质层形成步骤之后，进行将形成于半导体晶片10内部的变质层10c(10d、10e)暴露到第一表面10a的变质层暴露步骤。即，如图7所示，半导体晶片10以这样的方式置于研磨装置的卡盘台7上以便保护带11表面与卡盘台7表面接触(即，半导体晶片10的第一表面10a面朝上)，以及通过未示出的抽吸工具吸持在卡盘台7上。接着，卡盘台7以图中箭头所指方向以300rpm旋转的同时，通过以6000rpm旋转研磨砂轮8(如，#2000树脂研磨砂轮)，将半导体晶片10第一表面10a研磨约150至250μm。结果，如图8所示，变质层10c(10d、10e)沿迹线101暴露在半导体晶片10第一表面10a中，进而，第一表面10a最终研磨50至150μm的厚度。
在上面的变质层暴露步骤中，变质层10c(10d、10e)暴露在半导体晶片10第一表面10a之后，半导体晶片10第一表面10a放到如图9所示的保护性粘附带13上，且同时去除粘贴在半导体晶片10第二表面10b的保护带11。保护性粘附带13是诸如氯乙烯带的弹性合成树脂带，其通常用作切割带且被粘附好以便覆盖环形支撑框架14的内部开口部分。半导体晶片10的第一表面10a放置在该保护性粘附带13的顶部。然后，去除粘贴在半导体晶片10第二表面10b的保护带11。通过外部激励源如紫外辐射，粘附力减小的UV带用作保护性粘附带13。
如上所述的保护性粘附带13粘贴在半导体晶片10第一表面10a之后，在沿半导体10的迹线101形成的变质层10c(10d、10e)上施加外力，来实施分割半导体晶片10的分割步骤。这个分割步骤通过图10和图11(a)及11(b)所示的外力施加装置9实施。这里，外力施加装置9将在下文描述。图示的外力施加装置9包括具有用来安置上述支撑框架14的安置表面911的圆柱形基座91和同心地安装于基座91中的压迫件92。压迫件92具有上端形成球形形状的压迫表面921并且通过未示出的提升工具可以在垂直方向(如，圆柱形基座91的轴线方向)移动。
利用上面的外力施加装置9沿迹线101来分割半导体晶片10的分割步骤将参考图10和图11(a)及11(b)进行描述。
如上所述，粘贴至支撑框架14的弹性保护性粘附带13的顶表面所支撑的半导体晶片10的支撑框架14置于如图10和图11(a)所示的圆柱形基座91的安置表面911上并由夹具94固定到基座91。如图11(b)所示，通过提升工具(未示出)将压迫件92上移至工作位置以便经压迫件92的球状压迫表面921压迫保护性粘附带13顶表面所支撑的半导体晶片10。结果，弯曲的负荷作用至沿半导体晶片10的迹线101形成的变质层10c(10d、10e)，藉此沿变质层10c(10d、10e)，即，迹线101，半导体晶片10分割为单个半导体芯片100。
实施如上所述的分割步骤之后，压迫件92通过未示出的提升工具下落至图11(a)所示的位置。然后，如图10所示，操纵位于外力施加装置9上的芯片拾取收集器90从保护性粘附带13顶表面上移除每个半导体芯片20并将它运至未示出的装料盘。此时，对保护性粘附带13实施紫外辐照以减小其粘附强度，从而使它容易地移除半导体芯片20。
在所示实施例中，具有在变质层暴露步骤中暴露到第一表面10a的变质层10c(10d、10e)的半导体晶片10放在保护性粘附带13上之后，实施上面的分割步骤。然而，为了沿变质层10c(10d、10e)、即迹线101分割半导体晶片10为单个半导体芯片100，就在变质层暴露步骤后，可以在变质层10c(10d、10e)上施加外力。因此，已经分割为单个半导体芯片100的半导体晶片10可以放到粘贴至支撑框架14的保护性粘附带13上来进行拾取步骤。
如上所述，在依据本发明分割半导体晶片的方法中，激光束以其离非金属基片第一表面侧的内部上的会聚点施加至分割线，以在非金属基片内部沿分割线形成变质层之后，研磨非金属基片第一表面暴露出变质层。从而，沿分割线可以平滑地分割非金属基片。
进而，当镜面研磨时，由于如此研磨第一表面而留下预定厚度或更多，形成在第二表面上的诸如LSI电路的不平整度不会转移到非金属基片的第一表面，并且因此第一表面不会不平整。因而激光束会聚点可以均匀地调节到离第一表面侧的内部中所期望的位置，同时变质层可以均匀地形成在第二表面中。从而，当研磨第一表面使得非金属基片的厚度至最终厚度时，变质层均匀地暴露到第一表面。
权利要求
1.一种分割具有第一表面及平行于第一表面形成的第二表面的非金属基片的方法，包括通过将能够穿过非金属基片的激光束从第一表面侧施加到非金属基片且激光束的会聚点在非金属基片之内，从而沿分割线在非金属基片内部形成变质层的变质层形成步骤；以及通过研磨具有其内形成变质层的非金属基片的第一表面而将变质层暴露到第一表面侧的变质层暴露步骤。
2.按照权利要求1分割非金属基片的方法，其中，变质层形成步骤通过调整激光束会聚点来实施使得变质层暴露在非金属基片的第二表面。
3.按照权利要求1分割非金属基片的方法，其中，通过在非金属基片的厚度方向上逐步改变激光束会聚点形成在非金属基片厚度方向上的多个变质层，多次进行变质层形成步骤。
4.按照权利要求1分割非金属基片的方法，其中，包括在变质层暴露步骤之后，沿分割线通过在变质层上施加外力用来分割非金属基片的分割步骤。
5.按照权利要求1分割非金属基片的方法，其中，包括在变质层暴露步骤之前，镜面研磨非金属基片第一表面的镜面研磨步骤。
6.按照权利要求5分割非金属基片的方法，其中，镜面研磨步骤是研磨非金属基片以便剩下一预定的或更多的厚度。
7.按照权利要求5分割非金属基片的方法，其中，在镜面研磨步骤中被镜面研磨的表面设定至具有JIS B0601所规定的0.05μm或更小的表面粗糙度(Ra)。
8.按照权利要求7分割非金属基片的方法，其中，在镜面研磨步骤中被镜面研磨的表面设定至具有JIS B0601所规定的0.02μm或更小表面粗糙度(Ra)。
9.按照权利要求1分割非金属基片的方法，其中，非金属基片是半导体晶片，多个分割线以网格形式形成在第二表面上，以及电路形成在被多个迹线隔开的多个区域的每个区域中。
全文摘要
一种分割具有第一表面及平行于第一表面成形的第二表面的非金属基片的方法，包括变质层形成步骤，通过从第一表面侧施加能够穿过非金属基片的激光束，而令其会聚点在基片内部，沿分割线在非金属基片内部形成变质层；以及变质层暴露步骤，通过研磨具有形成其内的变质层的非金属基片的第一表面侧，使变质层暴露到第一表面。
文档编号B23K26/40GK1610068SQ20041006398
公开日2005年4月27日 申请日期2004年5月26日 优先权日2003年5月26日
发明者永井祐介 申请人:株式会社迪斯科