触摸屏引线的加工工艺的制作方法

专利名称：触摸屏引线的加工工艺的制作方法
触摸屏引线的加工工艺
技术领域：
本发明属于触摸屏制造领域，尤其涉及触摸屏引线的加工工艺。背景技术：
在触摸屏制作过程中，通常采用Mo-Al-Mo作为边缘引线(上下两层Mo 层分别起保护Al层和增加附着力作用)将纵横向电极与FPC连通。制作过程中， 通常先在玻璃基片上依次賊镀底层Mo层、中间Al层和表层Mo层，賊镀体系 通常是以氩气为保护气体；接着对'减镀好的Mo-Al-Mo层进行刻蚀，以得到相 应的Mo-Al-Mo引线，最后在上面再溅镀ITO层。实践证明，若刻蚀后的 Mo-Al-Mo断面处为斜坡状时(如图1所示，即在玻璃表面上Mo-Al-Mo层的刻 蚀断面处底层Mo层延伸出中间Al层而同时Al层又延伸出表层Mo层)，再在 其上溅镀的ITO层就与MO-Al-Mo层在断面处充分接触，不留间隙，最终制得
的器件可靠性就比较高。
但是在实际工艺过程中，由于普通蚀刻液对Al的刻蚀速率比Mo快，这样 刻蚀出来的结果是Mo凸出，Al凹进，往往是中间的Al层刻蚀的多，而底层与 表层的Mo刻蚀的少，在断面处容易出现底切现象(如图2所示)。这样的话， 一方面断面凹陷处Al的边缘容易残留蚀刻液，容易对Al层进行进一步的腐蚀， 降低了最终制得的器件的可靠性和缩短了其寿命；另一方面，当在刻蚀后的 Mo-Al-Mo层上面镀ITO时，由于断面处存在Al层的凹陷，不能保证A1层与 ITO层的充分接触而容易形成断路。
为解决上述存在问题，业界普遍采用的方法是，在刻蚀时，采用特殊的蚀 刻液Mo-Al-Mo层进行刻蚀，以达到使Mo-Al-Mo的断面处为斜坡状的结构。但 是这种特殊的蚀刻液价格昂贵，且需要分步刻蚀，工艺过程不易控制，带来刻 蚀成本高和效率低下的缺陷。
发明内容
本发明的目的是提供一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，使得濺镀后的 Mo-Al-Mo层采用普通蚀刻液即可刻蚀出斜坡状断面的效果。 为达到上述发明目的，本发明提出以下的技术方案 一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，包括以下步骤
Sl在玻璃基板上依次溅镀底层Mo层、中间Al层、表层Mo层，其中
在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入反应气N2; S2采用蚀刻液将溅镀好的Mo-Al-Mo层按照预设图案刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
上述加工工艺中，还包括在賊镀底层Mo时向'减射体系中通入氮气，该通入 的氮气的比例低于在溅镀表层Mo层时向'减射体系中通入的氮气的比例。
上述加工工艺中，所述在賊镀表层Mo层时向溅射体系中通入的氮气占溅镀 体系中气体总量的3-10%。
上述加工工艺中，所述在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入的氮气占溅镀 体系中气体总量的3-10%，在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入的氮气占濺镀 体系中气体总量的1-5%。
上述加工工艺中，所述蚀刻液是磷酸-醋酸-硝酸体系的蚀刻液。
上迷加工工艺中，所述底层Mo层厚度为300-600埃；所述表层Mo层厚度 为300-600埃；所述中间Al层厚度为2200-2800埃。
本发明的引线加工工艺，由于在溅镀表层Mo层的过程中通入了 N2作为反 应气，这样溅镀出来的Mo层中就相当于均匀掺杂了 MoN3,致使Mo层结构变 得比较疏松，在后续的刻蚀工序中使得掺杂后的Mo层相比较于未掺杂的Mo层 较易刻蚀，提高了 Mo层的刻蚀速率，从而使得刻蚀后的Mo-Al-Mo层在断面处 为斜坡状的结构。该工艺不同于采用特殊蚀刻液在引线断面处刻蚀出斜坡状结 构的传统做法，工艺过程简单，易于控制，效率高，且降低了成本。

图1所示为理想状态下Mo-AI-Mo引线的斜坡状断面示意图2所示为现有技术中采用常规工艺得到的Mo-Al-Mo引线在断面处出现
底切现象的扫描电镜图3所示为本发明一个实施例所得到的Mo-Al-Mo引线的斜坡状断面的扫
描电镜图4所示为本发明另一个实施例所得到的Mo-AUMo引线的斜坡状断面的扫描电镜图。
图5所示为本发明再一个实施例所得到的Mo-Al-Mo引线的斜坡状断面的扫描电镜图
具体实施方式

