本发明涉及漏电保护器
技术领域：
，特别是涉及一种适用于b型漏保的互感器磁芯热处理方法。
背景技术：
：现有市场上使用的漏电保护器大致分为：a型漏电保护器、ac型漏电保护器及b型漏电保护器(即b型漏保)，ac型漏电保护器是针对工频正弦漏电电流研发设计的，对突然施加及缓慢上升的正弦漏电电流都能可靠保护；a型漏电保护器相比于ac型漏电保护器只是对互感器的磁特性进行了改进，除对正弦漏电信号能够可靠保护外，还能对含有脉动直流分量的漏电信号可靠保护；b型漏电保护器又称全电流敏感性漏电保护器，除能满足a型漏电保护器的设计要求之外，还能对高达1khz正弦交流信号、脉动直流信号和平滑信号都能可靠保护。目前，现有b型漏保中的互感器磁芯的软磁性能较差，造成其不能及时的响应外磁场的变化，进一步的会导致b型漏保无法及时可靠脱扣，严重的会引发人身触电或电化火灾等安全事故。技术实现要素：本发明的目的在于提供一种适用于b型漏保的互感器磁芯热处理方法，该热处理方法可有效提高互感器磁芯的软磁性能，并能够有效降低互感器磁芯的磁滞损耗。为实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：一种适用于b型漏保的互感器磁芯热处理方法，包括：步骤一、将待处理的互感器磁芯放置于纵磁炉内，并抽真空；步骤二、温度由室温升温至400℃，并保温10min；步骤三、温度由400℃升温至480℃-490℃，并保温60min-80min；步骤四、温度由480℃-490℃升温至558℃-562℃，之后保温90min并施加直流纵向磁场；步骤五、将炉体温度冷却至350℃及以下温度之后取出互感器磁芯成品。优选地，所述互感器磁芯的轴向内部穿设有导线；所述步骤四为：温度由480℃-490℃升温至558℃-562℃，之后保温90min并输入40a-50a的直流电至所述导线内以形成所述直流纵向磁场。优选地，所述导线内输入的直流电为40a。优选地，所述步骤三为：温度由400℃升温至480℃，并保温60min。优选地，所述步骤四为：温度由480℃升温至560℃，之后保温90min并施加直流纵向磁场。优选地，所述互感器磁芯成品的矫顽力小于0.6a/m。优选地，所述互感器磁芯成品的矩磁比大于0.92。相比现有技术，本发明的有益效果在于：上述技术方案中所提供的一种适用于b型漏保的互感器磁芯热处理方法，是将待处理的互感器磁芯放置在纵磁炉内，并依次在400℃、480℃-490℃及558℃-562℃的温度下分别保温10min、60min-80min及90min，同时在558℃-562℃的温度下进行磁处理，能够在有效降低其矫顽力的基础上有效改善互感器磁芯的软磁性能，以使其能够迅速的响应外磁场变化的同时有效降低互感器磁芯的磁滞损耗，可有效避免因漏电引发的安全事故。具体实施方式为了更好的理解本发明，下面将结合一些实施例进一步阐述本发明的内容。各个不同实施例之间可以进行相互组合，以构成未在以下描述中示出的其他实施例。实施例一本实施例中提供了一种适用于b型漏保的互感器磁芯热处理方法，实验人员采用该热处理方法加工处理互感器磁芯的具体步骤如下：步骤一、将待处理的互感器磁芯放置于纵磁炉内，并抽真空；步骤二、温度由室温升温至400℃，并保温10min；步骤三、温度由400℃升温至480℃，并保温60min；步骤四、温度由480℃升温至560℃，之后保温90min并施加直流纵向磁场；步骤五、将炉体温度冷却至350℃之后取出互感器磁芯成品。本实施例中，待处理的互感器磁芯为纳米晶磁芯。其中，在待处理的互感器磁芯的轴向内部穿设有导线，步骤四中的直流纵向磁场的施加过程为：实验人员在导线内输入40a的直流电，以形成相应的直流纵向磁场。