本发明涉及金属材料领域，尤其涉及一种增强荧光的金属。
背景技术：
利用金属对电磁场的表面进行荧光的改性研究涉及材料、化学、医学等领域，贵金属表面对荧光性能有较为重要影响，随着测试技术的广泛应用，金属增强荧光的技术已在荧光自猝灭消除、荧光共振能量转移免疫分析、金属增强多光子激发、金属基增强荧光探针、液相金属基增强荧光传感平台开发等多个领域得到重要的应用。
技术实现要素：
本发明的目的在于针对已有的技术现状，提供一一种增强荧光的金属。
为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：
一种增强荧光的金属，包括以下质量百分比的物质成分：
Cu：10-25%；
Mg：5-10%；
Mn：0.5-2%；
Si：3-8%；
Pt：1-5%；
Mo：1-2%；
Zn：5-15%；
Cr：4-8%；
余量为Al及少量杂质。
进一步的，所述增强荧光的金属包括以下质量百分比的物质成分：
Cu：15%；
Mg：8%；
Mn：0.8%；
Si：4.5%；
Pt：3.5%；
Mo：1.1%；
Zn：8.9%；
Cr：7.5%；
余量为Al及少量杂质。
金属表面与荧光分子之间的为9 nm。
本发明的有益效果为：金属颗粒在电磁场作用下产生的表面等离子体共振对粒子周围的局域电磁场起到增强作用，提高荧光分子的使用效率，大幅度增强荧光强度，但荧光寿命不受影响；金属颗粒的存在使得荧光团量子产率增大，荧光发射强度得到增强。所以可以通过荧光的增强规律可以用来改进金属结构荧光分子。
具体实施方式
为了使审查委员能对本发明之目的、特征及功能有更进一步了解，兹举较佳实施例详细说明如下：
实施例1：一种增强荧光的金属，包括以下质量百分比的物质成分：
Cu：20%；
Mg：9%；
Mn：1.2%；
Si：3.5%；
Pt：4.2%；
Mo：1.5%；
Zn：10.5%；
Cr：7.1%；
余量为Al及少量杂质。
金属表面与荧光分子之间的为9 nm。
实施例2：一种增强荧光的金属，包括以下质量百分比的物质成分：
Cu：12%；
Mg：6%；
Mn：0.55%；
Si：7.5%；
Pt：4.2%；
Mo：1.5%；
Zn：12.5%；
Cr：6.2%；
余量为Al及少量杂质。
金属表面与荧光分子之间的为9 nm。
实施例3：一种增强荧光的金属，包括以下质量百分比的物质成分：
Cu：22%；
Mg：9.5%；
Mn：1.7%；
Si：6.2%；
Pt：2.2%；
Mo：1.5%；
Zn：12%；
Cr：5.1%；
余量为Al及少量杂质。
金属表面与荧光分子之间的为9 nm。
实施例4：一种增强荧光的金属，包括以下质量百分比的物质成分：
Cu：23.5%；
Mg：8.5%；
Mn：0.7%；
Si：3.2%；
Pt：3.5%；
Mo：1.7%；
Zn：12.8%；
Cr：7.1%；
余量为Al及少量杂质。
金属表面与荧光分子之间的为9 nm。
实施例5：一种增强荧光的金属，包括以下质量百分比的物质成分：
Cu：15%；
Mg：8%；
Mn：0.8%；
Si：4.5%；
Pt：3.5%；
Mo：1.1%；
Zn：8.9%；
Cr：7.5%；
余量为Al及少量杂质。
由金属颗粒与荧光团作用可知，金属增强荧光的途径是通过增加荧光分子激发率，金属表面等离子体共振增强的局域电磁场；增加荧光分子的辐射衰减率，荧光量子产率增加，寿命缩短，分子荧光增强可获得一定效果，因此可根据荧光位置选定金属基片，以取得选定的效果。由于金属的成本较低低，分子荧光强度充足，可达到预期的效果。由于金属结构可以对荧光团的衰减起到作用，导致荧光寿命的缩短，但是Mo、Cr和Pt能够检索衰减作用。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。