晶片的加工方法与流程

1.本发明涉及晶片的加工方法，特别是进行所谓的taiko(注册商标)磨削的晶片的加工方法。


背景技术：

2.随着半导体器件的轻薄短小化，形成有半导体器件的晶片的厚度被磨削加工至100μm以下。磨削后的晶片由于在磨削面产生的磨削变形而产生翘曲。在产生了翘曲的晶片的背面进行金属等的成膜非常困难，因此使用了仅对晶片的除外周缘以外的区域进行磨削而在晶片的背面形成与器件区域对应的圆形凹部和与外周剩余区域对应的环状凸部的所谓的taiko磨削技术(例如，参照专利文献1和专利文献2)。
3.专利文献1：日本特许第5390740号公报
4.专利文献2：日本特许第4758222号公报
5.在taiko磨削中，由于使用直径比晶片小的磨削磨轮，所以与直径大于等于晶片的通常的磨削磨轮相比，每一个磨削磨具的去除量相对变大，有时无法稳定地实施taiko磨削。并且，即使以相同的转速进行旋转，由于直径较小的原因，所以也同样存在难以提高旋转速度的倾向。
6.特别是，在背面上形成的氧化膜或氮化膜等难以磨削，有时主轴电动机的负载电流值超过规定值而无法稳定地实施taiko磨削。并且，所谓的高掺杂晶片也存在同样的倾向。


技术实现要素：

7.本发明的目的在于，提供能够稳定地实施在晶片的背面形成与器件区域对应的圆形凹部和与外周剩余区域对应的环状凸部的所谓的taiko磨削的晶片的加工方法。
8.为了解决上述课题并达成目的，本发明的晶片的加工方法是在正面上具有在由互相交叉的多条分割预定线划分的各区域中形成有器件的器件区域和围绕该器件区域的外周剩余区域的晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：加工准备步骤，利用具有对晶片进行保持的保持面并且能够旋转的卡盘工作台对晶片进行保持，将直径相当于晶片的半径的磨削磨轮固定在具有与该保持面垂直的旋转轴线的主轴的下端；限定磨削步骤，利用该磨削磨轮对保持于该卡盘工作台的晶片的除中央部分以外的与器件区域对应的晶片的背面进行磨削而形成环状凹部，并且在晶片的背面形成被该环状凹部包围的中央凸部；位置调整步骤，在实施了该限定磨削步骤之后，在使该磨削磨轮离开该晶片之后，使该磨削磨轮朝向晶片的外周缘相对地移动；以及圆形磨削步骤，在实施了该位置调整步骤之后，使用该磨削磨轮对晶片的包含该中央凸部在内的与该器件区域对应的背面进行磨削，将晶片的与该器件区域对应的背面的该中央凸部去除并且形成圆形凹部，在晶片的与该外周剩余区域对应的背面形成环状凸部。
9.在所述晶片的加工方法中，也可以具有如下的精磨削步骤：在实施了该圆形磨削
步骤之后，利用精磨削磨轮将该圆形凹部磨削得更深，该精磨削磨轮具有利用粘接剂将比该磨削磨轮细的磨粒固定而得的磨削磨具。
10.在所述晶片的加工方法中，在该圆形磨削步骤中形成的该圆形凹部比在该限定磨削步骤中形成的该环状凹部形成得深。
11.本技术发明的晶片的加工方法起到了如下的效果：能够稳定地实施在晶片的背面形成与器件区域对应的圆形凹部和与外周剩余区域对应的环状凸部的所谓的taiko磨削。
附图说明
12.图1是作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。
13.图2是示出在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削装置的结构例的立体图。
14.图3是从下方示出图2所示的磨削装置的粗磨削单元和精磨削单元的立体图。
15.图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
16.图5是示出在图4所示的晶片的加工方法的加工准备步骤中使晶片的正面与保护部件对置的状态的立体图。
17.图6是示出在图4所示的晶片的加工方法的加工准备步骤中在晶片的正面上粘贴了保护部件的状态的立体图。