可以理解的是，本实施例中对待处理的纳米晶磁芯的热处理过程可描述为：实验人员将待处理的纳米晶磁芯放置在纵磁炉内之后进行抽真空处理，以防止待处理的纳米晶磁芯被氧化；实验人员将纵磁炉的炉体温度由室温升温至400℃，并将待处理的纳米晶磁芯在400℃下保温10min，其中，炉体温度由室温升至400℃约60min；之后，实验人员将炉体温度由400℃升温至480℃，并将待处理的纳米晶磁芯在480℃下保温60min，其中，炉体温度由400℃升至480℃约50min；再次，实验人员将炉体温度由480℃升温至560℃，并令待处理的纳米晶磁芯在560℃下保温90min，同时，当保温温度处于560℃时，在导线内输入40a的直流电以形成相应的直流纵向磁场，炉体温度由480℃升温至560℃约50min；最后，在待处理的纳米晶磁芯在560℃下保温时间达到90min后，实验人员通过风机将炉体温度冷却至350℃，之后取出热处理后得到的纳米晶磁芯成品(即：互感器磁芯成品)。热处理得到的纳米晶磁芯成品与常规互感器磁芯的性能参数对比如下：常规互感器磁芯纳米晶磁芯成品hc(a/m)0.7-1.00.4br/bs0.60-0.700.96可以理解的，本实施例中所制备的纳米晶磁芯成品的矫顽力(hc)为0.4，明显低于常规互感器磁芯的矫顽力；同时，纳米晶磁芯成品的矩磁比(br/bs)为0.96，明显大于常规互感器磁芯的矩磁比。因此，相比于常规互感器磁芯，本实施例中所制备的纳米晶磁芯成品具有高导磁、低矫顽力的特点，具有较好的软磁性能。实施例二本实施例中所提供的热处理方法，以对待处理的纳米晶磁芯进行热处理为例，具体步骤如下：步骤一、将待处理的纳米晶磁芯放置于纵磁炉内，并抽真空；步骤二、温度由室温升温至400℃，并保温10min；步骤三、温度由400℃升温至490℃，并保温80min；步骤四、温度由490℃升温至562℃，之后保温90min并施加直流纵向磁场；步骤五、将炉体温度冷却至330℃之后取出纳米晶磁芯成品。其中，在待处理的纳米晶磁芯的轴向内部穿设有导线，步骤四中的直流纵向磁场的施加过程为：实验人员在导线内输入50a的直流电，以形成相应的直流纵向磁场。热处理得到的纳米晶磁芯成品与常规互感器磁芯的性能参数对比如下：常规互感器磁芯纳米晶磁芯成品hc(a/m)0.7-1.00.5br/bs0.60-0.700.98可以理解的，本实施例中所制备的纳米晶磁芯成品的矫顽力(hc)为0.5，明显低于常规互感器磁芯的矫顽力；同时，纳米晶磁芯成品的矩磁比(br/bs)为0.98，明显大于常规互感器磁芯的矩磁比。因此，相比于常规互感器磁芯，本实施例中所制备的纳米晶磁芯成品具有高导磁、低矫顽力的特点，具有较好的软磁性能。实施例三本实施例中所提供的热处理方法，以对待处理的纳米晶磁芯进行热处理为例，具体步骤如下：步骤一、将待处理的纳米晶磁芯放置于纵磁炉内，并抽真空；步骤二、温度由室温升温至400℃，并保温10min；步骤三、温度由400℃升温至490℃，并保温80min；步骤四、温度由490℃升温至558℃，之后保温100min并施加直流纵向磁场；步骤五、将炉体温度冷却至300℃之后取出纳米晶磁芯成品。其中，在待处理的纳米晶磁芯的轴向内部穿设有导线，步骤四中的直流纵向磁场的施加过程为：实验人员在导线内输入45a的直流电，以形成相应的直流纵向磁场。热处理得到的纳米晶磁芯成品与常规互感器磁芯的性能参数对比如下：常规互感器磁芯纳米晶磁芯成品hc(a/m)0.7-1.00.5br/bs0.60-0.700.93可以理解的，本实施例中所制备的纳米晶磁芯成品的矫顽力(hc)为0.5，明显低于常规互感器磁芯的矫顽力；同时，纳米晶磁芯成品的矩磁比(br/bs)为0.93，明显大于常规互感器磁芯的矩磁比。因此，相比于常规互感器磁芯，本实施例中所制备的纳米晶磁芯成品具有高导磁、低矫顽力的特点，具有较好的软磁性能。上述各实施例中热处理得到的纳米晶磁芯成品(即互感器磁芯成品)的矫顽力均小于0.6，该纳米晶磁芯成品的矩磁比均大于0.92，并且该纳米晶磁芯成品的矩磁比小于1，具有较好的软磁性能，相比于常规互感器磁芯，该纳米晶磁芯成品能够更快速的响应外磁场的变化以便于及时正确动作，如在漏电时能够及时的执行脱扣操作以防止因漏电而引发安全事故，也能够有效降低其磁滞损耗。上述实施方式仅为本发明的优选实施方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。当前第1页12