本发明涉及珐琅制备工艺领域，具体涉及一种低温珐琅制备方法。
背景技术：
珐琅又称佛郎、拂郎、发蓝，是以矿物质的硅、铅丹、硼砂、长石、石英等原料按照适当的比例混和，分别加入各种呈色的金属氧化物，经焙烧磨碎制成粉末状的彩料后，再依其珐琅工艺的不同做法，填嵌或绘制于以金属做胎的器体上，经烘烧而成为珐琅制品。目前的珐琅制品工序一般为颜料调配，然后上色，最后烘干即可，但是这样的工序在金属胎底表面容易产生气泡，珐琅制品表面有缺陷，造成珐琅首饰制品劣质。
技术实现要素：
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种低温珐琅制备方法，能够减少珐琅首饰制作工艺中出现的气泡。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
一种低温珐琅制备方法，包括以下步骤：
步骤一:制备珐琅颜色釉料，取石英粉20-30％，硼砂5-25％，氧化锌5-9％，五氧化二磷1-6％，硅酸锆3-7％,碳酸钙10-20％,碳酸镁0.8-1％,碳酸锶0.5-4％,碳酸锂2-8％混合均匀；并将该混合物装入球磨机中加水研磨成釉浆，然后经过烘干机80-90°烘干，并制成粉末，将该粉末与着色颜料混匀，加入水混合均匀形成釉浆(含水率为40％-60)即可；
步骤二：对釉浆抽真空，将混合均匀的珐琅颜色釉浆加注到真空机中，进行抽真空；
步骤三：采用抽真空后的釉浆对金属胎底上色；
步骤四：将上色后的金属胎底放入真空机中抽真空；
步骤五：检查金属胎底表面有无气泡；
步骤六：将上色后的金属胎底放到低温炉子中烤制；
步骤七：执模。
作为优选，步骤一中取石英粉26％，硼砂25％，氧化锌8％，五氧化二磷5％，硅酸锆6％,碳酸钙20％,碳酸镁0.9％,碳酸锶3.1％,碳酸锂6％通过混合搅拌机搅拌均匀。
作为优选，步骤一中珐琅釉料中增加10-15％的废瓷粉，能够提高釉面质量，减少又层中的气泡和针孔缺陷，改善釉面表观质量。
作为优选，所述着色颜料与混合后的珐琅釉料比例为5:95，加入水将着色颜料与珐琅釉料混合均匀，为保证釉面质量，可增加釉浆的浓度。
作为优选，步骤一种球磨机研磨时间为7-10小时，球磨速度为75r/min。
作为优选，步骤三中采用步骤二中抽真空后的釉浆对金属胎底进行两次上色，两次上色，能够使釉面更加均匀，并且增加釉面的厚度，并通过抽真空将气泡中的空气抽出，能够减少气泡。
作为优选，步骤二中抽真空的真空压力为65kpa，步骤四中抽真空的真空压力为75kpa。
作为优选，步骤六中的烤制温度为40℃，时间为2小时。
综上，本发明的有益效果在于：采用该本发明中的制作方法可以有效的减少珐琅首饰制品制作时所产生的气泡，提高珐琅制品釉面质量，避免针孔等缺陷。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将对本发明的技术方案进行详细的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所得到的所有其它实施方式，都属于本发明所保护的范围。
实施例一：
本发明提供了一种低温珐琅制备方法，包括以下步骤：