18.图7是示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的限定磨削步骤刚开始后的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
19.图8是用局部剖面示意性地示出使图7所示的粗磨削磨轮与晶片抵接的状态的侧视图。
20.图9是示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的限定磨削步骤结束时的粗磨削磨轮和晶片的剖视图。
21.图10是示意性地示出图9所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
22.图11是用局部剖面示出在图4所示的晶片的加工方法的位置调整步骤中使粗磨削单元上升而使粗磨削磨轮从晶片分离的状态的侧视图。
23.图12用局部剖面示出使图11所示的粗磨削磨轮朝向晶片的外周缘相对移动的状态的侧视图。
24.图13是示意性地示出图12所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
25.图14是用局部剖面示意性地示出使图4所示的晶片的加工方法的圆形磨削步骤刚开始后的粗磨削磨轮与晶片抵接的状态的侧视图。
26.图15是用局部剖面示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的圆形磨削步骤结束时的粗磨削磨轮和晶片的侧视图。
27.图16是示意性地示出图15所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
28.图17是示意性地示出在实施方式1的变形例的晶片的加工方法的限定磨削步骤中首先形成了环状凹部和中央凸部的状态的剖视图。
29.标号说明
30.7：卡盘工作台；32：粗磨削磨轮(磨削磨轮)；33：主轴；35：外径(直径)；38：旋转轴线；41：精磨削用的磨削磨具(磨削磨具)；42：精磨削磨轮(磨削磨轮)；71：保持面；200：晶片；201：背面；203：器件区域；204：外周剩余区域；205：正面；206：分割预定线；207：器件；
208：半径；211：圆形凹部；212：环状凸部；214：环状凹部；215：中央凸部；1001：加工准备步骤；1002：限定磨削步骤；1003：位置调整步骤；1004：圆形磨削步骤；1005：精磨削步骤。
具体实施方式
31.参照附图对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不限于以下实施方式中记载的内容。并且，在以下所记载的构成要素中包含有本技术领域人员所容易想到的、实际上相同的构成要素。此外，以下记载的结构能够适当组合。并且，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
32.〔实施方式1〕
33.基于附图对本发明的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。图2是在实施方式1的晶片的加工方法中使用的磨削装置的结构例的立体图。图3是从下方示出图2所示的磨削装置的粗磨削单元和精磨削单元的立体图。图4是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
34.实施方式1的晶片的加工方法是对图1所示的晶片200进行加工的方法。作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片200是以硅为原材料的圆板状的半导体晶片或以蓝宝石、sic(碳化硅)等为原材料的光器件晶片等晶片。在实施方式1中，晶片200的圆盘状的原材料由硅构成，至少在背面201侧形成有氧化膜或氮化膜等膜202。
35.在实施方式1中，晶片200在背面201侧形成有膜202。晶片200与没有形成膜202的晶片相比，成为由于形成膜202而与原材料由硅构成且未形成膜202的晶片相比背面201侧难磨削的晶片(即难磨削性的晶片)。
