1.一种采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述涂层粉体包括基材和沉积在基材表面的一种或多种涂层材料；所述基材为粉体状或颗粒状材料，所述涂层粉体的制备方法为：采用等离子增强化学气相沉积工艺在基材颗粒表面沉积一种或多种涂层材料；所述等离子增强化学气相沉积工艺在流态化等离子气相沉积炉内进行，所述流态化等离子气相沉积炉内设有正极板和负极板，所述正极板和负极板之间为沉积区，所述负极板具有振动输料功能，所述粉体在负极板的振动作用下在沉积区作跳跃式流态化运动，在沉积过程中，涂层材料在单个粉体颗粒表面的分布为随机分布。
2.根据权利要求1所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述基材为熔点在600℃以上的单质、化合物或复合材料。
3.根据权利要求1所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述涂层材料为熔点在600℃以上的单质、化合物或复合材料。
4.根据权利要求1所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述涂层材料的前驱体为气体。
5.根据权利要求4所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述涂层材料的前驱体为单种气体或多种气体的混合物。
6.根据权利要求1所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述正极板的数量在1个以上，每个正极板可单独接入工作气体和等离子发生器；所述负极板的振动频率和振动幅度分别独立可调。
7.根据权利要求1所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述等离子增强化学气相沉积工艺包括以下步骤：
s1.将粉体放入流态化等离子气相沉积炉中，对沉积炉进行抽真空处理；
s2.对沉积炉进行升温，并使粉体在负极板的振动作用下在沉积区进行流态化循环运动；
s3.向沉积炉内通入稀释气体，接通等离子发生器，随后加入涂层材料对应的源气体，使源气体分解后的固体成分沉积在基材粉体表面，完成粉体气相沉积。
8.根据权利要求7所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，步骤s1中所述沉积炉的真空度为0.01～2托。
9.根据权利要求7所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，步骤s3中所述稀释气体与源气体的体积比为0.2～6:1。
10.根据权利要求7所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，步骤s3中所述沉积炉的真空度为2～8托。
11.根据权利要求7所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，步骤s3中所述源气体为多种，所述多种源气体在基材粉体表面交替沉积。
12.根据权利要求7所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，步骤s3中所述源气体为多种，所述多种源气体在基材粉体表面混合沉积。
13.根据权利要求1～12任一项所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述沉积炉炉体上设有进料口和出料口，在炉体内部设有正极板和负极板，正极板的数量在1个以上，每个正极板可单独接入工作气体和等离子发生器，正极板设在负极板上方，与负极板保持一定的工作距离，所述正极板与负极板之间为沉积区；负极板与进料口和出料口之间分别连接有进料板和出料板，进料板、出料板和负极板上连接有振动装置，具有振动输料功能，在负极板下方设置有电热元件，所述粉体在沉积炉内沉积一个输料周期后，从出料口出来，通过沉积炉外部的循环机构将粉体再次送到入料口，实现了粉体在沉积区的循环流动和沉积炉对粉体的连续气相沉积。
14.根据权利要求13所述的采用等离子气相沉积工艺制备涂层粉体的方法，其特征在于，所述流态化等离子气相沉积炉所用等离子发生器包括带直流偏压的电容式射频电源，即直流电源与射频电源负载电容并联连接，直流电源负极与负极板电连接，负极板与粉体接触。