1.一种tco薄膜的生产方法，其特征在于，包括如下步骤：
采用磁控溅射镀膜机，在真空环境下，对衬底的第一表面进行等离子体处理；所述衬底包括：依次层叠设置的硅片、钝化层、掺杂层；所述第一表面为所述掺杂层远离所述钝化层的表面；所述等离子体处理为：用混合气体进行等离子体处理；所述混合气体为：惰性气体和氧化气体形成的混合气体、惰性气体和还原气体形成的混合气体两种混合气体中的一种；或，所述等离子体处理为：依次使用所述两种混合气体中的一种混合气体和另一种混合气体进行等离子体处理；
采用所述磁控溅射镀膜机，在真空环境下，在等离子体处理后的第一表面镀设tco薄膜。
2.根据权利要求1所述的tco薄膜的生产方法，其特征在于，惰性气体的流量为50-500sccm，氧化气体的流量小于或等于20sccm，还原气体的流量小于或等于10sccm。
3.根据权利要求1所述的tco薄膜的生产方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气，所述氧化气体为氧气，所述还原气体为氢气。
4.根据权利要求1所述的tco薄膜的生产方法，其特征在于，等离子体处理过程中，所述磁控溅射镀膜机的压强范围为0.1-1pa。
5.根据权利要求1所述的tco薄膜的生产方法，其特征在于，所述等离子体处理的功率密度为0.1-1w/cm2。
6.根据权利要求1-5中任一所述的tco薄膜的生产方法，其特征在于，所述等离子体处理的驱动电源为：直流稳压电源或射频电源。
7.根据权利要求6所述的tco薄膜的生产方法，其特征在于，射频电源为中频射频电源。
8.一种磁控溅射镀膜机，其特征在于，所述磁控溅射镀膜机包括：等离子体处理结构和镀膜结构；
所述等离子体处理结构用于在真空环境下，对衬底的第一表面进行等离子体处理；所述衬底包括：依次层叠设置的硅片、钝化层、掺杂层；所述第一表面为所述掺杂层远离所述钝化层的表面；所述等离子体处理为：用混合气体进行等离子体处理；所述混合气体为：惰性气体和氧化气体形成的混合气体、惰性气体和还原气体形成的混合气体两种混合气体中的一种；或，所述等离子体处理为：依次使用所述两种混合气体中的一种混合气体和另一种混合气体进行等离子体处理；
镀膜结构用于在真空环境下，在等离子体处理后的第一表面镀设tco薄膜。
9.根据权利要求8所述的磁控溅射镀膜机，其特征在于，所述等离子体处理结构包括处理腔、等离子体发生器、载板、传输部件；
所述处理腔用于提供真空环境；
所述等离子体发生器用于在真空环境下，对所述衬底的第一表面进行等离子体处理；
所述载板用于承载所述衬底，所述衬底的第一表面朝向所述等离子体发生器；
所述传输部件用于将承载有衬底的载板，从所述处理腔远离所述镀膜结构的一端，运送至所述处理腔靠近所述镀膜结构的一端。
10.根据权利要求9所述的磁控溅射镀膜机，其特征在于，所述等离子体发生器的数量大于或等于1，在所述等离子体发生器的数量大于1的情况下，多个所述等离子体发生器分别位于衬底两侧，所述衬底包括硅片，硅片的向光面和背光面均依次设置有钝化层和掺杂层，分别位于衬底两侧的等离子发生器，分别同时对对应的第一表面进行等离子体处理。