36.如图1所示，晶片200在正面205具有器件区域203和围绕器件区域203的外周剩余区域204。器件区域203在由互相交叉的多条分割预定线206划分的各区域中形成有器件207。器件207是ic(integrated circuit)或lsi(large scale integration)等集成电路。另外，外周剩余区域204是晶片200的正面205的围绕器件区域203并且未形成器件207的区域。
37.接着，对在实施方式1的晶片的加工方法中使用的图2所示的磨削装置1进行说明。磨削装置1是对晶片200的背面201进行磨削(相当于加工)的加工装置。如图2所示，磨削装置1主要具有装置主体2、粗磨削单元3(相当于磨削单元)、精磨削单元4(相当于磨削单元)、磨削进给单元5、转台6、在转台6上设置有多个(在实施方式1中为3个)的卡盘工作台7、盒8、9、对位单元10、搬送单元11、清洗单元12、搬出搬入单元13以及控制单元100。
38.转台6是设置于装置主体2的上表面上的圆盘状的工作台，以能够在水平面内旋转的方式设置并按照规定的时机进行旋转驱动。在该转台6上例如以120度的相位角等间隔地配设有例如3个卡盘工作台7。这3个卡盘工作台7是保持面71具有真空卡盘的卡盘工作台构造，将晶片200载置在保持面71上而对晶片200进行吸引保持。这些卡盘工作台7在磨削时绕与铅直方向即z轴方向平行的轴心通过旋转驱动机构在水平面内进行旋转驱动。这样，卡盘工作台7具有对晶片200进行保持的保持面71，能够绕轴心进行旋转。
39.卡盘工作台7通过转台6的旋转而依次移动到搬入搬出区域301、粗磨削区域302、精磨削区域303、搬入搬出区域301。
40.另外，搬入搬出区域301是将晶片200相对于卡盘工作台7进行搬入搬出的区域，粗
磨削区域302是利用粗磨削单元3对保持于卡盘工作台7的晶片200进行粗磨削(相当于磨削)的区域，精磨削区域303是利用精磨削单元4对保持于卡盘工作台7的晶片200进行精磨削(相当于磨削)的区域。
41.粗磨削单元3是安装有粗磨削用的粗磨削磨轮32而对保持在粗磨削区域302的卡盘工作台7的保持面71上的晶片200的背面201进行粗磨削的磨削单元，该粗磨削磨轮32具有粗磨削用的磨削磨具31。精磨削单元4是安装有精磨削用的精磨削磨轮42而对保持在精磨削区域303的卡盘工作台7的保持面71上的晶片200的背面201进行精磨削的磨削单元，该精磨削磨轮42具有精磨削用的磨削磨具41。另外，由于磨削单元3、4的结构大致相同，以下对相同部分标注相同标号来进行说明。
42.如图3所示，粗磨削单元3和精磨削单元4在主轴33的下端安装有磨削磨轮32、42。磨削磨轮32、42具有圆环状的环状基台34和固定在环状基台34的下表面341上的多个磨削磨具31、41。磨削磨具31、41在环状基台34的下表面341的外缘部沿周向排列。多个磨削磨具31、41的下表面311、411形成为圆环状。磨削磨具31、41是利用粘接剂将磨粒固定而得的。精磨削磨轮42的磨削磨具41的磨粒比粗磨削磨轮32的磨削磨具31的磨粒细。
43.在实施方式1中，由磨削磨轮32、42的多个磨削磨具31、41的下表面311、411形成的圆环状的外径35(相当于磨削磨轮32、42的直径)与晶片200的半径208相等。在本发明中，将由磨削磨轮32、42的多个磨削磨具31、41的下表面311、411形成的圆环状的外径35与晶片200的半径208相等称为磨削磨轮32、42的直径即外径相当于晶片200的半径208。
44.主轴33以绕平行于与保持面71垂直的z轴方向的旋转轴线38旋转自如的方式收纳在主轴外壳36(图2所示)内，通过安装于主轴外壳36的主轴电动机37(图2所示)绕轴心进行旋转。主轴33形成为圆柱状，在下端设置有用于安装磨削磨轮32、42的磨轮安装座39。磨轮安装座39从主轴33的下端沿外周方向在周向上突出，外周面的平面形状形成为圆形。磨轮安装座39的环状基台34的上表面342与下表面391重叠，通过未图示的螺栓将磨削磨轮32、42固定。主轴33和磨轮安装座39配置在互相同轴的位置。
