专利名称：一种用于mocvd设备反应室的均气装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及制备半导体薄膜的技术，尤其涉及一种用于MOCVD设备反应室的均气装置。
背景技术：
金属有机化合物化学气相沉积(简称MOCVD)是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。现有MOCVD反应室的进气方式主要分两种，一种是从反应室腔体的侧面进气，从一侧流向另一侧，由于反应气体到达基片上方各点的流动路径和到达的时间不一致，加上在流动的过程中一部分气体在发生化学反应而导致气源损耗，易造成基片上方各点浓度不均匀；另一种是通过喷淋头或喷射器对反应室进行供气，然而现有许多气体喷射系统具有干扰有效操作或沉积不均匀，气体流动出现“死区”的现象。所以现有的MOCVD反应室装置不能提供一个均匀气场的设备结构，导致生长的膜厚均匀性差、批量生产合格率低，能量、气源利用率低，很难满足半导体产业化高产出与低成本的要求。
实用新型内容本实用新型的目的是针对上述现有技术存在的缺陷，提供一种用于MOCVD设备反应室的均气装置。本实用新型采用的技术方案是，设计一种用于MOCVD设备反应室的均气装置，包括设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。所述上层气源腔室出口的均流网比下层气源腔室出口的均流网细密。在一实施例中，所述的法兰还设有冷却装置，该冷却装置包括设置在法兰上表面的盖板，该盖板和法兰上表面之间形成冷却水层，冷却水层中带有冷却水引流槽。所述的冷却装置设有监控出水温度的温度检测装置。与现有技术相比，本实用新型能给MOCVD反应室装置提供一个均匀的气场，从而保证淀积薄膜厚度的均匀性、提高批量生产合格率以及能量、气源利用率，满足半导体产业化高产出与低成本的要求。
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图和实施例对实用新型进行详细的说明。如图1所示，本实用新型提出的用于MOCVD设备反应室的均气装置包括设于反应室上方的法兰1，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室2和气源腔室3，气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽4，上层气源腔室2的出口设有均流网5，下层气源腔室的出口设有均流网6，上层气源腔室出口的均流网5比下层气源腔室出口的均流网6细
LU O 第一气源7由进气口 8、法兰I进入反应室内。第一气源7首先到达上层气源腔室2，经引流槽4水平扩散均匀分配，然后通过均流网5进入下层气源腔室3，在下层气源腔室经引流槽4水平扩散均匀分配后通过均流网6的均匀筛分进入反应室。作为主气流的第一气源的气流速度经过引流槽的缓冲，使反应气源均匀、等速地进入反应室内。第二气源9由进气口 10、法兰9直接进入下层气源腔室3，由下层气源腔室分布的气源引流槽4水平扩散至整个均流网6的上表面，同样由均流网6缓冲导出，均匀等速送入反应室，这样就为化学气相沉积提供一个非常均匀的气氛场。该实施例若生长ZnO膜中，第一气源连接氧气，第二气源连接烷基化合物。第一气源和第二气源也可以通过多个进气口进入气源腔室。在本实施例中，法兰I还设置冷却装置，在法兰I的上面设有盖板11，法兰上表面和盖板之间形成冷却水层12，冷却水层中带有冷却水引流槽13。冷却水层覆盖法兰I整个气源区域的顶面，加快送气区域的冷却。该冷却装置设有监控出水温度的温度检测装置，用于对从送气法兰中排出的冷水水温进行严格监控，采用恒定出水温度方式达到恒定气源的温度。上述实施例仅用于说明本实用新型的具体实施方式
。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和变化，这些变形和变化都应属于本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种反应室均气装置，其特征在于包括设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。
2.如权利要求1所述的反应室均气装置，其特征在于上层气源腔室出口的均流网比下层气源腔室出口的均流网细密。
3.如权利要求1所述的反应室均气装置，其特征在于所述的法兰还设有冷却装置，该冷却装置包括设置在法兰(I)上表面的盖板(11 )，该盖板和法兰(I)上表面之间形成冷却水层(12 )，冷却水层中带有冷却水引流槽(13)。
4.如权利要求3所述的反应室均气装置，其特征在于所述的冷却装置设有监控出水温度的温度检测装置。
5.如权利要求1所述的反应室均气装置，其特征在于所述气源腔室与多个进气口连接。
专利摘要本实用新型公开了一种反应室均气装置，包括设于反应室上方的法兰，该法兰设有上下两层隔开的气源腔室，所述的气源腔室内部设有使气源在水平方向均匀分布的引流槽，上下两层气源腔室的出口设有均流网，第一气源依次与上下层气源腔室连通，第二气源与下层气源腔室连通。本实用新型能较好地为反应室内提供均匀的气氛场，从而提高批量生产的合格率。
文档编号C23C16/455GK202881383SQ201220499888
公开日2013年4月17日 申请日期2012年9月28日 优先权日2012年9月28日
发明者肖四哲, 邓金生, 贺有志, 王钢, 范冰丰, 童存声 申请人:深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司, 佛山市中山大学研究院