步骤一:制备珐琅颜色釉料，取石英粉20-30％，硼砂5-25％，氧化锌5-9％，五氧化二磷1-6％，硅酸锆3-7％,碳酸钙10-20％,碳酸镁0.8-1％,碳酸锶0.5-4％,碳酸锂2-8％混合均匀，优选采用万孔筛，细度控制在0-0.03％，混合时采用混合搅拌机。并将该混合物装入球磨机中加水研磨成釉浆，然后经过烘干机80℃-90℃烘干，并制成粉末，将该粉末与着色颜料混匀，加入水混合均匀形成釉浆，含水率为60％。该步骤配出来的釉浆色泽均匀、鲜艳，同时能够增加釉浆与胎底之间的附着力。
步骤二：对釉浆抽真空，将混合均匀的珐琅颜色釉浆加注到真空机中，进行抽真空；通过抽真空，能够消除釉浆搅拌中产生的气泡，提高釉浆的质量，并在使用时减少胎底表面的气泡。
步骤三：采用抽真空后的釉浆对金属胎底上色；该步骤中采用步骤二中抽真空后的釉浆对金属胎底进行两次上色，两次上色，能够使釉面更加均匀，并且增加釉面的厚度，并通过抽真空将气泡中的空气抽出，能够减少气泡。
步骤四：将上色后的金属胎底放入真空机中抽真空，能够进一步消除胎底表面的气泡。
步骤五：检查金属胎底表面有无气泡；
步骤六：将上色后的金属胎底放到低温炉子中烤制，该步骤中的烤制温度为40℃，时间为3小时。
步骤七：执模，用于对珐琅首饰的修饰、修补缺陷、整形，并且在饰品表面涂覆阻水剂。
作为优选的实施方式，步骤一中取石英粉26％，硼砂25％，氧化锌8％，五氧化二磷5％，硅酸锆6％,碳酸钙20％,碳酸镁0.9％,碳酸锶3.1％,碳酸锂6％通过混合搅拌机搅拌均匀。
步骤一中珐琅釉料中增加10-15％的废瓷粉，能够提高釉面质量，减少又层中的气泡和针孔缺陷，改善釉面表观质量。所述着色颜料与混合后的珐琅釉料比例为5:95，加入水将着色颜料与珐琅釉料混合均匀，为保证釉面质量，可增加釉浆的浓度。步骤一种球磨机研磨时间为7-10小时，球磨速度为75r/min。
步骤二中抽真空的真空压力为65kpa，步骤四中抽真空的真空压力为75kpa。
实施例二：
本发明提供了一种低温珐琅制备方法，包括以下步骤：
步骤一:制备珐琅颜色釉料，取石英粉20-30％，硼砂5-25％，氧化锌5-9％，五氧化二磷1-6％，硅酸锆3-7％,碳酸钙10-20％,碳酸镁0.8-1％,碳酸锶0.5-4％,碳酸锂2-8％混合均匀，优选采用万孔筛，细度控制在0-0.03％，混合时采用混合搅拌机。并将该混合物装入球磨机中加水研磨成釉浆，然后经过烘干机80℃-90℃烘干，优选为80℃，并制成粉末，将该粉末与着色颜料混匀，加入水混合均匀形成釉浆，含水率为40％即可。该步骤配出来的釉浆色泽均匀、鲜艳，同时能够增加釉浆与胎底之间的附着力。
步骤二：对釉浆抽真空，将混合均匀的珐琅颜色釉浆加注到真空机中，进行抽真空；通过抽真空，能够消除釉浆搅拌中产生的气泡，提高釉浆的质量，并在使用时减少胎底表面的气泡，抽真空的真空压力为65kpa。
步骤三：采用抽真空后的釉浆对金属胎底上色；该步骤中采用步骤二中抽真空后的釉浆对金属胎底进行两次上色，两次上色，能够使釉面更加均匀，并且增加釉面的厚度，并通过抽真空将气泡中的空气抽出，能够减少气泡。
步骤四：将上色后的金属胎底放入真空机中抽真空，能够进一步消除胎底表面的气泡，抽真空的真空压力为75kpa。
步骤五：检查金属胎底表面有无气泡；
步骤六：将上色后的金属胎底放到低温炉子中烤制，该步骤中的烤制温度为60℃，时间为2小时。