45.磨削单元3、4通过主轴电动机37使主轴33和磨削磨轮32、42绕旋转轴线38进行旋转，并且一边向保持在磨削区域302、303的卡盘工作台7上的晶片200的背面201提供磨削水一边通过磨削进给单元5使磨削磨具31、41以规定的进给速度接近卡盘工作台7，由此，对晶片200的背面201进行粗磨削或精磨削。
46.磨削进给单元5使磨削单元3、4在z轴方向上移动。在实施方式1中，磨削进给单元5设置在从与装置主体2的水平方向平行的y轴方向的一端部竖立设置的立设柱21上。磨削进给单元5具有绕轴心旋转自如地设置的公知的滚珠丝杠、使滚珠丝杠绕轴心进行旋转的公知的电动机以及将各磨削单元3、4的主轴外壳36支承为在z轴方向上移动自如的公知的导轨。
47.另外，在实施方式1中，关于粗磨削单元3和精磨削单元4，作为磨削磨轮32、42的旋转中心的旋转轴线38与作为卡盘工作台7的旋转中心的轴心互相在水平方向上隔开间隔地平行配置，在磨削磨具31、41通过保持于卡盘工作台7的晶片200的背面201的中心210或中心210附近的位置和磨轮安装座39与磨削区域302、303的卡盘工作台7同轴的位置的范围内，通过滑动移动机构16使磨削进给单元5和立设柱21一同沿着水平方向移动。滑动移动机构16具有绕轴心旋转自如地设置的公知的滚珠丝杠、使滚珠丝杠绕轴心旋转的公知的电动
机以及将支承着各磨削单元3、4的立设柱21支承为在水平方向上移动自如的公知的导轨。
48.盒8、9是具有多个插槽的用于收纳晶片200的收纳容器。一个盒8收纳磨削前的晶片200，另一个盒9收纳磨削后的晶片200。并且，对位单元10是用于暂时放置从盒8取出的晶片200并进行晶片200的中心对位的工作台。
49.搬送单元11设置有两个。两个搬送单元11具有吸附晶片200的吸附垫。一个搬送单元11对由对位单元10对位后的磨削前的晶片200进行吸附保持而搬入到位于搬入搬出区域301的卡盘工作台7上。另一个搬送单元11对保持在位于搬入搬出区域301的卡盘工作台7上的磨削后的晶片200进行吸附保持而搬出到清洗单元12。
50.搬出搬入单元13例如是具有u字型手部131的机械手，通过u字型手部131对晶片200进行吸附保持而搬送。具体来说，搬出搬入单元13将磨削前的晶片200从盒8取出并向对位单元10搬出，并且将磨削后的晶片200从清洗单元12取出并向盒9搬入。清洗单元12对磨削后的晶片200进行清洗，将附着在磨削后的背面201上的磨削屑等污物去除。
51.控制单元100对构成磨削装置1的上述各构成要素分别进行控制。即，控制单元100使磨削装置1执行针对晶片200的磨削动作。控制单元100是一种计算机，其具有：运算处理装置，其具有cpu(central processing unit)那样的微处理器；存储装置，其具有rom(read only memory)或ram(random access memory)那样的存储器；以及输入输出接口装置。
52.控制单元100的运算处理装置根据存储在存储装置中的计算机程序来实施运算处理，将用于控制磨削装置1的控制信号经由输入输出接口装置而输出到磨削装置1的上述构成要素。并且，控制单元100与显示加工动作的状态、图像等的由液晶显示装置等构成的显示单元和操作人员登记加工内容信息等时使用的输入单元连接。输入单元由设置于显示单元的触摸面板和键盘等中的至少一个构成。
53.实施方式1的晶片的加工方法是对晶片200实施taiko磨削的加工方法，该taiko磨削是指使用磨削磨轮32、42对晶片200的与器件区域203对应的背面201进行磨削，在晶片200的与器件区域203对应的背面201形成圆形凹部211(图15、16所示)，在晶片200的与外周剩余区域204对应的背面201形成环状凸部212(图15、16所示)。另外，晶片200的与器件区域203对应的背面201是指晶片200的背面201中的与器件区域203在晶片200的厚度方向上重叠的区域，晶片200的与外周剩余区域204对应的背面201是指晶片200的背面201中的与外周剩余区域204在晶片200的厚度方向上重叠的区域。
