技术特征：
技术总结
本发明公开了一种多靶共溅射制备不同成分和掺杂比薄膜的方法。通过常温磁控溅射镀膜系统这一传统镀膜手段，以V为例，引入多靶共溅射的方式制备不同掺杂成分和掺杂比的V薄膜，然后通过氧化退火工艺实现不同掺杂成分和掺杂比VO2薄膜的制备，以此来调节VO2薄膜的相变温度，可广泛应用在非制冷红外焦平面、光学开关和智能节能玻璃等领域。所掺杂的原子可以为钨、钼、钛、钽、氟和铌中的一种或组合，所使用的靶材数目可根据具体情况选择两个或者多个。多靶共溅射制备掺杂薄膜的方法有效地避免了传统溅射方法不同掺杂成分和掺杂比需要多个不同靶材的问题，大大降低了制备成本，同时提高了掺杂的灵活性和多样性，与大规模镀膜生产线相匹配等特点。
技术研发人员：王少伟;陈旭;吴明飞;刘星星;陆卫;陈效双
受保护的技术使用者：中国科学院上海技术物理研究所
技术研发日：2019.05.10
技术公布日：2019.08.23