实施例1
取玻璃基板，采用真空溅镀方式以Ar为保护气，依次在基板上溅镀底层Mo层、中间Al层以及表层Mo层，在溅镀表层Mo时向溅射体系中通入N2作反应气，N2的通入量为溅镀体系中气体总量的5%;溅镀后底层Mo层厚300埃，表层Mo层厚500埃，中间A1层厚2800埃。
溅镀完成后，采用磷酸-醋酸-贿酸体系蚀刻液对溅镀后的Mo-Al-Mo层按照工艺设计的图案要求刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
将该刻蚀出的引线放在扫描电镜下观测，其在断面处层斜坡状，如附图3所示。
实施例2
取玻璃基板，采用真空溅镀方式以Ar为保护气，依次在基板上賊镀底层Mo层、中间Al层以及表层Mo层；在溅镀底层Mo时向溅射体系中通入N2作反应气，N2的通入量为溅镀体系中气体总量的1%,同时在溅镀表层Mo时也向溅射体系中通入占气体总量的3%的N2作反应气；溅镀后底层Mo层厚600埃，表层Mo层厚300埃，中间A1层厚2200埃。
溅镀完成后，釆用磷酸-醋酸-硝S臾体系蚀刻液对溅镀后的Mo-Al-Mo层按照工艺设计的图案要求刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
将该刻蚀出的引线放在扫描电镜下观测，其在断面处层斜坡状，如附图4所示。
实施例3
取玻璃基板，采用真空溅镀方式以Ar为保护气，依次在基板上溅镀底层Mo层、中间Al层以及表层Mo层；在溅镀底层Mo时向'减射体系中通入N2作反应气，N2的通入量为溅镀体系中气体总量的10%，同时在賊镀表层Mo时也向溅射体系中通入占气体总量的5%的N2作反应气；濺镀后底层Mo层厚500埃，表层Mo层厚600埃，中间Al层厚2500埃。
溅镀完成后，采用磷酸-醋酸-硝酸体系蚀刻液对溅镀后的Mo-Al-Mo层按照工艺设计的图案要求刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
将该刻蚀出的引线放在扫描电镜下观测，其在断面处层斜坡状，如附图4所示。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，包括以下步骤S1在玻璃基板上依次溅镀底层Mo层、中间Al层、表层Mo层，其中在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入反应气N2；S2采用蚀刻液将溅镀好的Mo-Al-Mo层按照预设图案刻蚀出Mo-Al-Mo引线。
2. 根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，还包括在'践镀底层Mo时向 賊射体系中通入氮气，该通入的氮气的比例低于在'践镀表层Mo层时向賊射 体系中通入的氮气的比例。
3. 根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述在溅镀表层Mo层时向 溅射体系中通入的氮气占溅镀体系中气体总量的3-10%。
4. 根据权利要求2所述的加工工艺，其特征在于，所述在溅镀表层Mo层时向 溅射体系中通入的氮气占溅镀体系中气体总量的3-10%,在溅镀表层Mo层 时向溅射体系中通入的氮气占溅镀体系中气体总量的1-5%。
5. 根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述蚀刻液是磷酸-醋酸-硝酸体系蚀刻液。
6. 根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述底层Mo层厚度为300-600埃。
7. 根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述表层Mo层厚度为300-600埃。
8. 根据权利要求1所述的加工工艺，其特征在于，所述中间Al层厚度为 2200-2800埃。
全文摘要
本发明涉及一种触摸屏Mo-Al-Mo引线的加工工艺，包括首先在玻璃基板上依次溅镀底层Mo层、中间Al层、表层Mo层，其中在溅镀表层Mo层时向溅射体系中通入反应气N₂；然后采用蚀刻液将溅镀好的Mo-Al-Mo层按照预设图案刻蚀出Mo-Al-Mo引线即得。本发明提供的加工工艺不同于采用特殊蚀刻液在引线断面处刻蚀出斜坡状结构的传统做法，工艺过程简单，易于控制，效率高，且降低了成本。
文档编号C23C14/34GK101598989SQ20091010859
公开日2009年12月9日 申请日期2009年7月6日 优先权日2009年7月6日
发明者傅志敏, 刚 方, 毛利良, 许东东, 黄裕坤 申请人:中国南玻集团股份有限公司