54.如图4所示，实施方式1的晶片的加工方法具有加工准备步骤1001、限定磨削步骤1002、位置调整步骤1003、圆形磨削步骤1004、精磨削步骤1005以及清洗收纳步骤1006。
55.(加工准备步骤)
56.图5是示出在图4所示的晶片的加工方法的加工准备步骤中使晶片的正面与保护部件对置的状态的立体图。图6是示出在图4所示的晶片的加工方法的加工准备步骤中在晶片的正面上粘贴了保护部件的状态的立体图。
57.加工准备步骤1001是利用磨削装置1的卡盘工作台7对晶片200进行保持并将磨削磨轮32、42固定于主轴33的下端的步骤。在实施方式1中，在加工准备步骤1001中，如图5所示，在使保护部件213与晶片200的正面205对置之后，如图6所示，在晶片200的正面205上粘贴保护部件213。在实施方式1中，保护部件213形成为与晶片200相同大小的圆板状，由具有挠性的合成树脂或具有刚性的基板构成。
58.在实施方式1中，在加工准备步骤1001中，操作人员将磨削磨轮32、42固定于磨削装置1的各磨削单元3、4的主轴33的下端，并将在正面205上粘贴有保护部件213的晶片200以保护部件213朝下的方式收纳在盒8中。在加工准备步骤1001中，通过操作人员将加工条件登记在控制单元100中，将收纳有磨削前的粘贴着保护部件213的晶片200的盒8和未收纳晶片200的盒9设置在装置主体2中。在加工准备步骤1001中，当磨削装置1的控制单元100从操作人员接受加工动作的开始指示时，开始加工动作。
59.在加工动作中，磨削装置1的控制单元100使各磨削单元3、4的主轴33绕旋转轴线38进行旋转，使搬出搬入单元13将晶片200从盒8一张张地取出并向对位单元10搬出。控制单元100使对位单元10进行晶片200的中心对位，并使搬送单元11将对位后的晶片200的正面205侧搬入到位于搬入搬出区域301的卡盘工作台7上。此时，搬入到卡盘工作台7上的晶片200被定位在与卡盘工作台7同轴的位置。
60.在加工准备步骤1001中，磨削装置1的控制单元100将晶片200的正面205侧隔着保护部件213吸引保持在搬入搬出区域301的卡盘工作台7上，然后进入限定磨削步骤1002。
61.(限定磨削步骤)
62.图7是示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的限定磨削步骤刚开始后的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。图8是用局部剖面示意性地示出图7所示的粗磨削磨轮与晶片抵接的状态的侧视图。图9是示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的限定磨削步骤结束时的粗磨削磨轮和晶片的剖视图。图10是示意性地示出图9所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
63.限定磨削步骤1002是利用粗磨削磨轮32对保持于卡盘工作台7的晶片200的除中央部分以外的与器件区域203对应的晶片200的背面201进行磨削而形成环状凹部214(图9和图10所示)，并且在晶片200的背面201形成被环状凹部214包围的中央凸部215(图9和图10所示)的步骤。在限定磨削步骤1002中，磨削装置1的控制单元100使转台6旋转而使在搬入搬出区域301对晶片200进行保持的卡盘工作台7移动到粗磨削区域302，使背面201露出并利用转台6将晶片200搬送到粗磨削区域302。
