一种ZG1Cr11Ni2WMoV大型机匣铸件的焊接返修工艺方法与流程

文档序号:14699130发布日期:2018-06-15 22:06阅读:630来源:国知局

本发明涉及焊接技术领域,特别是涉及一种ZG1Cr11Ni2WMoV大型机匣铸件的焊接返修工艺方法。



背景技术:

现有的ZG1Cr11Ni2WMoV材质的大型机匣铸件在铸造过程中,难免会产生各种各样的铸造缺陷,由于ZG1Cr11Ni2WMoV材质的特性和大型机匣件的严格要求,利用传统的铸造缺陷修补,在缺陷去除和确认环节反复多达五六次,而且在,焊后无损检测时容易发现焊后有裂纹显示,一次焊补合格率低至30-40%,耗费大量人力、财力和时间成本。



技术实现要素:

本发明的目的是提供一种ZG1Cr11Ni2WMoV大型机匣铸件的焊接返修工艺方法,其可以有效解决背景技术中所提到的技术问题。

为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:

一种ZG1Cr11Ni2WMoV大型机匣铸件的焊接返修工艺方法,其包括以下步骤:

1)检测:用X射线探伤机检测机匣铸件,发现缺陷并通过X光底片定位缺陷位置;

2)热处理:将在步骤1)中发现缺陷的机匣铸件放到电炉中热处理,即依次进行完全退火、再结晶退火,具体操作为:将电炉升温至860℃,保温10小时,电炉降温至200℃以下,再空冷至室温,再将电炉升温至680℃,保温6小时,之后电炉降温至200℃以下,再空冷至室温;

3)缺陷去除:用钢磨头或砂磨头挖除经步骤2)热处理后的机匣铸件上的缺陷,形成缺陷坑,再将缺陷坑的坡口边缘打磨光滑;

4)无损确认:将缺陷去除后的机匣铸件用X射线重新检测,确保缺陷完全去除;

5)焊补:将缺陷完全去除的机匣铸件用电炉整体预热到250℃,用钨极氩弧焊修补所有缺陷,焊接过程保证温度在200℃以上,焊接结束后,机匣铸件缓慢冷却;

6)打磨:将焊补完成后的机匣铸件上的焊缝表面打磨平整、光滑;

7)无损检测:用X射线重新检测表面打磨好的机匣铸件,确认焊接过程中是否产生新的缺陷,对于新的缺陷需要按照步骤3)-7)重复操作;

8)焊后热处理:依次进行淬火、回火、回火,具体操作步骤为:电炉升温至1050℃,保温10小时,水冷;再将电炉升温至580℃,保温6小时,空冷;最后,将电炉升温至580℃,保温6小时,空冷。

与现有技术相比,本发明的有益效果是:

ZG1Cr11Ni2WMoV材质机匣铸件焊接裂纹倾向严重,通过本发明步骤2)的热处理,降低了机匣铸件的硬度,细化了晶粒,消除了机匣铸件应力,焊补后无损检测一次合格率达95%,通过步骤8)焊后热处理,机匣铸件试棒性能符合HB5430-2011要求;本发明可以提高大型机匣铸件一次焊补的合格率,减少返修次数,提高机匣铸件成品率。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

实施例一:

一种ZG1Cr11Ni2WMoV大型机匣铸件的焊接返修工艺方法,其包括以下步骤:

1)检测:用X射线探伤机检测机匣铸件,发现缺陷并通过X光底片定位缺陷位置;

2)热处理:将在步骤1)中发现缺陷的机匣铸件放到电炉中热处理,即依次进行完全退火、再结晶退火,具体操作为:将电炉升温至860℃,保温10小时,电炉降温至200℃以下,再空冷至室温,再将电炉升温至680℃,保温6小时,之后电炉降温至200℃以下,再空冷至室温;

3)缺陷去除:用钢磨头或砂磨头挖除经步骤2)热处理后的机匣铸件上的缺陷,形成缺陷坑,再将缺陷坑的坡口边缘打磨光滑;

4)无损确认:将缺陷去除后的机匣铸件用X射线重新检测,确保缺陷完全去除;

5)焊补:将缺陷完全去除的机匣铸件用电炉整体预热到250℃,用钨极氩弧焊修补所有缺陷,焊接过程保证温度在200℃以上,焊接结束后,机匣铸件缓慢冷却;

6)打磨:将焊补完成后的机匣铸件上的焊缝表面打磨平整、光滑;

7)无损检测:用X射线重新检测表面打磨好的机匣铸件,确认焊接过程中是否产生新的缺陷,对于新的缺陷需要按照步骤3)-7)重复操作;

8)焊后热处理:依次进行淬火、回火、回火,具体操作步骤为:电炉升温至1050℃,保温10小时,水冷;再将电炉升温至580℃,保温6小时,空冷;最后,将电炉升温至580℃,保温6小时,空冷。

ZG1Cr11Ni2WMoV材质机匣铸件焊接裂纹倾向严重,通过本发明步骤2)的热处理,降低了机匣铸件的硬度,细化了晶粒,消除了机匣铸件应力,焊补后无损检测一次合格率达95%,通过步骤8)焊后热处理,机匣铸件试棒性能符合HB5430-2011要求;本发明可以提高大型机匣铸件一次焊补的合格率,减少返修次数,提高机匣铸件成品率。

以上内容仅仅是对本发明结构所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本发明的保护范围。

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