步骤七：执模，用于对珐琅首饰的修饰、修补缺陷、整形，并且在饰品表面涂覆阻水剂。
可选的，步骤一中取石英粉20％，硼砂25％，氧化锌5％，五氧化二磷6％，硅酸锆3％,碳酸钙10％,碳酸镁0.8％,碳酸锶4％,碳酸锂8％通过混合搅拌机搅拌均匀。
步骤一中珐琅釉料中增加15％的废瓷粉，能够提高釉面质量，减少又层中的气泡和针孔缺陷，改善釉面表观质量。所述着色颜料与混合后的珐琅釉料比例为5:95，加入水将着色颜料与珐琅釉料混合均匀，为保证釉面质量，可增加釉浆的浓度。步骤一种球磨机研磨时间为7-10小时，球磨速度为75r/min。
步骤二中抽真空的真空压力为65kpa，步骤四中抽真空的真空压力为75kpa，步骤四中的抽真空压力大于步骤二中的抽真空压力，能够进一步消除首饰制品表面的气泡，并且能够进一步检测釉浆的附着力。
实施例三：
本发明提供了一种低温珐琅制备方法，包括以下步骤：
步骤一:制备珐琅颜色釉料，取石英粉20-30％，硼砂5-25％，氧化锌5-9％，五氧化二磷1-6％，硅酸锆3-7％,碳酸钙10-20％,碳酸镁0.8-1％,碳酸锶0.5-4％,碳酸锂2-8％混合均匀，优选采用万孔筛，细度控制在0-0.03％，混合时采用混合搅拌机。并将该混合物装入球磨机中加水研磨成釉浆，然后经过烘干机80℃-90℃烘干，优选为80℃，并制成粉末，将该粉末与着色颜料混匀，加入水混合均匀形成釉浆，含水率为60％即可。该步骤配出来的釉浆色泽均匀、鲜艳，同时能够增加釉浆与胎底之间的附着力。
步骤二：对釉浆抽真空，将混合均匀的珐琅颜色釉浆加注到真空机中，进行抽真空；通过抽真空，能够消除釉浆搅拌中产生的气泡，提高釉浆的质量，并在使用时减少胎底表面的气泡，抽真空的真空压力为65kpa。
步骤三：采用抽真空后的釉浆对金属胎底上色；该步骤中采用步骤二中抽真空后的釉浆对金属胎底进行两次上色，两次上色，能够使釉面更加均匀，并且增加釉面的厚度，并通过抽真空将气泡中的空气抽出，能够减少气泡。
步骤四：将上色后的金属胎底放入真空机中抽真空，能够进一步消除胎底表面的气泡，抽真空的真空压力为75kpa。
步骤五：检查金属胎底表面有无气泡；
步骤六：将上色后的金属胎底放到低温炉子中烤制，该步骤中的烤制温度为60℃，时间为2小时。
步骤七：执模，用于对珐琅首饰的修饰、修补缺陷、整形，并且在饰品表面涂覆阻水剂。
可选的，步骤一中取石英粉30％，硼砂5％，氧化锌9％，五氧化二磷1％，硅酸锆3％,碳酸钙20％,碳酸镁1％,碳酸锶0.5％,碳酸锂2％通过混合搅拌机搅拌均匀。
步骤一中珐琅釉料中增加25％的废瓷粉，能够提高釉面质量，减少又层中的气泡和针孔缺陷，改善釉面表观质量。所述着色颜料与混合后的珐琅釉料比例为5:95，加入水将着色颜料与珐琅釉料混合均匀，为保证釉面质量，可增加釉浆的浓度。步骤一种球磨机研磨时间为7-10小时，球磨速度为75r/min。
步骤二中抽真空的真空压力为65kpa，步骤四中抽真空的真空压力为75kpa，步骤四中的抽真空压力大于步骤二中的抽真空压力，能够进一步消除首饰制品表面的气泡，并且能够进一步检测釉浆的附着力。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围。