64.在限定磨削步骤1002中，磨削装置1的控制单元100利用滑动移动机构16使粗磨削单元3在水平方向上移动，如图7所示，将粗磨削单元3的主轴33的旋转轴线38和转台6的轴心即保持于卡盘工作台7的晶片200的中心210在水平方向上隔开间隔地配置(即，将晶片200和粗磨削磨轮32定位在非同轴的位置)。并且，在限定磨削步骤1002中，磨削装置1的控制单元100在俯视时将保持在卡盘工作台7上的晶片200的中心210定位在粗磨削磨轮32的磨削磨具31的内周侧，并使卡盘工作台7绕轴心进行旋转。另外，在实施方式1中，在限定磨削步骤1002中，磨削装置1的控制单元100在俯视时使卡盘工作台7和粗磨削单元3的粗磨削磨轮32向相同方向旋转。
65.在限定磨削步骤1002中，磨削装置1的控制单元100利用磨削进给单元5使粗磨削单元3下降，如图8所示，使粗磨削单元3的粗磨削磨轮32的磨削磨具31的下表面311与晶片200的背面201抵接，使粗磨削单元3按照由加工内容信息确定的磨削进给速度下降。于是，磨削磨具31对背面201的除中央部分以外的与器件区域203对应的晶片200的背面201进行磨削，并依次对晶片200的与器件区域203对应的背面201的膜202和原材料进行磨削。在限定磨削步骤1002中，如图9所示，当磨削装置1的控制单元100利用粗磨削单元3从背面201磨削至由加工内容信息确定的深度216时，进入位置调整步骤1003。
66.另外，在限定磨削步骤1002中，晶片200和粗磨削磨轮32被定位在非同轴的位置，在俯视时保持于卡盘工作台7的晶片200的中心210被定位在粗磨削磨轮32的磨削磨具31的内周侧，因此，在限定磨削步骤1002后的晶片200的背面201上，如图9和图10所示，在晶片200的器件区域203的背面201形成从背面201凹陷的环状凹部214，并且形成被环状凹部214包围的中央凸部215。环状凹部214的平面形状形成为圆环状，中央凸部215的平面形状形成为圆形。环状凹部214和中央凸部215形成在与晶片200同轴的位置。并且，在本发明中，由于晶片200的原材料由硅构成，所以在限定磨削步骤1002中，只要按照至少使原材料在环状凹部214的底面露出的程度将粗磨削磨轮32进行磨削进给即可，即只要至少将与磨削磨具31的下表面311接触的膜202去除即可。
67.(位置调整步骤)
68.图11是用局部剖面示出在图4所示的晶片的加工方法的位置调整步骤中使粗磨削单元上升而使粗磨削磨轮离开晶片的状态的侧视图。图12是用局部剖面示出使图11所示的粗磨削磨轮朝向晶片的外周缘相对移动的状态的侧视图。图13是示意性地示出图12所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
69.位置调整步骤1003是在实施了限定磨削步骤1002之后，在粗磨削磨轮32离开了晶片200之后使粗磨削磨轮32朝向晶片200的外周缘相对移动的步骤。在位置调整步骤1003中，如图11所示，磨削装置1的控制单元100利用磨削进给单元5使粗磨削单元3上升而使粗磨削磨轮32的磨削磨具31离开保持于卡盘工作台7的晶片200。
70.在位置调整步骤1003中，磨削装置1的控制单元100利用滑动移动机构16使粗磨削单元3的粗磨削磨轮32朝向保持在粗磨削区域302的卡盘工作台7上的晶片200的外周缘移动。在实施方式1中，在位置调整步骤1003中，如图12和图13所示，磨削装置1的控制单元100将粗磨削磨轮32的一部分的磨削磨具31的外缘定位在晶片200的器件区域203与外周剩余区域204的边界上，将另一部分的磨削磨具31的下表面311定位在晶片200的中心210上，并进入到圆形磨削步骤1004。
71.(圆形磨削步骤)
72.图14是用局部剖面示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的圆形磨削步骤刚开始后的粗磨削磨轮与晶片抵接的状态的侧视图。图15是用局部剖面示意性地示出图4所示的晶片的加工方法的圆形磨削步骤结束时的粗磨削磨轮和晶片的侧视图。图16是示意性地示出图15所示的粗磨削磨轮和晶片的俯视图。
73.圆形磨削步骤1004是如下的步骤：在实施了位置调整步骤1003之后，使用粗磨削磨轮32对晶片200的包含中央凸部215在内的与器件区域203对应的背面201进行磨削，将晶片200的与器件区域203对应的背面201的中央凸部215去除并且形成圆形凹部211，从而在晶片200的与外周剩余区域204对应的背面201形成环状凸部212。
74.在圆形磨削步骤1004中，磨削装置1的控制单元100利用磨削进给单元5使粗磨削单元3下降，如图14所示，使粗磨削单元3的粗磨削磨轮32的磨削磨具31的下表面311与晶片200的背面201的环状凹部214的外周侧的区域和中央凸部215的区域抵接，并使粗磨削单元3按照由加工内容信息确定的磨削进给速度下降。于是，磨削磨具31对晶片200的与器件区域203对应的背面201的环状凹部214的外周侧的区域和中央凸部215的区域进行磨削而去除。
75.在圆形磨削步骤1004中，在磨削开始时，磨削磨具31与中央凸部215的角以及环状凹部214的角抵接，磨削磨具31被修整。在圆形磨削步骤1004中，当磨削装置1的控制单元100如图15所示那样利用粗磨削单元3从背面201磨削至比限定磨削步骤1002的深度216深的由加工内容信息确定的深度217时，进入到精磨削步骤1005。
76.另外，在位置调整步骤1003中，粗磨削磨轮32的一部分的磨削磨具31的外缘被定位在晶片200的器件区域203与外周剩余区域204的边界上，另一部分的磨削磨具31的下表面311被定位在晶片200的中心210上，因此，在圆形磨削步骤1004后的晶片200的背面201上，如图15和图16所示，在晶片200的器件区域203的背面201整体上形成圆形凹部211，并且在晶片200的与外周剩余区域204对应的背面201上形成有不对背面201进行磨削而残留的环状凸部212。这样，在实施方式1的晶片的加工方法中，与在限定磨削步骤1002中形成的环状凹部214相比，在圆形磨削步骤1004中形成的圆形凹部211形成得更深。并且，在实施方式1中，在限定磨削步骤1002、位置调整步骤1003以及圆形磨削步骤1004的期间，被定位于粗磨削区域302的卡盘工作台7向相同方向旋转。
77.(精磨削步骤)
78.精磨削步骤1005是在实施了圆形磨削步骤1004之后利用精磨削磨轮42将圆形凹部211磨削得更深的步骤。在精磨削步骤1005中，磨削装置1的控制单元100使转台6旋转，将对在粗磨削区域302实施了圆形磨削步骤1004的晶片200进行保持的卡盘工作台7移动到精磨削区域303，使背面201露出并利用转台6将晶片200搬送到精磨削区域303。
79.在实施方式1中，在精磨削步骤1005中，磨削装置1的控制单元100利用滑动移动机构16使精磨削单元4沿水平方向移动，将精磨削磨轮42的一部分的磨削磨具41的外缘定位在晶片200的器件区域203与外周剩余区域204的边界上，将另一部分的磨削磨具41的下表面411定位在晶片200的中心210上，一边使定位于精磨削区域303的卡盘工作台7向与精磨削磨轮42相同的方向旋转，一边利用磨削进给单元5使精磨削单元4下降。
80.在精磨削步骤1005中，磨削装置1的控制单元100利用精磨削单元4将圆形凹部211的底面磨削至由加工内容信息确定的深度，然后，利用磨削进给单元5使精磨削单元4上升而进入到清洗收纳步骤1006。
81.(清洗收纳步骤)
82.清洗收纳步骤1006是在实施了精磨削步骤1005之后对晶片200进行清洗并收纳在盒9中的步骤。在清洗收纳步骤1006中，磨削装置1的控制单元100使转台6旋转，将对在精磨削区域303实施了精磨削步骤1005的晶片200进行保持的卡盘工作台7移动到搬入搬出区域301，使背面201露出并利用转台6将晶片200搬送到搬入搬出区域301。这样，晶片的加工方法将晶片200依次搬送到粗磨削区域302、精磨削区域303、搬入搬出区域301而依次实施限定磨削步骤1002、位置调整步骤1003、圆形磨削步骤1004以及精磨削步骤1005。另外，每当转台6旋转120度时，磨削装置1的控制单元100将磨削前的晶片200搬入到搬入搬出区域301的卡盘工作台7上。
83.在清洗收纳步骤1006中，磨削装置1的控制单元100通过搬送单元11将磨削后的晶片200搬入到清洗单元12，利用清洗单元12进行清洗，然后利用搬出搬入单元13的搬送垫从晶片200的保护部件213侧对清洗后的晶片200进行保持而向盒9搬入。另外，在实施方式1中，每当转台6旋转120度时，磨削装置1的控制单元100对被定位在粗磨削区域302的晶片
200依次实施限定磨削步骤1002、位置调整步骤1003以及圆形磨削步骤1004，对被定位在精磨削区域303的晶片200实施精磨削步骤1005，将磨削后的晶片200从被定位在搬入搬出区域301的卡盘工作台7搬送到清洗单元12，将磨削前的晶片200搬送到卡盘工作台7。当对盒8内的全部的晶片200实施了磨削时，磨削装置1的控制单元100结束加工动作即晶片的加工方法。
84.如上所述，在实施方式1的晶片的加工方法中，即使是难以磨削的难磨削性的晶片200，在限定磨削步骤1002中进行了与以往的taiko磨削相比将所磨削的面积限定得较窄而在中央残留中央凸部215的磨削之后，在圆形磨削步骤1004中对晶片200的包含中央凸部215在内的与器件区域203整体对应的背面201进行磨削。因此，晶片的加工方法能够使限定磨削步骤1002和圆形磨削步骤1004各自的磨削范围比以往的taiko磨削更窄，能够减少施加给磨削磨具31的负荷。其结果是，晶片的加工方法起到如下的效果：能够抑制主轴电动机37的负载电流值超过规定值，能够稳定地实施在晶片200的背面201形成与器件区域203对应的圆形凹部211和与外周剩余区域204对应的环状凸部212的所谓的taiko磨削。
85.并且，晶片的加工方法中，当在圆形磨削步骤1004中对中央凸部215进行磨削时，磨削磨具31与中央凸部215的角和环状凹部214的角碰撞，从而还能够得到修整效果，还能够起到良好地保持磨削状态的效果。
86.〔变形例〕
87.基于附图对本发明的实施方式1的变形例的晶片的加工方法进行说明。图17是示意性地示出在实施方式1的变形例的晶片的加工方法的限定磨削步骤中首先形成了环状凹部和中央凸部的状态的剖视图。另外，图17对与实施方式1相同的部分标注相同的标号而省略说明。
88.在实施方式1的变形例的晶片的加工方法中，一边将粗磨削磨轮32相对于晶片200的相对位置从靠近中心210的位置向外周缘的位置逐渐变更，一边多次反复实施限定磨削步骤1002，从而在背面201形成环状凹部214和中央凸部215。另外，图17示出了在限定磨削步骤1002中将粗磨削磨轮32和晶片200定位在同轴的位置而首先形成环状凹部214和中央凸部215的例子。另外，在本发明中，在首先形成环状凹部214和中央凸部215时，并不限于如图17所示将粗磨削磨轮32和晶片200定位在同轴的位置，只要一边将粗磨削磨轮32相对于晶片200的相对位置从靠近中心210的位置向外周缘的位置逐渐变更一边多次反复实施限定磨削步骤1002即可。
89.在图17所示的变形例的晶片的加工方法中，由于一边将粗磨削磨轮32相对于晶片200的相对位置从靠近中心210的位置向外周缘的位置逐渐变更一边多次反复实施限定磨削步骤1002，所以与实施方式相比能够进一步减小对磨削磨具31施加的负荷。
90.另外，本发明并不限定于上述实施方式。即，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形而实施。在上述实施方式1中，难磨削性的晶片200的原材料由硅构成并且在外表面形成有膜202，但在本发明中，并不限定于此。例如，在本发明中，难磨削性的晶片200的原材料可以由蓝宝石或玻璃等构成，也可以是通过混入掺杂材料(例如，硼：b；磷：p；锡：sn或砷：as)而使电阻率被调整为例如0.001ωcm以上且0.1ωcm以下的所谓的高掺杂品的晶片。当在这些难磨削性的晶片200上形成圆形凹部211和环状凸部212时，本发明的晶片的加工方法只要使用粗磨削单元3和精磨削单元4中的至少一方来实施限定磨削步骤1002、位
置调整步骤1003以及圆形磨削步骤1004即可。